CN116705648A - 基片处理系统和基片处理方法 - Google Patents

基片处理系统和基片处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116705648A
CN116705648A CN202310143848.9A CN202310143848A CN116705648A CN 116705648 A CN116705648 A CN 116705648A CN 202310143848 A CN202310143848 A CN 202310143848A CN 116705648 A CN116705648 A CN 116705648A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
pure water
section
substrates
processing system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310143848.9A
Other languages
English (en)
Inventor
平瀬圭太
齐藤幸良
寺本聪宽
田中幸二
武井奖太
御所真高
北村和晃
池田真一
栗崎俊介
木村裕二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022179026A external-priority patent/JP2023129235A/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN116705648A publication Critical patent/CN116705648A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供能够抑制在基片形成的图案的倒塌的基片处理系统和基片处理方法。基片处理系统包括：送入送出部，其能够送入送出收容有多个基片的盒；批次处理部，其将包含多个上述基片的基片组以使上述基片各自直立的状态一并进行处理；单片处理部，其将上述基片组的上述基片以水平的状态逐一地进行处理；和接口部，其从上述批次处理部向上述单片处理部交接上述基片，上述接口部具有：将上述基片以使其与纯水接触的状态保持为水平的待机部；和从上述批次处理部向上述待机部交接上述基片的输送机构。

Description

基片处理系统和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理系统和基片处理方法。
背景技术
专利文献1中记载的基片处理系统具有批次处理部和单片处理部。批次处理部将水洗处理后的半导体晶片保持在水中。半导体晶片以其多个被置于一个保持台的状态被进行药液处理。转送部从缓冲槽将半导体晶片逐一地拿起并向单片处理部转送。单片处理部将由转送部转送来的一个半导体晶片以主面成为水平的方式对其进行支承并将基片干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2021-064654号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够抑制形成于半导体晶片等基片的图案的倒塌的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理系统包括：送入送出部，其能够送入送出收容有多个基片的盒；批次处理部，其将包含多个上述基片的基片组以使上述基片各自直立的状态一并进行处理；单片处理部，其将上述基片组的上述基片以水平的状态逐一地进行处理；和接口部，其从上述批次处理部向上述单片处理部交接上述基片，上述接口部具有：将上述基片以与纯水接触的状态保持为水平的待机部；和从上述批次处理部向上述待机部交接上述基片的输送机构。
发明效果
依照本发明，能够抑制形成于基片的图案的倒塌。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概略俯视图。
图2是表示第一实施方式中的第二交接台的图。
图3是表示第一实施方式的基片处理方法的流程图。
图4是表示第二接口部的动作的概略立体图。
图5是表示第二接口部的动作的概略立体图。
图6是表示第二接口部的动作的概略立体图。
图7是表示第二接口部的动作的概略立体图。
图8是说明第二输送装置的动作的图。
图9是表示第一实施方式中的第二交接台的动作的图(之一)。
图10是表示第一实施方式中的第二交接台的动作的图(之二)。
图11是表示第一实施方式中的第二交接台的动作的图(之三)。
图12是表示第二实施方式中的第二交接台的图。
图13是表示第三实施方式中的第二接口部的概略立体图。
图14是表示第四实施方式中的第二交接台的图。
图15是表示第四实施方式中的第二交接台的动作的图。
图16是表示第五实施方式中的第二交接台的图。
图17是表示第六实施方式中的第二交接台的图。
图18是表示第一实施方式的第一变形例中包含的第二接口部的概略立体图。
图19是表示第一实施方式的第二变形例的基片处理系统的概略俯视图。
附图标记说明
1、1A基片处理系统
2 送入送出部
4 批次处理部
5 第二接口部
6、6A单片处理部
11 负荷传感器
41 药液槽
42 冲洗液槽
43 第一输送装置
51 浸渍槽
52 第二输送装置
54 第二交接台
55 避让台
71 底板
72 壁部
73、76液接收部
75 液膜
77 纯水
78 臂
79 移动机构
79a 质量测量部
80 纯水供给部
81 喷嘴
82、86纯水供给管线
83 返回管线
87 排水管线
C 盒
L 基片组
W 基片。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的非限定性的例示的实施方式进行说明。附加的全部附图中，对于相同或者相应的零件或者部件，标注相同或者相应的附图标记，省略重复的说明。
[第一实施方式]
首先，关于第一实施方式进行说明。第一实施方式涉及基片处理系统。
