JP2015179747A - 湿式処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】均一な基板処理を実現することができる湿式処理装置を提供する。
【解決手段】湿式処理装置は、基板Ｗを処理液中に浸漬させたまま基板ホルダ４２を移動させる基板ホルダ送り機構５０を備える。基板ホルダ送り機構５０は、可動支持台５２を上昇させて基板ホルダ４２が固定支持台５９から離間するまで基板ホルダ４２を持ち上げ、可動支持台５２を基板ホルダ４２とともにホルダ取り出し位置ＯＵＴに向かって所定の距離だけ移動させ、基板ホルダ４２が固定支持台５９に支持されて可動支持台５２が基板ホルダ４２から離間するまで可動支持台５２を下げ、可動支持台５２をホルダ投入位置ＩＮに向かって所定の距離だけ移動させる。
【選択図】図４

Description

本発明は、めっき液やエッチング液などの処理液を用いてウェハなどの基板を処理する湿式処理装置に関する。

ウェハなどの基板をめっき槽内のめっき液に浸漬させて基板をめっきする無電解めっき装置が知られている。この無電解めっき装置では、図８に示すように、基板Ｗをそれぞれ保持した複数の基板ホルダ１０１がめっき槽１００内に吊り下げられ、基板Ｗがめっき液に浸漬される。基板ホルダ１０１はめっき槽１００内で水平方向に移動されながら、基板Ｗの表面に金属膜が析出する。基板Ｗをめっき槽１００内のめっき液に浸漬させてから所定の処理時間が経過した後、基板Ｗはめっき槽１００から引き上げられる。

処理時間が長いめっき工程では、スループットを上げるために、基板Ｗ同士の間隔を狭くして、多くの基板Ｗがめっき槽１００内のめっき液中に浸漬される。しかしながら、基板Ｗ同士の間隔を狭くすると、基板Ｗを水平方向に移動させたときに基板Ｗ間のめっき液は基板Ｗとともに移動し、基板Ｗの間に存在するめっき液は新たなめっき液に置換されない。結果として、基板Ｗの表面への金属イオンの供給が円滑に行われず、基板Ｗの表面に均一な厚さの金属膜を形成することができない。

無電解めっきでは、めっき反応の進行により、反応副生成物として水素などの気体が発生する。この気体のすべてはめっき液の液面まで上昇せず、気体の一部は気泡として基板Ｗの表面上に残留する。基板Ｗ上の気泡は、金属膜が基板Ｗの表面に均一に析出することを阻害する。このため、気泡を基板Ｗの表面から除去することが必要である。

特開２０１３−１０４１１９号公報 特開２００９−１０８３６７号公報 特開昭６１−８７８７５号公報

本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたもので、均一な基板処理を実現することができる湿式処理装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、基板を保持する基板ホルダと、処理液を内部に貯留する処理槽と、前記基板を前記処理液中に浸漬させたまま前記基板ホルダをホルダ投入位置からホルダ取り出し位置まで移動させる基板ホルダ送り機構とを備え、前記基板ホルダ送り機構は、前記基板ホルダを支持して前記基板ホルダを前記処理槽内に吊り下げる固定支持台と、前記固定支持台に隣接して配置され、前記基板ホルダを支持するための可動支持台と、前記可動支持台を上昇させて前記基板ホルダが前記固定支持台から離間するまで前記基板ホルダを持ち上げ、前記可動支持台を前記基板ホルダとともに前記ホルダ取り出し位置に向かって所定の距離だけ移動させ、前記基板ホルダが前記固定支持台に支持されて前記可動支持台が前記基板ホルダから離間するまで前記可動支持台を下げ、前記可動支持台を前記ホルダ投入位置に向かって前記所定の距離だけ移動させるアクチュエータとを備えることを特徴とする湿式処理装置である。

好ましい態様は、前記アクチュエータは、前記可動支持台を上下動させる第１のアクチュエータと、前記可動支持台を水平方向に移動させる第２のアクチュエータとを備えることを特徴とする。
好ましい態様は、前記基板ホルダを水平方向に搬送するトランスポータと、前記トランスポータと前記基板ホルダ送り機構との間で前記基板ホルダを鉛直方向に搬送するリフタとをさらに備え、前記リフタは、前記基板ホルダに保持された前記基板を前記処理液に浸漬させ、前記基板ホルダを前記処理槽から引き上げることを特徴とする。
好ましい態様は、前記基板ホルダは、外側に突出する突出部を有し、前記固定支持台は、前記突出部が嵌め込まれる複数の凹部を有することを特徴とする。
好ましい態様は、前記可動支持台は、前記突出部が嵌め込まれる複数の凹部を有することを特徴とする。

本発明によれば、基板ホルダがホルダ投入位置からホルダ取り出し位置に移動される間、基板ホルダに保持された基板は処理液に浸漬されたまま上昇および下降される。基板の表面は処理液に対して相対的に移動するので、基板に接触している処理液の置換を促進することができ、かつ基板の表面に付着した気泡を除去することができる。結果として、均一な基板処理を実現することができる。

