JP2023121707A - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板処理システムの生産性を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理システムは、複数枚の基板を収容するカセットが搬入出される搬入出部と、複数枚の前記基板を含むロットを一括で処理するバッチ処理部と、前記ロットの前記基板を1枚ずつ処理する枚葉処理部と、前記バッチ処理部と前記枚葉処理部との間で前記基板を受け渡すインタフェース部と、を有し、前記バッチ処理部は、前記ロットを浸漬して処理する処理槽と、前記処理槽に前記ロットを搬送する第1搬送装置と、を有し、前記インタフェース部は、前記第1搬送装置の移動範囲外に配置され、前記ロットを浸漬する浸漬槽と、前記第1搬送装置と前記浸漬槽との間で前記ロットを受け渡す第2搬送装置と、を有する。
【選択図】図1
【解決手段】本開示の一態様による基板処理システムは、複数枚の基板を収容するカセットが搬入出される搬入出部と、複数枚の前記基板を含むロットを一括で処理するバッチ処理部と、前記ロットの前記基板を1枚ずつ処理する枚葉処理部と、前記バッチ処理部と前記枚葉処理部との間で前記基板を受け渡すインタフェース部と、を有し、前記バッチ処理部は、前記ロットを浸漬して処理する処理槽と、前記処理槽に前記ロットを搬送する第1搬送装置と、を有し、前記インタフェース部は、前記第1搬送装置の移動範囲外に配置され、前記ロットを浸漬する浸漬槽と、前記第1搬送装置と前記浸漬槽との間で前記ロットを受け渡す第2搬送装置と、を有する。
【選択図】図1
Description
本開示は、基板処理システム及び基板処理方法に関する。
特許文献1に記載の基板処理システムは、バッチ処理部と枚葉処理部とを備える。バッチ処理部は、水洗処理された半導体ウエハを水中に保持する。半導体ウエハは、複数枚が1つの保持台に載せられた状態で薬液処理される。移送部は、バッファ槽から半導体ウエハを1枚ずつ取り上げて枚葉処理部へ移送する。枚葉処理部は、移送部で移送された1枚の半導体ウエハを、主面が水平になるように支持し基板を乾燥する。
本開示は、基板処理システムの生産性を向上させることができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理システムは、複数枚の基板を収容するカセットが搬入出される搬入出部と、複数枚の前記基板を含むロットを一括で処理するバッチ処理部と、前記ロットの前記基板を1枚ずつ処理する枚葉処理部と、前記バッチ処理部と前記枚葉処理部との間で前記基板を受け渡すインタフェース部と、を有し、前記バッチ処理部は、前記ロットを浸漬して処理する処理槽と、前記処理槽に前記ロットを搬送する第1搬送装置と、を有し、前記インタフェース部は、前記第1搬送装置の移動範囲外に配置され、前記ロットを浸漬する浸漬槽と、前記第1搬送装置と前記浸漬槽との間で前記ロットを受け渡す第2搬送装置と、を有する。
本開示によれば、基板処理システムの生産性を向上させることができる。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
(基板処理システム)
図1を参照し、実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図1に示されるように、基板処理システム1は、搬入出部2と、第1インタフェース部3と、バッチ処理部4と、第2インタフェース部5と、枚葉処理部6と、制御装置9とを有する。
図1を参照し、実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図1に示されるように、基板処理システム1は、搬入出部2と、第1インタフェース部3と、バッチ処理部4と、第2インタフェース部5と、枚葉処理部6と、制御装置9とを有する。
搬入出部2は、搬入部と搬出部とを兼ねる。このため、基板処理システム1を小型化できる。搬入出部2は、ロードポート21と、ストッカ22と、ローダ23と、カセット搬送装置24とを有する。
ロードポート21は、搬入出部2のX軸方向負側に配置される。ロードポート21は、Y軸方向に沿って複数(例えば4つ)配置される。ただし、ロードポート21の数は特に限定されない。ロードポート21には、カセットCが載置される。カセットCは、複数枚(例えば25枚)の基板Wを収容し、ロードポート21に対して搬入出される。カセットCの内部にて、基板Wは水平に保持され、鉛直方向に第1ピッチP1のN倍である第2ピッチP2(P2=N×P1)で保持される。Nは、2以上の自然数であり、本実施形態では2であるが、3以上であってもよい。