(基片处理系统)
参照图1，对实施方式的基片处理系统进行说明。如图1所示，第一实施方式的基片处理系统1具有送入送出部2、第一接口部3、批次处理部4、第二接口部5、单片处理部6和控制装置9。
送入送出部2兼作送入部和送出部。因此，能够将基片处理系统1小型化。送入送出部2具有装载端口21、存放栈(stocker)22、装载机23和盒输送装置24。
装载端口21配置在送入送出部2的X轴方向负侧。装载端口21沿着Y轴方向配置多个(例如4个)。但是，装载端口21的数量没有特别限定。盒C载置在装载端口21。盒C收容多个(例如25个)基片W，将其相对于装载端口21送入送出。在盒C的内部，基片W被保持为水平，在铅垂方向上以第一节距P1的N倍即第二节距P2(P2＝N×P1)被保持。N为2以上的自然数，在本实施方式中为2，但也可以是3以上。
存放栈22在送入送出部2的X轴方向中央沿着Y轴方向配置多个(例如4个)。存放栈22在送入送出部2的X轴方向正侧沿着Y轴方向与第一接口部3相邻地配置多个(例如2个)。存放栈22也可以在铅垂方向上配置多层。存放栈22暂时保管收纳有清洗处理前的基片W的盒C、基片W被取出而内部变空的盒C等。此外，存放栈22的数量没有特别的限定。
装载机23与第一接口部3相邻，配置在送入送出部2的X轴方向正侧。在装载机23能够载置盒C。在装载机23设置有用于进行盒C的盖体的开闭的盖体开闭机构(未图示)。装载机23也可以设置有多个。装载机23也可以在铅垂方向上配置多层。
盒输送装置24例如为多关节输送机器人。盒输送装置24在装载端口21、存放栈22和装载机23之间输送盒C。
第一接口部3配置在送入送出部2的X轴方向正侧。第一接口部3在送入送出部2、批次处理部4和单片处理部6之间输送基片W。第一接口部3具有基片移载装置31、基片组形成部32和第一交接台33。
基片移载装置31在载置于装载机23的盒C、基片组形成部32和第一交接台33之间输送基片W。基片移载装置31由多轴(例如6轴)臂机器人构成，在其前端具有基片保持臂31a。基片保持臂31a具有能够保持多个(例如25个)基片W的多个保持爪(未图示)。基片保持臂31a在利用保持爪保持着基片W的状态下，能够在三维空间内采取任意的位置和姿态。
基片组形成部32配置在第一接口部3的X轴方向正侧。基片组形成部32以第一节距P1保持多个基片W，形成基片组L。
第一交接台33与单片处理部6相邻，配置在第一接口部3的Y轴方向正侧。第一交接台33从第四输送装置61接收基片W，暂时保管基片W直至将其交送到送入送出部2。
批次处理部4配置在第一接口部3的X轴方向正侧。即送入送出部2、第一接口部3、批次处理部4依次从X轴方向负侧朝向X轴方向正侧配置。批次处理部4对以第一节距P1包含多个(例如50个或者100个)基片W的基片组L一并进行处理。一个基片组L由例如M个盒C的基片W构成。M为2以上的自然数。M可以是与N相同的自然数，也可以是与N不同的自然数。批次处理部4具有药液槽41、冲洗液槽42、第一输送装置43、处理具44和驱动装置45。
药液槽41和冲洗液槽42沿着X轴方向配置。例如，从X轴方向正侧朝向X轴方向负侧依次排列药液槽41、冲洗液槽42。此外，也将药液槽41和冲洗液槽42总称为处理槽。药液槽41和冲洗液槽42的数量不限定于图1所示的数量。例如，药液槽41和冲洗液槽42在图1中为一组，但也可以是多组。
药液槽41贮存用于浸渍基片组L的药液。药液例如为磷酸水溶液(H3PO4)。磷酸水溶液有选择地蚀刻并除去硅氧化膜和硅氮化膜中的硅氮化膜。药液不限定于磷酸水溶液。例如也可以是DHF(稀氢氟酸)、BHF(氢氟酸和氟化铵的混合液)、稀硫酸、SPM(硫酸、过氧化氢和水的混合液)、SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)、SC2(盐酸、过氧化氢和水的混合液)、TMAH(四甲基氢氧化铵和水的混合液)、镀敷液等。药液也可以是剥离处理用或者镀敷处理用的药液。药液的数量没有特别的限定，也可以是多个。
冲洗液槽42贮存用于浸渍基片组L的第一冲洗液。第一冲洗液可以是从基片W除去药液的纯水，例如是DIW(去离子水)。
第一输送装置43具有导轨43a和第一输送臂43b。导轨43a配置在比处理槽靠Y轴方向负侧的位置。导轨43a从第一接口部3向批次处理部4沿着水平方向(X轴方向)延伸。第一输送臂43b沿着导轨43a在水平方向(X轴方向)上移动。第一输送臂43b可以在铅垂方向上移动，也可以绕铅垂轴旋转。第一输送臂43b将基片组L在第一接口部3与批次处理部4之间一并进行输送。
处理具44从第一输送臂43b接收基片组L，并加以保持。处理具44以第一节距P1在Y轴方向上保持多个基片W，并将多个基片W各自保持为铅垂。
驱动装置45使处理具44在X轴方向和Z轴方向上移动。处理具44将基片组L浸渍在药液槽41所贮存的药液中，接着，将基片组L浸渍在冲洗液槽42所贮存的第一冲洗液中，之后，将基片组L交送到第一输送装置43。
处理具44和驱动装置45的单元的数量在本实施方式中为一个，但也可以是多个。在后者的情况下，一个单元将基片组L浸渍在药液槽41所贮存的药液中，另一单元将基片组L浸渍在冲洗液槽42所贮存的第一冲洗液中。在该情况下，驱动装置45使处理具44在Z轴方向上移动即可，可以使处理具44不在X轴方向上移动。
第二接口部5配置在批次处理部4的Y轴方向正侧。第二接口部5在批次处理部4与单片处理部6之间输送基片W。第二接口部5具有浸渍槽51、第二输送装置52、第三输送装置53和第二交接台54。
浸渍槽51配置在第一输送臂43b的移动范围外。例如，浸渍槽51配置在相对于处理槽偏向Y轴方向正侧的位置。浸渍槽51贮存用于浸渍基片组L的第二冲洗液。第二冲洗液例如是DIW(去离子水)。基片W被保持在第二冲洗液中，直至被第三输送装置53从第二冲洗液提起。由于基片W存在于比第二冲洗液的液面靠下的位置，因此第二冲洗液的表面张力不作用于基片W，能够防止基片W的凹凸图案的倒塌。
第二输送装置52具有Y轴驱动装置52a、Z轴驱动装置52b和第二输送臂52c。
