CN116631925A - 基板处理系统和基板处理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 177
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 79
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 50
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
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Abstract
本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供一种能够使基板处理系统的生产率提高的技术。本公开的一技术方案的基板处理系统具有:送入送出部,相对于该送入送出部将收纳多张基板的盒送入送出;批量处理部,其成批地处理包括多张所述基板的批次;单张处理部,其逐张地处理所述批次的所述基板;以及接口部,其在所述批量处理部与所述单张处理部之间交接所述基板,所述批量处理部具有:处理槽,其浸渍并处理所述批次;以及第1输送装置,其向所述处理槽输送所述批次,所述接口部具有:浸渍槽,其配置于所述第1输送装置的移动范围外,该浸渍槽浸渍所述批次;以及第2输送装置,其在所述第1输送装置与所述浸渍槽之间交接所述批次。
Description
技术领域
本公开涉及基板处理系统和基板处理方法。
背景技术
专利文献1所记载的基板处理系统具备批量处理部和单张处理部。批量处理部将进行了水洗处理的半导体晶圆保持在水中。半导体晶圆以多张载置于一个保持台的状态进行药液处理。移送部自缓冲槽将半导体晶圆逐张取出并向单张处理部移送。单张处理部将由移送部移送来的一张半导体晶圆支承为主表面成为水平,并对基板进行干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2021-064654号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够使基板处理系统的生产率提高的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理系统具有:送入送出部,相对于该送入送出部将收纳多张基板的盒送入送出;批量处理部,其成批地处理包括多张所述基板的批次;单张处理部,其逐张地处理所述批次的所述基板;以及接口部,其在所述批量处理部与所述单张处理部之间交接所述基板,所述批量处理部具有:处理槽,其浸渍并处理所述批次;以及第1输送装置,其向所述处理槽输送所述批次,所述接口部具有:浸渍槽,其配置于所述第1输送装置的移动范围外,该浸渍槽浸渍所述批次;以及第2输送装置,其在所述第1输送装置与所述浸渍槽之间交接所述批次。
发明的效果
根据本公开,能够使基板处理系统的生产率提高。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理系统的概略俯视图。
图2是表示实施方式的基板处理方法的流程图。
图3是表示第2接口部的动作的概略立体图。
图4是表示第2接口部的动作的概略立体图。
图5是表示第2接口部的动作的概略立体图。
图6是表示第2接口部的动作的概略立体图。
图7是说明第2输送装置的动作的图。
图8是表示第1变形例的第2接口部的概略立体图。
图9是表示第2变形例的第2接口部的概略立体图。
图10是表示第3变形例的第2接口部的概略立体图。
图11是表示第4变形例的第2接口部的概略立体图。
图12是表示第5变形例的第2接口部的概略立体图。
图13是表示第6变形例的第2接口部的概略立体图。
图14是表示实施方式的变形例的基板处理系统的概略俯视图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所有附图中,对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记,并省略重复的说明。
(基板处理系统)
参照图1,对实施方式的基板处理系统进行说明。如图1所示,基板处理系统1具有送入送出部2、第1接口部3、批量处理部4、第2接口部5、单张处理部6以及控制装置9。
送入送出部2兼作送入部和送出部。因此,能够使基板处理系统1小型化。送入送出部2具有装载端口21、储存部22、装载部23、盒输送装置24。
装载端口21配置于送入送出部2的X轴方向负侧。装载端口21沿着Y轴方向配置有多个(例如4个)。但是,装载端口21的数量没有特别限定。在装载端口21载置有盒C。盒C收纳多张(例如25张)基板W,该盒C相对于装载端口21送入送出。在盒C的内部,基板W被保持为水平,且在铅垂方向上以作为第1间距P1的N倍的第2间距P2(P2=N×P1)被保持。N为2以上的自然数,在本实施方式中,N为2,但也可以是3以上。
储存部22在送入送出部2的X轴方向中央沿着Y轴方向配置有多个(例如4个)。储存部22在送入送出部2的X轴方向正侧沿着Y轴方向与第1接口部3相邻地配置有多个(例如两个)。储存部22也可以在铅垂方向上配置为多层。储存部22临时保管收纳有清洗处理前的基板W的盒C、基板W被取出而内部变空的盒C等。此外,储存部22的数量没有特别限定。
装载部23与第1接口部3相邻,配置于送入送出部2的X轴方向正侧。在装载部23载置有盒C。在装载部23设有用于进行盒C的盖体的开闭的盖体开闭机构(未图示)。装载部23也可以设置多个。装载部23也可以在铅垂方向上配置为多层。
盒输送装置24例如为多关节输送机器人。盒输送装置24在装载端口21、储存部22、装载部23之间输送盒C。
第1接口部3配置于送入送出部2的X轴方向正侧。第1接口部3在送入送出部2、批量处理部4、单张处理部6之间输送基板W。第1接口部3具有基板移载装置31、批次形成部32、第1交接台33。
基板移载装置31在载置于装载部23的盒C、批次形成部32、第1交接台33之间输送基板W。基板移载装置31由多轴(例如6轴)机械臂构成,在其前端具有基板保持臂31a。基板保持臂31a具有可保持多张(例如25张)基板W的多个保持爪(未图示)。基板保持臂31a能够在利用保持爪保持着基板W的状态下在三维空间内采取任意的位置和姿势。
批次形成部32配置于第1接口部3的X轴方向正侧。批次形成部32将多张基板W以第1间距P1保持,形成批次L。
第1交接台33与单张处理部6相邻,配置于第1接口部3的Y轴方向正侧。第1交接台33自第4输送装置61接收基板W,并临时进行保管,直到向送入送出部2交付。
批量处理部4配置于第1接口部3的X轴方向正侧。即,送入送出部2、第1接口部3、批量处理部4按照该顺序自X轴方向负侧朝向X轴方向正侧配置。批量处理部成批地处理以第1间距P1包括多张(例如50张或100张)基板W的批次L。一个批次L例如由M个盒C的基板W构成。M为2以上的自然数。M既可以是与N相同的自然数,也可以是与N不同的自然数。批量处理部4具有药液槽41、冲洗液槽42、第1输送装置43、处理器具44以及驱动装置45。
药液槽41和冲洗液槽42沿着X轴方向配置。例如,药液槽41和冲洗液槽42按照该顺序自X轴方向正侧朝向X轴方向负侧排列。此外,也将药液槽41和冲洗液槽42统称为处理槽。药液槽41和冲洗液槽42的数量并不限定于图1中的数量。例如,药液槽41和冲洗液槽42在图1中为一组,但也可以是多组。
药液槽41贮存供批次L浸渍的药液。药液例如为磷酸水溶液(H3PO4)。磷酸水溶液选择性地蚀刻并去除氧化硅膜和氮化硅膜中的氮化硅膜。药液并不限定于磷酸水溶液。例如,也可以是DHF(稀氢氟酸)、BHF(氢氟酸与氟化铵的混合液)、稀硫酸、SPM(硫酸、过氧化氢以及水的混合液)、SC1(氨、过氧化氢以及水的混合液)、SC2(盐酸、过氧化氢以及水的混合液)、TMAH(四甲基氢氧化铵与水的混合液)、镀液等。药液也可以是剥离处理用或镀敷处理用。药液的数量没有特别限定,也可以是多种。
冲洗液槽42贮存供批次L浸渍的第1冲洗液。第1冲洗液是自基板W去除药液的纯水,例如为DIW(去离子水)。
第1输送装置43具有导轨43a和第1输送臂43b。导轨43a配置于比处理槽靠Y轴方向负侧的位置。导轨43a自第1接口部3向批量处理部4沿着水平方向(X轴方向)延伸。第1输送臂43b沿着导轨43a在水平方向(X轴方向)上移动。第1输送臂43b也可以在铅垂方向上移动,还可以绕铅垂轴线旋转。第1输送臂43b在第1接口部3与批量处理部4之间成批地输送批次L。
处理器具44自第1输送臂43b接收并保持批次L。处理器具44将多张基板W在Y轴方向上以第1间距P1保持,并将多张基板W分别保持为铅垂。
驱动装置45使处理器具44在X轴方向和Z轴方向上移动。处理器具44将批次L浸渍于在药液槽41贮存的药液,接着,将批次L浸渍于在冲洗液槽42贮存的第1冲洗液,然后,将批次L向第1输送装置43交付。
处理器具44和驱动装置45的单元的数量在本实施方式中为一个,但也可以是多个。在后者的情况下,一个单元将批次L浸渍于在药液槽41贮存的药液,另外的单元将批次L浸渍于在冲洗液槽42贮存的第1冲洗液。在该情况下,驱动装置45只要使处理器具44在Z轴方向上移动即可,也可以不使处理器具44在X轴方向上移动。
第2接口部5配置于批量处理部4的Y轴方向正侧。第2接口部5在批量处理部4与单张处理部6之间输送基板W。第2接口部5具有浸渍槽51、第2输送装置52、第3输送装置53以及第2交接台54。
浸渍槽51配置于第1输送臂43b的移动范围外。例如,浸渍槽51配置于相对于处理槽向Y轴方向正侧偏移了的位置。浸渍槽51贮存供批次L浸渍的第2冲洗液。第2冲洗液例如为DIW(去离子水)。基板W保持在第2冲洗液中,直到被第3输送装置53自第2冲洗液拉起。由于基板W存在于比第2冲洗液的液面靠下的位置,因此,第2冲洗液的表面张力不作用于基板W,能够防止基板W的凹凸图案的倒塌。浸渍槽51也可以构成为能够在X轴方向上移动。在该情况下,在将批次L浸渍于浸渍槽51时,能够校正浸渍槽51与批次L之间的X轴方向上的位置偏移。使浸渍槽51在X轴方向上移动的X轴驱动装置(未图示)例如安装于浸渍槽51的下表面。
第2输送装置52具有Y轴驱动装置52a、Z轴驱动装置52b以及第2输送臂52c。
Y轴驱动装置52a配置于第2接口部5的X轴方向正侧。Y轴驱动装置52a自第2接口部5向批量处理部4沿着水平方向(Y轴方向)延伸。Y轴驱动装置52a使Z轴驱动装置52b和第2输送臂52c在Y轴方向上移动。Y轴驱动装置52a也可以包括滚珠丝杠。Y轴驱动装置52a是水平驱动装置的一个例子。
Z轴驱动装置52b以能够移动的方式安装于Y轴驱动装置52a。Z轴驱动装置52b使第2输送臂52c在Z轴方向上移动。Z轴驱动装置52b也可以包括滚珠丝杠。Z轴驱动装置52b是铅垂驱动装置的一个例子。
第2输送臂52c以能够移动的方式安装于Z轴驱动装置52b。第2输送臂52c自第1输送臂43b接收并保持批次L。第2输送臂52c将多张基板W在Y轴方向上以第1间距P1保持,并将多张基板W分别保持为铅垂方向。第2输送臂52c利用Y轴驱动装置52a和Z轴驱动装置52b在Y轴方向和Z轴方向上移动。第2输送臂52c构成为能够在包括图7所示的交接位置A1、浸渍位置A2以及待机位置A3的多个位置之间移动。第2输送臂52c也可以构成为能够在X轴方向上移动。在该情况下,在将批次L浸渍于浸渍槽51时,能够校正浸渍槽51与批次L之间的X轴方向上的位置偏移。使第2输送臂52c在X轴方向上移动的X轴驱动装置(未图示)例如以能够移动的方式安装于Z轴驱动装置52b。在该情况下,第2输送臂52c以能够移动的方式安装于X轴驱动装置。
交接位置A1是在第1输送臂43b与第2输送臂52c之间进行批次L的交接的位置。交接位置A1是靠Y轴方向负侧且Z轴方向正侧的位置。
浸渍位置A2是使批次L浸渍于浸渍槽51的位置。浸渍位置A2是比交接位置A1靠Y轴方向正侧且Z轴方向负侧的位置。
待机位置A3是在不进行批次L的交接以及批次L在浸渍槽51的浸渍时第2输送臂52c待机的位置。待机位置A3是交接位置A1的正下方(Z轴方向负侧)的位置,且是不妨碍第1输送臂43b的移动的位置。在该情况下,第2输送臂52c仅通过向上方(Z轴方向正侧)移动就能够向交接位置A1移动,因此,生产量得到提高。待机位置A3也可以是与浸渍位置A2相同的位置。在该情况下,能够防止会伴随第1输送装置43进行动作而产生的微粒附着于第2输送臂52c的情况。待机位置A3也可以是浸渍位置A2的正上方(Z轴方向正侧)的位置。这样,通过将待机位置A3设定在与交接位置A1不同的位置,从而能够防止第1输送臂43b与第2输送臂52c的接触。
该第2输送装置52在第1输送装置43进行动作的期间使第2输送臂52c移动到浸渍位置A2或待机位置A3。由此,能够防止第1输送臂43b与第2输送臂52c的接触。
第3输送装置53由多轴(例如6轴)机械臂构成,在其前端具有第3输送臂53a。第3输送臂53a具有可保持一张基板W的保持爪(未图示)。第3输送臂53a能够在利用保持爪保持着基板W的状态下在三维空间内采取任意的位置和姿势。第3输送装置53在位于浸渍位置A2的第2输送臂52c与第2交接台54之间输送基板W。此时,由于浸渍槽51配置于第1输送臂43b的移动范围外,因此,第1输送臂43b与第3输送臂53a不相互干扰。由此,能够使第1输送装置43和第3输送装置53中的一者不依赖于另一者的动作状态地独立地进行动作。因此,能够在任意时刻使第1输送装置43和第3输送装置53进行动作,因此,能够缩短基板W的输送所需的时间。其结果,基板处理系统1的生产率得到提高。
第2交接台54与单张处理部6相邻,配置于第2接口部5的X轴方向负侧。第2交接台54自第3输送装置53接收基板W,并临时进行保管,直到向单张处理部6交接。即,在第2交接台54载置自浸渍槽51取出来的基板W。载置于第2交接台54的基板W例如优选为处于表面被第2冲洗液润湿的状态。在该情况下,第2冲洗液的表面张力不作用于基板W,能够抑制基板W的凹凸图案的倒塌。在第2交接台54载置多张(例如两张)基板W。
单张处理部6配置于第2接口部5的X轴方向负侧,且配置于送入送出部2、第1接口部3以及批量处理部4的Y轴方向正侧。单张处理部6逐张地处理基板W。单张处理部6具有第4输送装置61、液处理装置62以及干燥装置63。
第4输送装置61具有导轨61a和第4输送臂61b。导轨61a配置于单张处理部6的Y轴方向负侧。导轨61a在单张处理部6沿着水平方向(X轴方向)延伸。第4输送臂61b沿着导轨61a在水平方向(X轴方向)和铅垂方向上移动,并绕铅垂轴线旋转。第4输送臂61b在第2交接台54、液处理装置62、干燥装置63以及第1交接台33之间输送基板W。第4输送臂61b的数量既可以是一个也可以是多个,在后者的情况下,第4输送装置61成批地输送多张(例如5张)基板W。
液处理装置62配置于单张处理部6的X轴方向正侧且Y轴方向正侧。液处理装置62为单张式,利用处理液逐张地处理基板W。液处理装置62在铅垂方向(Z轴方向)上配置为多层(例如3层)。由此,能够同时利用处理液处理多张基板W。处理液也可以是多种,例如可以是DIW等纯水和表面张力低于纯水的表面张力的干燥液。干燥液例如可以是IPA(异丙醇)等醇。
干燥装置63相对于液处理装置62在X轴方向负侧与该液处理装置62相邻地配置。在该情况下,单张处理部6的Y轴方向正侧的端面能够配置为与第2接口部5的Y轴方向正侧的端面齐平或大致齐平。因此,几乎未产生无用空间,因而能够减小基板处理系统1的占地面积。相对于此,若将干燥装置63相对于液处理装置62在Y轴方向正侧与该液处理装置62相邻地配置,则单张处理部6的Y轴方向正侧的端面自第2接口部5的Y轴方向正侧的端面突出,会产生无用空间。干燥装置63为单张式,利用超临界流体逐张地干燥基板W。干燥装置63在铅垂方向上配置为多层(例如3层)。由此,能够同时干燥多张基板W。
也可以是,液处理装置62和干燥装置63这两者不都为单张式,也可以是,液处理装置62为单张式而干燥装置63为批量式。干燥装置63也可以利用超临界流体成批地干燥多张基板W。在干燥装置63中成批地处理的基板W的张数也可以为在液处理装置62中成批地处理的基板W的张数以上,但也可以少于在液处理装置62中成批地处理的基板W的张数。也可以在单张处理部6配置除了液处理装置62和干燥装置63以外的装置。
控制装置9例如为计算机,具备CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)91和存储器等记录介质92。在记录介质92存储有控制基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制装置9使CPU91执行存储于记录介质92的程序,从而控制基板处理系统1的动作。控制装置9具备输入接口93和输出接口94。控制装置9利用输入接口93接收来自外部的信号,利用输出接口94向外部发送信号。
上述程序例如存储于可由计算机读取的记录介质,并自该记录介质加载于控制装置9的记录介质92。作为可由计算机读取的记录介质,例如可列举硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。此外,程序也可以经由因特网从服务器下载,并加载于控制装置9的记录介质92。
在该基板处理系统中,基板W自送入送出部2按照第1接口部3、批量处理部4、第2接口部5以及单张处理部6的顺序输送,并返回送入送出部2。
(基板处理系统的动作)
参照图2,说明实施方式的基板处理系统1的动作、即基板处理方法。图2所示的处理在控制装置9的控制下实施。
首先,将盒C在收纳有多张基板W的状态下向送入送出部2送入,并载置于装载端口21。在盒C的内部,基板W被保持为水平,且在铅垂方向上以第2间距P2(P2=N×P1)被保持。N为2以上的自然数,在本实施方式中,N为2,但也可以是3以上。
接着,盒输送装置24将盒C自装载端口21向装载部23输送。输送到装载部23的盒C利用盖体开闭机构打开盖体。
接着,基板移载装置31接收盒C所收纳的基板W(图2的S101),并向批次形成部32输送。
接着,批次形成部32将多张基板W以第1间距P1(P1=P2/N)保持,形成批次L(图2的S102)。一个批次L例如由M个盒C的基板W构成。基板W的间距自第2间距P2变窄为第1间距P1,因此,能够增加成批地处理的基板W的张数。
接着,第1输送装置43自批次形成部32接收批次L,并向处理器具44输送。
接着,处理器具44自药液槽41的上方下降,将批次L浸渍于药液,实施药液处理(图2的S103)。然后,处理器具44上升,以将批次L自药液拉起,接着,沿水平方向(X轴方向负侧)朝向冲洗液槽42的上方移动。
接着,处理器具44自冲洗液槽42的上方下降,将批次L浸渍于第1冲洗液,实施冲洗液处理(图2的S103)。然后,处理器具44上升,以将批次L自第1冲洗液拉起。接着,第1输送装置43自处理器具44接收批次L,并向第2输送装置52交接。
接着,第2输送装置52的第2输送臂52c沿水平方向(Y轴方向正侧)移动,自浸渍槽51的上方下降,使批次L浸渍于第2冲洗液(图2的S104)。批次L的多个基板W保持在第2冲洗液中,直到被第3输送装置53自第2冲洗液拉起。由于基板W存在于比第2冲洗液的液面靠下的位置,因此,第2冲洗液的表面张力不作用于基板W,能够防止基板W的凹凸图案的倒塌。
接着,第3输送装置53将在第2冲洗液中被第2输送臂52c保持的批次L的基板W向第2交接台54输送。第3输送装置53将基板W逐张地向第2交接台54输送。
接着,第4输送装置61自第2交接台54接收基板W,并向液处理装置62输送。
接着,液处理装置62利用液体逐张地处理基板W(图2的S105)。液体也可以是多种,例如可以是DIW等纯水和表面张力低于纯水的表面张力的干燥液。干燥液例如可以是IPA等醇。液处理装置62向基板W的上表面依次供给纯水和干燥液,而形成干燥液的液膜。
接着,第4输送装置61自液处理装置62接收基板W,并以使干燥液的液膜朝上的方式将基板W保持为水平。第4输送装置61将基板W自液处理装置62向干燥装置63输送。
接着,干燥装置63利用超临界流体逐张地干燥基板W(图2的S105)。能够利用超临界流体置换干燥液,能够抑制由干燥液的表面张力导致的基板W的凹凸图案的倒塌。超临界流体需要耐压容器,因此,为了使耐压容器小型化,不以批量处理的方式进行,而以单张处理的方式进行。
此外,干燥装置63在本实施方式中为单张式,但如上所述,也可以是批量式。批量式的干燥装置63将形成有液膜的多张基板W成批地利用超临界流体干燥。单张式的干燥装置63具有一个保持基板W的输送臂,相对于此,批量式的干燥装置63具有多个输送臂。
接着,第4输送装置61自干燥装置63接收基板W,并向第1交接台33输送。
接着,基板移载装置31自第1交接台33接收基板W,并向盒C内收纳(图2的S106)。将盒C在收纳有多张基板W的状态下自送入送出部2送出。
(第2接口部的动作)
参照图3~图7,说明第2接口部5的动作。第2接口部5的动作由控制装置9控制。
首先,如图3所示,第1输送臂43b自处理器具44接收批次L,并沿着导轨43a向X轴方向负侧移动到向第2输送臂52c交接批次L的位置。此时,第2输送臂52c在待机位置A3待机。由此,第1输送臂43b能够在不与第2输送臂52c接触的情况下移动到向第2输送臂52c交接批次L的位置。
接着,如图4所示,第2输送臂52c自待机位置A3移动到交接位置A1,自第1输送臂43b接收并保持批次L。即,如图7的箭头F1所示,第2输送臂52c自待机位置A3向上方(Z轴方向正侧)移动,自第1输送臂43b接收批次L。
接着,如图5所示,第2输送臂52c自交接位置A1向浸渍位置A2移动,使批次L浸渍于浸渍槽51。即,如图7的箭头F2所示,第2输送臂52c沿水平方向(Y轴方向正侧)自交接位置A1移动到浸渍槽51的上方。接着,如图7的箭头F3所示,第2输送臂52c自浸渍槽51的上方下降到浸渍位置A2,使批次L浸渍于在浸渍槽51贮存的第2冲洗液。
接着,如图6所示,第3输送装置53将在第2冲洗液中被第2输送臂52c保持的批次L的基板W向第2交接台54输送。第3输送装置53将基板W逐张地向第2交接台54输送。此时,浸渍槽51配置于第1输送臂43b的移动范围外,因此,第1输送臂43b与第3输送臂53a不相互干扰。由此,能够使第1输送装置43和第3输送装置53中的一者不依赖于另一者的动作状态地独立地进行动作。即,不需要排他控制。因此,能够在任意时刻使第1输送装置43和第3输送装置53进行动作,因此,能够缩短基板W的输送所需的时间。其结果,基板处理系统1的生产率得到提高。
接着,在第2输送臂52c所保持的批次L的所有基板W被取出时,第2输送臂52c向待机位置A3移动,并进行待机,直到由第1输送臂43b输送下一批次L。如图7的箭头F4所示,第2输送臂52c自浸渍位置A2向上方(Z轴方向上侧)移动到与待机位置A3相同的高度,接着,如图7的箭头F5所示,沿水平方向(Y轴方向负侧)移动到待机位置A3。在该情况下,第2输送臂52c经由低于交接位置A1的位置而移动到待机位置A3,因此,能够防止与第1输送臂43b的接触。此外,第2输送臂52c自浸渍位置A2向待机位置A3移动的路径也可以与第2输送臂52c自待机位置A3向浸渍位置A2移动的路径相同。
根据以上说明了的第2接口部5,自批量处理部4输送到单张处理部6的基板W保持在第2冲洗液中,直到被第3输送装置53自第2冲洗液拉起。由于基板W存在于比第2冲洗液的液面靠下的位置,因此,第2冲洗液的表面张力不作用于基板W,能够防止基板W的凹凸图案的倒塌。
(变形例)
参照图8,说明第1变形例的第2接口部5A。第2接口部5A在如下方面与第2接口部5不同:第3输送装置53安装于比浸渍槽51的上表面靠上方的位置。第2接口部5A的其他结构可以与第2接口部5相同。
如图8所示,第3输送装置53例如安装于划分第2接口部5A的框架构件中的、在比浸渍槽51靠上方的位置沿X轴方向延伸的框架构件55。第3输送装置53也可以被框架构件55支承为能够沿着X轴方向移动。第3输送装置53也可以安装于划分第2接口部5A的框架构件中的、在比浸渍槽51靠上方的位置沿Y轴方向延伸的框架构件(未图示)。
参照图9,说明第2变形例的第2接口部5B。第2接口部5B在如下方面与第2接口部5不同:第2输送臂52c被Y轴驱动装置52a支承为能够沿着Y轴方向移动,Y轴驱动装置52a被Z轴驱动装置52b支承为能够沿着Z轴方向移动。第2接口部5B的其他结构可以与第2接口部5相同。
如图9所示,Y轴驱动装置52a安装于Z轴驱动装置52b的X轴方向负侧。Y轴驱动装置52a被Z轴驱动装置52b支承为能够沿着Z轴方向移动。第2输送臂52c被Y轴驱动装置52a支承为能够沿着Y轴方向移动。
参照图10,说明第3变形例的第2接口部5C。第2接口部5C在如下方面与第2接口部5B不同:Z轴驱动装置52b设有两个,Y轴驱动装置52a被两个Z轴驱动装置52b支承为能够沿着Z轴方向移动。第2接口部5C的其他结构可以与第2接口部5B相同。
如图10所示,两个Z轴驱动装置52b在Y轴方向上空开间隔地设为互相平行。Y轴驱动装置52a被两个Z轴驱动装置52b支承为能够沿着Z轴方向移动。
参照图11,说明第4变形例的第2接口部5D。第2接口部5D在如下方面与第2接口部5不同:Y轴驱动装置52a设于Z轴驱动装置52b的下方。第2接口部5D的其他结构可以与第2接口部5相同。
如图11所示,Y轴驱动装置52a在Z轴驱动装置52b的下方自第2接口部5D向批量处理部4沿着Y轴方向延伸。Z轴驱动装置52b安装于Y轴驱动装置52a的Z轴方向正侧。Z轴驱动装置52b被Y轴驱动装置52a支承为能够沿着Y轴方向移动。
参照图12,说明第5变形例的第2接口部5E。第2接口部5E在如下方面与第2接口部5不同:Y轴驱动装置52a设于Z轴驱动装置52b的上方。第2接口部5E的其他结构可以与第2接口部5相同。
如图12所示,Y轴驱动装置52a在Z轴驱动装置52b的上方自第2接口部5E向批量处理部4沿着Y轴方向延伸。Z轴驱动装置52b安装于Y轴驱动装置52a的Z轴方向负侧。Z轴驱动装置52b被Y轴驱动装置52a支承为能够沿着Y轴方向移动。
参照图13,说明第6变形例的第2接口部5F。第2接口部5F在如下方面与第2接口部5不同:具有多轴(例如6轴)机械臂52d来代替Y轴驱动装置52a和Z轴驱动装置52b。第2接口部5F的其他结构可以与第2接口部5相同。
如图13所示,第2输送装置52具有多轴机械臂52d和第2输送臂52c。多轴机械臂52d例如可以是6轴机械臂。第2输送臂52c安装于多轴机械臂52d的前端。第2输送臂52c能够利用多轴机械臂52d在保持着多张基板W的状态下在三维空间内采取任意的位置和姿势。
应该认为,此次公开的实施方式在所有方面均为例示,并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种各样的形态进行省略、置换、变更。
在上述的实施方式中,干燥装置63利用超临界流体干燥基板W,但干燥的方式没有特别限定。干燥的方式只要能够抑制基板W的凹凸图案的倒塌即可,例如也可以是旋转干燥、扫描干燥或疏水干燥等。对于旋转干燥,旋转基板W,利用离心力将液膜自基板W甩出。对于扫描干燥,一边使干燥液的供给位置自基板W的中心朝向基板W的外周移动,一边旋转基板W,利用离心力将液膜自基板W甩出。对于扫描干燥,也可以进一步使N2气体等干燥气体的供给位置以追随干燥液的供给位置的方式自基板W的中心朝向基板W的外周移动。
图14是表示实施方式的变形例的基板处理系统1A的概略俯视图。图14所示的基板处理系统1A能够在干燥方式是旋转干燥、扫描干燥或疏水干燥的情况下被采用。
如图14所示,在基板处理系统1A中,配置液处理装置62来代替干燥装置63。即,基板处理系统1A具有单张处理部6A,该单张处理部6A具有第4输送装置61和液处理装置62。
液处理装置62为单张式,利用处理液逐张地处理基板W。液处理装置62构成为能够实施旋转干燥、扫描干燥以及疏水干燥中的至少一者。液处理装置62沿水平方向(X轴方向)配置为多列(例如两列),沿铅垂方向(Z轴方向)配置为多层(例如3层)。由此,能够同时利用处理液处理多张基板W。
Claims (12)
1.一种基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有:
送入送出部,相对于该送入送出部将收纳多张基板的盒送入送出;
批量处理部,其成批地处理包括多张所述基板的批次;
单张处理部,其逐张地处理所述批次的所述基板;以及
接口部,其在所述批量处理部与所述单张处理部之间交接所述基板,
所述批量处理部具有:
处理槽,其浸渍并处理所述批次;以及
第1输送装置,其向所述处理槽输送所述批次,
所述接口部具有:
浸渍槽,其配置于所述第1输送装置的移动范围外,该浸渍槽浸渍所述批次;以及
第2输送装置,其在所述第1输送装置与所述浸渍槽之间交接所述批次。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
所述第1输送装置能够在第1水平方向上移动,
所述浸渍槽配置于相对于所述处理槽在与所述第1水平方向正交的第2水平方向上偏移了的位置。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统,其中,
所述第2输送装置具有:
输送臂,其保持所述批次;以及
驱动装置,其使所述输送臂在所述第2水平方向和铅垂方向上移动。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中,
所述驱动装置具有:
铅垂驱动装置,其将所述输送臂支承为能够沿着所述铅垂方向移动;以及
水平驱动装置,其将所述铅垂驱动装置支承为能够沿着所述第2水平方向移动。
5.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中,
所述驱动装置具有:
水平驱动装置,其将所述输送臂支承为能够沿着所述第2水平方向移动;以及
铅垂驱动装置,其将所述水平驱动装置支承为能够沿着所述铅垂方向移动。
6.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中,
所述驱动装置包括多轴机械臂。
7.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中,
所述输送臂能够向多个位置移动,该多个位置包括自所述第1输送装置接收所述批次的交接位置、使所述批次浸渍于所述浸渍槽的浸渍位置以及所述交接位置的正下方的待机位置,
所述驱动装置在所述第1输送装置进行动作的期间使所述输送臂移动到所述浸渍位置或所述待机位置。
8.根据权利要求2~7中任一项所述的基板处理系统,其中,
所述接口部相对于所述批量处理部在所述第2水平方向上与该批量处理部相邻地配置,并且相对于所述单张处理部在所述第1水平方向上与该单张处理部相邻地配置。
9.根据权利要求2~7中任一项所述的基板处理系统,其中,
所述单张处理部具有:
液处理装置,其利用液体逐张地处理所述基板;以及
干燥装置,其利用超临界流体逐张地干燥所述基板,
所述干燥装置相对于所述液处理装置在所述第1水平方向上与该液处理装置相邻地配置。
10.根据权利要求1~7中任一项所述的基板处理系统,其中,
所述接口部具有:
交接台,其与所述单张处理部相邻地配置,在与所述单张处理部之间交接所述基板;以及
第3输送装置,其接收浸渍于所述浸渍槽的所述批次的所述基板,并向所述交接台输送。
11.根据权利要求1~7中任一项所述的基板处理系统,其中,
所述浸渍槽贮存供所述批次浸渍的纯水。
12.一种基板处理方法,其具有以下步骤:自成批地处理包括多张基板的批次的批量处理部向逐张地处理所述批次的所述基板的单张处理部输送所述基板,其中,
该基板处理方法具有以下步骤:
由第1输送装置将所述批次向浸渍并处理所述批次的处理槽输送;以及
由第2输送装置自所述第1输送装置接收所述批次,并向浸渍所述批次的浸渍槽输送,
所述浸渍槽配置于所述第1输送装置的移动范围外。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-024982 | 2022-02-21 | ||
JP2022-165731 | 2022-10-14 | ||
JP2022165731A JP2023121707A (ja) | 2022-02-21 | 2022-10-14 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116631925A true CN116631925A (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=87596108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310071299.9A Pending CN116631925A (zh) | 2022-02-21 | 2023-02-07 | 基板处理系统和基板处理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116631925A (zh) |
-
2023
- 2023-02-07 CN CN202310071299.9A patent/CN116631925A/zh active Pending
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