ストッカ22は、搬入出部2のX軸方向中央に、Y軸方向に沿って複数(例えば4つ)配置される。ストッカ22は、搬入出部2のX軸方向正側に、Y軸方向に沿って第1インタフェース部3に隣接して複数(例えば2つ)配置される。ストッカ22は、鉛直方向に多段に配置されてもよい。ストッカ22は、洗浄処理前の基板Wが収納されたカセットC、基板Wが取り出されて内部が空となったカセットC等を一時的に保管する。なお、ストッカ22の数は特に限定されない。
ローダ23は、第1インタフェース部3に隣接しており、搬入出部2のX軸方向正側に配置される。ローダ23には、カセットCが載置される。ローダ23には、カセットCの蓋体の開閉を行うための蓋体開閉機構(図示せず)が設けられる。ローダ23は、複数設けられてもよい。ローダ23は、鉛直方向に多段に配置されてもよい。
カセット搬送装置24は、例えば多関節搬送ロボットである。カセット搬送装置24は、ロードポート21と、ストッカ22と、ローダ23との間でカセットCを搬送する。
第1インタフェース部3は、搬入出部2のX軸方向正側に配置される。第1インタフェース部3は、搬入出部2と、バッチ処理部4と、枚葉処理部6との間で基板Wを搬送する。第1インタフェース部3は、基板移載装置31と、ロット形成部32と、第1受渡台33とを有する。
基板移載装置31は、ローダ23に載置されたカセットCと、ロット形成部32と、第1受渡台33との間で基板Wを搬送する。基板移載装置31は、多軸(例えば6軸)アームロボットからなり、その先端に基板保持アーム31aを有する。基板保持アーム31aは、複数枚(例えば25枚)の基板Wを保持しうる複数の保持爪(図示せず)を有する。基板保持アーム31aは、保持爪により基板Wを保持した状態で、3次元空間内で任意の位置及び姿勢をとることができる。
ロット形成部32は、第1インタフェース部3のX軸方向正側に配置される。ロット形成部32は、複数枚の基板Wを第1ピッチP1で保持し、ロットLを形成する。
第1受渡台33は、枚葉処理部6に隣接しており、第1インタフェース部3のY軸方向正側に配置される。第1受渡台33は、第4搬送装置61から基板Wを受け取り、搬入出部2に渡すまで、一時的に保管する。
バッチ処理部4は、第1インタフェース部3のX軸方向正側に配置される。すなわち、搬入出部2と、第1インタフェース部3と、バッチ処理部4とは、この順番で、X軸方向負側からX軸方向正側に向けて配置される。バッチ処理部は、複数枚(例えば50枚又は100枚)の基板Wを第1ピッチP1で含むロットLを、一括で処理する。1つのロットLは、例えばM個のカセットCの基板Wで構成される。Mは、2以上の自然数である。Mは、Nと同じ自然数でもよいし、Nとは異なる自然数でもよい。バッチ処理部4は、薬液槽41と、リンス液槽42と、第1搬送装置43と、処理具44と、駆動装置45とを有する。
薬液槽41とリンス液槽42とは、X軸方向に沿って配置される。例えば、X軸方向正側からX軸方向負側に向けて、薬液槽41と、リンス液槽42とがこの順で並ぶ。なお、薬液槽41とリンス液槽42とをまとめて処理槽とも称する。薬液槽41とリンス液槽42の数は図1のものに限定されない。例えば、薬液槽41及びリンス液槽42は、図1では1組であるが、複数組であってもよい。
薬液槽41は、ロットLが浸漬される薬液を貯留する。薬液は、例えばリン酸水溶液(H3PO4)である。リン酸水溶液は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜のうち、シリコン窒化膜を選択的にエッチングし、除去する。薬液は、リン酸水溶液には限定されない。例えば、DHF(希フッ酸)、BHF(フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液)、希硫酸、SPM(硫酸と過酸化水素と水の混合液)、SC1(アンモニアと過酸化水素と水の混合液)、SC2(塩酸と過酸化水素と水の混合液)、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウムと水の混合液)、メッキ液等であってもよい。薬液は、剥離処理用又はメッキ処理用であってもよい。薬液の数は、特に限定されず、複数であってもよい。
リンス液槽42は、ロットLが浸漬される第1リンス液を貯留する。第1リンス液は、基板Wから薬液を除去する純水であって、例えばDIW(脱イオン水)である。
第1搬送装置43は、ガイドレール43aと、第1搬送アーム43bとを有する。ガイドレール43aは、処理槽よりもY軸方向負側に配置される。ガイドレール43aは、第1インタフェース部3からバッチ処理部4へ水平方向(X軸方向)に沿って延びる。第1搬送アーム43bは、ガイドレール43aに沿って水平方向(X軸方向)に移動する。第1搬送アーム43bは、鉛直方向に移動してもよく、鉛直軸周りに回転してもよい。第1搬送アーム43bは、第1インタフェース部3とバッチ処理部4との間でロットLを一括で搬送する。
処理具44は、第1搬送アーム43bからロットLを受け取り、保持する。処理具44は、複数枚の基板WをY軸方向に第1ピッチP1で保持し、複数枚の基板Wのそれぞれを鉛直に保持する。