Y轴驱动装置52a配置在第二接口部5的X轴方向正侧。Y轴驱动装置52a从第二接口部5向批次处理部4沿着水平方向(Y轴方向)延伸。Y轴驱动装置52a使Z轴驱动装置52b和第二输送臂52c在Y轴方向上移动。Y轴驱动装置52a可以包括滚珠丝杆。
Z轴驱动装置52b可移动地安装在Y轴驱动装置52a。Z轴驱动装置52b使第二输送臂52c在Z轴方向上移动。Z轴驱动装置52b可以包括滚珠丝杆。
第二输送臂52c可移动地安装在Z轴驱动装置52b。第二输送臂52c从第一输送臂43b接收基片组L并加以保持。第二输送臂52c以第一节距P1在Y轴方向上保持多个基片W，将多个基片W分别保持为铅垂方向。第二输送臂52c利用Y轴驱动装置52a和Z轴驱动装置52b在Y轴方向和Z轴方向上移动。第二输送臂52c构成为能够移动到包括图7所示的交接位置A1、浸渍位置A2、待机位置A3在内的多个位置。
交接位置A1是在第一输送臂43b与第二输送臂52c之间进行基片组L的交接的位置。交接位置A1是Y轴方向负侧且Z轴方向正侧的位置。
浸渍位置A2是使基片组L浸渍在浸渍槽51中的位置。浸渍位置A2是比交接位置A1靠Y轴方向正侧且Z轴方向负侧的位置。
待机位置A3是在不进行基片组L的交接和基片组L向浸渍槽51的浸渍时第二输送臂52c待机的位置。待机位置A3在交接位置A1的正下(Z轴方向负侧)，是不妨碍第一输送臂43b的移动的位置。在该情况下，第二输送臂52c通过仅向上方(Z轴方向正侧)移动就能够移动到交接位置A1，因此生产率提高。待机位置A3也可以是与浸渍位置A2相同的位置。在该情况下，能够防止伴随着第一输送装置43进行动作而可能产生的颗粒附着到第二输送臂52c。待机位置A3可以是浸渍位置A2的正上(Z轴方向正侧)的位置。像这样，通过将待机位置A3设定在不同于交接位置A1的位置，能够防止第一输送臂43b与第二输送臂52c接触。
第二输送装置52在第一输送装置43进行动作的期间，使第二输送臂52c移动到浸渍位置A2或者待机位置A3。由此，能够防止第一输送臂43b与第二输送臂52c接触。
第三输送装置53由多轴(例如6轴)臂机器人构成，在其前端具有第三输送臂53a。第三输送臂53a具有能够保持一个基片W的保持爪(未图示)。第三输送臂53a能够在利用保持爪保持着基片W的状态下在三维空间内采取任意的位置和姿态。第三输送装置53在处于浸渍位置A2的第二输送臂52c与第二交接台54之间输送基片W。这时，由于浸渍槽51配置于第一输送臂43b的移动范围外，因此第一输送臂43b与第三输送臂53a不发生干扰。由此，能够使第一输送装置43和第三输送装置53中的一者与另一者的动作状态无关地独立进行动作。因此，能够在任意时机(timing)使第一输送装置43和第三输送装置53动作，所以能够缩短基片W的输送所需要的时间。其结果是，基片处理系统1的生产率提高。第三输送装置53作为输送机构的一例发挥功能。
第二交接台54与单片处理部6相邻，配置在第二接口部5的X轴方向负侧。第二交接台54从第三输送装置53接收，暂时保管基片W直至将其交接到单片处理部6。即，从浸渍槽51取出的基片W被载置在第二交接台54。载置于第二交接台54的基片W例如优选为表面被第二冲洗液润湿的状态。在该情况下，第二冲洗液的表面张力不作用于基片W，能够抑制基片W的凹凸图案的倒塌。第二交接台54的数量可以是一个也可以是多个。关于第二交接台54的详情，在后文说明。
单片处理部6配置在第二接口部5的X轴方向负侧，且送入送出部2、第一接口部3和批次处理部4的Y轴方向正侧。单片处理部6对基片W逐一地进行处理。单片处理部6具有第四输送装置61、液处理装置62和干燥装置63。
第四输送装置61具有导轨61a和第四输送臂61b。导轨61a配置在单片处理部6的Y轴方向负侧。导轨61a在单片处理部6中沿着水平方向(X轴方向)延伸。第四输送臂61b沿着导轨61a在水平方向(X轴方向)和铅垂方向上移动，绕铅垂轴旋转。第四输送臂61b在第二交接台54、液处理装置62、干燥装置63和第一交接台33之间输送基片W。第四输送臂61b的数量可以是一个也可以是多个，在后者的情况下，第四输送装置61对多个(例如5个)基片W一并进行输送。
液处理装置62配置在单片处理部6的X轴方向正侧且Y轴方向正侧。液处理装置62为单片式，对基片W逐一地用处理液进行处理。液处理装置62在铅垂方向(Z轴方向)上配置多层(例如3层)。由此，能够将多个基片W同时用处理液进行处理。处理液可以是多个，例如可以是DIW等纯水和比纯水的表面张力低的干燥液。干燥液例如是IPA(异丙醇)等醇类。
干燥装置63相对于液处理装置62在X轴方向负侧相邻地配置。在该情况下，单片处理部6的Y轴方向正侧的端面，能够以与第二接口部5的Y轴方向正侧的端面成为同一平面或者大致同一平面的方式配置。因此，几乎不产生死角(dead space)，所以能够减小基片处理系统1的占地面积。相对于此，当将干燥装置63相对于液处理装置62在Y轴方向正侧相邻地配置时，单片处理部6的Y轴方向正侧的端面比第二接口部5的Y轴方向正侧的端面突出，可能产生死角。干燥装置63为单片式，将基片W逐一地用超临界流体干燥。干燥装置63在铅垂方向上配置多层(例如3层)。由此，能够使多个基片W同时干燥。
液处理装置62和干燥装置63这两者可以不是单片式，也可以液处理装置62为单片式而干燥装置63为批次式。干燥装置63也可以将多个的基片W一并用超临界流体干燥。在干燥装置63中一并被处理的基片W的个数，可以是在液处理装置62中一并被处理的基片W的个数以上，也可以比其少。液处理装置62和干燥装置63以外的装置也可以配置在单片处理部6中。
控制装置9例如是计算机，具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)91和存储器等存储介质92。在存储介质92中保存控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制装置9通过使CPU91执行存储在存储介质92中的程序，来控制基片处理系统1的动作。控制装置9具有输入接口93和输出接口94。控制装置9利用输入接口93接收来自外部的信号，利用输出接口94向外部发送信号。