本発明の一実施形態である無電解めっき装置を模式的に示す平面図である。 基板ホルダを示す図である。 基板ホルダの保持アームを示す図である。 第１のめっき槽および基板ホルダ送り機構を示す斜視図である。 基板ホルダ送り機構の動作を説明する図である。 図６（ａ）は第１のアクチュエータによって上昇される前の基板ホルダを示す図であり、図６（ｂ）第１のアクチュエータによって上昇された基板ホルダを示す図である。 第１のめっき槽、基板ホルダ送り機構、およびリフタを示す斜視図である。 基板を無電解めっきするためのめっき槽を示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１から図７において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

湿式処理装置は、めっき液やエッチング液などの処理液を用いてウェハなどの基板を処理する装置である。湿式処理装置の例としては、無電解めっき装置やウェットエッチング装置が挙げられる。無電解めっき装置は、めっき液に電流を流さずに基板の表面を金属でめっきするめっき装置である。ウェットエッチング装置は、有機溶剤などの液体中に基板を浸漬させ、基板の表面に塗布されたフォトレジストをエッチング除去したり、硫酸と過酸化水素とを混合したエッチング液中に基板を浸漬させ、基板の表面に形成された銅などのシード層を除去するエッチング装置である。以下、湿式処理装置の一実施形態として無電解めっき装置について説明するが、湿式処理装置は無電解めっき装置に限定されない。

図１は、本発明の一実施形態である無電解めっき装置を模式的に示す平面図である。図１に示すように、無電解めっき装置は、装置フレーム１と、ウェハなどの基板Ｗを収納したウェハカセットを搭載するロードポート２と、無電解めっき装置の動作を制御する制御部３と、基板Ｗのオリエンテーションフラットまたはノッチの位置を所定の方向に合わせるアライナ４とを備えている。さらに、無電解めっき装置は、めっき処理後の基板Ｗを高速回転させて乾燥させるスピン・リンス・ドライヤ（ＳＲＤ）６と、複数の基板ホルダ４２を鉛直姿勢で保管する保管槽１４と、めっきすべき基板Ｗを基板ホルダ４２に搭載し、めっきされた基板Ｗを基板ホルダ４２から取り出す基板ローダー１０と、基板Ｗを搬送する基板搬送ロボット１２とを備えている。

ロードポート２の並びに沿って走行機構５が配置されており、この走行機構５上に基板搬送ロボット１２が設置されている。走行機構５に隣接してアライナ４が配置されている。基板搬送ロボット１２は走行機構５上を移動することによってロードポート２に搭載されたウェハカセットにアクセスし、めっきすべき基板Ｗをウェハカセットから取り出し、基板Ｗを基板ローダー１０に渡すようになっている。

装置フレーム１内には、基板Ｗの表面を前処理する（例えば、基板Ｗの表面の酸化銅を除去する）前処理ユニット１６、および基板Ｗの表面に例えばパラジウム核を形成する核形成ユニット１８が配置されている。前処理ユニット１６は、基板Ｗの表面を前処理するための前処理液を貯留する前処理槽１６ａと、前処理液に浸漬された基板Ｗを洗浄液（例えば純水）で洗浄するリンス槽１６ｂとを備えている。核形成ユニット１８は、基板Ｗの表面にパラジウム核を形成するための核形成槽１８ａと、パラジウム核が形成された基板Ｗを洗浄液（例えば純水）で洗浄するリンス槽１８ｂとを備えている。

無電解めっき装置は、基板Ｗの表面に例えばコバルト層（Ｃｏ）を無電解めっきにより形成する第１のめっきユニット（第１の処理ユニット）２０と、基板Ｗの表面に例えば金層（Ａｕ）を無電解めっきにより形成する第２のめっきユニット（第２の処理ユニット）２４をさらに備えている。第１のめっきユニット２０は、コバルトめっき液などのめっき液（第１処理液）を貯留する第１のめっき槽（第１の処理槽）２０ａと、第１のめっき槽２０ａ内のめっき液に浸漬された基板Ｗを洗浄液（例えば純水）で洗浄するリンス槽２０ｂとを備えている。

第２のめっきユニット２４は、金めっき液などのめっき液（第２処理液）を貯留する第２のめっき槽（第２の処理槽）２４ａと、第２のめっき槽２４ａ内のめっき液に浸漬された基板Ｗを洗浄液（例えば純水）で洗浄するリンス槽２４ｂとを備えている。前処理ユニット１６、核形成ユニット１８、第１のめっきユニット２０、第２のめっきユニット２４、および保管槽１４は、この順に直列に配置されている。

第１のめっきユニット２０および第２のめっきユニット２４は、それぞれオーバーフロー槽（図示しない）を備えている。めっき槽２０ａ，２４ａをオーバーフローしためっき液はそれぞれオーバーフロー槽に流入し、循環ライン(図示しない)を通ってめっき槽２０ａ，２４ａに戻される。循環ラインにはフィルターやめっき液の温度調節部が設けられる。