駆動装置45は、処理具44をX軸方向及びZ軸方向に移動させる。処理具44は、薬液槽41に貯留された薬液にロットLを浸漬し、次いで、リンス液槽42に貯留された第1リンス液にロットLを浸漬し、その後、ロットLを第1搬送装置43に渡す。
処理具44と駆動装置45のユニットの数は、本実施形態では1つであるが、複数でもよい。後者の場合、1つのユニットが薬液槽41に貯留された薬液にロットLを浸漬し、別のユニットがリンス液槽42に貯留された第1リンス液にロットLを浸漬する。この場合、駆動装置45は、処理具44をZ軸方向に移動させればよく、処理具44をX軸方向に移動させなくてもよい。
第2インタフェース部5は、バッチ処理部4のY軸方向正側に配置される。第2インタフェース部5は、バッチ処理部4と枚葉処理部6との間で基板Wを搬送する。第2インタフェース部5は、浸漬槽51と、第2搬送装置52と、第3搬送装置53と、第2受渡台54とを有する。
浸漬槽51は、第1搬送アーム43bの移動範囲外に配置される。例えば、浸漬槽51は、処理槽に対してY軸方向正側にずれた位置に配置される。浸漬槽51は、ロットLが浸漬される第2リンス液を貯留する。第2リンス液は、例えばDIW(脱イオン水)である。基板Wは、第3搬送装置53により第2リンス液から引き上げられるまで、第2リンス液中で保持される。第2リンス液の液面よりも下に基板Wが存在するので、第2リンス液の表面張力が基板Wに作用せず、基板Wの凹凸パターンの倒壊を防止できる。浸漬槽51は、X軸方向に移動可能に構成されてもよい。この場合、浸漬槽51にロットLを浸漬する際に、浸漬槽51とロットLとの間のX軸方向の位置ずれを補正できる。浸漬槽51をX軸方向に移動させるX軸駆動装置(図示せず)は、例えば浸漬槽51の下面に取り付けられる。
第2搬送装置52は、Y軸駆動装置52aと、Z軸駆動装置52bと、第2搬送アーム52cとを有する。
Y軸駆動装置52aは、第2インタフェース部5のX軸方向正側に配置される。Y軸駆動装置52aは、第2インタフェース部5からバッチ処理部4へ水平方向(Y軸方向)に沿って延びる。Y軸駆動装置52aは、Z軸駆動装置52b及び第2搬送アーム52cをY軸方向に移動させる。Y軸駆動装置52aは、ボールねじを含んでよい。Y軸駆動装置52aは、水平駆動装置の一例である。
Z軸駆動装置52bは、Y軸駆動装置52aに移動可能に取り付けられる。Z軸駆動装置52bは、第2搬送アーム52cをZ軸方向に移動させる。Z軸駆動装置52bは、ボールねじを含んでよい。Z軸駆動装置52bは、鉛直駆動装置の一例である。
第2搬送アーム52cは、Z軸駆動装置52bに移動可能に取り付けられる。第2搬送アーム52cは、第1搬送アーム43bからロットLを受け取り、保持する。第2搬送アーム52cは、複数枚の基板WをY軸方向に第1ピッチP1で保持し、複数枚の基板Wのそれぞれを鉛直方向に保持する。第2搬送アーム52cは、Y軸駆動装置52a及びZ軸駆動装置52bにより、Y軸方向及びZ軸方向に移動する。第2搬送アーム52cは、図7に示す受渡位置A1と、浸漬位置A2と、待機位置A3とを含む複数の位置を移動可能に構成される。第2搬送アーム52cは、X軸方向に移動可能に構成されてもよい。この場合、浸漬槽51にロットLを浸漬する際に、浸漬槽51とロットLとの間のX軸方向の位置ずれを補正できる。第2搬送アーム52cをX軸方向に移動させるX軸駆動装置(図示せず)は、例えばZ軸駆動装置52bに移動可能に取り付けられる。この場合、第2搬送アーム52cは、X軸駆動装置に移動可能に取り付けられる。
受渡位置A1は、第1搬送アーム43bと第2搬送アーム52cとの間でロットLの受け渡しを行う位置である。受渡位置A1は、Y軸方向負側かつZ軸方向正側の位置である。
浸漬位置A2は、浸漬槽51にロットLを浸漬させる位置である。浸漬位置A2は、受渡位置A1よりもY軸方向正側かつZ軸方向負側の位置である。
待機位置A3は、ロットLの受け渡し及び浸漬槽51へのロットLの浸漬を行わないときに第2搬送アーム52cが待機する位置である。待機位置A3は、受渡位置A1の直下(Z軸方向負側)であり、第1搬送アーム43bの移動を妨げない位置である。この場合、第2搬送アーム52cが上方(Z軸方向正側)への移動のみで受渡位置A1に移動できるので、スループットが向上する。待機位置A3は、浸漬位置A2と同じ位置であってもよい。この場合、第1搬送装置43が動作することに伴い生じ得るパーティクルが第2搬送アーム52cに付着することを防止できる。待機位置A3は、浸漬位置A2の直上(Z軸方向正側)の位置であってもよい。このように、待機位置A3を受渡位置A1とは異なる位置に設定することにより、第1搬送アーム43bと第2搬送アーム52cとの接触を防止できる。
係る第2搬送装置52は、第1搬送装置43が動作している間、第2搬送アーム52cを浸漬位置A2又は待機位置A3に移動させる。これにより、第1搬送アーム43bと第2搬送アーム52cとの接触を防止できる。