上述程序存储在例如计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制装置9的存储介质92。作为通过计算机可读取的存储介质，例如能够举例硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。此外，程序也可以经由网络从服务器下载，并安装到控制装置9的存储介质92中。
在基片处理系统1中，基片W从送入送出部2被依次输送到第一接口部3、批次处理部4、第二接口部5和单片处理部6，并返回送入送出部2。
(第二交接台的结构的详情)
参照图2，对第二交接台54的结构的详情进行说明。图2是表示第一实施方式中的第二交接台54的图。图2的(a)为俯视图，图2的(b)为截面图。图2的(b)相当于沿着图2的(a)中的IIb-IIb线的截面图。
如图2所示，第二交接台54具有纯水供给部80、液接收部73和3个以上的销74。在图2的(a)中，省略了纯水供给部80。
液接收部73具有底板71和壁部72。底板71具有圆板状的形状。壁部72环状地设置于底板71上。销74设置于底板71上。本实施方式中销74的数量为3个，但也可以是4个以上。3个销74以俯视时构成正三角形的方式配置。包括各销74的上端的面是水平的。各销74的上端位于比壁部72的上端靠上方的位置。在俯视时，3个销74构成的正三角形的中心与圆板状的底板71的中心大致一致。销74在底板71的上方将基片W从下方支承。销74作为支承部的一例发挥功能。
纯水供给部80具有喷嘴81、纯水供给管线82和返回管线83。纯水供给管线82与喷嘴81连接。喷嘴81将通过纯水供给管线82供给来的纯水释放。在纯水供给管线82设置有分支点85，返回管线83与分支点85连接。在不从喷嘴81释放纯水的期间，纯水也在比纯水供给管线82的分支点85靠上游侧的部分、和返回管线83中流通。像这样构成的纯水供给部80将纯水供给到基片W的上表面。
第二交接台54具有这样的结构，以使基片W与纯水接触的状态水平地保持该基片W。第二交接台54作为待机部的一例发挥功能。
(基片处理系统的动作)
参照图3，对第一实施方式的基片处理系统1的动作，即基片处理方法进行说明。图3所示的处理在控制装置9的控制下实施。
首先，盒C在收容有多个基片W的状态下，被送入送入送出部2，并载置在装载端口21。在盒C的内部，基片W被保持为水平，在铅垂方向上以第二节距P2(P2＝N×P1)被保持。N为2以上的自然数，在本实施方式中为2，但也可以是3以上。
接着，盒输送装置24将盒C从装载端口21输送到装载机23。输送到装载机23的盒C由盖体开闭机构打开盖体。
接着，基片移载装置31接收盒C所收容的基片W(图3的S101)，输送到基片组形成部32。
接着，基片组形成部32以第一节距P1(P1＝P2/N)保持多个基片W，形成基片组L(图3的S102)。一个基片组L例如由M个盒C的基片W构成。由于基片W的节距从第二节距P2变窄成第一节距P1，因此能够一并处理的基片W的个数增加。
接着，第一输送装置43从基片组形成部32接收基片组L，并输送到处理具44。
接着，处理具44从药液槽41的上方下降，将基片组L浸渍在药液中，实施药液处理(图3的S103)。之后，处理具44上升以将基片组L从药液提起，接着，朝向冲洗液槽42的上方在水平方向(X轴方向负侧)上移动。
接着，处理具44从冲洗液槽42的上方下降，将基片组L浸渍在第一冲洗液中，实施冲洗液处理(图3的S103)。之后，处理具44上升以将基片组L从第一冲洗液中提起。接着，第一输送装置43从处理具44接收基片组L，并交接到第二输送装置52。
接着，第二输送装置52的第二输送臂52c在水平方向(Y轴方向正侧)上移动，从浸渍槽51的上方下降，使基片组L浸渍在第二冲洗液中(图3的S104)。基片组L的多个基片W被保持在第二冲洗液中，直至由第三输送装置53从第二冲洗液提起。由于基片W存在于比第二冲洗液的液面靠下的位置，因此第二冲洗液的表面张力不作用于基片W，能够防止基片W的凹凸图案的倒塌。
接着，第三输送装置53将在第二冲洗液中由第二输送臂52c保持的基片组L的基片W输送到第二交接台54。第三输送装置53将基片W逐一地输送到第二交接台54。
接着，第四输送装置61从第二交接台54接收基片W，并输送到液处理装置62。
接着，液处理装置62将基片W逐一地用液体进行处理(图3的S105)。液体可以是多个，例如可以是DIW等纯水和比纯水表面张力低的干燥液。干燥液例如可以是IPA等醇。液处理装置62将纯水和干燥液依次供给到基片W的上表面，形成干燥液的液膜。
接着，第四输送装置61从液处理装置62接收基片W，以干燥液的液膜朝上的方式将基片W保持为水平。第四输送装置61将基片W从液处理装置62输送到干燥装置63。
接着，干燥装置63将基片W逐一地用超临界流体干燥(图3的S105)。干燥液能够由超临界流体替换，能够抑制由干燥液的表面张力导致的基片W的凹凸图案的倒塌。由于超临界流体需要耐压容器，为了使耐压容器小型化，不进行批次处理，而进行单片处理。
另外，干燥装置63在本实施方式中为单片式，但也可以如上所述为批次式。批次式的干燥装置63将形成了液膜的多个基片W一并用超临界流体进行干燥。单片式的干燥装置63具有一个保持基片W的输送臂，与此相对，批次式的干燥装置63具有多个输送臂。
接着，第四输送装置61从干燥装置63接收基片W，并输送到第一交接台33。
接着，基片移载装置31从第一交接台33接收基片W，并收纳在盒C内(图3的S106)。盒C在收容有多个基片W的状态下，从送入送出部2被送出。
(第二接口部的动作)
参照图4～图8，对第二接口部5的动作进行说明。第二接口部5的动作由控制装置9控制。
首先，如图4所示，第一输送臂43b从处理具44接收基片组L，并沿着导轨43a向X轴方向负侧移动直至对第二输送臂52c交接基片组L的位置。这时，第二输送臂52c在待机位置A3待机。由此，第一输送臂43b能够与第二输送臂52c不接触地移动到对第二输送臂52c交接基片组L的位置。