基板ローダー１０は、保管槽１４に隣接して配置されている。この基板ローダー１０は、基板ホルダ４２が水平に載置されるテーブル２６と、基板ホルダ４２を起倒させる基板ホルダ起倒機構２８とを備えている。基板ホルダ起倒機構２８はテーブル２６の側方に設けられている。基板ホルダ起倒機構２８は、基板ホルダ４２を鉛直姿勢から水平姿勢に転換し、基板ホルダ４２をテーブル２６の上に載置するように構成されている。テーブル２６上の基板ホルダ４２に基板Ｗが装着され、および基板Ｗが基板ホルダ４２から取り外される。

無電解めっき装置は、基板Ｗを水平方向に搬送するトランスポータ３０を備えている。トランスポータ３０は、基板ローダー１０から前処理ユニット１６まで水平方向に延びる固定ベース４０と、固定ベース４０上を水平方向に移動可能に構成されたアーム３２と、アーム３２に取り付けられたグリッパ３４とを備えている。アーム３２を水平方向に移動させる駆動源としてはリニアモータまたはラック・アンド・ピニオンなどを採用することができる。グリッパ３４は基板ホルダ４２を把持するように構成されている。

基板ホルダ４２について、図２を参照しつつ説明する。図２は、基板ホルダ４２を示す図である。図２に示すように、基板ホルダ４２は、外側に突出する突出部４６，４６を有している。突出部４６，４６の間には支持アーム４５が延びている。支持アーム４５には、基板Ｗを把持する２つの保持アーム４４，４４が固定されている。トランスポータ３０は、グリッパ３４で支持アーム４５を把持した状態で、基板ホルダ４２を搬送する。

各保持アーム４４は、第１のスリット４４ａ、第２のスリット４４ｂ、および第３のスリット４４ｃを有している。図３は保持アーム４４のスリット４４ａ〜４４ｃに挟持された基板Ｗを示す図である。図３では１つの保持アーム４４が示されている。図３に示すように、基板Ｗの周縁部がこれらスリット４４ａ〜４４ｃに挿入されることにより、基板Ｗが基板ホルダ４２に保持される。図２に示すように、基板Ｗを点線で示す位置から実線で示す位置までスライドさせることにより、基板Ｗは２つの保持アーム４４，４４のスリット４４ａ〜４４ｃに挟持される。基板ホルダ４２への基板Ｗの搭載は、図１に示す基板搬送ロボット１２またはテーブル２６に搭載された基板スライド機構（図示しない）によって行われる。なお、第２のスリット４４ｂは省いてもよい。

無電解めっき装置は、基板Ｗを第１のめっき槽２０ａ内のめっき液中に浸漬させたまま基板ホルダ４２をホルダ投入位置ＩＮからホルダ取り出し位置ＯＵＴまで送る基板ホルダ送り機構５０と、基板Ｗを第２のめっき槽２４ａ内のめっき液中に浸漬させたまま基板ホルダ４２をホルダ投入位置ＩＮからホルダ取り出し位置ＯＵＴまで送る基板ホルダ送り機構５１とを備えている。ホルダ投入位置ＩＮとは、基板Ｗを保持した基板ホルダ４２がめっき槽２０ａ，２４ａ内に投入される位置であり、ホルダ取り出し位置ＯＵＴとは、基板Ｗを保持した基板ホルダ４２がめっき槽２０ａ，２４ａから取り出される位置である。これら基板ホルダ送り機構５０，５１は同じ構成を有しているため、以下、基板ホルダ送り機構５０の構成について説明し、基板ホルダ送り機構５１の説明を省略する。

図４は第１のめっき槽２０ａおよび基板ホルダ送り機構５０を示す斜視図である。以下、第１のめっき槽２０ａを単にめっき槽２０ａと呼ぶことがある。図４に示すように、めっき槽２０ａに隣接して基板ホルダ送り機構５０が設けられている。基板ホルダ送り機構５０は、基板Ｗをめっき槽２０ａ内のめっき液に浸漬させたまま、基板ホルダ４２をホルダ投入位置ＩＮからホルダ取り出し位置ＯＵＴまで矢印で示す方向に移動させるように構成されている。

基板ホルダ送り機構５０は、基板ホルダ４２を支持して基板ホルダ４２をめっき槽２０ａ内に吊り下げる２つの固定支持台５９と、基板ホルダ４２を支持するための２つの可動支持台５２と、２つの可動支持台５２をそれぞれ上昇および下降させる２つの第１のアクチュエータ５３とを備えている。２つの可動支持台５２は、２つの固定支持台５９にそれぞれ隣接して配置されている。これら固定支持台５９および可動支持台５２は、基板ホルダ４２の突出部４６の異なる部位を支持するように構成されている。

固定支持台５９はめっき槽２０ａの両側に配置されている。固定支持台５９はめっき槽２０ａの両側壁に固定されていてもよい。固定支持台５９の上面には、基板ホルダ４２の突出部４６を支持するための複数の凹部５９ａが形成されている。これら複数の凹部５９ａは、基板ホルダ４２の搬送方向に沿って直列に並んでいる。基板ホルダ送り機構５０はリフタ５５，５６とめっき槽２０ａとの間に配置されている。可動支持台５２の上面には、基板ホルダ４２の突出部４６を支持するための複数の凹部５２ａが形成されている。これら複数の凹部５２ａは、基板ホルダ４２の搬送方向に沿って直列に並んでいる。可動支持台５２の下部には第１のアクチュエータ５３が連結されている。第１のアクチュエータ５３として、例えばエアシリンダを使用することができる。

