CN116936402A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)具备：处理槽(110)，用于贮存处理多个基板(W)的处理液；基板保持部(120)，支撑基板(W)的第一侧部(Wp)和第二侧部(Wq)并下降，将多个基板(W)浸渍于处理槽(110)内的处理液中；引导部(140)，配置于处理槽(110)内，并支撑基板(W)的第一侧部(Wp)和第二侧部(Wq)。对多个基板(W)的每一个，基板保持部(120)保持与引导部(140)分离的基板(W)，并在水平方向上相对于引导部(140)相对地移动，使基板(W)的第一侧部(Wp)与引导部(140)接触，然后，基板保持部(120)进行移动而使基板(W)旋转，以使基板(W)的第二侧部(Wq)与引导部(140)接触。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
处理基板的基板处理装置已为人们所熟知。基板处理装置适用于半导体基板的处理。典型地，基板处理装置使用处理液处理基板。
针对在一并处理多个基板的批式处理装置中处理不均匀的研究已在进行(专利文献1)。专利文献1记载了一种批式处理装置，其为了减小利用臭氧水剥离抗蚀剂引起的剥离不均匀，通过旋转电机使晶片旋转。
专利文献1：日本特开2001-274131号公报
但是，专利文献1的批式处理装置会因利用旋转电机使晶片旋转而导致装置的大型化和复杂化。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的，目的在于，提供一种能够在处理槽中简便地对基板进行均匀处理的基板处理装置及基板处理方法。
根据本发明的一个方面，一种基板处理装置，具备：处理槽，用于贮存处理多个基板的处理液；基板保持部，以对多个所述基板的每一个分别支撑位于所述基板一侧的第一侧部和位于所述基板另一侧的第二侧部来保持多个所述基板的状态下降，将多个所述基板浸渍于所述处理槽内的所述处理液中；引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，分别支撑所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部，所述引导部具有：第一引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第一侧部；第二引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第二侧部，对多个所述基板的每一个，所述基板保持部和所述引导部中的一者保持与所述基板保持部和所述引导部中的另一者分离的所述基板，并相对于所述基板保持部和所述引导部中的另一者沿水平方向相对地移动，使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触，然后，所述基板保持部和所述引导部中的一者进行移动而使所述基板旋转，以使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的另一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触。
在某一实施方式中，对多个所述基板的每一个，所述基板保持部保持与所述第一引导部和所述第二引导部的每一个均分离的所述基板，并相对于所述第一引导部和所述第二引导部沿水平方向移动，使所述基板的所述第一侧部与所述第一引导部接触，然后，所述基板保持部下降，从而所述基板以所述第一引导部为支点旋转，所述基板的所述第二侧部与所述第二引导部接触。
在某一实施方式中，所述第一引导部和所述第二引导部相对于多个所述基板的中心在铅垂下方一侧支撑多个所述基板。
在某一实施方式中，还具备：处理液供给管，配置于所述处理槽内，供给所述处理液。
根据本发明的另一方面的一种基板处理装置，具备：处理槽，用于贮存处理多个基板的处理液；基板保持部，以对多个所述基板的每一个分别支撑位于所述基板一侧的第一侧部和位于所述基板另一侧的第二侧部来保持多个所述基板的状态下降，将多个所述基板浸渍于所述处理槽内的所述处理液中；搬送装置，向所述基板保持部搬送多个所述基板，所述搬送装置具有：搬运部(handling)，对多个所述基板的每一个，分别支撑所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部，所述搬运部具有：第一搬运部，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第一侧部；第二搬运部，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第二侧部，对多个所述基板的每一个，所述基板保持部和所述搬运部中的一者保持与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者分离的所述基板，相对于所述基板保持部和所述搬运部中的另一者沿水平方向相对地移动，使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触，然后，所述基板保持部和所述引导部中的一者进行移动而使所述基板旋转，以使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的另一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触。
在某一实施方式中，对多个所述基板的每一个，所述基板保持部保持与所述第一搬运部和所述第二搬运部的每一个均分离的所述基板，并相对于所述第一搬运部和所述第二搬运部沿水平方向移动，当所述基板与所述第一搬运部接触后，所述基板保持部下降，从而所述基板以所述第一搬运部为支点旋转，所述基板的所述第二侧部与所述第二搬运部接触。
根据本发明的另一方面的一种基板处理方法，包括：基板保持部以对多个基板的每一个分别支撑位于所述基板一侧的第一侧部和位于所述基板另一侧的第二侧部来保持多个所述基板的状态下降，将多个所述基板浸渍于处理槽内的处理液中的工序；当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，引导部对多个所述基板的每一个分别支撑所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部的工序；对多个所述基板的每一个，所述基板保持部和所述引导部中的一者保持与所述基板保持部和所述引导部中的另一者分离的所述基板，并相对于所述基板保持部和所述引导部中的另一者沿水平方向相对地移动，使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触的工序；所述基板保持部和所述引导部中的一者在使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触后，进行移动而使所述基板旋转，以使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的另一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触的工序。
在某一实施方式中，所述引导部具有：第一引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第一侧部；第二引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第二侧部，在使所述基板旋转的工序中，所述基板保持部保持与所述第一引导部和所述第二引导部分离的所述基板，并相对于所述第一引导部和所述第二引导部沿水平方向移动，使所述基板的所述第一侧部与所述第一引导部接触，然后，所述基板保持部下降，从而所述基板以所述第一引导部为支点旋转，所述基板的所述第二侧部与所述第二引导部接触。
根据本发明的另一方面的一种基板处理方法，包括：基板保持部以对多个基板的每一个分别支撑位于所述基板一侧的第一侧部和位于所述基板另一侧的第二侧部来保持多个所述基板的状态下降，将多个所述基板浸渍于处理槽内的处理液中的工序；利用搬送装置向所述基板保持部搬送多个所述基板的工序；所述搬送装置的搬运部对多个所述基板的每一个分别支撑所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部的工序；对多个所述基板的每一个，所述基板保持部和所述搬运部中的一者保持与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者相分离的所述基板，并相对于所述基板保持部和所述搬运部中的另一者沿水平方向相对地移动，使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触的工序；所述基板保持部和所述搬运部中的一者在使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触后，进行移动而使所述基板旋转，以使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的另一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触的工序。
在某一实施方式中，所述搬运部具有：第一搬运部，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第一侧部；第二搬运部，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第二侧部，在使所述基板旋转的工序中，所述基板保持部保持与所述第一搬运部和所述第二搬运部的每一个均分离的所述基板，并相对于所述第一搬运部和所述第二搬运部沿水平方向移动，多个所述基板与所述第一搬运部接触后，所述基板保持部下降，从而所述基板以所述第一搬运部为支点旋转，所述基板的所述第二侧部与所述第二搬运部接触。
根据本发明，能够在处理槽中简便地对基板进行均匀处理。
附图说明
图1A和图1B是本实施方式的基板处理装置的示意性立体图。
图2A是本实施方式的基板处理装置的示意性主视图，图2B是本实施方式的基板处理装置的示意性侧视图。
图3是本实施方式的基板处理装置的示意性框图。
图4A～图4C是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图5A～图5D是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图6A～图6D是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图7A～图7F是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图8是本实施方式的基板处理装置的示意性立体图。
图9A～图9C是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图10A～图10F是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
图11是具有本实施方式的基板处理装置的基板处理系统的示意图。
图12是具有本实施方式的基板处理装置的基板处理系统的示意图。
图13A～图13C是本实施方式的基板处理装置的搬送装置的示意图。
图14A～图14F是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
附图标记说明
10基板处理系统
100基板处理装置
110处理槽
112内槽
114外槽
120基板保持部
130处理液供給部
140引导部
142第一引导部
144第二引导部
150搬送装置
152第一搬运部
154第二搬运部
180控制装置
182控制部
184存储部
W基板
具体实施方式
下面，参考附图，对本发明的基板处理装置及基板处理方法的实施方式进行说明。此外，附图中，对相同或相应部分标注相同的标记，并不再进行重复说明。此外，在本申请说明书中，为了便于理解发明，会记载相互正交的X轴、Y轴及Z轴。典型地，X轴和Y轴平行于水平方向，Z轴平行于铅垂方向。
参考图1A、图1B对本发明的基板处理装置100的实施方式进行说明。图1A和图1B是本实施方式的基板处理装置100的示意性立体图。图1A表示将基板W投入处理槽110之前的基板处理装置100。图1B表示将基板W投入处理槽110之后的基板处理装置100。
基板处理装置100处理基板W。基板处理装置100以对基板W进行蚀刻、表面处理、氧化处理、特性赋予、处理膜形成、膜的至少一部分的除去以及清洗中的至少一项的方式对基板W进行处理。
基板W为薄板状。典型地，基板W为薄的大致圆板状。基板W例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、场致电子发射显示器(Field EmissionDisplay：FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板以及太阳能电池用基板等。
基板处理装置100是批式基板处理装置。基板处理装置100一并处理多个基板W。典型地，基板处理装置100以批次为单位处理多个基板W。例如，1批次包括25张或50张基板W。
如图1A所示，基板处理装置100具备：处理槽110、基板保持部120、处理液供给部130和引导部140。处理槽110贮存用于处理基板W的处理液。处理液供给部130向处理槽110供给处理液。
基板保持部120所保持的基板W的主表面的法线方向平行于Y方向。多个基板W沿Y方向排列成一列。多个基板W在水平方向上大致平行地排列。另外，多个基板W的每一个的法线沿Y方向延伸，多个基板W的每一个与X方向和Z方向大致平行地扩展。基板保持部120将基板W保持为竖立状态。多个基板W以各自的中心Wc沿Y方向直线状排列的方式配置。
如上所述，基板W为薄的大致圆板状。基板W具有对称结构。基板W的重心位于基板W的中心Wc。基板W具有位于基板W一侧的第一侧部Wp和位于另一侧的第二侧部Wq。相对于从基板W的重心(中心Wc)向铅垂下方延伸的铅垂线Wv，第一侧部Wp位于基板W上的一侧。相对于铅垂线Wv，第二侧部Wq位于基板W上的另一侧。在此，第一侧部Wp相对于铅垂线Wv位于+X方向一侧，第二侧部Wq相对于铅垂线Wv位于-X方向一侧。
基板保持部120集中保持多个基板W。基板保持部120对多个基板W的每一个支撑基板W的第一侧部Wp和第二侧部Wq。由此，基板保持部120能够稳定地保持多个基板W的每一个。
在此，基板保持部120保持沿Y方向排列成一列的基板W。基板保持部120以保持基板W的状态使基板W移动。例如，基板保持部120以保持基板W的状态沿铅垂方向向铅垂上方或铅垂下方移动。
具体来讲，基板保持部120包括升降机。基板保持部120以保持多个基板W的状态向铅垂上方或铅垂下方移动。基板保持部120向铅垂下方移动，从而，将由基板保持部120保持的多个基板W浸渍于处理槽110所贮存的处理液中。
在图1A中，基板保持部120位于处理槽110的上方。基板保持部120在保持多个基板W的状态下向铅垂下方(Z方向)下降。由此，将多个基板W投入处理槽110。
如图1B所示，若基板保持部120下降至处理槽110，则多个基板W浸渍于处理槽110内的处理液中。基板保持部120将隔开规定间隔排列的多个基板W浸渍于处理槽110内所贮存的处理液中。
处理槽110具有双层槽结构。处理槽110具有内槽112和外槽114。外槽114包围内槽112。内槽112和外槽114均具有开口向上的上部开口。
内槽112和外槽114均贮存处理液。向内槽112投入多个基板W。详细来讲，向内槽112投入由基板保持部120保持的多个基板W。通过投入内槽112，从而将多个基板W浸渍于内槽112内的处理液中。
基板保持部120包括主体板122和保持构件124。主体板122是沿铅垂方向(Z方向)延伸的板。保持构件124从主体板122的一个主表面沿水平方向(Y方向)延伸。在图1A和图1B中，保持构件124从主体板122的一个主表面向+Y方向(水平方向)延伸。多个基板W在隔开规定间隔排列的状态下，由保持构件124抵接各个基板W的下边缘，以竖立姿势(垂直姿势)被保持。保持构件124在三个位置保持基板W。
更具体地来讲，保持构件124所保持的多个基板W沿Y方向隔开间隔排列。因此，多个基板W沿Y方向排列成一列。另外，多个基板W的每一个以与XZ平面大致平行的姿势被保持构件124保持。
基板处理装置100还具备移动单元126。移动单元126移动基板保持部120。移动单元126使基板保持部120在下方位置(图1B所示的位置)与上方位置(图1A所示的位置)之间升降，所述下方位置是由基板保持部120保持的多个基板W位于处理槽110内的位置，所述上方位置是由基板保持部120保持的多个基板W位于处理槽110上方的位置。因此，移动单元126将基板保持部120移动至下方位置，从而将基板保持部120所保持的多个基板W浸渍于处理槽110内的处理液中。
更具体地来讲，移动单元126使基板保持部120在处理位置(图1B所示的位置)和退避位置(图1A所示的位置)之间升降。如图1B所示，若基板保持部120以保持多个基板W的状态向铅垂下方(Z方向)下降并移动至处理位置，则多个基板W被投入内槽112。详细来讲，由基板保持部120保持的多个基板W移动至内槽112内。其结果，多个基板W浸渍于内槽112内的处理液中，由处理液进行处理。另一方面，如图1A所示，若基板保持部120向退避位置移动，则基板保持部120所保持的多个基板W向内槽112的上方移动，从处理液中被提起。
移动单元126使基板保持部120升降。移动单元126使基板保持部120升降，从而基板保持部120以保持多个基板W的状态向铅垂上方或铅垂下方移动。移动单元126具有驱动源和升降机构，通过驱动源驱动升降机构，使基板保持部120上升和下降。驱动源例如包括电机。升降机构例如包括齿条和小齿轮机构或滚珠丝杠。
另外，优选移动单元126不仅能够使基板保持部120在铅垂方向(Z方向)上移动，而且能够使基板保持部120在水平方向(X方向)上移动。由此，基板保持部120不仅能够沿铅垂方向升降，而且能够沿水平方向移动。
引导部140配置在处理槽110内。当基板保持部120保持多个基板W并下降时，引导部140对多个基板W的每一个分别支撑基板的第一侧部Wp和第二侧部Wq。
引导部140具有第一引导部142和第二引导部144。在此，第一引导部142配置为与第二引导部144不同的构件。
第一引导部142配置在处理槽110内。在此，第一引导部142固定于处理槽110。详细来讲，第一引导部142配置在内槽112内。第一引导部142配置于内槽112内的一侧(+X方向)。
若基板保持部120以保持基板W的状态下降，则第一引导部142接触基板W。详细来讲，第一引导部142相对于基板W的中心Wc在一侧(+X方向)的侧面接触基板W。由此，第一引导部142相对于基板W的中心Wc在一侧(+X方向)的侧部(第一侧部Wp)支撑基板W。
第二引导部144配置在处理槽110内。在此，第二引导部144固定于处理槽110。详细来讲，第二引导部144配置在内槽112内。第二引导部144配置于内槽112内的另一侧(-X方向)。
详细来讲，第一引导部142由位于内槽112的+Y方向一侧的侧面112p支撑。第二引导部144由位于内槽112的-Y方向一侧的侧面112q支撑。
若基板保持部120以保持基板W的状态下降，则第二引导部144接触基板W。详细来讲，第二引导部144相对于基板W的中心Wc在另一侧(-X方向)的侧面接触基板W。由此，第二引导部144相对于基板W的中心Wc在另一侧(-X方向)的侧部(第二侧部Wq)支撑基板W。
第一引导部142在铅垂方向上的高度与第二引导部144在铅垂方向上的高度大致相等。第一引导部142和第二引导部144由处理槽110的内槽112支撑。在此，第一引导部142和第二引导部144在内槽112中由Y方向上相对的两个侧面112p、112q支撑。此外，第一引导部142和第二引导部144也可以在内槽112中由X方向上相对的两个侧面支撑。
如上所述，第一引导部142和第二引导部144固定于内槽112。但第一引导部142和第二引导部144也可以在内槽112中移动。
如上所述，基板保持部120将基板W保持为竖立状态。此外，第一引导部142和第二引导部144也可以与基板保持部120一起将基板W保持为竖立状态。或者，第一引导部142和第二引导部144也可以是，在基板保持部120不支撑基板W的情况下，能够将基板W保持为竖立状态。
接着，参考图1A、图1B和图2A、图2B对本实施方式的基板处理装置100进行说明。图2A是本实施方式的基板处理装置100的示意性主视图，图2B是本实施方式的基板处理装置100的示意性侧视图。
如图2A所示，在处理槽110内，基板保持部120保持基板W。该情况下，若处理槽110贮存有处理液，则基板保持部120所保持的基板W浸渍于处理槽110内的处理液中。在此，省略了处理槽110的外槽114(图1A和图1B)。
在图2A中，基板W由基板保持部120、第一引导部142和第二引导部144支撑。基板保持部120接触并支撑基板W的下方。第一引导部142与基板W的一侧(+X方向)的侧部(第一侧部Wp)的下方接触，从下方支撑第一侧部Wp。第二引导部144与基板W的另一侧(-X方向)的侧部(第二侧部Wq)的下方接触，从下方支撑第二侧部Wq。
此外，第一引导部142中接触基板W的部分与第二引导部144中接触基板W的部分之间沿X方向的距离Lx小于基板W的直径Wd。由此，若基板保持部120以保持基板W的状态下降，则基板W与第一引导部142和第二引导部144接触。
保持构件124沿X方向的长度Ls比第一引导部142与第二引导部144之间的距离Lx短。因此，相对于第一引导部142和第二引导部144，保持构件124能够自上而下地从第一引导部142和第二引导部144之间通过。
保持构件124具有基体124s和从基体124s向上方延伸的凸起部124a、124b、124c。基体124s沿Y方向延伸。基体124s的宽度(X方向的长度)比第一引导部142和第二引导部144之间的距离短。
凸起部124a在基体124s的X方向的中央向上方(+Z方向)延伸。凸起部124b在基体124s的一侧(+X方向)的端部向上方(+Z方向)延伸。凸起部124c在基体124s的另一侧(-X方向)的端部向上方(+Z方向)延伸。此外，凸起部124a的长度比凸起部124b和凸起部124c的长度小。凸起部124a与凸起部124b之间的距离和凸起部124a与凸起部124c之间的距离大致相等。另外，凸起部124b的长度与凸起部124c的长度大致相等。
典型地，凸起部124a支撑基板W的中心Wc的铅垂下方。凸起部124b支撑基板W的第一侧部Wp。凸起部124c支撑基板W的第二侧部Wq。
此外，优选在凸起部124a～124c上设置分别支撑多个基板W的多个槽。多个槽的宽度(Y方向的长度)与基板W的厚度(Y方向的长度)大致相等或稍大于基板W的厚度。通过将基板W插入凸起部124a～124c的槽中，从而，多个基板W能够稳定地保持竖立姿势。
如图2A和图2B所示，基板处理装置100还具备处理液供给部130。处理液供给部130向处理槽110供给处理液。在基板W浸渍于处理槽110内的处理液期间，处理液供给部130能够通过向处理槽110供给处理液来促进基板W的处理。
处理液供给部130具有处理液供给源、配管132和处理液供给管134。配管132连接处理液供给源和处理液供给管134。处理液供给管134配置在处理槽110内。典型地，处理液供给管134配置在处理槽110的底面。在此，处理液供给管134沿Y方向延伸。处理液从处理液供给源经由配管132流向处理液供给管134，并供给至处理槽110。
处理液供给管134上设有多个开口部。从处理液供给管134的开口部喷出处理液。典型地，处理液供给管134的开口部位于沿排列方向排列的基板W中相邻两个基板W之间的下方。
处理液供给管134配置在处理槽110内。在此，多个处理液供给管134分别配置在沿排列方向排列的基板W的一侧(+X方向一侧)的下方和另一侧(-X方向一侧)的下方。另一方面，处理液供给源配置在处理槽110的外部。另外，配管132配置在处理槽110的外部。此外，配管132也可以至少一部分配置在处理槽110内部，配管132在处理槽110内部与处理液供给管134相连接。
接着，参考图1A～图3对本实施方式的基板处理装置100进行说明。图3是本实施方式的基板处理装置100的框图。
如图2B和图3所示，基板处理装置100还具备控制装置180。控制装置180控制基板处理装置100的各种动作。典型地，控制装置180控制移动单元126和处理液供给部130。
控制装置180包括控制部182和存储部184。控制部182包括处理器。控制部182例如具有中央处理运算器(Central Processing Unit：CPU)。或者，控制部182也可以具有通用运算器。
存储单元184存储数据和计算机程序。数据包括规程数据。规程数据包含表示多个规程的信息。多个规程中的每一个规定基板W的处理内容和处理顺序。
存储部184包括主存储装置和辅助存储装置。主存储装置例如是半导体存储器。辅助存储装置例如是半导体存储器和/或硬盘驱动器。存储单元184可以包括可移动介质。控制部182执行存储部184存储的计算机程序，执行基板处理动作。
控制装置180根据预先确定的程序控制移动单元126和处理液供给部130。详细来讲，控制装置180控制移动单元126来移动基板保持部120。另外，控制装置180控制来自处理液供给部130的处理液的供给。
例如，控制部182控制处理液供给部130。详细来讲，控制部182控制处理液供给部130的处理液供给的开始和停止。在一个示例中，控制部182可以对设置在配置于处理槽110外部的配管132上的阀、调整阀等进行控制，来控制向处理液供给管134的处理液的供给。
另外，控制部182控制移动单元126。通过控制部182的控制，移动单元126使基板保持部120相对于处理槽110升降。移动单元126也可以使基板保持部120在水平方向上相对于处理槽110移动。
接着，参考图4A～4C对本实施方式的基板处理方法进行说明。图4A～4C是本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图4A所示，基板保持部120在处理槽110的上方保持基板W。此外，需要说明的是，作为基板保持部120，示出保持构件124并省略主体板122。处理液供给管134向处理槽110供给处理液。处理槽110贮存处理液。
如图4B所示，基板保持部120以保持基板W的状态下降。由基板保持部120保持的基板W浸渍于处理槽110内的处理液中。
如图4C所示，若基板保持部120以保持基板W的状态进一步下降，则基板W与第一引导部142和第二引导部144接触。由此，基板W由第一引导部142和第二引导部144支撑。详细来讲，第一引导部142支撑基板W的第一侧部Wp，第二引导部144支撑基板W的第二侧部Wq。由此，基板W由基板保持部120保持，并由第一引导部142和第二引导部144支撑。第一引导部142和第二引导部144相对于基板W的中心Wc在铅垂下方一侧支撑多个基板W。
另外，处理液供给管134也可以对浸渍于处理槽110内的处理液中的基板W供给处理液。处理液供给管134也可以在第一引导部142和第二引导部144支撑基板W之后，开始供给处理液。或者，处理液供给管134也可以在第一引导部142和第二引导部144支撑基板W之前，且基板保持部120以保持基板W的状态下降的期间，供给处理液。
根据本实施方式，在基板W由基板保持部120保持并由第一引导部142和第二引导部144支撑的状态下，处理液供给管134能够向基板W供给处理液。由此，即使从处理液供给管134供给的处理液的流量比较大，也能够稳定地保持基板W。此外，在使用从处理液供给管134供给的处理液对基板W进行处理的情况下，有时因基板W上的距处理液供给管134的位置而不能均匀地处理基板W。因此，为了均匀地处理基板W，优选使基板W旋转。
接着，参考图1A～图5D对本实施方式的基板处理方法进行说明。图5A～图5D是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图5A所示，基板W由第一引导部142、第二引导部144以及基板保持部120保持。此时，基板W由第一引导部142和第二引导部144支撑。详细来讲，第一引导部142支撑基板W的第一侧部Wp，第二引导部144支撑基板W的第二侧部Wq。另外，在图5A中，将此时基板W的最高部分表示为部分Wt。
如图5B所示，若基板保持部120以保持基板W的状态上升，则基板W与第一引导部142和第二引导部144分离。另外，基板W的下端位于比第一引导部142和第二引导部144的下端更靠下方的位置。在此，基板W与第一引导部142之间的距离比保持构件124与第一引导部142之间的距离短。同样地，基板W与第二引导部144之间的距离比保持构件124与第二引导部144之间的距离短。
如图5C所示，基板保持部120以保持基板W的状态沿水平方向(X方向)移动。由此，基板W接触第一引导部142和第二引导部144其中一者。在此，基板保持部120以保持基板W的状态沿+X方向移动，从而，基板W接触第一引导部142。具体来讲，基板W的第一侧部Wp接触第一引导部142。此情况下，从基板W的中心Wc向铅垂下方延伸的铅垂线Wv，位于比连接第一引导部142与第二引导部144之间的中间的中间线更靠近+X方向一侧的位置。
如图5D所示，若基板保持部120以保持基板W的状态向下降方向移动，则基板W以第一引导部142为中心旋转，基板W与第二引导部144接触。具体来讲，基板W的第二侧部Wq与第二引导部144接触。在此情况下，基板W顺时针旋转。由此，先前位于基板W最上方的部分Wt从基板W最上方的位置开始顺时针方向移动。
根据本实施方式，基板保持部120能够利用第一引导部142和第二引导部144使基板W旋转规定的角度。典型地，基板W在3°以上30°以下的范围内旋转。
为了均匀地处理基板W，优选基板W在处理槽110的处理液内旋转360°。另外，优选在用处理液处理基板W期间中，定期旋转基板W。
另外，虽然在上述说明中，基板W由基板保持部120保持为竖立姿势，但本实施方式并不仅限于此。基板W也可以由第一引导部142和第二引导部144保持为竖立姿势。此情况下，即使基板保持部120不保持基板W，第一引导部142和第二引导部144也能够将基板W保持为竖立姿势。
接着，参考图6A～图6D对本实施方式的基板处理方法进行说明。图6A～图6D是本实施方式的基板处理方法的示意图。此外，图6A～图6C与图4A～图4C相同，为避免冗余而省略重复说明。
如图6A所示，基板保持部120在处理槽110的上方保持基板W。基板保持部120以保持基板W的状态下降。
如图6B所示，若基板保持部120以保持基板W的状态下降，则基板保持部120所保持的基板W浸渍于处理槽110内的处理液中。
如图6C所示，若基板保持部120以保持基板W的状态进一步下降，则基板W与第一引导部142和第二引导部144接触。在此，基板W由基板保持部120保持，并由第一引导部142和第二引导部144支撑。
如图6D所示，基板保持部120也可以不保持基板W而进一步下降。此情况下，基板W由第一引导部142和第二引导部144保持。另外，也可以在基板W浸渍于处理槽110内的处理液中的期间，从处理液供给管134向基板W供给处理液。此情况下，优选基板W由第一引导部142和第二引导部144保持，基板保持部120离开基板W。由此，当从处理液供给管134向基板W供给处理液并对基板W进行处理时，能够抑制基板保持部120对基板W的影响。
接着，参考图1A～图7F对本实施方式的基板处理方法进行说明。图7A～图7F是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图7A所示，基板保持部120离开基板W。在此，基板保持部120位于基板W的下方。基板W由第一引导部142和第二引导部144支撑。第一引导部142支撑基板W的第一侧部Wp，第二引导部144支撑基板W的第二侧部Wq。由此，基板W由第一引导部142和第二引导部144保持。另外，在图7A中，将此时基板W的最高部分表示为部分Wt。
如图7B所示，基板保持部120上升并接触基板W。由此，基板W由基板保持部120、第一引导部142和第二引导部144支撑。保持构件124的凸起部124a支撑基板W的中心Wc的铅垂下方。另外，保持构件124的凸起部124b支撑基板W的第一侧部Wp，保持构件124的凸起部124c支撑基板W的第二侧部Wq。
如图7C所示，若基板保持部120以保持基板W的状态上升，则基板W离开第一引导部142和第二引导部144。此外，基板W的下端位于比第一引导部142和第二引导部144的下端更靠下方的位置。在此，基板W与第一引导部142之间的距离比保持构件124与第一引导部142之间的距离短。同样地，基板W与第二引导部144之间的距离比保持构件124与第二引导部144之间的距离短。
如图7D所示，基板保持部120以保持基板W的状态沿水平方向(X方向)移动。由此，基板W接触第一引导部142和第二引导部144其中一者。在此，基板保持部120以保持基板W的状态向+X方向移动，从而基板W与第一引导部142接触。
如图7E所示，基板保持部120以保持基板W的状态向下降方向移动。此情况下，基板W以第一引导部142为中心旋转，基板W与第二引导部144接触。此时，基板W顺时针旋转。由此，之前位于基板W最上方的部分Wt按顺时针方向移动。
如图7F所示，基板保持部120下降并与基板W分离。在此，基板保持部120位于基板W的下方。基板W由第一引导部142和第二引导部144保持。
根据本实施方式，基板保持部120能够利用第一引导部142和第二引导部144使基板W旋转规定的角度。典型地，由此，能够使基板W在3°以上30°以下的范围内旋转。
另外，为了均匀地处理基板W，优选基板W旋转360°。另外，优选在使用处理液对基板W进行处理期间，定期旋转基板W。
此外，虽然在图1A、图1B所示的基板处理装置100中，第一引导部142和第二引导部144由内槽112的Y方向上相对的两个侧面支撑，但本实施方式并不仅限于此。第一引导部142和第二引导部144也可由内槽112的X方向上相对的两个侧面支撑。
另外，虽然在图1A、图1B所示的基板处理装置100中，第一引导部142和第二引导部144在处理槽110中沿Y方向延伸，但本实施方式并不仅限于此。第一引导部142和第二引导部144也可以在处理槽110中沿Y方向分割配置。
接着，参考图1A～图8对本实施方式的基板处理装置100进行说明。图8是本实施方式的基板处理装置100的示意性立体图。
如图8所示，第一引导部142和第二引导部144由内槽112的X方向上相对的两个侧面支撑。详细来讲，第一引导部142位于内槽112的位于+X方向一侧的侧面112a上并由侧面112a支撑。第二引导部144位于内槽112的位于-X方向一侧的侧面112b上并由侧面112b支撑。
第一引导部142具有多个支撑部142p。多个支撑部142p在侧面112a上沿Y方向排列配置。多个支撑部142p从侧面112a向侧面112b凸起。在多个支撑部142p上设置有用于支撑基板W的槽。多个支撑部142p分别支撑基板W。
同样，第二引导部144具有多个支撑部144p。多个支撑部144p在侧面112b上沿Y方向排列配置。多个支撑部144p从侧面112b向侧面112a凸起。在多个支撑部144p上设置有用于支撑基板W的槽。多个支撑部144p分别支撑基板W。
此外，虽然在图8所示的基板处理装置100中，在内槽112的侧面112a和侧面112b上，分别设置沿Y方向分离的第一引导部142和第二引导部144，但本实施方式并不仅限于此，也可以在内槽112的侧面112a和侧面112b上设置沿Y方向延伸的第一引导部142和第二引导部144。
接着，参考图1A～图9C对本实施方式的基板处理装置100进行说明。图9A～图9C是本实施方式的基板处理装置100的示意图。
如图9A所示，基板保持部120保持基板W。具体来讲，保持构件124支撑基板W的下方。在保持构件124中，凸起部124a支撑基板W的中心Wc的铅垂下方。凸起部124b支撑基板W的第一侧部Wp。凸起部124c支撑基板W的第二侧部Wq。
基板保持部120将基板W保持为竖立状态。若基板保持部120下降至处理槽110，则多个基板W浸渍于处理槽110内的处理液中。第一引导部142和第二引导部144与基板保持部120一起将基板W保持为竖立状态。第一引导部142支撑基板W的第一侧部Wp。第二引导部144支撑基板W的第二侧部Wq。
如图9A和图9B所示，第一引导部142和第二引导部144由内槽112的X方向上相对的两个侧面支撑。详细来讲，第一引导部142位于内槽112的位于+X方向一侧的侧面112a上，并安装在侧面112a上。第二引导部144位于内槽112的位于-X方向一侧的侧面112b上，并安装在侧面112b上。
如图9B所示，在第一引导部142上，在-X方向一侧的端部设置有槽142v。在第一引导部142上，多个槽142v沿Y方向排列。基板W的第一侧部Wp配置于第一引导部142的槽142v中。此外，与第一引导部142同样地，第二引导部144上也设置有多个槽，基板W的第二侧部Wq配置于第二引导部144的槽中。
如图9C所示，在保持构件124的凸起部124b的+Z方向一侧的端部设置有槽124v。在凸起部124b中，多个槽124v沿Y方向排列。基板W的第一侧部Wp配置于凸起部124b的槽124v中。此外，与凸起部124b同样地，凸起部124c上也设置有多个槽，基板W的第二侧部Wq配置于凸起部124c的槽中。
此外，虽然在参考图1A～图9C的上述说明中，第一引导部142和第二引导部144固定于处理槽110，且基板保持部120在水平方向上相对于第一引导部142和第二引导部144移动，但本实施方式并不仅限于此，也可以是基板保持部120不在水平方向上移动，第一引导部142和第二引导部144在水平方向上相对于基板保持部120移动。此情况下，优选第一引导部142和第二引导部144以保持规定间隔的状态沿水平方向移动。
例如，当第一引导部142和第二引导部144以保持基板W的状态沿水平方向移动时，基板保持部120可以从基板W的下方向上方移动。由此，能够使基板保持部120所保持的基板W旋转。
接着，参考图1A～图10F对本实施方式的基板处理方法进行说明。图10A～图10F是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图10A所示，基板保持部120位于处理槽110内，多个基板W浸渍于处理槽110内的处理液中。第一引导部142和第二引导部144与基板保持部120一起将基板W保持为竖立状态。第一引导部142支撑基板W的第一侧部Wp。第二引导部144支撑基板W的第二侧部Wq。在图10A中，将此时基板W的最高部分表示为部分Wt。
此外，处理液供给管134也可以向处理槽110供给处理液。由此，能够促进基板W的处理。
如图10B所示，基板保持部120从基板W下降。由此，基板保持部120位于与基板W分离的位置。在此，基板W由第一引导部142和第二引导部144保持，基板保持部120位于基板W的下方。此外，基板保持部120从基板W下降的距离小于保持构件124的凸起部124b、124c的长度与凸起部124a的长度之差。
如图10C所示，若第一引导部142和第二引导部144以保持基板W的状态沿水平方向(X方向)移动，则基板W接近保持构件124并接触保持构件124。具体来讲，基板W与保持构件124的凸起部124b或124c接触。在此，第一引导部142和第二引导部144以保持基板W的状态向+X方向移动，从而，基板W的第一侧部Wp与保持构件124的凸起部124b接触。此时，从基板W的中心Wc沿铅垂方向延伸的铅垂线Wv位于保持构件124的凸起部124b与凸起部124a之间。
如图10D所示，基板保持部120向上方移动，进一步接触基板W。若基板保持部120以接触基板W的状态上升，则基板W以保持构件124的凸起部124b为中心旋转，不仅与保持构件124的凸起部124b接触，还与凸起部124a接触。在此，基板W顺时针旋转，之前位于基板W最上方的部分Wt顺时针方向移动。此时，基板W与第一引导部142和第二引导部144中的至少第一引导部142分离。
在此，保持构件124的凸起部124c呈与基板W分离的状态，基板W由第二引导部144支撑。此情况下，基板W由保持构件124的凸起部124a、凸起部124b和第二引导部144支撑。此外，基板W可以既与第一引导部142分离又与第二引导部144分离，而由保持构件124的凸起部124a、凸起部124b和凸起部124c支撑。
如图10E所示，第一引导部142和第二引导部144在第一引导部142与基板W分离的状态(图10D的状态)下，沿水平方向(X方向)移动。在此，第一引导部142和第二引导部144在保持一定距离的状态下向-X方向移动。
此情况下，基板W以由保持构件124的凸起部124a和凸起部124b支撑的状态旋转，并与保持构件124的凸起部124c接触。由此，基板W旋转，并由保持构件124的凸起部124a～124c支撑。在此，基板W顺时针旋转，之前位于基板W最上方的部分Wt顺时针方向移动。
如图10F所示，若基板保持部120以保持基板W的状态下降，则第一引导部142和第二引导部144与基板保持部120一起，将基板W支撑为竖立状态。第一引导部142支撑基板W的第一侧部Wp。第二引导部144支撑基板W的第二侧部Wq。然后，基板保持部120可以与基板W分离，基板W可以由第一引导部142和第二引导部144保持。
根据本实施方式，第一引导部142和第二引导部144保持未被基板保持部120保持的基板W，并向+X方向移动，从而基板W与保持构件124的凸起部124b接触，然后，第一引导部142和第二引导部144沿水平方向移动，且保持构件124上升，从而，基板W顺时针旋转，并由保持构件124保持。
如此，基板保持部120能够利用第一引导部142和第二引导部144使基板W旋转规定的角度。典型地，由此，能够使基板W在3°以上30°以下的范围内旋转。
此外，为了均匀地处理基板W，优选基板W旋转360°。另外，优选在使用处理液对基板W进行处理期间，定期旋转基板W。
另外，虽然在图1A、图1B、图2A、图2B、图4A～图10F所示的基板处理装置100中，保持构件124的凸起部124a～124c经由基体124s连接，但本实施方式并不仅限于此。保持构件124的凸起部124a～124c也可以不经由基体124s连接。例如，凸起部124a～124c也可以是相互分离的棒状。
另外，虽然在图1A、图1B、图2A、图2B、图4A～图10F所示的基板处理装置100中，保持构件124在三个位置支撑基板W，但本实施方式并不仅限于此。保持构件124可以在两个或四个位置支撑基板W。但优选保持构件124相对于基板W的铅垂线Wv对称地支撑基板W。或者，保持构件124也可以用一个凸起部来支撑基板W。但是，此情况下，优选凸起部的X方向上的长度比较长。
另外，虽然在参考图1A～图10F的上述说明中，基板W在一个处理槽110内旋转，但本实施方式并不仅限于此。基板W也可以在两个以上的处理槽110内旋转。
接着，参考图11对具备本实施方式的基板处理装置100的基板处理系统10进行说明。图11是具备本实施方式的基板处理装置100的基板处理系统10的示意图。图11所示的基板处理系统10具备多个基板处理装置100。
如图11所示，基板处理系统10包括投入部20、多个收纳部30、交接机构40、输出部50、缓冲单元BU、搬送装置CTC、搬送装置WTR、两个干燥装置60、多个基板处理装置100和控制装置180。
多个基板处理装置100包括基板处理装置100A、基板处理装置100B和基板处理装置100C。两个干燥装置60、基板处理装置100A、基板处理装置100B和基板处理装置100C排列配置在一个方向上。例如，干燥装置60、基板处理装置100A、基板处理装置100B和基板处理装置100C，与搬送装置CTC的搬送路径相邻地从搬送装置CTC的搬送路径附近以两个干燥装置60、基板处理装置100A、基板处理装置100B和基板处理装置100C的顺序配置。
在此，基板处理装置100A～100C分别具有贮存药液的处理槽和贮存冲洗液的处理槽。此外，可以向基板处理装置100A～100C的每一个投入进行了不同处理后的基板W。
基板处理装置100A～100C的每一个包括贮存药液的第一处理槽110A、贮存冲洗液的第二处理槽110B和基板保持部120。在此，会将基板处理装置100A～100C的每一个所包括的基板保持部120表示为基板保持部120A～120C。
从投入部20搬入将在基板处理装置100进行处理的基板W。投入部20包括多个承载台22。从输出部50搬出经基板处理装置100处理后的基板W。输出部50包括多个承载台52。
投入部20承载容纳基板W的收纳部30。投入部20承载的收纳部30收纳未经基板处理装置100处理的基板W。在此，两个收纳部30分别由两个承载台22承载。
多个收纳部30的每一个收纳多个基板W。各基板W以水平姿势收纳于收纳部30。收纳部30例如是FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)。
输出部50承载的收纳部30收纳经基板处理装置100处理后的基板W。输出部50包括多个承载台52。两个收纳部30分别由两个承载台52承载。输出部50将处理完毕的基板W收纳于收纳部30，连同收纳部30一起输出。
缓冲单元BU与投入部20和输出部50相邻配置。缓冲单元BU将投入部20承载的收纳部30连同基板W一起收入内部，并将收纳部30承载于搁架(未图示)。另外，缓冲单元BU接收处理完毕的基板W，将其收纳在收纳部30中，并将收纳部30承载于搁架。缓冲单元BU内配置有交接机构40。
交接机构40在投入部20和输出部50与搁架之间交接收纳部30。另外，交接机构40相对于搬送装置CTC仅进行基板W的交接。即，交接机构40相对于搬送装置CTC进行批量的基板W的交接。
搬送装置CTC在从交接机构40接收未处理的批量的多个基板W后，将多个基板W的姿势由水平姿势变为垂直姿势，将多个基板W传递给搬送装置WTR。另外，搬送装置CTC在从搬送装置WTR接收处理完毕的批量的多个基板W后，将多个基板W的姿势由垂直姿势变为水平姿势，将批量的基板W传递给交接机构40。
搬送装置WTR能够沿基板处理系统10的长度方向从干燥装置60移动至基板处理装置100C。搬送装置WTR能够相对于干燥装置60、基板处理装置100A、基板处理装置100B和基板处理装置100C搬入及搬出批量的基板W。
控制装置180控制基板处理系统10的各种动作。具体来讲，控制装置180控制交接机构40、搬送装置CTC、搬送装置WTR、干燥装置60和基板处理装置100。
控制装置180包括控制部182和存储部184。控制部182具有处理器。控制部182例如具有中央处理运算器。或者，控制部182也可以具有通用运算器。
存储单元184存储数据和计算机程序。数据包括规程数据。规程数据包括表示多个规程的信息。多个规程的每一个规定基板W的处理内容和处理顺序。
存储部184包括主存储装置和辅助存储装置。主存储装置例如是半导体存储器。辅助存储装置例如是半导体存储器和/或硬盘驱动器。存储单元184可以包括可移动介质。存储单元184相当于非暂时性计算机可读存储介质的一例。
存储部184中存储有预先确定了顺序的计算机程序。基板处理装置100按照计算机程序所确定的顺序进行动作。控制部182执行存储部184存储的计算机程序，并执行基板处理动作。控制部182的处理器执行存储在存储部184中的计算机程序，从而控制交接机构40、搬送装置CTC、搬送装置WTR、干燥装置60和基板处理装置100。
此外，虽然图11中没有图示，但在基板处理装置100A～100C各自的第一处理槽110A和第二处理槽110B中均设有第一引导部142和第二引导部144。由此，如参考图1A～图9C所述的那样，基板保持部120A～120C能够在第一处理槽110A和第二处理槽110B的每一个中利用第一引导部142和第二引导部144使基板W旋转。
接着，参考图12对本实施方式的基板处理系统10进行说明。图12是具备本实施方式的基板处理装置100的基板处理系统10的示意图。
如图12所示，基板处理系统10包括搬送装置WTR、干燥装置60和多个基板处理装置100。在此，基板处理装置100包括基板处理装置100A～100C。基板处理装置100A～100C的每一个包括贮存药液的第一处理槽110A、贮存冲洗液的第二处理槽110B、基板保持部120。
搬送装置WTR保持并搬送基板W。搬送装置WTR能够沿着导轨水平移动。另外，搬送装置WTR能够沿上下方向移动。
例如，搬送装置WTR保持基板W并下降，从而将基板W浸渍于干燥装置60内的处理槽62内的处理液中。另外，搬送装置WTR以保持基板W的状态从干燥装置60内的处理槽62的处理液中上升，从而能够从处理液中提起浸渍于干燥装置60内的处理槽62的处理液中的基板W。
搬送装置WTR向基板保持部120搬送基板W。典型地，搬送装置WTR从搬送装置CTC(图11)接收基板W，并将接收到的基板W搬送至基板保持部120。然后，基板保持部120将基板W浸渍于第一处理槽110A的药液和/或第二处理槽110B的冲洗液中。另外，搬送装置WTR从基板保持部120接收基板W，并向搬送装置CTC搬送接收到的基板W(图11)。
例如，搬送装置WTR保持基板W并沿水平方向移动至基板保持部120A的上方。此情况下，基板保持部120A上升，从而能够接收由搬送装置WTR保持的基板W。
详细而言，搬送装置WTR保持基板W，并沿水平方向移动停止在基板保持部120A的上方。此情况下，基板保持部120A上升，直至接收到由搬送装置WTR保持的基板W为止。由此，基板保持部120A能够接收由搬送装置WTR保持的基板W)。
基板保持部120A能够以保持基板W的状态在第一处理槽110A的上方与第二处理槽110B的上方之间移动。基板保持部120A以保持基板W的状态从第一处理槽110A的上方下降，从而能够在第一处理槽110A的药液中浸渍基板W。另外，基板保持部120A以保持基板W的状态从第一处理槽110A的药液中上升，从而能够从药液中提起浸渍于第一处理槽110A的药液中的基板W。
同样地，基板保持部120A以保持基板W的状态从第二处理槽110B的上方下降，从而能够将基板W浸渍于第二处理槽110B的冲洗液中。另外，基板保持部120A以保持基板W的状态从第二处理槽110B的冲洗液内上升，从而，能够从冲洗液中提起浸渍于第二处理槽110B的冲洗液中的基板W。此外，第二处理槽110B也可以在贮存了用于冲洗处理基板W的冲洗液之后，排出冲洗液，并贮存其他药液。另外，与基板保持部120A同样地，搬送装置WTR能够向基板保持部120B和基板保持部120C搬送基板W。
另外，虽然参考图11和图12进行的说明中，基板处理系统10具有多个基板处理装置100和搬送装置WTR，但本实施方式并不仅限于此。基板处理装置100也可以具备搬送装置WTR作为搬送基板W的搬送装置。
另外，虽然在参考图1A～图12的上述说明中，基板W的第一侧部Wp和第二侧部Wq由配置在处理槽110内的引导部140支撑，基板保持部120利用引导部140使基板W旋转，但本实施方式并不仅限于此。基板W的第一侧部Wp和第二侧部Wq可以由处理槽110外的构件支撑，基板保持部120可以利用处理槽110外的构件使基板W旋转。例如，基板W的第一侧部Wp和第二侧部Wq可以由搬送装置WTR支撑，基板保持部120可以利用搬送装置WTR使基板W旋转。
接着，参考图13A～图13C对本实施方式的基板处理装置100的搬送装置WTR进行说明。图13A～图13C是本实施方式的基板处理装置100的搬送装置WTR的示意图。搬送装置WTR保持并搬送多个基板W。例如，搬送装置WTR可以沿导轨在水平方向上移动。
如图13A所示，搬送装置WTR具备搬运部150和头部156。搬运部150安装在头部156上。搬运部150从头部156向铅垂下方延伸。
搬运部150具有第一搬运部152和第二搬运部154。在此，第一搬运部152配置为与第二搬运部154不同的构件。能够通过第一搬运部152和第二搬运部154来保持基板W。
第一搬运部152相对于头部156位于一侧(+X方向一侧)，第二搬运部154相对于头部156位于另一侧(-X方向一侧)。
第一搬运部152和第二搬运部154从头部156沿上下方向延伸。第一搬运部152能够相对于头部156以旋转轴156a为中心旋转。第二搬运部154能够相对于头部156以旋转轴156b为中心旋转。
在第一搬运部152的与第二搬运部154相对的面上，以一定的间隔设置多个导槽。导槽沿着第一搬运部152的长度方向延伸。导槽的宽度与基板W的厚度大致相等或稍大于基板W的厚度。同样地，在第二搬运部154的与第一搬运部152相对的面上，以一定的间隔设置有多个导槽。导槽沿着第二搬运部154的长度方向延伸。导槽的宽度与基板W的厚度大致相等或稍大于基板W的厚度。
如图13B所示，第一搬运部152相对于头部156以旋转轴156a为中心旋转。另外，第二搬运部154相对于头部156以旋转轴156b为中心旋转。
如图13C所示，搬运部150能够保持基板W。旋转轴156a与旋转轴156b之间的间隔大于基板W的直径，所以，当第一搬运部152和第二搬运部154相对于头部156垂直延伸时，就能够将基板W配置在第一搬运部152和第二搬运部154之间。
第一搬运部152相对于头部156以旋转轴156a为中心旋转，且第二搬运部154相对于头部156以旋转轴156b为中心旋转，从而第一搬运部152与相对于基板W的中心Wc位于一侧的第一侧部Wp接触，第二搬运部154与相对于基板W的中心Wc位于另一侧的第二侧部Wq接触。第一搬运部152对多个基板W的每一个支撑基板W的第一侧部Wp。第二搬运部154对多个基板W的每一个支撑基板W的第二侧部Wq。
如此，搬运部150对多个基板W的每一个分别支撑基板W的第一侧部Wp和第二侧部Wq。由此，第一搬运部152和第二搬运部154能够支撑基板W。
接着，参考图14A～图14F对本实施方式的基板处理方法进行说明。图14A～图14F是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图14A所示，基板W由第一搬运部152和第二搬运部154保持。基板保持部120位于基板W下方并与基板W分离。另外，在图14A中，将此时基板W的最高部分表示为部分Wt。
如图14B所示，基板保持部120上升并接触基板W。此情况下，基板W由第一搬运部152、第二搬运部154和基板保持部120支撑。
如图14C所示，若基板保持部120以保持基板W的状态上升，则基板W与第一搬运部152和第二搬运部154分离。另外，基板W的下端位于比第一搬运部152和第二搬运部154的下端更靠下方的位置。在此，基板W与第一搬运部152之间的距离比保持构件124与第一搬运部152之间的距离短。同样地，基板W与第二搬运部154之间的距离比保持构件124与第二搬运部154之间的距离短。
如图14D所示，基板保持部120以保持基板W的状态沿水平方向(X方向)移动。由此，基板W接触第一搬运部152和第二搬运部154其中一者。在此，基板保持部120以保持基板W的状态沿+X方向移动，从而基板W与第一搬运部152接触。
如图14E所示，基板保持部120以保持基板W的状态向下降方向移动。此情况下，基板W以第一搬运部152为中心旋转，基板W与第二搬运部154接触。此时，基板W顺时针旋转。由此，之前位于基板W最上方的部分Wt沿顺时针方向移动。然后，基板保持部120可以保持旋转的基板W并下降，将基板浸渍于处理槽110内的处理液中。
根据本实施方式，基板保持部120能够利用第一搬运部152和第二搬运部154使基板W旋转规定的角度。典型地，由此，能够使基板W在3°以上30°以下的范围内旋转。基板保持部120能够将旋转后的基板浸渍于第一处理槽110A内的药液和/或第二处理槽110B内的冲洗液中。此外，基板保持部120可以利用搬运部150使基板W进一步旋转。
例如，如图14F所示，基板保持部120下降与基板W分离。在此，基板保持部120位于基板W的下方。基板W由第一搬运部152和第二搬运部154保持。然后，通过再次重复图14A～图14E的动作，能够在处理槽110的上方使基板W旋转规定的角度。
根据本实施方式，基板保持部120利用搬运部150使基板W旋转。
如参考图13A～图13C和图14A～图14F已说明的那样，搬送装置WTR的搬运部150支撑基板W的第一侧部Wp和第二侧部Wq，基板保持单元120能够利用搬运部150使基板W旋转。
此外，虽然在参考图14A～图14F的上述说明中，基板保持部120是在第一搬运部152和第二搬运部154固定的状态下，沿铅垂方向和水平方向移动使基板W旋转，但本实施方式并不仅限于此。基板保持部120可以不沿水平方向移动，而通过第一搬运部152和第二搬运部154沿水平方向移动，使基板W旋转。在参考图10A～图10F进行的说明中，通过第一引导部142和第二引导部144沿水平方向上移动来使基板W旋转，与参考图10A～图10F进行的说明相同地，可以通过第一搬运部152和第二搬运部154或整个搬送装置WTR在水平方向上的移动使基板W旋转。
以上，参考附图对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不仅限于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内以各种方式来实施。另外，能够通过适当组合上述实施方式中公开的多个构成构件来形成各种发明。例如，可以从实施方式所示的全部构成构件中删除几个构成构件。并且，也可以适当组合不同实施方式的构成构件。为了便于理解，附图会以各个构成构件为主体示意性地进行展示，图示的各个构成构件的厚度、长度、个数、间隔等会因制图条件而与实际情况不同。另外，上述实施方式所示的各个构成构件的材质、形状、尺寸等是示例，并非特别限定，在实质上不脱离本发明的效果的范围内可以进行各种变更。
【工业可利用性】
本发明适用于基板处理装置和基板处理方法。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，具备：
处理槽，用于贮存处理多个基板的处理液；
基板保持部，以对多个所述基板的每一个分别支撑位于所述基板一侧的第一侧部和位于所述基板另一侧的第二侧部来保持多个所述基板的状态下降，将多个所述基板浸渍于所述处理槽的所述处理液中；
引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，分别支撑所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部，
所述引导部具有：
第一引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第一侧部；
第二引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第二侧部，
对多个所述基板的每一个，所述基板保持部和所述引导部中的一者保持与所述基板保持部和所述引导部中的另一者分离的所述基板，并相对于所述基板保持部和所述引导部中的另一者沿水平方向相对地移动，使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触，然后，所述基板保持部和所述引导部中的一者进行移动而使所述基板旋转，以使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的另一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
对多个所述基板的每一个，所述基板保持部保持与所述第一引导部和所述第二引导部的每一个均分离的所述基板，并相对于所述第一引导部和所述第二引导部沿水平方向移动，使所述基板的所述第一侧部与所述第一引导部接触，然后，所述基板保持部下降，从而所述基板以所述第一引导部为支点旋转，所述基板的所述第二侧部与所述第二引导部接触。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一引导部和所述第二引导部相对于多个所述基板的中心在铅垂下方一侧支撑多个所述基板。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还具备：
处理液供给管，配置于所述处理槽内，供给所述处理液。
5.一种基板处理装置，具备：
处理槽，用于贮存处理多个基板的处理液；
基板保持部，以对多个所述基板的每一个分别支撑位于所述基板一侧的第一侧部和位于所述基板另一侧的第二侧部来保持多个所述基板的状态下降，将多个所述基板浸渍于所述处理槽的所述处理液中；
搬送装置，向所述基板保持部搬送多个所述基板，
所述搬送装置具有：
搬运部，对多个所述基板的每一个，分别支撑所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部，
所述搬运部具有：
第一搬运部，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第一侧部；
第二搬运部，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第二侧部，
对多个所述基板的每一个，所述基板保持部和所述搬运部中的一者保持与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者分离的所述基板，相对于所述基板保持部和所述搬运部中的另一者沿水平方向相对地移动，使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触，然后，所述基板保持部和所述引导部中的一者进行移动而使所述基板旋转，以使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的另一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
对多个所述基板的每一个，所述基板保持部保持与所述第一搬运部和所述第二搬运部的每一个均分离的所述基板，并相对于所述第一搬运部和所述第二搬运部沿水平方向移动，当所述基板与所述第一搬运部接触后，所述基板保持部下降，从而所述基板以所述第一搬运部为支点旋转，所述基板的所述第二侧部与所述第二搬运部接触。
7.一种基板处理方法，包括：
基板保持部以对多个基板的每一个分别支撑位于所述基板一侧的第一侧部和位于所述基板另一侧的第二侧部来保持多个所述基板的状态下降，将多个所述基板浸渍于处理槽的处理液中的工序；
当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，引导部对多个所述基板的每一个分别支撑所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部的工序；
对多个所述基板的每一个，所述基板保持部和所述引导部中的一者保持与所述基板保持部和所述引导部中的另一者分离的所述基板，并相对于所述基板保持部和所述引导部中的另一者沿水平方向相对地移动，使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触的工序；
所述基板保持部和所述引导部中的一者在使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触后，进行移动而使所述基板旋转，以使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的另一个侧部与所述基板保持部和所述引导部中的另一者接触的工序。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，
所述引导部具有：
第一引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第一侧部；
第二引导部，配置于所述处理槽内，当所述基板保持部保持多个所述基板并下降时，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第二侧部，
在使所述基板旋转的工序中，所述基板保持部保持与所述第一引导部和所述第二引导部分离的所述基板，并相对于所述第一引导部和所述第二引导部沿水平方向移动，使所述基板的所述第一侧部与所述第一引导部接触，然后，所述基板保持部下降，从而所述基板以所述第一引导部为支点旋转，所述基板的所述第二侧部与所述第二引导部接触。
9.一种基板处理方法，包括：
基板保持部以对多个基板的每一个分别支撑位于所述基板一侧的第一侧部和位于所述基板另一侧的第二侧部来保持多个所述基板的状态下降，将多个所述基板浸渍于处理槽的处理液中的工序；
利用搬送装置向所述基板保持部搬送多个所述基板的工序；
所述搬送装置的搬运部对多个所述基板的每一个分别支撑所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部的工序；
对多个所述基板的每一个，所述基板保持部和所述搬运部中的一者保持与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者相分离的所述基板，并相对于所述基板保持部和所述搬运部中的另一者沿水平方向相对地移动，使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触的工序；
所述基板保持部和所述搬运部中的一者在使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触后，进行移动而使所述基板旋转，以使所述基板的所述第一侧部和所述第二侧部中的另一个侧部与所述基板保持部和所述搬运部中的另一者接触的工序。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
所述搬运部具有：
第一搬运部，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第一侧部；
第二搬运部，对多个所述基板的每一个，支撑所述基板的所述第二侧部，
在使所述基板旋转的工序中，所述基板保持部保持与所述第一搬运部和所述第二搬运部的每一个均分离的所述基板，并相对于所述第一搬运部和所述第二搬运部沿水平方向移动，多个所述基板与所述第一搬运部接触后，所述基板保持部下降，从而所述基板以所述第一搬运部为支点旋转，所述基板的所述第二侧部与所述第二搬运部接触。
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