接着，如图5所示，第二输送臂52c从待机位置A3移动至交接位置A1，从第一输送臂43b接收基片组L并加以保持。即，如图8的箭头F1所示，第二输送臂52c从待机位置A3向上方(Z轴方向正侧)移动，并从第一输送臂43b接收基片组L。
接着，如图6所示，第二输送臂52c从交接位置A1向浸渍位置A2移动，使基片组L浸渍在浸渍槽51中。即，如图8的箭头F2所示，第二输送臂52c从交接位置A1在水平方向(Y轴方向正侧)上移动至浸渍槽51的上方。接着，如图8的箭头F3所示，第二输送臂52c从浸渍槽51的上方下降至浸渍位置A2，使基片组L浸渍在浸渍槽51所贮存的第二冲洗液中。
接着，如图7所示，第三输送装置53将在第二冲洗液中由第二输送臂52c保持的基片组L的基片W输送到第二交接台54。第三输送装置53将基片W逐一地输送到第二交接台54。这时，由于浸渍槽51配置于第一输送臂43b的移动范围外，因此第一输送臂43b和第三输送臂53a不发生干扰。由此，能够使第一输送装置43和第三输送装置53中的一者与另一者的动作状态无关地独立进行动作。即，不需要排他控制。因此，能够在任意时机使第一输送装置43和第三输送装置53动作，因此能够缩短基片W输送所需要的时间。其结果是，基片处理系统1的生产率提高。
接着，当第二输送臂52c所保持的基片组L的全部基片W被取出时，第二输送臂52c移动到待机位置A3，待机直至利用第一输送臂43b输送下一基片组L。如图8的箭头F4所示，第二输送臂52c从浸渍位置A2向上方(Z轴方向上侧)移动至与待机位置A3相同的高度，接着如图8的箭头F5所示，向水平方向(Y轴方向负侧)移动至待机位置A3。在该情况下，第二输送臂52c经由比交接位置A1低的位置移动至待机位置A3，因此能够防止与第一输送臂43b的接触。此外，第二输送臂52c从浸渍位置A2移动到待机位置A3的路径，也可以与第二输送臂52c从待机位置A3经由交接位置A1移动到浸渍位置A2的路径相同。
利用第二接口部5，从批次处理部4对单片处理部6输送的基片W被保持在第二冲洗液中，直至由第三输送装置53从第二冲洗液提起。由于基片W存在于比第二冲洗液的液面靠下的位置，因此第二冲洗液的表面张力不作用于基片W，能够防止基片W的凹凸图案的倒塌。
(第二交接台的动作)
参照图9，对第二交接台54的动作进行说明。
当利用第三输送装置53对第二交接台54输送基片W时，如图9的(a)所示，基片W被载置在3个销74上。这时，在基片W的上表面形成第二冲洗液的液膜75a。
接着，如图9的(b)所示，喷嘴81向基片W的上表面释放纯水。其结果是，在基片W的上表面形成纯水的液膜75。
接着，如图9的(c)所示，喷嘴81停止向基片W释放纯水。维持在基片W的上表面形成有纯水的液膜75的状态。
接着，如图9的(d)所示，上表面形成有纯水的液膜75的基片W由第四输送装置61输送到液处理装置62。
在第二交接台54中进行这样的动作。
即使基片W由第三输送装置53输送到第二交接台54时，在基片W的上表面形成有第二冲洗液的液膜75a，在由第四输送装置61进行的向液处理装置62的输送之前耗费了时间的情况下，液膜75a有可能因干燥而减少。液膜75a的减少有可能造成基片W的凹凸图案的倒塌。对此，在本实施方式中，由于在第二交接台54中在基片W的上表面形成纯水的液膜75，因此能够抑制伴随干燥的凹凸图案的倒塌。
另外，在液膜75形成后，在由第四输送装置61进行的向液处理装置62的输送之前耗费了时间的情况下，即待机时间变长的情况下，优选再次形成液膜75。例如，优选从形成液膜75起，每当经过预先设定的第一时间时就再形成液膜75。另外，在进行这样的处理的情况下，在连续两次的液膜75形成之间，纯水滞留在纯水供给管线82的分支点85与喷嘴81之间的部分。因此，如图10所示，优选使喷嘴81向基片W的侧方移动，将滞留的纯水排出，之后进行第二次的液膜75形成。通过将滞留的纯水排出，能够抑制可能存在于滞留的纯水中的颗粒向基片W的附着。
另外，也可以为，无论是否有在销74上待机的基片W，如图11所示，每当经过预先设定的第二时间时，都将纯水供给管线82的分支点85与喷嘴81之间的部分滞留的纯水排出。在排水时基片W处于销74上的情况下，如图10所示，可以使喷嘴81向基片W的侧方移动。另外，也可以为，每当由第三输送装置53向第二交接台54输送基片W时，在其之前，将滞留在纯水供给管线82的分支点85与喷嘴81之间的部分的纯水排出。
[第二实施方式]
接着，对第二实施方式进行说明。第二实施方式主要在第二交接台54的结构方面与第一实施方式不同。图12是表示第二实施方式中的第二交接台54的图。图12的(a)为俯视图，图12的(b)为截面图。图12的(b)相当于沿着图12的(a)中的XIIb-XIIb线的截面图。
如图12所示，第二实施方式中包含的第二交接台54具有纯水供给部80、液接收部73、3个以上的销74、负荷传感器(load cell)11和销支承部件12。在图12的(a)中，省略了纯水供给部80。
在第二实施方式中，在液接收部73的底板71的中央部之上设置有负荷传感器11，在负荷传感器11之上设置有销支承部件12。销支承部件12具有梁部13和圆环部14。梁部13为直线状的部件，其长边方向的中央部与负荷传感器11的上表面接触。圆环部14为圆环状的部件，梁部13的两端与圆环部14相连。在俯视时，圆环部14的中心与梁部13的长边方向的中心一致，负荷传感器11位于圆环部14的中心。并且，在圆环部14之上设置有销74。
其它结构与第一实施方式相同。
在第二实施方式中，当利用第三输送装置53对第二交接台54输送基片W时，与第一实施方式同样地，基片W被载置在3个销74上(参照图9的(a))。这时，在基片W的上表面形成有第二冲洗液的液膜75a。接着，负荷传感器11测量销支承部件12、销74、基片W和液膜75a的总质量(第一质量)。
接着，与第一实施方式同样地，喷嘴81向基片W的上表面释放纯水。其结果是，在基片W的上表面形成纯水的液膜75(参照图9的(b))。