第3搬送装置53は、多軸(例えば6軸)アームロボットからなり、その先端に第3搬送アーム53aを有する。第3搬送アーム53aは、1枚の基板Wを保持しうる保持爪(図示せず)を有する。第3搬送アーム53aは、保持爪により基板Wを保持した状態で、3次元空間内で任意の位置及び姿勢をとることができる。第3搬送装置53は、浸漬位置A2にある第2搬送アーム52cと、第2受渡台54との間で基板Wを搬送する。このとき、浸漬槽51が第1搬送アーム43bの移動範囲外に配置されているので、第1搬送アーム43bと第3搬送アーム53aとが干渉しない。これにより、第1搬送装置43と第3搬送装置53のうちの一方を他方の動作状態によらずに独立して動作させることができる。このため、任意にタイミングで第1搬送装置43及び第3搬送装置53を動作させることができるので、基板Wの搬送に要する時間を短縮できる。その結果、基板処理システム1の生産性が向上する。
第2受渡台54は、枚葉処理部6に隣接しており、第2インタフェース部5のX軸方向負側に配置される。第2受渡台54は、第3搬送装置53から基板Wを受け取り、枚葉処理部6に受け渡すまで、一時的に保管する。すなわち、第2受渡台54には、浸漬槽51から取り出された基板Wが載置される。第2受渡台54に載置された基板Wは、例えば表面が第2リンス液で濡れた状態であることが好ましい。この場合、第2リンス液の表面張力が基板Wに作用せず、基板Wの凹凸パターンの倒壊を抑制できる。第2受渡台54には、複数枚(例えば2枚)の基板Wが載置される。
枚葉処理部6は、第2インタフェース部5のX軸方向負側、かつ搬入出部2、第1インタフェース部3及びバッチ処理部4のY軸方向正側に配置される。枚葉処理部6は、基板Wを1枚ずつ処理する。枚葉処理部6は、第4搬送装置61と、液処理装置62と、乾燥装置63とを有する。
第4搬送装置61は、ガイドレール61aと、第4搬送アーム61bとを有する。ガイドレール61aは、枚葉処理部6のY軸方向負側に配置される。ガイドレール61aは、枚葉処理部6において水平方向(X軸方向)に沿って延びる。第4搬送アーム61bは、ガイドレール61aに沿って水平方向(X軸方向)及び鉛直方向に移動し、鉛直軸周りに回転する。第4搬送アーム61bは、第2受渡台54と、液処理装置62と、乾燥装置63と、第1受渡台33との間で基板Wを搬送する。第4搬送アーム61bの数は1つでも複数でもよく、後者の場合、第4搬送装置61は複数枚(例えば5枚)の基板Wを一括で搬送する。
液処理装置62は、枚葉処理部6のX軸方向正側かつY軸方向正側に配置される。液処理装置62は、枚葉式であって、基板Wを1枚ずつ処理液で処理する。液処理装置62は、鉛直方向(Z軸方向)に多段(例えば3段)に配置される。これにより、複数枚の基板Wを同時に処理液で処理できる。処理液は、複数であってもよく、例えば、DIW等の純水と、純水よりも表面張力の低い乾燥液とであってよい。乾燥液は、例えばIPA(イソプロピルアルコール)等のアルコールであってよい。
乾燥装置63は、液処理装置62に対してX軸方向負側に隣接して配置される。この場合、枚葉処理部6のY軸方向正側の端面が、第2インタフェース部5のY軸方向正側の端面と面一又は略面一となるように配置できる。このため、デッドスペースがほとんど生じないので、基板処理システム1のフットプリントを小さくできる。これに対し、乾燥装置63を液処理装置62に対してY軸方向正側に隣接して配置すると、枚葉処理部6のY軸方向正側の端面が、第2インタフェース部5のY軸方向正側の端面よりも飛び出し、デッドスペースが生じ得る。乾燥装置63は、枚葉式であって、基板Wを1枚ずつ超臨界流体で乾燥する。乾燥装置63は、鉛直方向に多段(例えば3段)に配置される。これにより、複数枚の基板Wを同時に乾燥させることができる。
液処理装置62と乾燥装置63の両方が枚葉式ではなくてもよく、液処理装置62が枚葉式であって乾燥装置63がバッチ式であってもよい。乾燥装置63は、複数枚の基板Wを一括で超臨界流体により乾燥してもよい。乾燥装置63において一括で処理される基板Wの枚数は、液処理装置62において一括で処理される基板Wの枚数以上であってもよいが、少なくてもよい。液処理装置62及び乾燥装置63以外の装置が枚葉処理部6に配置されてもよい。
制御装置9は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)91と、メモリ等の記録媒体92とを備える。記録媒体92には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置9は、記録媒体92に記憶されたプログラムをCPU91に実行させることにより、基板処理システム1の動作を制御する。制御装置9は、入力インタフェース93と、出力インタフェース94とを備える。制御装置9は、入力インタフェース93で外部からの信号を受信し、出力インタフェース94で外部に信号を送信する。
上記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶され、その記録媒体から制御装置9の記録媒体92にインストールされる。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、例えば、ハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカード等が挙げられる。なお、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、制御装置9の記録媒体92にインストールされてもよい。
係る基板処理システムにおいて、基板Wは、搬入出部2から第1インタフェース部3、バッチ処理部4、第2インタフェース部5及び枚葉処理部6の順番で搬送され、搬入出部2に戻る。
(基板処理システムの動作)
図2を参照し、実施形態に係る基板処理システム1の動作、すなわち、基板処理方法について説明する。図2に示される処理は、制御装置9による制御下で実施される。
図2を参照し、実施形態に係る基板処理システム1の動作、すなわち、基板処理方法について説明する。図2に示される処理は、制御装置9による制御下で実施される。
まず、カセットCが、複数枚の基板Wを収容した状態で、搬入出部2に搬入され、ロードポート21に載置される。カセットCの内部にて、基板Wは水平に保持され、鉛直方向に第2ピッチP2(P2=N×P1)で保持される。Nは、2以上の自然数であり、本実施形態では2であるが、3以上であってもよい。
次に、カセット搬送装置24が、カセットCをロードポート21からローダ23に搬送する。ローダ23に搬送されたカセットCは、蓋体開閉機構によって蓋体が開かれる。
次に、基板移載装置31が、カセットCが収容する基板Wを受け取り(図2のS101)、ロット形成部32に搬送する。
次に、ロット形成部32が、複数枚の基板Wを第1ピッチP1(P1=P2/N)で保持し、ロットLを形成する(図2のS102)。1つのロットLは、例えばM個のカセットCの基板Wで構成される。基板Wのピッチが第2ピッチP2から第1ピッチP1に狭くなるので、一括で処理する基板Wの枚数を増加できる。
次に、第1搬送装置43が、ロット形成部32からロットLを受け取り、処理具44に搬送する。
次に、処理具44が、薬液槽41の上方から下降し、薬液にロットLを浸漬し、薬液処理を実施する(図2のS103)。その後、処理具44が、薬液からロットLを引き上げるべく上昇し、次いでリンス液槽42の上方に向けて水平方向(X軸方向負側)に移動する。
次に、処理具44が、リンス液槽42の上方から下降し、第1リンス液にロットLを浸漬し、リンス液処理を実施する(図2のS103)。その後、処理具44が、第1リンス液からロットLを引き上げるべく上昇する。次いで、第1搬送装置43が、処理具44からロットLを受け取り、第2搬送装置52に受け渡す。
次に、第2搬送装置52の第2搬送アーム52cが、水平方向(Y軸方向正側)に移動し、浸漬槽51の上方から下降し、第2リンス液にロットLを浸漬させる(図2のS104)。ロットLの複数の基板Wは、第3搬送装置53により第2リンス液から引き上げられるまで、第2リンス液中で保持される。第2リンス液の液面よりも下に基板Wが存在するので、第2リンス液の表面張力が基板Wに作用せず、基板Wの凹凸パターンの倒壊を防止できる。
次に、第3搬送装置53が、第2リンス液中で第2搬送アーム52cによって保持されるロットLの基板Wを、第2受渡台54に搬送する。第3搬送装置53は、基板Wを1枚ずつ第2受渡台54に搬送する。
次に、第4搬送装置61が、第2受渡台54から基板Wを受け取り、液処理装置62に搬送する。
次に、液処理装置62が、基板Wを1枚ずつ液体で処理する(図2のS105)。液体は、複数であってもよく、例えば、DIW等の純水と、純水よりも表面張力の低い乾燥液とであってよい。乾燥液は、例えばIPA等のアルコールであってよい。液処理装置62は、基板Wの上面に、純水と乾燥液とをこの順で供給し、乾燥液の液膜を形成する。
次に、第4搬送装置61が、液処理装置62から基板Wを受け取り、乾燥液の液膜を上に向けて基板Wを水平に保持する。第4搬送装置61は、基板Wを液処理装置62から乾燥装置63に搬送する。
次に、乾燥装置63が、基板Wを1枚ずつ超臨界流体で乾燥する(図2のS105)。乾燥液を超臨界流体で置換でき、乾燥液の表面張力による基板Wの凹凸パターンの倒壊を抑制できる。超臨界流体は、耐圧容器を要するので、耐圧容器を小型化すべく、バッチ処理ではなく、枚葉処理で行われる。
なお、乾燥装置63は、本実施形態では枚葉式であるが、上記の通り、バッチ式でもよい。バッチ式の乾燥装置63は、液膜を形成した複数枚の基板Wを、一括で、超臨界流体で乾燥する。枚葉式の乾燥装置63が基板Wを保持する搬送アームを1つ有するのに対し、バッチ式の乾燥装置63は複数の搬送アームを有する。
次に、第4搬送装置61が、乾燥装置63から基板Wを受け取り、第1受渡台33に搬送する。
次に、基板移載装置31が、第1受渡台33から基板Wを受け取り、カセットC内に収納する(図2のS106)。カセットCは、複数枚の基板Wを収容した状態で、搬入出部2から搬出される。
(第2インタフェース部の動作)
図3~図7を参照し、第2インタフェース部5の動作について説明する。第2インタフェース部5の動作は、制御装置9による制御される。
図3~図7を参照し、第2インタフェース部5の動作について説明する。第2インタフェース部5の動作は、制御装置9による制御される。
まず、図3に示されるように、第1搬送アーム43bが、処理具44からロットLを受け取り、ガイドレール43aに沿って第2搬送アーム52cにロットLを受け渡す位置までX軸方向負側に移動する。このとき、第2搬送アーム52cは待機位置A3で待機する。これにより、第1搬送アーム43bは、第2搬送アーム52cと接触することなく、第2搬送アーム52cにロットLを受け渡す位置まで移動できる。
次に、図4に示されるように、第2搬送アーム52cが、待機位置A3から受渡位置A1まで移動し、第1搬送アーム43bからロットLを受け取り、保持する。すなわち、図7の矢印F1に示されるように、第2搬送アーム52cは待機位置A3から上方(Z軸方向正側)に移動し、第1搬送アーム43bからロットLを受け取る。
次に、図5に示されるように、第2搬送アーム52cが、受渡位置A1から浸漬位置A2へ移動し、浸漬槽51へロットLを浸漬させる。すなわち、図7の矢印F2に示されるように、第2搬送アーム52cは受渡位置A1から浸漬槽51の上方まで水平方向(Y軸方向正側)に移動する。次いで、図7の矢印F3に示されるように、第2搬送アーム52cは浸漬槽51の上方から浸漬位置A2まで下降し、浸漬槽51に貯留される第2リンス液にロットLを浸漬させる。
次に、図6に示されるように、第3搬送装置53が、第2リンス液中で第2搬送アーム52cによって保持されるロットLの基板Wを、第2受渡台54に搬送する。第3搬送装置53は、基板Wを1枚ずつ第2受渡台54に搬送する。このとき、浸漬槽51が第1搬送アーム43bの移動範囲外に配置されているので、第1搬送アーム43bと第3搬送アーム53aとが干渉しない。これにより、第1搬送装置43と第3搬送装置53のうちの一方を他方の動作状態によらずに独立して動作させることができる。すなわち、排他制御が不要となる。このため、任意にタイミングで第1搬送装置43及び第3搬送装置53を動作させることができるので、基板Wの搬送に要する時間を短縮できる。その結果、基板処理システム1の生産性が向上する。
次に、第2搬送アーム52cが保持するロットLのすべての基板Wが取り出されると、第2搬送アーム52cは待機位置A3に移動し、第1搬送アーム43bにより次のロットLが搬送されるまで待機する。図7の矢印F4に示されるように、第2搬送アーム52cは、浸漬位置A2から待機位置A3と同じ高さまで上方(Z軸方向上側)に移動し、次いで図7の矢印F5に示されるように、水平方向(Y軸方向負側)に待機位置A3まで移動する。この場合、第2搬送アーム52cは受渡位置A1よりも低い位置を経由して待機位置A3まで移動するので、第1搬送アーム43bとの接触を防止できる。なお、第2搬送アーム52cが浸漬位置A2から待機位置A3に移動する経路は、第2搬送アーム52cが待機位置A3から浸漬位置A2に移動する経路と同じであってもよい。
以上に説明した第2インタフェース部5によれば、バッチ処理部4から枚葉処理部6に搬送される基板Wは、第3搬送装置53で第2リンス液から引き上げられるまで、第2リンス液中で保持される。第2リンス液の液面よりも下に基板Wが存在するので、第2リンス液の表面張力が基板Wに作用せず、基板Wの凹凸パターンの倒壊を防止できる。
(変形例)
図8を参照し、第1変形例に係る第2インタフェース部5Aについて説明する。第2インタフェース部5Aは、第3搬送装置53が浸漬槽51の上面よりも上方に取り付けられる点で、第2インタフェース部5と異なる。第2インタフェース部5Aにおける他の構成については、第2インタフェース部5と同じであってよい。
図8を参照し、第1変形例に係る第2インタフェース部5Aについて説明する。第2インタフェース部5Aは、第3搬送装置53が浸漬槽51の上面よりも上方に取り付けられる点で、第2インタフェース部5と異なる。第2インタフェース部5Aにおける他の構成については、第2インタフェース部5と同じであってよい。
図8に示されるように、第3搬送装置53は、例えば第2インタフェース部5Aを画定するフレーム部材のうち、浸漬槽51よりも上方においてX軸方向に延びるフレーム部材55に取り付けられる。第3搬送装置53は、フレーム部材55によってX軸方向に沿って移動可能に支持されてもよい。第3搬送装置53は、第2インタフェース部5Aを画定するフレーム部材のうち、浸漬槽51よりも上方においてY軸方向に延びるフレーム部材(図示せず)に取り付けられてもよい。
図9を参照し、第2変形例に係る第2インタフェース部5Bについて説明する。第2インタフェース部5Bは、第2搬送アーム52cがY軸駆動装置52aによってY軸方向に沿って移動可能に支持され、Y軸駆動装置52aがZ軸駆動装置52bによってZ軸方向に沿って移動可能に支持される点で、第2インタフェース部5と異なる。第2インタフェース部5Bにおける他の構成については、第2インタフェース部5と同じであってよい。
図9に示されるように、Y軸駆動装置52aは、Z軸駆動装置52bのX軸方向負側に取り付けられる。Y軸駆動装置52aは、Z軸駆動装置52bによってZ軸方向に沿って移動可能に支持される。第2搬送アーム52cは、Y軸駆動装置52aによってY軸方向に沿って移動可能に支持される。
図10を参照し、第3変形例に係る第2インタフェース部5Cについて説明する。第2インタフェース部5Cは、Z軸駆動装置52bが2つ設けられ、Y軸駆動装置52aが2つのZ軸駆動装置52bによってZ軸方向に沿って移動可能に支持される点で、第2インタフェース部5Bと異なる。第2インタフェース部5Cにおける他の構成については、第2インタフェース部5Bと同じであってよい。
図10に示されるように、2つのZ軸駆動装置52bは、Y軸方向において間隔をあけて互いに平行に設けられる。Y軸駆動装置52aは、2つのZ軸駆動装置52bによってZ軸方向に沿って移動可能に支持される。
図11を参照し、第4変形例に係る第2インタフェース部5Dについて説明する。第2インタフェース部5Dは、Y軸駆動装置52aがZ軸駆動装置52bの下方に設けられる点で、第2インタフェース部5と異なる。第2インタフェース部5Dの他の構成については、第2インタフェース部5と同じであってよい。
図11に示されるように、Y軸駆動装置52aは、Z軸駆動装置52bの下方において、第2インタフェース部5からバッチ処理部4へY軸方向に沿って延びる。Z軸駆動装置52bは、Y軸駆動装置52aのZ軸方向正側に取り付けられる。Z軸駆動装置52bは、Y軸駆動装置52aによってY軸方向に沿って移動可能に支持される。
図12を参照し、第5変形例に係る第2インタフェース部5Eについて説明する。第2インタフェース部5Eは、Y軸駆動装置52aがZ軸駆動装置52bの上方に設けられる点で、第2インタフェース部5と異なる。第2インタフェース部5Eの他の構成については、第2インタフェース部5と同じであってよい。
図12に示されるように、Y軸駆動装置52aは、Z軸駆動装置52bの上方において、第2インタフェース部5からバッチ処理部4へY軸方向に沿って延びる。Z軸駆動装置52bは、Y軸駆動装置52aのZ軸方向負側に取り付けられる。Z軸駆動装置52bは、Y軸駆動装置52aによってY軸方向に沿って移動可能に支持される。
図13を参照し、第6変形例に係る第2インタフェース部5Fについて説明する。第2インタフェース部5Fは、Y軸駆動装置52a及びZ軸駆動装置52bに代えて、多軸(例えば6軸)ロボットアーム52dを有する点で、第2インタフェース部5と異なる。第2インタフェース部5Fの他の構成については、第2インタフェース部5と同じであってよい。
図13に示されるように、第2搬送装置52は、多軸ロボットアーム52dと、第2搬送アーム52cとを有する。多軸ロボットアーム52dは、例えば6軸ロボットアームであってよい。第2搬送アーム52cは、多軸ロボットアーム52dの先端に取り付けられる。第2搬送アーム52cは、多軸ロボットアーム52dにより、複数枚の基板Wを保持した状態で、3次元空間内で任意の位置及び姿勢をとることができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、乾燥装置63は基板Wを超臨界流体で乾燥するが、乾燥の方式は特に限定されない。乾燥の方式は、基板Wの凹凸パターンの倒壊を抑制できるものであればよく、例えば、スピン乾燥、スキャン乾燥、又は撥水乾燥等でもよい。スピン乾燥は、基板Wを回転し、遠心力によって液膜を基板Wから振り切る。スキャン乾燥は、乾燥液の供給位置を基板Wの中心から基板Wの外周に向けて移動させながら、基板Wを回転し、遠心力によって液膜を基板Wから振り切る。スキャン乾燥は、更に、N2ガス等の乾燥ガスの供給位置を、乾燥液の供給位置に追従するように基板Wの中心から基板Wの外周に向けて移動させてもよい。
図14は、実施形態の変形例に係る基板処理システム1Aを示す概略平面図である。図14に示される基板処理システム1Aは、乾燥の方式が、スピン乾燥、スキャン乾燥、又は撥水乾燥の場合に採用され得る。
図14に示されるように、基板処理システム1Aでは、乾燥装置63の代わりに液処理装置62が配置される。すなわち、基板処理システム1Aは、第4搬送装置61と、液処理装置62とを有する枚葉処理部6Aを有する。
液処理装置62は、枚葉式であって、基板Wを1枚ずつ処理液で処理する。液処理装置62は、スピン乾燥、スキャン乾燥及び撥水乾燥の少なくとも1つを実施可能に構成される。液処理装置62は、水平方向(X軸方向)に複数列(例えば2列)に配置され、鉛直方向(Z軸方向)に多段(例えば3段)に配置される。これにより、複数枚の基板Wを同時に処理液で処理できる。
1、1A 基板処理システム
2 搬入出部
4 バッチ処理部
41 薬液槽
42 リンス液槽
43 第1搬送装置
5 第2インタフェース部
51 浸漬槽
52 第2搬送装置
6、6A 枚葉処理部
C カセット
L ロット
W 基板
2 搬入出部
4 バッチ処理部
41 薬液槽
42 リンス液槽
43 第1搬送装置
5 第2インタフェース部
51 浸漬槽
52 第2搬送装置
6、6A 枚葉処理部
C カセット
L ロット
W 基板
Claims (12)
- 複数枚の基板を収容するカセットが搬入出される搬入出部と、
複数枚の前記基板を含むロットを一括で処理するバッチ処理部と、
前記ロットの前記基板を1枚ずつ処理する枚葉処理部と、
前記バッチ処理部と前記枚葉処理部との間で前記基板を受け渡すインタフェース部と、
を有し、
前記バッチ処理部は、
前記ロットを浸漬して処理する処理槽と、
前記処理槽に前記ロットを搬送する第1搬送装置と、
を有し、
前記インタフェース部は、
前記第1搬送装置の移動範囲外に配置され、前記ロットを浸漬する浸漬槽と、
前記第1搬送装置と前記浸漬槽との間で前記ロットを受け渡す第2搬送装置と、
を有する、
基板処理システム。 - 前記第1搬送装置は、第1水平方向に移動可能であり、
前記浸漬槽は、前記処理槽に対して前記第1水平方向と直交する第2水平方向においてずれた位置に配置される、
請求項1に記載の基板処理システム。 - 前記第2搬送装置は、
前記ロットを保持する搬送アームと、
前記搬送アームを、前記第2水平方向と、鉛直方向とに移動させる駆動装置と、
を有する、
請求項2に記載の基板処理システム。 - 前記駆動装置は、
前記搬送アームを前記鉛直方向に沿って移動可能に支持する鉛直駆動装置と、
前記鉛直駆動装置を前記第2水平方向に沿って移動可能に支持する水平駆動装置と、
を有する、
請求項3に記載の基板処理システム。 - 前記駆動装置は、
前記搬送アームを前記第2水平方向に沿って移動可能に支持する水平駆動装置と、
前記水平駆動装置を前記鉛直方向に沿って移動可能に支持する鉛直駆動装置と、
を有する、
請求項3に記載の基板処理システム。 - 前記駆動装置は、多軸ロボットアームからなる、
請求項3に記載の基板処理システム。 - 前記搬送アームは、前記第1搬送装置から前記ロットを受け取る受渡位置と、前記ロットを前記浸漬槽に浸漬させる浸漬位置と、前記受渡位置の直下の待機位置とを含む複数の位置に移動可能であり、
前記駆動装置は、前記第1搬送装置が動作している間、前記搬送アームを前記浸漬位置又は前記待機位置に移動させる、
請求項3に記載の基板処理システム。 - 前記インタフェース部は、前記バッチ処理部に対して前記第2水平方向に隣接して配置され、かつ前記枚葉処理部に対して前記第1水平方向に隣接して配置される、
請求項2乃至7のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記枚葉処理部は、
前記基板を1枚ずつ液体で処理する液処理装置と、
前記基板を1枚ずつ超臨界流体で乾燥する乾燥装置と、
を有し、
前記乾燥装置は、前記液処理装置に対して前記第1水平方向に隣接して配置される、
請求項2乃至7のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記インタフェース部は、
前記枚葉処理部に隣接して配置され、前記枚葉処理部との間で前記基板を受け渡す受渡台と、
前記浸漬槽に浸漬する前記ロットの前記基板を受け取り、前記受渡台に搬送する第3搬送装置と、
を有する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記浸漬槽は、前記ロットが浸漬される純水を貯留する、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 複数枚の基板を含むロットを一括で処理するバッチ処理部から、前記ロットの前記基板を1枚ずつ処理する枚葉処理部に、前記基板を搬送することを有する、基板処理方法であって、
前記ロットを浸漬して処理する処理槽に、第1搬送装置が前記ロットを搬送することと、
第2搬送装置が前記第1搬送装置から前記ロットを受け取り、前記ロットを浸漬する浸漬槽に搬送することと、
を有し、
前記浸漬槽は、前記第1搬送装置の移動範囲外に配置される、
基板処理方法。
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