基板ホルダ送り機構５０は、第１のアクチュエータ５３が固定されるアクチュエータ台７６と、可動支持台５２および第１のアクチュエータ５３を水平方向に移動させる第２のアクチュエータ７５とをさらに備えている。第２のアクチュエータ７５はアクチュエータ台７６を介して第１のアクチュエータ５３に連結されている。第２のアクチュエータ７５として、例えばモータとボールねじ機構との組み合わせ、またはリニアモータを使用することができる。

固定支持台５９および可動支持台５２は、互いに平行に配置されている。固定支持台５９の位置は固定されている。可動支持台５２は、第１のアクチュエータ５３によって上昇および下降され、さらに第２のアクチュエータ７５によって水平方向に移動される。第２のアクチュエータ７５は、固定支持台５９と平行に延びており、可動支持台５２を固定支持台５９と平行な方向に移動させるようになっている。つまり、可動支持台５２、第１のアクチュエータ５３、およびアクチュエータ台７６は、第２のアクチュエータ７５によって一体に水平方向に移動される。

次に、基板ホルダ送り機構５０の動作について図５を参照して説明する。ステップ１では、基板ホルダ４２は、図１に示すリフタ５５によって固定支持台５９の上に置かれる。基板ホルダ４２の突出部４６は固定支持台５９の凹部５９ａに嵌入され、基板ホルダ４２はめっき槽２０ａ内に吊り下げられる。この基板ホルダ４２の位置は、ホルダ投入位置ＩＮである。ホルダ投入位置ＩＮは、基板Ｗを保持した基板ホルダ４２がめっき槽２０ａ内に投入される位置である。基板ホルダ４２は、基板Ｗがめっき液に浸漬されたまま、基板ホルダ送り機構５０によってホルダ投入位置ＩＮからホルダ取り出し位置ＯＵＴまで送られる。ホルダ取り出し位置ＯＵＴは、基板Ｗを保持した基板ホルダ４２がめっき槽２０ａから取り出される位置である。

次に、ステップ２では、第１のアクチュエータ５３は、可動支持台５２を上昇させて、可動支持台５２の凹部５２ａに基板ホルダ４２の突出部４６を挿入させる。突出部４６が可動支持台５２に支持された状態で、第１のアクチュエータ５３は可動支持台５２を基板ホルダ４２とともにさらに持ち上げ、基板ホルダ４２を固定支持台５９から離間させる。このステップ２では、第１のアクチュエータ５３は、可動支持台５２を固定支持台５９よりも高く上昇させる。基板ホルダ４２が上昇された距離は、基板ホルダ４２に保持されている基板Ｗの全体がめっき槽２０ａ内のめっき液（処理液）に浸漬されたままに維持される距離である。

ステップ３では、可動支持台５２が基板ホルダ４２を持ち上げている状態で、第２のアクチュエータ７５は、可動支持台５２および基板ホルダ４２をホルダ取り出し位置ＯＵＴに向かって所定の距離だけ水平方向に移動させる。この基板ホルダ４２の水平方向への移動中、基板Ｗはめっき液中に浸漬されたままである。基板ホルダ４２の水平方向への移動距離は、適宜変更することができる。図５に示す例では、基板ホルダ４２の水平方向への移動距離は、固定支持台５９の隣り合う凹部５９ａ間の距離に等しい。

ステップ４では、第１のアクチュエータ５３は、基板ホルダ４２の突出部４６が固定支持台５９に支持され、かつ可動支持台５２が基板ホルダ４２から離間するまで、可動支持台５２を下げる。より具体的には、第１のアクチュエータ５３は、可動支持台５２を基板ホルダ４２とともに下降させ、基板ホルダ４２の突出部４６を固定支持台５９の別の凹部５９ａに嵌入させる。これにより基板ホルダ４２が固定支持台５９に再び支持される。第１のアクチュエータ５３は、可動支持台５２をさらに下降させ、可動支持台５２を基板ホルダ４２から離間させる。このステップ４では、第１のアクチュエータ５３は、可動支持台５２を固定支持台５９よりも低く下降させる。

ステップ５では、可動支持台５２が基板ホルダ４２から離間した後、第１のアクチュエータ５３は、可動支持台５２をホルダ投入位置ＩＮに向かって上記所定の距離だけ水平方向に移動させる。したがって、可動支持台５２はステップ１に示す初期位置に戻る。ステップ６では、ホルダ投入位置ＩＮに新たな基板ホルダ４２が搬送され、基板ホルダ４２の突出部４６が固定支持台５９の凹部５９ａに嵌入される。

第１のアクチュエータ５３および第２のアクチュエータ７５はステップ１からステップ５までの動作を繰り返す。その結果、基板ホルダ４２は上下動しながらホルダ投入位置ＩＮからホルダ取り出し位置ＯＵＴまで移動される。基板ホルダ４２がホルダ取り出し位置ＯＵＴに到達すると、基板ホルダ４２はリフタ５６によってめっき槽２０ａから取り出される。

複数の基板ホルダ４２は連続してめっき槽２０ａに搬送される。基板ホルダ４２は１つずつめっき槽２０ａのホルダ投入位置ＩＮに投入され、１つずつめっき槽２０ａのホルダ取り出し位置ＯＵＴから取り出される。めっき槽２０ａ内には、常に複数の基板ホルダ４２が存在し、これら基板ホルダ４２に保持されている基板Ｗはめっき液によりめっきされる。

図５から分かるように、基板ホルダ４２の上昇下降に伴って基板Ｗはめっき液に浸漬されたまま上昇下降される。基板Ｗの表面はめっき液に対して相対的に上下動するため、基板Ｗに接しているめっき液を新たなめっき液に置換することができる。さらに、基板Ｗを上昇下降することで、基板Ｗの表面に付着した気泡を除去することができる。したがって、基板Ｗの表面に均一な厚さの金属膜を形成することができる。

図６（ａ）は第１のアクチュエータ５３によって上昇される前の基板ホルダ４２を示す図であり、図６（ｂ）第１のアクチュエータ５３によって上昇された基板ホルダ４２を示す図である。図５に示すステップ２では、第１のアクチュエータ５３は可動支持台５２を上昇させ、基板ホルダ４２を図６（ａ）に示す位置から図６（ｂ）に示す位置まで上昇させる。図６（ｂ）に示すように、上昇位置にある基板ホルダ４２に保持された基板Ｗの全体はめっき液中に浸漬されたままである。

無電解めっきでは、基板Ｗがめっき液に浸漬されたときに基板Ｗのめっきが開始され、基板Ｗがめっき液から引き上げられたときに基板Ｗのめっきが終了する。本実施形態では、基板ホルダ４２を上昇させても基板Ｗはめっき液に浸漬されたままであるので、基板Ｗのめっきが中断されることはない。

図７は第１のめっき槽２０ａ、基板ホルダ送り機構５０、リフタ５５、およびリフタ５６を示す斜視図である。図７に示すように、リフタ５５およびリフタ５６は、基板ホルダ送り機構５０に隣接して設けられている。リフタ５５は、基板ホルダ４２を上昇および下降させるように構成された一方向リフタであり、リフタ５６は、基板ホルダ４２を上昇および下降させ、さらに基板ホルダ４２を水平方向に移動させるように構成された二方向リフタである。

リフタ５５は、基板ホルダ４２の２つの突出部４６をそれぞれ支持するための２つのホルダ支持部６１と、これらホルダ支持部６１を基板ホルダ４２とともに上昇および下降させる２つの昇降機６０とを備えている。ホルダ支持部６１および昇降機６０は、基板ホルダ送り機構５０の外側に配置されている。

リフタ５５は、基板ホルダ４２を鉛直方向に移動させることによって、トランスポータ３０と基板ホルダ送り機構５０との間で基板ホルダ４２を鉛直方向に搬送するように構成されている。より具体的には、トランスポータ３０はそのグリッパ３４で基板ホルダ４２を把持し、基板ホルダ４２をリフタ５５まで搬送する。リフタ５５の昇降機６０は、ホルダ支持部６１を上昇させ、ホルダ支持部６１に基板ホルダ４２を受け取らせる。次いで、昇降機６０はホルダ支持部６１を基板ホルダ４２とともに下降させて、基板ホルダ４２を基板ホルダ送り機構５０の固定支持台５９上に載置させるとともに、基板Ｗをめっき槽２０ａ内のめっき液中に浸漬させる。リフタ５５によって固定支持台５９上に載置される基板ホルダ４２の位置は、図５のステップ１に示すホルダ投入位置ＩＮである。リフタ５５は、ホルダ支持部６１の上昇位置でトランスポータ３０から基板ホルダ４２を受け取る。トランスポータ３０は基板ホルダ４２をリフタ５５に引き渡した後、他の処理槽で処理されている基板Ｗを保持する基板ホルダ４２の搬送のために移動することができる。

リフタ５６は、基板ホルダ４２の２つの突出部４６をそれぞれ支持する２つのホルダ支持部６３と、これらホルダ支持部６３を基板ホルダ４２とともに上昇および下降させる２つの昇降機６２と、ホルダ支持部６３および昇降機６２を水平方向に移動させる２つの水平アクチュエータ６４とを備えている。ホルダ支持部６３、昇降機６２、および水平アクチュエータ６４は、基板ホルダ送り機構５０の外側に配置されている。

リフタ５６は、基板ホルダ４２を鉛直方向に移動させることによって、基板ホルダ送り機構５０とトランスポータ３０との間で基板ホルダ４２を鉛直方向に搬送するように構成されている。さらに、リフタ５６は、隣り合う２つの処理槽（すなわち、めっき槽２０ａとリンス槽２０ｂ）との間で基板ホルダ４２を水平方向に搬送するように構成されている。より具体的には、昇降機６２はホルダ支持部６３を上昇させ、固定支持台５９上に載置されている基板ホルダ４２をホルダ支持部６３に支持させ、さらにホルダ支持部６３を基板ホルダ４２とともに上昇させる。リフタ５６のホルダ支持部６３に支持されるときの基板ホルダ４２の位置は、ホルダ取り出し位置ＯＵＴである。水平アクチュエータ６４は、上昇位置にあるホルダ支持部６３および基板ホルダ４２を、隣の処理槽であるリンス槽２０ｂまで水平方向に移動させる。さらに、リフタ５６は基板ホルダ４２に保持された基板Ｗをリンス槽２０ｂ内の洗浄液に浸漬させ、基板Ｗを洗浄液から引き上げ、最後に、ホルダ支持部６３を上昇させて基板ホルダ４２をトランスポータ３０に引き渡す。

以上説明したように、リフタ５６と基板ホルダ送り機構５０によって、基板ホルダ４２に保持された基板Ｗを第１のめっき槽２０ａ内のめっき液およびリンス槽２０ｂ内の洗浄液にそれぞれ浸漬させ、基板Ｗをめっき液および洗浄液からそれぞれ引き上げる。一方、トランスポータ３０は基板ホルダ４２のリフタ５５への引き渡しと、リフタ５６からの基板ホルダ４２の受け取りだけを行う。リフタ５５，５６が基板ホルダ４２を搬送する動作は、トランスポータ３０の動作と独立に行うことができる。これによって装置全体のスループットを上げることができる。

リフタ５５，５６のホルダ支持部６１，６３、固定支持台５９の凹部５９ａ、および可動支持台５２の凹部５２ａは、それぞれ基板ホルダ４２の突出部４６の異なる部位を支持するように配置されている。すなわち、図２に示すように、リフタ５５，５６のホルダ支持部６１，６３は突出部４６の外側部位４６ａを支持し、固定支持台５９の凹部５９ａは突出部４６の内側部位４６ｃを支持し、可動支持台５２の凹部５２ａは外側部位４６ａと内側部位４６ｃの間にある中間部位４６ｂを支持する。

次に、無電解めっき装置の動作について図１を参照して説明する。まず、保管槽１４に隣接して配置されたリフタ８０により保管槽１４から鉛直姿勢の基板ホルダ４２を取り出す。このリフタ８０は、基板ホルダ４２を上昇および下降させ、さらに基板ホルダ４２を水平方向に移動させるように構成された二方向リフタである。リフタ８０の構成は、図７に示すリフタ５６の構成と同じであるので、その詳細な説明を省略する。リフタ８０は保管槽１４内に整列された複数の基板ホルダ４２のうち、任意の基板ホルダ４２を取り出すことができる。リフタ８０は、基板ホルダ４２をトランスポータ３０に引き渡し、トランスポータ３０は基板ホルダ４２を基板ローダー１０の基板ホルダ起倒機構２８に引き渡す。基板ローダー１０の基板ホルダ起倒機構２８は、基板ホルダ４２を鉛直姿勢から水平姿勢に転換し、テーブル２６の上に載置する。

基板搬送ロボット１２は、ロードポート２に搭載されたウェハカセットから基板Ｗを１枚取り出し、アライナ４に載せる。アライナ４はオリエンテーションフラットまたはノッチの位置を所定の方向に合わせる。基板搬送ロボット１２は、基板Ｗをアライナ４から取り出し、テーブル２６上に載置された基板ホルダ４２に基板Ｗを挿入する。より具体的には、基板搬送ロボット１２は、基板Ｗを図２の点線で示す位置から実線で示す位置までスライドさせることにより、基板Ｗを基板ホルダ４２に装填する。これに代えて、テーブル２６に基板Ｗを平行にスライドさせる基板スライド機構（図示せず）を設け、基板搬送ロボット１２が基板Ｗを基板スライド機構に渡し、基板スライド機構が基板Ｗを基板ホルダ４２に装着するようにしてもよい。

次に、基板ホルダ起倒機構２８は、基板ホルダ４２を水平姿勢から鉛直姿勢に転換する。アーム３２のグリッパ３４は、この起立した状態の基板ホルダ４２を把持し、トランスポータ３０は基板ホルダ４２を前処理槽１６ａの上方の所定位置まで移動させる。前処理槽１６ａに隣接してリフタ８１が設けられている。このリフタ８１は、基板ホルダ４２を上昇および下降させ、さらに基板ホルダ４２を水平方向に移動させるように構成された二方向リフタである。リフタ８１の構成は、図７に示すリフタ５６の構成と同じであるので、その詳細な説明を省略する。

リフタ８１は、トランスポータ３０から基板ホルダ４２を受け取り、基板ホルダ４２を下降させて、基板ホルダ４２に保持されている基板Ｗを前処理槽１６ａ内の前処理液に浸漬させる。基板Ｗの表面は前処理液によって前処理される。この前処理は、例えば、基板Ｗの表面の酸化銅を除去する処理である。前処理液後、リフタ８１は基板ホルダ４２を上昇させて前処理液から基板Ｗを引き上げる。

リフタ８１は、前処理槽１６ａに隣接するリンス槽１６ｂに基板ホルダ４２を水平方向に移動させ、基板ホルダ４２を下降させて基板Ｗをリンス槽１６ｂ内の洗浄液に浸漬させる。基板Ｗは洗浄液によって洗浄される。洗浄後、リフタ８１は基板ホルダ４２を上昇させ、基板Ｗをリンス槽１６ｂ内の洗浄液から引き上げる。

トランスポータ３０は基板ホルダ４２をリフタ８１から受け取り、基板ホルダ４２を核形成槽１８ａの上方の所定位置に移動させる。核形成槽１８に隣接してリフタ８２が設けられている。このリフタ８２は、基板ホルダ４２を上昇および下降させ、さらに基板ホルダ４２を水平方向に移動させるように構成された二方向リフタである。リフタ８２の構成は、図７に示すリフタ５６の構成と同じであるので、その詳細な説明を省略する。

リフタ８２は、トランスポータ３０から基板ホルダ４２を受け取り、基板ホルダ４２を下降させて、基板ホルダ４２に保持されている基板Ｗを核形成槽１８ａ内に配置させる。この核形成槽１８ａでは、金属膜を析出させるための核（例えばパラジウム核）が基板の表面に付与される。その後、リフタ８２は基板ホルダ４２を上昇させて基板Ｗを核形成槽１８ａから引き上げる。次いで、リフタ８２は、核形成槽１８ａに隣接するリンス槽１８ｂに基板ホルダ４２を水平方向に移動させ、基板ホルダ４２を下降させて基板Ｗをリンス槽１８ｂ内の洗浄液に浸漬させる。基板Ｗは洗浄液によって洗浄される。洗浄後、リフタ８２は基板ホルダ４２を上昇させ、基板Ｗをリンス槽１８ｂ内の洗浄液から引き上げる。

トランスポータ３０は基板ホルダ４２をリフタ８２から受け取り、基板ホルダ４２をめっき槽２０ａの上方の所定位置に移動させる。リフタ５５は、トランスポータ３０から基板ホルダ４２を受け取り、基板ホルダ４２を下降させて、上述したように基板ホルダ４２を基板送り機構５０上に載置する。この基板ホルダ４２の位置は、上述したホルダ投入位置ＩＮである。図５に示すように、基板Ｗの全体をめっき槽２０ａ内のめっき液に浸漬させた状態で、基板送り機構５０は基板ホルダ４２を上下動させながらホルダ投入位置ＩＮからホルダ取り出し位置ＯＵＴまで基板ホルダ４２を送る。基板Ｗはめっき液中を移動し、その間、基板Ｗの表面に第１段目の無電解めっきが行われる。この第１段目の無電解めっきは、例えばコバルト（Ｃｏ）めっきである。

基板ホルダ４２をめっき液に浸漬させてから所定の時間が経過したとき、別の基板を保持した後続の基板ホルダ４２がめっき槽２０ａのホルダ投入位置ＩＮに投入される。すなわち、複数の基板ホルダ４２は、所定の時間間隔で連続してめっき槽２０ａに投入され、所定の時間間隔でめっき槽２０ａから連続して取り出される。

リフタ５６は、ホルダ取り出し位置ＯＵＴに到達した基板ホルダ４２を上昇させ、基板Ｗをめっき液から引き上げる。次いで、リフタ５６は、めっき槽２０ａに隣接するリンス槽２０ｂに基板ホルダ４２を水平方向に移動させ、基板ホルダ４２を下降させてリンス槽２０ｂ内の洗浄液に基板Ｗを浸漬させる。基板Ｗは洗浄液によって洗浄される。洗浄後、リフタ５６は基板ホルダ４２を上昇させ、基板Ｗをリンス槽２０ｂ内の洗浄液から引き上げる。

トランスポータ３０は、リフタ５６から基板ホルダ４２を受け取り、基板ホルダ４２を第２のめっき槽２４ａの上方の所定位置まで水平方向に移動させる。めっき槽２４ａに隣接して、リフタ８３、リフタ８４、および基板送り機構５１が配置されている。リフタ８３は、基板ホルダ４２を上昇および下降させるように構成された一方向リフタであり、リフタ８４は、基板ホルダ４２を上昇および下降させ、さらに基板ホルダ４２を水平方向に移動させるように構成された二方向リフタである。リフタ８３およびリフタ８４は、それぞれ上述したリフタ５５およびリフタ５６と同じ構成を有している。

リフタ８３は、トランスポータ３０から基板ホルダ４２を受け取り、基板ホルダ４２を下降させて、基板ホルダ４２を基板送り機構５１上に載置する。この基板ホルダ４２の位置は、上述したホルダ投入位置ＩＮである。基板送り機構５０と同様に、基板送り機構５１は、基板Ｗの全体をめっき槽２４ａ内のめっき液に浸漬させた状態で、基板ホルダ４２を上下動させながらホルダ投入位置ＩＮからホルダ取り出し位置ＯＵＴまで基板ホルダ４２を送る。基板Ｗはめっき液中を移動し、その間、基板Ｗの表面に第２段目の無電解めっきが行われる。この第２段目の無電解めっきは、例えば金（Ａｕ）めっきである。

基板ホルダ４２をめっき液に浸漬させてから所定の時間が経過したとき、別の基板を保持した後続の基板ホルダ４２がめっき槽２４ａのホルダ投入位置ＩＮに投入される。すなわち、複数の基板ホルダ４２は、所定の時間間隔で連続してめっき槽２４ａに投入され、所定の時間間隔でめっき槽２４ａから連続して取り出される。

リフタ８４は、ホルダ取り出し位置ＯＵＴに到達した基板ホルダ４２を上昇させ、基板Ｗをめっき液から引き上げる。次いで、リフタ８４は、めっき槽２４ａに隣接するリンス槽２４ｂに基板ホルダ４２を水平方向に移動させ、基板ホルダ４２を下降させてリンス槽２４ｂ内の洗浄液に基板Ｗを浸漬させる。基板Ｗは洗浄液によって洗浄される。洗浄後、リフタ８４は基板ホルダ４２を上昇させ、基板Ｗをリンス槽２４ｂ内の洗浄液から引き上げる。

トランスポータ３０は、基板ホルダ４２をリフタ８４から受け取り、基板ホルダ４２を水平方向に移動して、基板ホルダ起倒機構２８に渡す。基板ホルダ起倒機構２８は、前述と同様にして、基板ホルダ４２をテーブル２６の上に水平に載置する。基板搬送ロボット１２は、基板Ｗを図２の実線で示す位置から点線で示す位置までスライドさせることにより、基板Ｗを基板ホルダ４２から取り出す。これに代えて、テーブル２６に設けた基板スライド機構（図示せず）が基板Ｗを基板ホルダ４２の基板保持位置からスライドさせ、その後基板搬送ロボット１２が基板スライド機構から基板Ｗを取り出してもよい。

その後、基板搬送ロボット１２は基板Ｗをスピン・リンス・ドライヤ６に搬送する。スピン・リンス・ドライヤ６は基板Ｗを高速で回転させることで基板を乾燥させる。基板搬送ロボット１２は、乾燥された基板Ｗをスピン・リンス・ドライヤ６から取り出し、ロードポート２のウェハカセットに戻す。これによって、基板Ｗに対する処理が終了する。

これまで本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術思想の範囲内において、種々の異なる形態で実施されてよいことは勿論である。

１ 装置フレーム
２ ロードポート
３ 制御部
４ アライナ
５ 走行機構
６ スピン・リンス・ドライヤ（ＳＲＤ）
１０ 基板ローダー
１２ 基板搬送ロボット
１４ 保管槽
１６ 前処理ユニット
１８ 核形成ユニット
２０ 第１の処理ユニット
２４ 第２の処理ユニット
２６ テーブル
２８ 基板ホルダ起倒機構
３０ トランスポータ
３２ アーム
３４ グリッパ
４０ 固定ベース
４２ 基板ホルダ
４４ 保持アーム
４５ 支持アーム
４６ 突出部
５０，５１ 基板ホルダ送り機構
５２ 可動支持台
５２ａ，５９ａ 凹部
５３ 第１のアクチュエータ
５５，５６，８０，８１，８２，８３，８４ リフタ
５９ 固定支持台
６０，６２ 昇降機
６１，６３ ホルダ支持部
６４ 水平アクチュエータ
７５ 第２のアクチュエータ
７６ アクチュエータ台

Claims (5)

1. 基板を保持する基板ホルダと、
   処理液を内部に貯留する処理槽と、
   前記基板を前記処理液中に浸漬させたまま前記基板ホルダをホルダ投入位置からホルダ取り出し位置まで移動させる基板ホルダ送り機構とを備え、
   前記基板ホルダ送り機構は、
   前記基板ホルダを支持して前記基板ホルダを前記処理槽内に吊り下げる固定支持台と、
   前記固定支持台に隣接して配置され、前記基板ホルダを支持するための可動支持台と、
   前記可動支持台を上昇させて前記基板ホルダが前記固定支持台から離間するまで前記基板ホルダを持ち上げ、前記可動支持台を前記基板ホルダとともに前記ホルダ取り出し位置に向かって所定の距離だけ移動させ、前記基板ホルダが前記固定支持台に支持されて前記可動支持台が前記基板ホルダから離間するまで前記可動支持台を下げ、前記可動支持台を前記ホルダ投入位置に向かって前記所定の距離だけ移動させるアクチュエータとを備えることを特徴とする湿式処理装置。
2. 前記アクチュエータは、前記可動支持台を上下動させる第１のアクチュエータと、前記可動支持台を水平方向に移動させる第２のアクチュエータとを備えることを特徴とする請求項１に記載の湿式処理装置。
3. 前記基板ホルダを水平方向に搬送するトランスポータと、
   前記トランスポータと前記基板ホルダ送り機構との間で前記基板ホルダを鉛直方向に搬送するリフタとをさらに備え、
   前記リフタは、前記基板ホルダに保持された前記基板を前記処理液に浸漬させ、前記基板ホルダを前記処理槽から引き上げることを特徴とする請求項１または２に記載の湿式処理装置。
4. 前記基板ホルダは、外側に突出する突出部を有し、
   前記固定支持台は、前記突出部が嵌め込まれる複数の凹部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の湿式処理装置。
5. 前記可動支持台は、前記突出部が嵌め込まれる複数の凹部を有することを特徴とする請求項４に記載の湿式処理装置。

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