接着，与第一实施方式同样地，喷嘴81停止向基片W释放纯水。维持在基片W的上表面形成有纯水的液膜75的状态(参照图9的(c))。接着，负荷传感器11测量销支承部件12、销74、基片W和液膜75的总质量(第二质量)。接着，控制装置9计算从第一质量向第二质量的增加量，判断该增加量是否处于预先决定的范围内。从第一质量向第二质量的增加量，相当于由纯水供给部80供给并保留在基片W的上表面的纯水的质量。质量测量部79a和控制装置9作为质量变化检测部发挥功能。
如果增加量在预先决定的范围内，则与第一实施方式同样地，利用第四输送装置61将上表面形成有纯水的液膜75的基片W输送到液处理装置62(参照图9的(d))。在增加量比预先决定的范围小的情况下(过少的情况下)，例如，喷嘴81以不足的量向基片W的上表面释放纯水。在增加量比预先决定的范围大的情况下(过剩的情况下)，例如可以通知该情况，例如产生警告音。
在第二实施方式中，在第二交接台54中进行这样的动作。
依照第二实施方式，能够提高在输送到液处理装置62的基片W形成的液膜75的量的稳定性。另外，在增加量过少的情况下，存在因基片W的翘曲而纯水从基片W的上表面落下的可能性，因此能够作为确认基片W的翘曲的触发器(trigger)使用。
[第三实施方式]
接着，对第三实施方式进行说明。第三实施方式主要是第二接口部5具有避让台这一点与第一实施方式不同。图13是表示第三实施方式的第二接口部5的概略立体图。
如图13所示，第三实施方式中包含的第二接口部5具有浸渍槽51、第二输送装置52、第三输送装置53、第二交接台54和避让台55。避让台55配置于第二交接台54的Z轴方向负侧。避让台55具有与第二交接台54同样的结构，能够接收基片W，对基片W的上表面释放纯水。
其它结构与第一实施方式相同。
如上所述，第四输送装置61从第二交接台54接收基片W，并输送到液处理装置62。但是，第四输送装置61从第二交接台54接收了基片W后，可能由于故障等发生液处理装置62不能接收基片W的状况。在这样的情况下，第四输送装置61将基片W输送到避让台55。并且，在避让台55中，对基片W的上表面释放纯水，以使基片W的上表面的液膜75不消失。之后，当液处理装置62变得能够接收基片W时，第四输送装置61从避让台55接收基片W，并输送到液处理装置62。
另外，为了抑制由在向避让台55供给纯水的供给管线中滞留纯水而导致颗粒向基片W的附着，与第二交接台54同样地，优选适当地排出滞留的纯水。
[第四实施方式]
接着，对第四实施方式进行说明。第四实施方式主要在第二交接台54的结构方面与第一实施方式不同。图14是表示第四实施方式中的第二交接台54的图。
如图14所示，第四实施方式中包含的第二交接台54具有纯水供给部80、液接收部76、臂78和移动机构79。臂78将由第三输送装置53输送来的基片W保持为水平。液接收部76构成为能够贮存纯水77。另外，液接收部76具有能够将保持于臂78的基片W浸渍在纯水77中的深度。移动机构79构成为能够移动到包括浸渍位置B1和避让位置B2在内的多个位置，上述浸渍位置B1是以基片W浸渍在液接收部76所贮存的纯水77内的状态支承基片W的位置，上述避让位置B2是在液接收部76所贮存的纯水77之外支承基片W的位置。例如，避让位置B2位于浸渍位置B1的Z轴方向正侧。臂78作为支承部的一例发挥功能。
其它结构与第一实施方式相同。
在第四实施方式中，当利用第三输送装置53对第二交接台54输送基片W时，基片W被载置在臂78上。这时，在基片W的上表面形成有第二冲洗液的液膜75a。接着，喷嘴81向基片W的上表面释放纯水。其结果是，在基片W的上表面形成纯水的液膜75。接着，喷嘴81停止向基片W释放纯水。维持在基片W的上表面形成有纯水的液膜75的状态。接着，上表面形成有纯水的液膜75的基片W由第四输送装置61输送到液处理装置62。在第二交接台54，进行这样的动作。
另外，在液膜75形成后，在由第四输送装置61进行的向液处理装置62的输送之前耗费了时间的情况下，即待机时间变长了的情况下，如图15所示，基片W和臂78被浸渍在液接收部76中储存的纯水77中。例如，从液膜75的形成起经过预先设定的第三时间时，基片W和臂78被浸渍在液接收部76所贮存的纯水77中。这时，至少使基片W的上表面位于比纯水77的液面深的位置。例如，从液膜75形成起，经过预先设定的第一时间时，进行这样的浸渍处理。在待机时间变长的情况下，通过这样的浸渍处理，也能够抑制伴随干燥产生的凹凸图案的倒塌。
另外，也可以在浸渍处理的期间，连续地或者断续地从喷嘴81向基片W释放纯水。另外，也可以在液接收部76连接纯水供给用管和排水用管，使纯水77循环。
[第五实施方式]
接着，对第五实施方式进行说明。第五实施方式主要是第二交接台54的结构方面与第四实施方式不同。图16是表示第五实施方式中的第二交接台54的图。
如图16所示，第五实施方式中包含的第二交接台54中，移动机构79具有质量测量部79a。质量测量部79a设置于避让位置B2。
其它结构与第四实施方式相同。
在第五实施方式中，当利用第三输送装置53对第二交接台54输送基片W时，与第四实施方式同样地，基片W被载置在臂78上。这时，在基片W的上表面形成有第二冲洗液的液膜75a。接着，质量测量部79a测量臂78、基片W和液膜75a的总质量(第一质量)。接着，与第四实施方式同样地，喷嘴81向基片W的上表面释放纯水。其结果是，在基片W的上表面形成纯水的液膜75。接着，与第四实施方式同样地，喷嘴81停止向基片W释放纯水。维持在基片W的上表面形成有纯水的液膜75的状态。接着，质量测量部79a测量臂78、基片W和液膜75的总质量(第二质量)。接着，控制装置9计算从第一质量向第二质量的增加量，判断该增加量是否处于预先决定的范围内。从第一质量向第二质量的增加量相当于由纯水供给部80供给并保留在基片W的上表面的纯水的质量。质量测量部79a和控制装置9作为质量变化检测部发挥功能。
如果增加量在预先决定的范围内，则在与第四实施方式同样地，利用第四输送装置61将上表面形成有纯水的液膜75的基片W输送到液处理装置62。在增加量比预先决定的范围小的情况下(过少的情况下)，例如喷嘴81以不足的量向基片W的上表面释放纯水。在增加量比预先决定的范围大的情况下(过剩的情况下)，例如可以通知该情况，例如产生警告音。
在第五实施方式中，在第二交接台54中进行这样的动作。
[第六实施方式]
接着，对第六实施方式进行说明。第六实施方式主要是在第二交接台54的结构方面与第四实施方式不同。图17是表示第六实施方式中的第二交接台54的图。
如图17所示，第六实施方式中包含的第二交接台54具有液接收部76和臂78。另外，在液接收部76连接有纯水供给管线86和排水管线87。
其它结构与第四实施方式相同。
在第六实施方式中，当利用第三输送装置53对第二交接台54输送基片W时，基片W被载置在臂78上。这时，在基片W的上表面形成有第二冲洗液的液膜75a。接着，基片W和臂78被浸渍在液接收部76所贮存的纯水77中。这时，使至少基片W的上表面位于比纯水77的液面深的位置。接着，臂78一边将基片W保持为水平一边上升。其结果是，在基片W的上表面形成纯水的液膜。接着，利用第四输送装置61将上表面形成有纯水的液膜的基片W输送到液处理装置62。在第二交接台54中进行这样的动作。
在第六实施方式中，在液膜75形成后，在由第四输送装置61进行的向液处理装置62的输送之前耗费了时间的情况下，维持基片W和臂78被浸渍在液接收部76所贮存的纯水77中的状态。因此，在待机时间变长的情况下，也能够抑制伴随干燥产生的凹凸图案的倒塌。
另外，也可以为，将基片W从批次处理部4的药液槽41不经由冲洗液槽42和浸渍槽51地输送到第二交接台54，在第二交接台54在基片W的上表面形成纯水的液膜。另外，也可以将基片W从第二交接台54直接输送到单片处理部6。
以上，对优选的实施方式等进行了说明，但不限于上述的实施方式等，在不脱离权利要求书的范围记载的范围的情况下，能够对上述的实施方式等进行各种变形和替换。
在上述的实施方式中，干燥装置63对基片W用超临界流体进行干燥，但干燥的方式没有特别的限定。干燥的方式只要能够抑制基片W的凹凸图案的倒塌即可，也可以是例如旋转干燥、扫动干燥或者疏水干燥等。旋转干燥使基片W旋转，利用离心力将液膜从基片W甩落。扫动干燥是一边使干燥液的供给位置从基片W的中心向基片W的外周移动，一边使基片W旋转，利用离心力将液膜从基片W甩落。扫动干燥进一步也可以以使N2气体等干燥气体的供给位置跟随干燥液的供给位置的方式从基片W的中心向基片W的外周移动。
(第一变形例)
接着，对第一实施方式的第一变形例进行说明。图18是表示第一实施方式的第一变形例中包含的第二接口部5D的概略立体图。
如图18所示，关于第一实施方式的第一变形例中包含的第二接口部5D，Y轴驱动装置52a设置在Z轴驱动装置52b的下方这一点与第二接口部5不同。第二接口部5D的其它结构可以与第二接口部5相同。
如图18所示，Y轴驱动装置52a在Z轴驱动装置52b的下方从第二接口部5向批次处理部4沿着Y轴方向延伸。Z轴驱动装置52b安装在Y轴驱动装置52a的Z轴方向正侧。Z轴驱动装置52b通过Y轴驱动装置52a沿着Y轴方向可移动地被支承。
在第二实施方式、第三实施方式、第四实施方式、第五实施方式或第六实施方式中，也可以代替第二接口部5而设置第二接口部5D。
(第二变形例)
接着，对第一实施方式的第二变形例进行说明。图19是表示第一实施方式的第二变形例的基片处理系统1A的概略俯视图。图19所示的基片处理系统1A，在干燥方式采用为旋转干燥、扫动干燥或者疏水干燥的情况下可被采用。
如图19所示，在基片处理系统1A中，代替干燥装置63而配置液处理装置62。即，基片处理系统1A包括具有第四输送装置61和液处理装置62的单片处理部6A。
液处理装置62为单片式，将基片W逐一地地用处理液进行处理。液处理装置62构成为能够实施旋转干燥、扫动干燥或者疏水干燥中的至少一者。液处理装置62在水平方向(X轴方向)配置多排(例如2排)，在铅垂方向(Z轴方向)上配置多层(例如3层)。由此，能够将多个基片W同时用处理液处理。
第二实施方式、第三实施方式、第四实施方式、第五实施方式和第六实施方式也能够适用于如图19所示的结构的基片处理系统。

Claims (15)

1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
送入送出部，其能够送入送出收容有多个基片的盒；
批次处理部，其将包含多个所述基片的基片组以使所述基片各自直立的状态一并进行处理；
单片处理部，其将所述基片组的所述基片以水平的状态逐一地进行处理；和
接口部，其从所述批次处理部向所述单片处理部交接所述基片，
所述接口部具有：
将所述基片以使其与纯水接触的状态保持为水平的待机部；和
从所述批次处理部向所述待机部交接所述基片的输送机构。
2.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
所述待机部具有对所述基片的上表面供给纯水的纯水供给部。
3.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：
所述待机部具有：
接收纯水的液接收部；和
在所述液接收部的上方将所述基片从下方支承的支承部。
4.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述液接收部具有：
底板；和
设置于所述底板上的环状的壁部，
所述支承部的上端位于比所述壁部的上端靠上方的位置。
5.如权利要求3或4所述的基片处理系统，其特征在于：
所述支承部具有3个以上的销。
6.如权利要求3或4所述的基片处理系统，其特征在于：
所述纯水供给部向被所述支承部支承的所述基片供给纯水。
7.如权利要求3或4所述的基片处理系统，其特征在于：
每当所述支承部支承所述基片的状态经过预先设定的第一时间时，所述纯水供给部对所述基片的上表面供给纯水。
8.如权利要求3或4所述的基片处理系统，其特征在于：
所述纯水供给部具有：
释放纯水的喷嘴；和
与所述喷嘴连接的纯水供给管线，
所述喷嘴每当经过预先设定的第二时间时，从所述喷嘴释放滞留于所述纯水供给管线中的纯水。
9.如权利要求3或4所述的基片处理系统，其特征在于：
所述纯水供给部具有：
释放纯水的喷嘴；和
与所述喷嘴连接的纯水供给管线，
每当利用所述输送机构向所述待机部交接所述基片时，在向所述待机部输送所述基片之前从所述喷嘴释放滞留于所述纯水供给管线中的纯水。
10.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述液接收部贮存纯水，
所述支承部具有臂，所述臂能够以所述基片浸渍在所述液接收部所贮存的纯水内的状态支承所述基片。
11.如权利要求10所述的基片处理系统，其特征在于：
所述臂能够移动到包括浸渍位置和避让位置在内的多个位置，所述浸渍位置是以所述基片浸渍在所述液接收部所贮存的纯水内的状态支承所述基片的位置，所述避让位置是在所述液接收部所贮存的纯水之外支承所述基片的位置，
所述基片处理系统具有使所述臂移动的移动机构。
12.如权利要求11所述的基片处理系统，其特征在于：
在所述臂在所述避让位置支承所述基片的状态经过预先设定的第三时间时，所述移动机构使所述臂移动到所述浸渍位置。
13.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
具有质量变化检测部，其测量由所述纯水供给部供给并保留在所述基片的上表面的纯水的质量。
14.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
所述接口部具有避让台，所述避让台在将所述基片从所述待机部送出后且向所述单片处理部交接前使所述基片避让。
15.一种基片处理方法，其特征在于：
具有从批次处理部向单片处理部交接基片的步骤，其中，所述批次处理部将包含多个所述基片的基片组以使所述基片各自直立的状态一并进行处理，所述单片处理部将所述基片组的所述基片以水平的状态逐一地进行处理，
所述交接基片的步骤，具有将所述基片以使其与纯水接触的状态保持为水平的步骤。
CN202310143848.9A 2022-03-02 2023-02-21 基片处理系统和基片处理方法 Pending CN116705648A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-032093 2022-03-02
JP2022179026A JP2023129235A (ja) 2022-03-02 2022-11-08 基板処理システム及び基板処理方法
JP2022-179026 2022-11-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116705648A true CN116705648A (zh) 2023-09-05

Family

ID=87832820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310143848.9A Pending CN116705648A (zh) 2022-03-02 2023-02-21 基片处理系统和基片处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116705648A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11978644B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
CN112652552A (zh) 基板处理系统和基板处理方法
KR102429748B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2013038126A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US7549428B2 (en) Substrate processing apparatus
CN116705648A (zh) 基片处理系统和基片处理方法
JP7142494B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7337175B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN116631896A (zh) 基片处理系统、基片处理方法和存储介质
JP2023129235A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP2018147970A (ja) 基板処理装置
TW202341270A (zh) 基板處理系統及基板處理方法
US20230268202A1 (en) Substrate processing system and substrate processing method
CN116631925A (zh) 基板处理系统和基板处理方法
US11542623B2 (en) Plating apparatus, air bubble removing method, and storage medium that stores program to cause computer in plating apparatus to execute air bubble removing method
KR102599614B1 (ko) 기판 이송 장치
JP2023121707A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
KR20220113421A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2022173634A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2022159601A (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
KR20070081718A (ko) 반도체 기판의 세정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication