TWI657165B - 鍍覆裝置 - Google Patents

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TWI657165B
TWI657165B TW106145064A TW106145064A TWI657165B TW I657165 B TWI657165 B TW I657165B TW 106145064 A TW106145064 A TW 106145064A TW 106145064 A TW106145064 A TW 106145064A TW I657165 B TWI657165 B TW I657165B
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Abstract

一種鍍覆裝置係具備：處理槽，其係積存處理液；基板保持器，其係保持基板；搬運機，其係使保持有基板之基板保持器浸漬於處理槽內的處理液，且將基板保持器從處理槽拉升，進而搬運基板保持器；以及，氣流形成裝置，其係在基板保持器的搬運方向於基板的前方形成清淨氣流。搬運機係朝水平方向搬運基板保持器之期間，使氣流形成裝置與基板保持器一體地朝水平方向移動。

Description

鍍覆裝置
本發明係有關於一種使晶圓等的基板表面進行鍍覆之鍍覆裝置，特別是有關於一種具備形成清淨氣流的氣流形成裝置之鍍覆裝置。又，本發明係有關於一種鍍覆方法，其係包含一邊形成清淨氣流一邊搬運基板之步驟。
本發明係有關於一種鍍覆裝置，其係具備吸引在鍍覆處理所使用的處理液之吸引機構。又，本發明係有關於一種鍍覆方法，其係包含藉由吸引在鍍覆處理所使用的處理液而將處理液從基板除去之步驟。
在TAB(捲帶式自動接合；Tape Automated Bonding)和覆晶片(Flip Chip)中，係被廣泛地進行在形成有配線之半導體晶片表面的預定處(電極)，形成金、銅、焊料、或鎳、進而該等多層地積層之突起狀連接電極(凸塊)，透過該凸塊而與基板電極和TAB電極進行電性連接。作為該凸塊的形成方法，有電鍍法、蒸鍍法、印刷法、球凸塊(ball bump)法之各種手法。最近，隨著導體晶片的I/O數之増加、細間距化，而逐漸大量地使用可微細化且性能 比較穩定的電鍍法。
電鍍法係大致上可區別為噴流式或杯式(cup type)及浸漬式，其中該噴流式或杯式係將基板表面(被鍍覆面)朝向下方而水平地放置，從下方朝上方噴射鍍覆液而實施鍍覆；而該浸漬式係將基板垂直地豎立在鍍覆槽中，將鍍覆液從鍍覆槽的下部注入，一邊使之溢流一邊使基板浸漬於鍍覆液中而實施鍍覆。採用浸漬方式之電鍍法，不僅是對鍍覆的品質造成不良影響之氣泡的脫離比較良好且佔地面積(footprint)較小，而且具有可容易應付晶圓尺寸的變更之優點。因此，被認為適合於埋入孔的尺寸比較大且鍍覆需要相當時間之凸塊鍍覆。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本國特開平11-315383號公報
在日本國特開平11-315383號公報，係揭示一種技術，其係藉由在收容有鍍覆裝置之潔淨室內整體形成下降氣流，以提高潔淨室內的清淨度，防止在搬運基板時，微粒附著在基板表面(被鍍覆面)。但是採用浸漬方式之電鍍法時，在被搬運的基板之下方係存在處理槽，因為該處理槽妨礙下降氣流的形成，致難以形成均勻的下降氣流。因此，無法完全地除去在空氣中浮游的微粒，其結果，微粒附著在基板表面。
又，採用浸漬方式之電鍍法時，因為基板係被浸漬在處理槽內的處理液且從處理槽被拉升之後，在保持垂直姿勢的狀態下朝水平方向被搬運，所以在空氣中浮游的微粒係容易附著在基板表面。
浸漬方式的鍍覆裝置係一般具備使基板垂直地保持之基板保持器。該基板保持器係具有用以形成包圍基板的周邊部的密閉空間之密封構件，在該密閉空間內配置供電電極。基板係在其表面(被鍍覆面)露出的狀態下被保持在基板保持器，藉由使基板與基板保持器同時浸漬於鍍覆液中鍍覆基板表面。
鍍覆裝置中係除了鍍覆處理以外，亦進行前處理、沖洗等各種處理。在該等處理，基板亦與基板保持器同時被浸漬於各處理液。將基板保持器從處理槽拉升時，處理液係殘留在基板及基板保持器上。若在處理液殘留的狀態下搬運基板保持器，有時處理液在搬運中從基板保持器掉落，而引起污染。又，若在保持有處理液之狀態下將基板保持器移動至下一個處理槽時，有時在基板保持器殘留的處理液與下一個處理槽內的處理液會摻混，而對基板處理造成不良影響。
為了使在基板殘留的處理液自然落下，認為可減慢基板保持器的拉升速度，或是基板保持器拉升後，使基板保持器在處理槽的上方待機。但是，此種動作係使生產作業時間増加且使生產量降低。
本發明係鑒於上述先前的問題點而成者，其第1目的係提供一種不會使微粒附著在基板表面，而可搬運基板之鍍覆裝置及鍍覆方法。
本發明之第2目的係提供一種不會使生產量降低，而可將殘留在基板之處理液除去之鍍覆裝置及鍍覆方法。
一實施形態之鍍覆裝置，其特徵在於具備：處理槽，其係積存處理液；基板保持器，其係保持前述基板；搬運機，其係使保持有前述基板之前述基板保持器浸漬於前述處理槽內的處理液，且將前述基板保持器從前述處理槽拉升，進而搬運前述基板保持器；覆蓋構件，係將被保持在前述基板保持器的基板覆蓋；及氣流形成裝置，係在前述覆蓋構件與前述基板之間的空間導入氣體；前述氣流形成裝置係具備導入氣體之氣體導入管、及安裝在前述氣體導入管且使前述氣體流出之氣體噴嘴；前述氣流形成裝置係在保持有基板之前述基板保持器之搬運中導入氣體。
在一實施形態中，其中前述氣流形成裝置係具備供給清淨空氣之風扇過濾器單元。
在一實施形態中，其中前述氣流形成裝置係具備改變前述清淨空氣的流量之流量調整器。
在一實施形態中，其中前述氣流形成裝置係具備：氣體導入管，其係導入氣體；及氣體噴嘴，其係被安裝在前述氣體導入管並可使前述氣體流出。
在一實施形態中，其中進一步具備將被保持在前述基板保持器的基板覆蓋之覆蓋構件；前述氣流形成裝置係在前述覆蓋構件與前述基板之間的空間形成清淨氣流。
在一實施形態中，其中將加熱前述基板及前述基板保持器之發熱體配置於前述覆蓋構件。
在一實施形態中，其中進一步具備將靜電從前述基板除去之除電裝置。
在一實施形態中，其中進一步具備將從前述基板保持器落下的處理液接收之受液機構；前述搬運機係使前述受液機構與前述基板保持器一體地朝水平方向移動。
在一實施形態，其中前述受液機構係具備：碟盤，其係位於前述基板保持器的下方；及引動器，其係使前述碟盤朝水平方向移動；在使保持前述基板之前述基板保持器浸漬於前述處理槽內之前述處理液之期間，前述引動器係將前述碟盤移動至預定退避位置。
一實施形態之鍍覆方法，其特徵在於：藉基板保持器保持基板，使保持有前述基板之前述基板保持器浸漬於處理槽內的處理液，將前述基板保持器從前述處理槽拉升，將前述基板保持器與前述基板同時朝水平方向搬運，在將前述基板保持器朝水平方向搬運之期間，在前述基板保持器的搬運方向於前述基板的前方形成清淨氣流。
在一實施形態，其中前述基板保持器被搬運至將殘留於前述基板表面的處理液除去之吹氣槽附近的預定位置時，使前述清淨氣流的流速及流量増加。
一實施形態之鍍覆裝置，其特徵在於具 備：處理槽，其係積存處理液；基板保持器，其係在將密封構件壓住基板的狀態下，保持前述基板；搬運機，其係使保持有前述基板之前述基板保持器浸漬於前述處理槽內的前述處理液，且將前述基板保持器從前述處理槽拉升，進而搬運前述基板保持器；吸引機構，其係將吸引被保持在前述基板保持器之前述基板上所殘留的前述處理液；及移動機構，其係使前述吸引機構對前述基板保持器相對地移動；前述吸引機構係被安裝在前述移動機構，而前述移動機構係被安裝在前述搬運機；前述搬運機係將前述基板保持器朝水平方向搬運之期間，使前述吸引機構及前述移動機構與前述基板保持器一體地朝水平方向移動。
在一實施形態，其中前述移動機構係具備X軸引動器，其係使前述吸引機構朝接近及離開被保持於前述基板保持器的前述基板之方向移動。
在一實施形態，其中前述吸引機構，係由吸引殘留於前述密封構件及前述基板上的處理液之第1吸引機構；及吸引殘留於前述基板表面上的處理液之第2吸引機構所構成；前述X軸引動器係由使前述第1吸引機構朝接近及離開被保持於前述基板保持器的前述基板之方向移動之第1X軸引動器；及使前述第2吸引機構朝接近及離開被保持於前述基板保持器的前述基板之方向移動之第2X軸引動器。
在一實施形態，其中前述移動機構係進一步具備：使前述吸引機構朝與被保持於前述基板保持器的前述基板平行且朝水平方向移動之Y軸引動器；及，使前 述吸引機構朝垂直方向移動之Z軸引動器。
在一實施形態，其中前述Y軸引動器及前述Z軸引動器，係由可使前述第1吸引機構沿著預先設定的路徑移動之電動引動器所構成。
在一實施形態，其中前述第1吸引機構係具備單一的吸引嘴。
在一實施形態，其中前述第1吸引機構係具備沿著前述密封構件形狀而排列之複數個吸引嘴。
在一實施形態，其中前述第1吸引機構係具備具有沿著前述密封構件形狀的狹縫之吸引嘴。
一實施形態之鍍覆方法，其特徵在於：在將密封構件壓住基板的狀態下，藉基板保持器保持基板；使保持有前述基板之前述基板保持器浸漬於處理槽內的處理液；將前述基板保持器從前述處理槽拉升；將前述基板保持器與前述基板同時朝水平方向搬運；及在前述將基板保持器朝水平方向搬運之期間，藉吸引機構進行吸引殘留在前述基板上的前述處理液。
在一實施形態，其中在將前述基板保持器從前述處理槽拉升之期間，藉前述吸引機構吸引殘留在前述基板上的前述處理液。
在一實施形態，其中將前述基板保持器朝水平方向搬運之期間，藉前述吸引機構吸引殘留在前述密封構件及前述基板上的前述處理液。
依照上述的實施形態，可在基板保持器的搬運方向，被保持於基板保持器之基板的前方形成清淨氣流。因而，不會使微粒附著於基板表面而可搬運基板。
依照上述的實施形態，可基板保持器朝水平方向搬運中藉吸引機構吸引基板上的處理液。因此，不會使生產量降低而可將殘留在基板的處理液除去。
1‧‧‧裝置框架
2‧‧‧負載埠
3‧‧‧控制部
4‧‧‧對準器
6‧‧‧旋轉．沖洗．乾燥機
8‧‧‧基板保持器
20‧‧‧機台
22‧‧‧基板搬運機器人
24‧‧‧基板保持器開閉機構
26‧‧‧基板保持器起倒機構
30‧‧‧自動倉儲
32‧‧‧前水洗槽
32a‧‧‧前水洗池
34‧‧‧鍍覆槽
34a‧‧‧鍍覆池
34b‧‧‧溢流槽
36‧‧‧沖洗槽
36a‧‧‧沖洗池
38‧‧‧吹氣槽
40‧‧‧槳葉馬達單元
42‧‧‧排氣管
54‧‧‧第1保持構件
54a‧‧‧通孔
56‧‧‧沖洗槽
58‧‧‧第2保持構件
60‧‧‧基部
62‧‧‧密封保持器
64‧‧‧壓環
64a‧‧‧凸部
64b‧‧‧突起部
65‧‧‧間隙物
66‧‧‧基板側密封構件
68‧‧‧保持器側密封構件
69a、69b‧‧‧扣件
70a‧‧‧第1固定環
70b‧‧‧第2固定環
74‧‧‧夾持具
80‧‧‧支撐面
82‧‧‧突條部
84‧‧‧凹部
86‧‧‧導電體
88‧‧‧電接點
89‧‧‧扣件
90‧‧‧內側掛鉤部
91‧‧‧連接端子
92‧‧‧手柄
94‧‧‧外側掛鉤部
100‧‧‧搬運機
101‧‧‧升降機
101a‧‧‧基部
101b‧‧‧上下移動部
102‧‧‧固定基座
103‧‧‧夾爪
104‧‧‧臂部
105‧‧‧鉤子
106‧‧‧推壓機構
107‧‧‧推壓構件
108‧‧‧保持器掛鉤
109‧‧‧空氣汽缸
109a‧‧‧活基桿
110‧‧‧處理槽
112‧‧‧第1吸引機構
116‧‧‧第2吸引機構
120‧‧‧處理液回收機構
124‧‧‧移動機構
130‧‧‧第1吸引嘴
130a、136a‧‧‧狹縫
131‧‧‧第1吸引管
136‧‧‧第2吸引嘴
137‧‧‧第2吸引管
140‧‧‧第1X軸引動器
142‧‧‧第2X軸引動器
140a、142a‧‧‧活塞桿
141、143‧‧‧連結構件
144‧‧‧Y軸引動器
146‧‧‧Z軸引動器
150‧‧‧真空管路
150a‧‧‧第1真空管路
150b‧‧‧第2真空管路
152A、152B‧‧‧吸引切換閥
154‧‧‧回收槽
160‧‧‧排液管
161‧‧‧處理液回收管
162‧‧‧開閉閥
200‧‧‧氣流形成裝置
201‧‧‧風扇過濾單元
202‧‧‧載置台
203‧‧‧周壁
204A、204B‧‧‧側壁
205‧‧‧背面壁
206‧‧‧機罩
210‧‧‧支撐構件
220‧‧‧空氣過濾器
222‧‧‧風扇
223‧‧‧流量調整器
250‧‧‧除電裝置
260‧‧‧覆蓋構件
260a‧‧‧前壁
260b‧‧‧側壁
260c‧‧‧上壁
261‧‧‧缺口
262‧‧‧連構件
270‧‧‧受液機構
272‧‧‧碟盤
302‧‧‧氣體導入管
303‧‧‧氣體供給管
304‧‧‧狹縫噴嘴
VP‧‧‧真空裝置
W‧‧‧基板
第1圖係示意地顯示一實施形態之鍍覆裝置之平面圖。
第2圖係顯示基板保持器之立體圖。
第3圖係在第2圖所顯示之基板保持器之平面圖。
第4圖係在第2圖所顯示之基板保持器之右側面圖。
第5圖係顯示在第4圖所顯示之被記號V包圍的部分之放大圖。
第6圖係顯示鍍覆裝置的一部分之正面圖。
第7圖係在第6圖所顯示之鍍覆裝置之立體圖。
第8圖係在第7圖所顯示之鍍覆裝置之正面圖。
第9圖係在第7圖所顯示之鍍覆裝置之上面圖。
第10圖係顯示被搬運機搬運時之基板保持器與氣流形成裝置的位置關係之示意圖。
第11圖係顯示機罩的變形例之圖。
第12圖係顯示風扇過濾器單元的風扇之動作順序之圖。
第13圖係顯示具備有氣流形成裝置及除除電裝置之鍍覆裝置的一部分之立體圖。
第14圖係在第13圖所顯示之鍍覆裝置之正面圖。
第15圖係顯示具備有氣流形成裝置及覆蓋構件之鍍覆裝置的一部分之立體圖。
第16圖(a)係顯示省略了氣流形成裝置之在第15圖所顯示的鍍覆裝置的一部分之正面圖，第16圖(b)係顯示具備有氣流形成裝置之在第15圖所顯示的鍍覆裝置的一部分之正面圖。
第17圖係覆蓋構件之上面圖。
第18圖係顯示在覆蓋構件所配置之發熱體之圖。
第19圖係顯示具備受液機構之鍍覆裝置的一部分之立體圖。
第20圖係顯示受液機構及基板保持器的動作之示意圖。
第21圖係顯示其他實施形態之鍍覆裝置的一部分之立體圖。
第22圖係顯示覆蓋構件的一部分之剖面圖。
第23圖係保持有基板保持器的狀態下之搬運機之正面圖。
第24圖係在第23圖所顯示的鍍覆裝置之部分立體圖。
第25圖係顯示第1吸引機構、第2吸引機構、及移動機構的一部分之放大圖。
第26圖(a)係在第25圖所顯示的第1吸引機構之A線 箭號視圖，第26圖(b)係顯示在第25圖所顯示的第2吸引機構之A線箭號視圖。
第27圖(a)係第1吸引嘴及第1吸引管之上面圖，第27圖(b)係第2吸引嘴及第2吸引管之上面圖。
第28圖(a)係顯示第1吸引嘴及第2吸引嘴係位於退避位置的狀態之圖，第28圖(b)係顯示第1吸引嘴位於吸引位置，第2吸引嘴位於退避位置的狀態之圖，第28圖(c)係顯示第1吸引嘴位於退避位置，第2吸引嘴位於吸引位置的狀態之圖。
第29圖(a)係顯示位於預定退避位置之第2吸引嘴之示意圖，第29圖(b)係顯示吸引殘留在基板表面上的處理液之第2吸引嘴之示意圖，第29圖(c)係顯示處理液的吸引後，再次移動至預定退避位置之第2吸引嘴之示意圖。
第30圖係顯示第2吸引嘴吸引處理液之區域之圖。
第31圖係顯示第1吸引嘴吸引處理液之區域之圖。
第32圖係顯示基板保持器與第1吸引機構的位置關係之圖。
第33圖係顯示第1吸引嘴、基板、及基板側密封構件之放大剖面圖。
第34圖係顯示第1吸引嘴進行吸引在第31圖所顯示區域的處理液之情形之圖。
第35圖(a)係顯示第1吸引嘴的變形例之上面圖，第35圖(b)係第35圖(a)之B線箭號視圖。
第36圖(a)係顯示第1吸引嘴之進一步其他變形例之 上面圖，第36圖(b)係第36圖(a)之C線箭號視圖。
第37圖(a)係顯示第2吸引嘴之其他變形例之立體圖，第37圖(b)係第37圖(a)之D線箭號視圖。
(用以實施發明之形態)
以下，參照圖式而說明實施形態。在第1圖至第37圖中，相同或相當的構成要素係附加相同符號而省略重複的說明。第1圖係示意地顯示一實施形態之鍍覆裝置之平面圖。如在第1圖所顯示，該鍍覆裝置係具備：裝置框架1；2台負載埠(load port)2，其係搭載收納有晶圓等的基板之卡匣(cassette)；控制部3，其係控制鍍覆裝置的動作。而且，鍍覆裝置係具備：對準器4，其係使基板的定向平面(orientation flat)或凹口位置與預定方向一致；旋轉．沖洗．乾燥機(SRD)6，其係使鍍覆處理後的基板高速旋轉而使其乾燥；機台20，其係水平地載置基板保持器8(第2圖至第5圖)；及基板搬運機器人22，其係搬運基板。該等對準器4、旋轉．沖洗．乾燥機6、機台20、及基板搬運機器人22係配置在裝置框架1內。
位於機台20的上方，係配置基板保持器開閉機構24，其係將在機台20上所載置的基板保持器8進行開閉而對基板之該基板保持器8進行裝卸。而且，在機台20的側方係配置有基板保持器起倒機構26，其係使基板保持器8立起和倒下。
於裝置框架1的內部係配置：自動倉儲 (stocker)30，其係進行基板保持器8的保管及暫時放置；前水洗槽32，其係以純水等的前處理液將在基板保持器8所保持的基板進行前洗淨(前處理)；鍍覆槽34，其係對在基板保持器8所保持的基板進行鍍覆；沖洗槽36，其係將鍍覆後的基板與基板保持器8同時以沖洗液進行沖洗；及吹氣槽38，其係將沖洗後的基板進行去水。自動倉儲30、前水洗槽32、鍍覆槽34、沖洗槽36、及吹氣槽38係依照順序串聯地排列。
於前水洗槽32係具備1個前水洗池32a，其係在內部保持純水等的前處理液。於鍍覆槽34係具備在內部保持鍍覆液之複數個(在該例子為10列)鍍覆池34a及溢流槽34b。沖洗槽36係具備在內部保持沖洗液之1個沖洗池36a。鍍覆池34a係例如電鍍池，在內部具有陽極電極。基板保持器8係被設置在各鍍覆池34a內且在該狀態下進行電鍍。或者，鍍覆池34a亦可以是在基板進行無電解電鍍之無電解電鍍池。在本實施形態之鍍覆槽34係使用1種類的鍍覆液，在各鍍覆池34a溢流後的鍍覆液係流入共同的溢流槽34b。自動倉儲30係以將複數個基板保持器8垂直且並列地保持之方式構成。吹氣槽38係以藉由噴吹空氣而將殘留在基板保持器8所保持的基板表面的液滴除去且使基板乾燥之方式構成。
在鍍覆槽34的一側方向，係設置有驅動槳葉(paddle)(未圖示)之槳葉馬達單元40，該槳葉係攪拌各鍍覆池34a內的鍍覆液。在鍍覆槽34的另一側方向係設置 有排氣管42。
基板保持器8係如在第2圖至第5圖所顯示，具有：矩形平板狀的第1保持構件(固定保持構件)54；及第2保持構件(可動保持構件)58，其係透過鉸鏈(hinge)56而開閉自如地被安裝在該第1保持構件54。作為其他的構成例子，亦可以將第2保持構件58配置在與第1保持構件54對峙的位置，藉由使該第2保持構件58朝向第1保持構件54前進，又，使其從第1保持構件54離開而開閉第2保持構件58。
第1保持構件54係例如氯乙烯製。第2保持構件58係具有基部60、及環狀密封保持器62。密封保持器62係例如氯乙烯製且使其與下述的壓環64之滑動良好。在密封保持器62的上部，係朝內方突出而安裝環狀基板側密封構件66(參照第4圖及第5圖)。該基板側密封構件66係以基板保持器8保持基板W時，壓接基板W的表面外周部而將第2保持構件58與基板W的間隙密封之方式構成。在與密封保持器62的第1保持構件54相對向之面，係安裝環狀保持器側密封構件68(參照第4圖及第5圖)。該保持器側密封構件68係以基板保持器8保持基板W時，壓接第1保持構件54而將第1保持構件54與第2保持構件58的間隙密封之方式構成。保持器側密封構件68係位於基板側密封構件66的外側。
如在第5圖所顯示，基板側密封構件66係被挾持在被密封保持器62與第1固定環70a之間且被安裝 在密封保持器62。第1固定環70a係透過螺栓等的扣件69a而被安裝在密封保持器62。保持器側密封構件68係被夾持在密封保持器62與第2固定環70b之間且被安裝在密封保持器62。第2固定環70b係透過螺栓等的扣件69b而被安裝在密封保持器62。
在密封保持器62的外周部係設置有段部，壓環64係透過間隙物65而旋轉自在地安裝在該段部。藉由第1固定環70a的外周部，壓環64係無法逃脫地被安裝。該壓環64係對酸和鹼之耐蝕性優異且由具有充分的剛性之材料所構成。例如，壓環64係由鈦所構成。間隙物65係由摩擦係數低的材料、例如PTFE所構成，以使壓環64可圓滑地旋轉。
在壓環64的外側，係沿著壓環64的圓周方向且以等間隔配置有複數個夾持具74。該等夾持具74係被固定在第1保持構件54。各夾持具74係具有含有朝內方突出的突出部之倒L字狀的形狀。在壓環64的外周面，係設置有朝外方突出之複數個突起部64b。該等突起部64b係被配置在因應夾持具74的位置之位置。夾持具74的內方突出部之下面及壓環64的突起部64b之上面，係沿著壓環64的旋轉方向而成為互相在相反方向傾斜之錐面。在沿著壓環64的圓周方向之複數處(例如3處)，係設置有朝上方突出之凸部64a。藉此，藉由使旋轉銷(未圖示)旋轉而從從橫向推轉凸部64a，可使壓環64旋轉。
在將第2保持構件58開啟的狀態下，將基 板W插入至第1保持構件54的中央部，透過鉸鏈56而將第2保持構件58關閉。藉由使壓環64朝順時鐘方向旋轉而使壓環64的突起部64b滑入至夾持具74之內方突出部的內部，而且透過各自設置在壓環64及夾持具74之錐面，將第1保持構件54與第2保持構件58互相扣緊而將第2保持構件58鎖定。又，藉由使壓環64朝逆時鐘方向旋轉而從夾持具74卸下壓環64的突起部64b，以解除第2保持構件58的鎖定。
將第2保持構件58鎖定時，基板側密封構件66的下方突出部係被壓接在基板W的表面外周部。密封構件66係被均勻地朝基板W推壓，藉此，將基板W的表面外周部與第2保持構件58的間隙密封。同樣地，將第2保持構件58鎖定時，保持器側密封構件68的下方突出部係被壓接在第1保持構件54表面。密封構件68係被均勻朝第1保持構件54推壓，藉此，將第1保持構件54與第2保持構件58之間的間隙密封。
在第1保持構件54的端部，係朝外方突出而設置有一對保持器掛鉤108。該保持器掛鉤108係由內側掛鉤部90及外側掛鉤部94所構成。在兩側的內側掛鉤部90之間，手柄92係延伸著。在前水洗槽32、鍍覆槽34、沖洗槽36、及吹氣槽38內，基板保持器8係透過保持器掛鉤108的內側掛鉤部90或外側掛鉤部94而被懸掛在該等的周壁。
在第1保持構件54的上面，係形成有與基 板W大小大致相等的環狀突條部82。該突條部82係具有與基板W的周邊部抵接而支撐該基板W之環狀支撐面80。在沿著該突條部82的圓周方向之預定位置設置有凹部84。
如在第3圖所顯示，在凹部84內係各自配置有複數(圖示係12個)個導電體(電接點)86。該等導電體86係各自連接至從在保持器掛鉤108的內側掛鉤部90所設置的連接端子91延伸之複數條配線。將基板W載置在第1保持構件54的支撐面80上時，該導電體86的端部係在基板W的側方露出而與在第5圖所顯示之彈性地接觸電接點88之下部。
被電性連接至導電體86之電接點88，係透過螺栓等的扣件89而被固定在第2保持構件58的密封保持器62。該電接點88係形成為板簧(flat spring)形狀。電接點88係具有位於基板側密封構件66的外方之板簧狀地朝內方突出之接點部。電接點88係在該接點部，具有因其彈性力而產生之彈簧性而可容易彎曲。在藉由第1保持構件54及第2保持構件58保持基板W時，電接點88的接點部係以彈性地接觸基板W的外周面之方式構成，該基板W係被支撐在第1保持構件54的支撐面80上。
第2保持構件58的開閉係藉由未圖示之空氣汽缸與第2保持構件58的本身重來進行。亦即，在第1保持構件54係設置有通孔54a，而且在機台20上載置有基板保持器8時，係在位於與通孔54a相對的位置設置有空氣汽缸(未圖示)。使用該空氣汽缸的活塞桿，藉由通過 通孔54a而將第2保持構件58的密封保持器62朝上方推以打開第2保持構件58，而且藉由使活塞桿收縮，可以其本身重關閉第2保持構件58。
返回第1圖，設置有搬運機100，其係在自動倉儲30、前水洗槽32、鍍覆槽34、沖洗槽36、吹氣槽38、及基板保持器起倒機構26之間，將基板保持器8與基板同時搬運。該搬運機100係具備：固定基座102，其係被固定在裝置框架1而朝水平方向延伸；升降機101，其構成係可在固定基座102上水平方向移動；及臂部104，其係被連結至升降機101。臂部104係具有把持基板保持器8之夾爪103。臂部104與升降機101係一體地朝水平方向移動，而且臂部104係藉由升降機101而被上升及降下。作為使升降機101及臂部104朝水平方向移動之驅動源，可採用線性馬達或齒條與小齒輪(rack and pinion)。
其次，說明如上述所構成的鍍覆裝置之處理動作。首先，藉由搬運機100的臂部104，將垂直姿勢的基板保持器8從自動倉儲30取出。把持有基板保持器8之臂部104係朝水平方向移動而將基板保持器8移交至基板保持器起倒機構26。基板保持器起倒機構26係將基板保持器8從垂直姿勢轉換成為水平姿勢且載置在機台20之上。然後，藉由基板保持器開閉機構24將在機台20所載置的基板保持器8打開。
基板搬運機器人22係從被搭載在負載埠2之卡匣取出1片基板且載置在對準器4。對準器4係使定 向平面或凹口位置與預定方向一致。基板搬運機器人22係將基板從對準器4取出且插入在機台20上所載置的基板保持器8。在該狀態下，藉由基板保持器開閉機構24而將基板保持器8關閉且將基板保持器8鎖定。
其次，基板保持器起倒機構26係將基板保持器8從水平姿勢轉換成為垂直姿勢。臂部104的夾爪(gripper)103係把持該豎立狀態的基板保持器8，在該狀態下，臂部104使基板保持器8朝水平方向移動至前水洗槽32的上方位置為止。而且，搬運機100的升降機101係使臂部104與基板保持器8同時下降而將基板保持器8安裝在前水洗槽32內的預定位置。在該狀態下進行基板的前水洗。基板的前水洗結束之後，臂部104的夾爪103係把持基板保持器8，而且藉由升降機101使臂部104上升而將基板保持器8從前水洗槽32拉升。
臂部104使基板保持器8朝水平方向移動至鍍覆槽34的上方位置為止。而且，搬運機100的升降機101係使臂部104與基板保持器8同時下降而將基板保持器8安裝在鍍覆槽34的鍍覆池34a內之預定位置。在該狀態下進行基板的鍍覆。鍍覆結束之後，臂部104的夾爪103係把持基板保持器8，藉由升降機101使臂部104上升而將基板保持器8從鍍覆槽34拉升。
臂部104係使基板保持器8朝水平方向移動至沖洗槽36的上方位置為止。而且，搬運機100的升降機101係使臂部104與基板保持器8同時下降而將基板保 持器8安裝在沖洗槽36內的預定位置。在該狀態下，進行基板的鍍覆後之沖洗。沖洗結束之後，臂部104的夾爪103係把持基板保持器8，藉由升降機101使臂部104上升而將基板保持器8從沖洗槽36拉升。
臂部104係使基板保持器8朝水平方向移動至吹氣槽38的上方位置為止。而且，搬運機100的升降機101係使臂部104與基板保持器8同時下降而將基板保持器8安裝在吹氣槽38內的預定位置。吹氣槽38係藉由噴吹空氣而將附著在基板保持器8所保持的基板表面的液滴除去且使其乾燥。吹氣處理結束之後，臂部104的夾爪103係把持基板保持器8，藉由升降機101使臂部104上升而將基板保持器8從吹氣槽38拉升。
臂部104係朝水平方向移動而將基板保持器8移交至基板保持器起倒機構26。基板保持器起倒機構26係與前述同樣地進行而將基板保持器8水平地載置於機台20之上，藉基板保持器開閉機構24開啟基板保持器8。基板搬運機器人22係將處理後的基板從基板保持器8取出且將該基板搬運至旋轉．沖洗．乾燥機6。旋轉．沖洗．乾燥機6係藉由以高速旋轉基板而使基板乾燥。基板搬運機器人22係將乾燥後的基板從旋轉．沖洗．乾燥機6取出且返回至負載埠2的卡匣。藉此，而對1片基板之處理結束。
第6圖係顯示鍍覆裝置的一部分之正面圖。如在第6圖所顯示，臂部104係位於積存處理液之處理槽(以下，將前水洗槽32、鍍覆槽34、沖洗槽36總稱為 處理槽110)的上方。臂部104係具備把持基板保持器8之夾爪103。該夾爪103係具備：鉤子(hook)105，其係從下方支撐基板保持器8；及2個推壓機構106，其係將保持器掛鉤108朝下方推壓。鉤子105係具有將基板保持器8的手柄92鉤住之形狀。
推壓機構106係具備：推壓構件107，其係接觸保持器掛鉤108的上面；及空氣汽缸109，其係使推壓構件107朝下方移動。空氣汽缸109的活塞桿109a下降時，推壓構件107係朝下方移動且將保持器掛鉤108朝下方推壓。在手柄92被鉤子105鉤住的狀態下，推壓構件107將保持器掛鉤108朝下方推壓，基板保持器8係被夾爪103把持。被夾爪103把持之基板保持器8，係不會搖動而被搬運機100朝垂直方向及水平方向搬運。
第7圖係在第6圖所顯示的鍍覆裝置之立體圖。第8圖係在第7圖所顯示的鍍覆裝置之正面圖，第9圖係在第7圖所顯示的鍍覆裝置之上面圖。本實施形態的鍍覆裝置係具備氣流形成裝置200，氣流形成裝置200係具備含有HEPA過濾器、ULPA過濾器等的空氣過濾器220之風扇過濾器單元(FFU)201。在此，所謂HEPA過濾器係對粒徑為0.3μm的微粒具有99.97%以上的捕集率之空氣過濾器。所謂ULPA過濾器係具有對粒徑為0.15μm的微粒具有99.9995%以上的捕集率之空氣過濾器。ULPA過濾器係具有比HEPA過濾器更高的捕集率。風扇過濾器單元201係具備空氣過濾器220；及被配置在其上方之風扇 222。風扇222係被連接至未圖示的馬達，風扇222藉由該馬達的驅動而旋轉時，可將空氣導入至風扇過濾器單元201的內部。該空氣藉由通過空氣過濾器220而將微粒等的雜質從空氣除去，而且將清淨空氣從風扇過濾器單元201朝下方排出。
風扇過濾器單元201係被載置在載置台202上。在風扇過濾器單元201的周圍，係配置由側壁204A、204B及背面壁205所構成之周壁203。在風扇過濾器單元201的下方係設置有機罩206，該機罩206係可裝卸地被安裝在載置台202的下面。該機罩206的下端係開口著。該等風扇過濾器單元201、載置台202、周壁203、及機罩206係構成氣流形成裝置200。機罩206的開口部之寬度，係以氣流在基板W的表面均勻地流動之方式，與基板W的寬度(直徑)同程度，或是比基板W的寬度更大若干。
升降機101係具備：垂直地延伸之基部101a；及對該基部101a相對地上下移動之上下移動部101b。如在第9圖所顯示，氣流形成裝置200係被支撐構件210支撐，而且支撐構件210係被固定在升降機101的基部101a。因而，支撐構件210及被固定在此的氣流形成裝置200之垂直方向的位置係被固定。臂部104係被固定在上下移動部101b，臂部104係藉由升降機101而被上升及下降。支撐構件210係與臂部104平行地配置，在基板保持器8的搬運方向，支撐構件210係位於臂部104的前方。
保持有基板W之基板保持器8係被臂部104 的夾爪103把持著。氣流形成裝置200係位於基板保持器8的搬運方向且基板W的前方。因而，在基板保持器8係藉由搬運機100而朝水平方向被搬運時，氣流形成裝置200可在被基板保持器8保持的基板W之前方形成清淨氣流。
氣流形成裝置200係透過支撐構件210而被固定在搬運機100的基部101a。把持基板保持器8之夾爪103係透過臂部104而被連結至上下移動部101b。因而，氣流形成裝置200係藉由搬運機100而與基板保持器8一體地朝水平方向被移動，但是不與基板保持器8及基板W同時上下移動。
第10圖係顯示被搬運機100搬運時之基板保持器8與氣流形成裝置200的位置關係之示意圖。在第10圖，朝水平方向延伸的箭號係顯示氣流形成裝置200及基板保持器8的搬運方向，空白箭號係顯示由氣流形成裝置200所形成的氣流，彎曲的箭號係顯示在空氣中浮游的微粒之流動。如在第10圖所顯示，氣流形成裝置200係於基板保持器8的搬運方向位於被基板保持器8保持的基板W之前方。機罩206的下部係朝向基板W而傾斜，該基板W係被保持在垂直狀態的基板保持器8。因此，從風扇過濾器單元201被供給的空氣，係接觸被基板保持器8保持的基板W的表面，而且與基板W的表面平行且朝下方地流動。如此，清淨氣流係在基板保持器8的搬運方向形成於基板W的前方，且在基板W搬運中，基板W的表面整體係被清淨氣流覆蓋。
因為在空氣中浮游的微粒係在到達基板W之前被清淨氣流沖流至下方，所以微粒不附著於基板W的表面。換言之，在基板W的前方所形成的清淨氣流，係可防止微粒附著在基板W的表面。其結果，基板W不會被污染且處理槽110內的處理液亦不會被污染。
第11圖係顯示機罩206的變形例之圖。如在第11圖所顯示，為了防止基板W乾燥，亦可使機罩206與被基板保持器8保持的基板W的表面平行且朝垂直方向延伸。在該例子，清淨空氣係不直接接觸基板W，而是與基板W的表面平行且朝下方流動。又，因為機罩206係可裝卸地被安裝在載置台202的下面，所以可將第10圖所顯示的機罩206與第11圖所顯示的機罩206交換。
第12圖係顯示風扇過濾器單元201的風扇222之動作順序之圖。吹氣槽38係藉由噴吹空氣而將殘留在基板保持器8所保持的基板W的表面的液滴除去。因此，微粒係被空氣捲起且在周圍空氣中浮游。吹氣槽38的周圍環境係鍍覆裝置內特別被污染之區域。因而，基板保持器8及基板W在通過吹氣槽38的上方時，必須確實地防止基板W的污染。因此，風扇過濾器單元201係為了形成較強烈的氣流，而改變風扇222的旋轉速度，亦即，具備改變空氣流量之流量調整器223(參照第9圖)。
在第12圖中，左側欄係顯示風扇過濾器單元201之風扇222的動作，右側欄係顯示搬運機100的動作。搬運機100待機時，風扇222係不旋轉。搬運機100 係將基板W及基板保持器8朝水平方向搬運時(亦即，基板W及基板保持器8係在處理槽110之間移動時)，風扇222係以低速旋轉。因為在基板保持器8的搬運方向且基板W的前方形成清淨氣流，所以可防止在空氣中浮游的微粒附著在基板W的表面。
搬運機100係將基板W及基板保持器8搬運至處理槽110的上方之預定位置，隨後，使基板W與基板保持器8同時浸漬於處理槽110內的處理液。在使基板W浸漬之期間，搬運機100係在處理槽110附近的預定待機位置待機，或是進行與該基板W及基板保持器8為另外的基板W及基板保持器8之搬運。搬運機100待機時，風扇222旋轉係停止。基板W處理結束後，搬運機100係將基板W及基板保持器8從處理槽110拉升且搬運至吹氣槽38。在基板W及基板保持器8從吹氣槽38離開預定距離範圍以上之區域，在搬運基板W及基板保持器8之期間，風扇222係以低速旋轉。
基板W及基板保持器8係從吹氣槽38到達預定距離範圍內時，風扇222的旋轉速度係從低速被切換成為高速，藉此風扇222係以高速旋轉。其結果，清淨氣流的流速及流量増加。如上述，因為吹氣槽38的周圍環境係在鍍覆裝置內為特別被污染之區域，所以藉由使風扇222以高速旋轉可在吹氣槽38的上方形成強烈的降流(down flow)，藉由該降流而可更確實地防止在周圍環境浮游的微粒附著在基板W。在吹氣槽38，基板W的表面乾 燥結束時，搬運機100係將基板W及基板保持器8從吹氣槽38取出。基板W及基板保持器8被從吹氣槽38拉升之後，保持有基板W之基板保持器8係朝機台20的方向被搬運。基板W及基板保持器8的搬運中，在基板W及基板保持器8係位於從吹氣槽38預定距離範圍內之期間，風扇222係以高速旋轉。基板W及基板保持器8從吹氣槽38離開預定距離以上時，風扇222係以低速(風扇222的旋轉速度係從高速被切換成為低速)旋轉。
如此，在從基板W及基板保持器8接近吹氣槽38至從吹氣槽38離開為止之間，風扇過濾器單元201的風扇222係以高速旋轉。風扇過濾器單元201係形成比一般更強的氣流，而可更確實地防止基板W的污染。
第13圖係顯示具備有氣流形成裝置200及除電裝置(ionizer)250之鍍覆裝置的一部分之立體圖。第14圖係在第13圖所顯示的鍍覆裝置之正面圖。在第14圖，係將氣流形成裝置200省略。除電裝置250係將靜電從基板W及基板保持器8除去之裝置。如在第13圖及第14圖所顯示，除電裝置250係被安裝在支撐構件210的下面。除電裝置250係藉由搬運機100而與基板保持器8一體地朝水平方向被移動，但是不與基板保持器8及基板W同時上下移動。藉由將氣流形成裝置200與除電裝置250組合，可更有效地防止微粒附著在基板W的表面。
第15圖係顯示具備有氣流形成裝置200及覆蓋構件260之鍍覆裝置的一部分之立體圖。
第16圖(a)係顯示省略了氣流形成裝置200之在第15圖所顯示的鍍覆裝置的一部分之正面圖，第16圖(b)係顯示具備有氣流形成裝置200之在第15圖所顯示的鍍覆裝置的一部分之正面圖。第17圖係覆蓋構件260之上面圖。如在第15圖、第16圖(a)、及第16圖(b)所顯示，鍍覆裝置亦可具備覆蓋構件260。該覆蓋構件260係具有覆蓋被基板保持器8保持的基板W之形狀，防止在空氣中浮游的微粒附著在基板W的表面。
覆蓋構件260係由前壁260a及2個側壁260b所構成。具體而言係如在第17圖所顯示，前壁260a係與基板保持器8上的基板W平行地配置，2個側壁260b係被固定在前壁260a的兩端。覆蓋構件260的下端係開放著。如在第16圖(a)及第16圖(b)所顯示，在側壁260b的上部係安裝有倒L字狀的連結構件262、262。覆蓋構件260係藉由連結構件262、262而被連結在支撐構件210。 因而，覆蓋構件260係藉由搬運機100與基板保持器8一體地朝水平方向被移動，另一方面，不與基板保持器8及基板W同時上下移動。覆蓋構件260係於基板保持器8的搬運方向位於基板保持器8及基板W的前方。
在前壁260a的上部係形成有缺口261，機罩206的下端位於該缺口261的上方。從氣流形成裝置200被供給的清淨空氣，係通過該缺口261而被導入至基板保持器8與覆蓋構件260之間的空間內。清淨空氣係在基板保持器8與覆蓋構件260之間的空間朝下方流動，從覆蓋 構件260的下端流出。如此，覆蓋構件260在基板保持器8的搬運方向被配置於被基板保持器8保持的基板W之前方，藉由在基板保持器8與覆蓋構件260之間形成有清淨氣流，可更確實地防止基板W的污染。
依照鍍覆液的種類有時在基板W的鍍覆中必須維持在高溫狀態。但是，溫度較低的基板W及基板保持器8被浸漬在被維持在高溫狀態下的鍍覆液中時，鍍覆液的溫度會降低。為了解決此種問題，如在第18圖所顯示，亦可在覆蓋構件260配置加熱器等的發熱體264。在第18圖，係在前壁260a配置2個發熱體264，但是發熱體264的個數及配置處係不被該例子限定。被配置在覆蓋構件260上之發熱體264，係將熱傳達至基板W及基板保持器8，藉此將基板W及基板保持器8加熱。其結果，即便使基板W及基板保持器8浸漬在鍍覆液中，鍍覆液的溫度亦不會降低。
第19圖係顯示具備受液機構270之鍍覆裝置的一部分之立體圖。將基板保持器8從處理槽110拉升時，在基板W及基板保持器8上係殘留處理液。在殘留處理液的狀態下搬運基板保持器8及基板W時，處理液係在搬運中從基板保持器8落下且有時引起污染。為了解決此種問題，如在第19圖所顯示，亦可在基板保持器8的下方設置受液機構270。該受液機構270係具備：碟盤272，其係將從基板保持器8落下的處理液接收；及引動器274，其係使碟盤272朝水平方向移動。碟盤272係位於處理槽 110的上方且被引動器274水平移動。引動器274係由電動引動器所構成，該電動引動器係由滾珠螺桿機構與伺服馬達的組合所構成。碟盤272係被安裝在引動器274，引動器274係被安裝在升降機101的基部101a。受液機構270係藉由搬運機100而與基板保持器8一體地朝水平方向被移動，但是不與基板保持器8及基板W同時上下移動。
第20圖係顯示受液機構270及基板保持器8的動作之示意圖。如在階段1所顯示，基板保持器8係藉由搬運機100而被移動至處理槽110的上方之預定位置為止。其次，如在階段2所顯示，引動器274係使碟盤272在預定退避位置水平移動，搬運機100的升降機101係使臂部104與基板保持器8同時下降。碟盤272的退避動作係以基板保持器8不接觸碟盤272的方式，在基板保持器8的下降動作開始之前或同時開始。升降機101係藉由使臂部104下降，而將基板保持器8安裝在處理槽110內的預定位置。
基板W處理結束之後，臂部104的夾爪103係把持基板保持器8，藉由升降機101使臂部104上升而將基板保持器8從處理槽110拉升。臂部104的上升結束且基板保持器8係上升至預定位置為止時，如階段3所顯示，引動器274係使碟盤272從預定退避位置水平移動至基板保持器8的下方之受液位置。從基板保持器8落下的處理液係被碟盤272接收。碟盤272係在位於階段3所顯示的受液位置之狀態下，與基板保持器8同時被搬運機100 移動至下一個處理槽。
如第19圖所顯示，若以氣流形成裝置200而在基板W的表面形成朝下方的清淨氣流，在基板W及基板保持器8所附著的處理液係沿著基板W的表面而成為較大的液滴且容易滴落。依照本實施形態，即便處理液落下，因為該處理液係被受液機構270接收，所以可防止污染位於基板W及基板保持器8的下方之其他的處理槽110等。
第21圖係顯示其他實施形態之鍍覆裝置的一部分之立體圖。第22圖係顯示覆蓋構件260的一部分之剖面圖。本實施形態之氣流形成裝置200係不具備風扇過濾器單元201，而具備氣體導入管302及狹縫噴嘴304作為代替。狹縫噴嘴304係被安裝在氣體導入管。氣體導入管302係被連接至氣體供給管303，而氣體供給管303係被連接至未圖示的氣體供給源。作為被導入的氣體，可適合使用氮氣等的惰性氣體。
在如第21圖所顯示，本實施形態的鍍覆裝置係具備覆蓋構件260。在第21圖所顯示的覆蓋構件260，係與在第15圖所顯示的覆蓋構件260不同且進一步具有上壁260c。本實施形態的覆蓋構件260亦可不具有在第15圖所顯示的缺口261。氣流形成裝置200係被配置在覆蓋構件260的上部，藉由搬運機100，基板保持器8與基板W一體地朝水平方向被移動。
如在第22圖所顯示，狹縫噴嘴304係在其 前端具有狹縫之氣體噴嘴。狹縫噴嘴304的前端係位於覆蓋構件260的內部且朝向基板W。狹縫的寬度係以氣流均勻地在基板W的表面流動之方式與基板W的寬度(直徑)同程度、或是比基板W的寬度較大若干。從未圖示的氣體供給源所供給的氣體係通過氣體供給管303及氣體導入管302，而且從狹縫噴嘴304朝向基板W流出。清淨的氣體係在基板保持器8與覆蓋構件260之間的空間朝下方流動，而且從覆蓋構件260的下端流出。如此，覆蓋構件260係在基板保持器8的搬運方向被配置基板W的前方，藉由在基板保持器8與覆蓋構件260之間形成清淨氣流，可更確實地防止基板W的污染。亦可在氣體導入管302安裝複數個氣體噴嘴來代替狹縫噴嘴304。
上述的實施形態係可適當地組合。例如，亦可在第21圖所顯示的前壁260a配置上述的發熱體264。又，亦可在第21圖所顯示的實施形態組合除電裝置250及受液機構270。
至此為止，已記載電解鍍覆裝置的例子，但是本發明亦可應用無電解鍍覆裝置。無電解鍍覆裝置時，以將1片基板鉤住邊緣的方式保持縱向之基板保持器係可適合使用。使鍍覆液不接觸基板的外周面及背面(位於被鍍覆面的相反側之面)之密封構件係亦可未必設置。
第23圖係顯示鍍覆裝置之其他實施形態之正面圖。第23圖係顯示保持有基板保持器8之搬運機100之正面圖。如在第23圖所顯示，鍍覆裝置係具備：第1 吸引機構112，其係將在基板保持器8的基板側密封構件66與基板W接觸部附近所積存的處理液進行吸引；第2吸引機構116，其係將在基板W的表面上的廣闊區域所殘留的處理液進行吸引；處理液回收機構120，其係將所吸引的處理液進行回收；及移動機構124，其係使第1吸引機構112及第2吸引機構116對基板保持器8相對地移動。
如後述，以垂直姿勢將保持有基板W之基板保持器8從處理槽110拉升時，在基板側密封構件66接觸基板W之基板W的外周最下部，係特別容易積存處理液。第1吸引機構112係吸引積存在該區域所的處理液。
第24圖係在第23圖所顯示之搬運機100、基板保持器8、第1吸引機構112、第2吸引機構116、及移動機構124之立體圖。在第24圖，係將處理液回收機構120省略。如在第24圖所顯示，第1吸引機構112係具備1個第1吸引嘴130、及第1吸引管131。第2吸引機構116係具備複數個第2吸引嘴136、及第2吸引管137。第1吸引嘴130係被連接至第1吸引管131，而且從第1吸引管131朝向被基板保持器8保持的基板W而延伸。第2吸引嘴136係被連接至第2吸引管137，而且從第2吸引管137朝向被基板保持器8保持的基板W而延伸。第1吸引嘴130及第2吸引嘴136係圓筒狀的噴嘴。
如第24圖所顯示，移動機構124係具備第1X軸引動器140，其係使第1吸引嘴130在與基板W的表面垂直的方向、亦即接近及離開基板W的表面的方向(以 下，將該方向稱為X軸方向)移動；及第2X軸引動器142，其係使第2吸引嘴136在X軸方向移動。移動機構124係進一步具有Y軸引動器144，其係使第1X軸引動器140、第1吸引機構112、第2X軸引動器142、及第2吸引機構116朝水平方向、且與基板W的表面平行(以下，將該方向稱為Y軸方向)地移動。而且，移動機構124係具備Z軸引動器146，其係使第1X軸引動器140、第2X軸引動器142、Y軸引動器144、第1吸引機構112、及第2吸引機構116在垂直方向(以下，將該方向稱為Z軸方向)移動。X軸方向、Y軸方向、Z軸方向係互相正交之方向。
升降機101係具備：垂直地延伸之基部101a；及對該基部101a相對地上下移動之上下移動部101b。臂部104係被固定在上下移動部101b。第1吸引機構112、第2吸引機構116、及移動機構124係被安裝在搬運機100。更具體地，Z軸引動器146係被安裝在搬運機100之升降機101的基部101a，而Y軸引動器144係被安裝在Z軸引動器146，第1X軸引動器140及第2X軸引動器142係被安裝在Y軸引動器144。移動機構124的動作係藉由控制部3控制。
引動器144、146係由成電動引動器所構成，該電動引動器係由滾珠螺桿機構及伺服馬達之組合所構。因而，控制部3係可高精確度地控制第1吸引嘴130及第2吸引嘴136的移動。更具體地，可使第1吸引嘴130及第2吸引嘴136在與基板W平行的平面內沿著預先設定 的路徑而移動。第1X軸引動器140及第2X軸引動器142亦可由空氣汽缸構成，且亦可由如引動器144、146之電動引動器所構成。
如在第23圖所顯示，處理液回收機構120係具備：真空管路150，其係被連接至第1吸引管131及第2吸引管137；吸引切換閥152A、152B，其係被安裝在真空管路150；回收槽154，其係將被吸引的處理液進行回收；及真空裝置VP，其係被連接至回收槽154。真空管路150係由下列所構成：第1真空管路150a，其係被連接至第1吸引管131；及第2真空管路150b，其係被連接至第2吸引管137。在第1真空管路150a，係設置有吸引切換閥152A，而且在第2真空管路150b係設置有吸引切換閥152B。吸引切換閥152A及吸引切換閥152B係具有相同結構。吸引切換閥152A及吸引切換閥152B的開閉動作係藉由控制部3控制。真空管路150係被連接至回收槽154。藉由真空裝置VP驅動，在基板保持器8的基板側密封構件66上及基板W的表面上所殘留的處理液係通過第1吸引機構112及第2吸引機構116而被吸引。
在本實施形態，真空裝置VP係被配置在回收槽154的下游側，但是亦可將真空裝置VP配置在回收槽154的上游側。此時，必須採用液體可通過真空裝置的內部之真空裝置。作為一個例子，使用雙壓電晶片(bimorph)元件之雙壓電晶片幫浦係可適合使用。
使用第1吸引嘴130而吸引處理液時，關 閉吸引切換閥152B，並打開吸引切換閥152A。藉由真空裝置VP的驅動，可在回收槽154、第1真空管路150a、第1吸引管131、及第1吸引嘴130內形成真空，藉此，第1吸引嘴130係將在基板W及基板側密封構件66上所殘留的處理液進行吸引。處理液係依照順序通過第1吸引嘴130、第1吸引管131、第1真空管路150a而被移送至回收槽154內。
使用第2吸引嘴136而吸引處理液時，關閉吸引切換閥152A，並打開吸引切換閥152B。藉由真空裝置VP的驅動，可在回收槽154、第2真空管路150b、第2吸引管137、及第2吸引嘴136內形成真空，藉此，第2吸引嘴136係將在基板W的表面上所殘留的處理液進行吸引。處理液係依照順序通過第2吸引嘴136、第2吸引管137、第2真空管路150b而被移送至回收槽154內。
於回收槽154係連接有排液管160及處理液回收管161。在回收槽154所積存的處理液，係通過排液管160或處理液回收管161而從回收槽154排出。例如，被回收的處理液為鍍覆液時，係使鍍覆液通過處理液回收管161而返回至鍍覆槽34，可再利用於基板的鍍覆。處理液為純水(例如，沖洗液及前處理液)時，係通過排液管160而被移送至外部且被廢棄。在排液管160及處理液回收管161係安裝有開閉閥162、162。
第25圖係顯示第1吸引機構112、第2吸引機構116、及移動機構124的一部分之放大圖。第26圖 (a)係在第25圖所顯示的第1吸引機構112之A線箭號視圖，第26圖(b)係顯示在第25圖所顯示的第2吸引機構116之A線箭號視圖。在本實施形態，第1X軸引動器140及第2X軸引動器142係空氣汽缸。在如第25圖、第26圖(a)、及第26圖(b)所顯示，第1吸引嘴130係被安裝在第1吸引管131，而第2吸引嘴136係被安裝在第2吸引管137。
在如第26圖(a)所顯示，第1X軸引動器140係被固定在Y軸引動器144。第1X軸引動器140的活塞桿140a係透過連結構件141而被連結至第1吸引管131。藉由此種結構，活塞桿140a伸縮時，第1吸引嘴130及第1吸引管131係在第26圖(a)所顯示的箭號方向(X軸方向)移動。
如在第26圖(b)所顯示，第2X軸引動器142係被固定在Y軸引動器144。第2X軸引動器142的活塞桿142a係透過連結構件143而被連結在第2吸引管137。藉由此種構成，活塞桿142a伸縮時，第2吸引嘴136及第2吸引管137係在第26圖(b)所顯示的箭號方向(X軸方向)移動。
第1吸引嘴130及第2吸引嘴136係與從處理槽110被拉升後之基板W的表面相對而配置。第1吸引嘴130及第1吸引管131，係以不接觸第2吸引嘴136及第2吸引管137之方式被配置在該等第2吸引嘴136及第2吸引管137的上方。
第27圖(a)係第1吸引嘴130及第1吸引管 131之上面圖，第27圖(b)係第2吸引嘴136及第2吸引管137之上面圖。在本實施形態，第1吸引嘴130的支數係1支，第2吸引嘴136的支數係7支。第2吸引嘴136係沿著水平方向而等間隔地排列。但是，第1吸引嘴130的支數及第2吸引嘴136的支數係不被本實施形態限定。在第25圖所顯示的第1X軸引動器140及第2X軸引動器142，係可使第1吸引機構112及第2吸引機構116各自獨立地在X軸方向移動。
移動機構124係被固定在升降機101的基部(靜止部分)101a，第1吸引機構112及第2吸引機構116係被連結至移動機構124。第1吸引機構112、第2吸引機構116、及移動機構124係不與被臂部104把持的基板保持器8同時上下移動，但是與被臂部104把持的基板保持器8一體地朝水平方向移動。因而，在基板保持器8被搬運機100從1個處理槽搬運至另外的處理槽時，第1吸引機構112、第2吸引機構116、及移動機構124係與基板保持器8一體地朝水平方向移動。
被臂部104把持之基板保持器8上的基板W與第1吸引嘴130的距離，係藉由第1X軸引動器140而被變更。被臂部104把持之基板保持器8上的基板W與第2吸引嘴136的距離，係藉由第2X軸引動器142而被變更。第1X軸引動器140及第2X軸引動器142係可獨立動作。因而，第1吸引嘴130及第2吸引嘴136係可各自獨立地接近基板W，以及從基板W離開。
第28圖(a)係顯示第1吸引嘴130及第2吸引嘴136位於從基板W離開之預定退避位置的狀態之圖，第28圖(b)係顯示第1吸引嘴130位於接近基板W之預定吸引位置，第2吸引嘴136係位於退避位置的狀態之圖，第28圖(c)係顯示第1吸引嘴130位於退避位置，第2吸引嘴136係位於吸引位置的狀態之圖。如此，第1吸引嘴130及第2吸引嘴136係交替地接近基板W而吸引處理液。
X軸引動器140、142係在吸引嘴130、136不接觸被基板保持器8保持之基板W的表面之範圍內，使該等吸引嘴130、136朝向基板W而移動。第1吸引機構112及第2吸引機構116係在基板保持器8移動之進行中，可吸引基板W上的處理液。更具體地，第2吸引機構116係在藉由搬運機100將基板保持器8從處理槽110拉升時，可吸引基板W上的處理液，而第1吸引機構112係在藉由搬運機100使基板保持器8朝水平移動(搬運)時，可吸引基板W上的處理液。
一邊參照第29圖(a)至第29圖(c)一邊說明第2吸引嘴136的動作。有關第1吸引嘴130的動作係後述。第29圖(a)係顯示位於從基板W的表面離開後的預定退避位置之第2吸引嘴之示意圖，第29圖(b)係顯示朝向基板W移動且將基板W的表面上的處理液進行吸引之第2吸引嘴136之示意圖。第29圖(c)係顯示處理液的吸引後，再次移動至預定退避位置之第2吸引嘴136之示意圖。第2吸引嘴136係如在第29圖(a)至第29圖(c)所顯示，藉由 第2X軸引動器142而在接近及離開基板W的表面之方向被移動。
基板W及基板保持器8係被浸漬在處理槽110內的處理液中且基板W係已被處理時，藉由升降機101使臂部104上升且將基板W及基板保持器8從處理槽110拉升。以上升的基板保持器8之第2保持構件58不碰撞第2吸引嘴136之方式，如在第29圖(a)所顯示，第2吸引嘴136(及第1吸引嘴130)係被配置在退避位置。第2保持構件58通過第2吸引嘴136時，如在第29圖(b)所顯示，第2X軸引動器142係使第2吸引嘴136朝向基板W而移動，而且使第2吸引嘴136的前端接觸在基板W的表面上所殘留的處理液，位於該吸引位置之第2吸引嘴136與基板W的表面之距離係大約0.5mm。又，該距離係一個例子，第2吸引嘴136與基板W的表面之距離係不被該例子限定。又，使用吸引能力高的真空裝置VP時，未必須要使第2吸引嘴136接觸處理液。
第2吸引嘴136使在第29圖(b)所顯示的吸引位置移動時，打開吸引切換閥152B。此時，吸引切換閥152A係被關閉。藉由真空裝置VP的驅動，第2吸引嘴136內係被減壓，藉此，處理液係被吸引至第2吸引嘴136內。處理液的吸引中，基板W係上升，但是第2吸引嘴136的位置係被固定。又，作為另外的實施形態，亦可藉由Y軸引動器144及Z軸引動器146，使第2吸引嘴136與基板W的上升為獨立且在與基板W平行的面內移動。例如，在 搬運機100使保持有基板W之基板保持器8朝水平移動之期間，第2吸引嘴136亦可進行吸引基板W上的處理液。
第2吸引嘴136的吸引動作，係可以與第2吸引嘴136的移動同時、或是在第2吸引嘴136的移動前開始。基板W及基板保持器8一邊上升，第2吸引嘴136係一邊廣闊範圍地吸引基板W表面上的處理液。具體而言，第2吸引嘴136係吸引在第30圖以網線顯示之矩形狀區域內的處理液。基板W係進一步上升而第2保持構件58係接近第2吸引嘴136時，如在第29圖(c)所顯示，第2吸引嘴136係從基板W離開且被移動至退避位置。
如此，因為第2吸引嘴136係可在基板保持器8的拉升動作中將基板W廣闊區域內的處理液進行吸引，所以即便加快基板保持器8的拉升速度，亦可減少附著在基板W之處理液。而且，因為不需耗費用以將附著在基板W的處理液除去之時間，所以可減短生產作業時間，就結果而言，生產量會提升。
殘留在基板W的周邊部及基板側密封構件66的表面的處理液，係藉由重力的作用而流下且積存在基板側密封構件66的下部上。第2吸引嘴136係可吸引在第30圖所顯示之基板表面的中心側矩形區域內之處理液，但是無法吸引在基板表面的下部區域及基板側密封構件66的下部所殘留的處理液。更具體地，第2吸引機構116係無法吸引在第31圖以網線顯示之新月形的(crescentic)區域所殘留的處理液。因此，藉第1吸引嘴130吸引在基板 表面的下部區域及基板側密封構件66上所積存的處理液。
第32圖係顯示基板保持器8與第1吸引嘴130的位置關係之圖。第33圖係顯示第1吸引嘴130、基板W、及基板側密封構件66之放大剖面圖。在第33圖，基板側密封構件66係接觸基板W的周邊部。如上述，殘留在基板側密封構件66接觸之基板W的外周部的處理液，係以沿著基板側密封構件66的邊緣而繞彎進入的方式藉由重力流下，集中積存在基板側密封構件66與基板W接觸之外周最下部。
第1吸引機構112係吸引在基板側密封構件66的下部所積存的處理液。具體而言係以第2吸引嘴136吸引上述的處理液結束之後，亦即，基板保持器8的上升動作結束之後，第1吸引嘴130係藉由第1X軸引動器140而接近基板W且接觸處理液。此時，吸引切換閥152A係被打開。在以第2吸引嘴136吸引上述的處理液結束時，吸引切換閥152B係被關閉。然後，藉由真空裝置VP的驅動，第1吸引嘴130內會被減壓，藉此處理液被吸引至第1吸引嘴130內。第1吸引嘴130的吸引動作可以與第1吸引嘴130的移動同時、或是在第1吸引嘴130的移動前開始。
如在第34圖所顯示，第1吸引嘴130係一邊在Y軸方向及Z軸方向移動，一邊將以網線顯示的新月形區域內之處理液進行吸引。該第1吸引嘴130之Y軸方向及Z軸方向的移動，係預先被程式化。特別是藉由同時 驅動Y軸引動器144及Z軸引動器146，可使第1吸引嘴130沿著基板側密封構件66而移動。因而，第1吸引嘴130可吸引在基板側密封構件66的下部所積存的處理液。第1X軸引動器140在處理液的吸引中係無動作，而第1吸引嘴130與基板W的距離係例如維持在0.5mm。
只要基板保持器8從處理槽110的拉升作業完成之後，在基板保持器8及基板W的搬運中，第1吸引機構112亦可進行吸引動作。將基板保持器8及基板W從處理槽110拉升之後，藉由搬運機100將基板保持器8與基板W同時朝水平方向地搬運至下一個處理槽。在該搬運之期間，第1吸引機構112係可吸引在基板W及基板側密封構件66上所殘留的處理液。因而，可使基板保持器8不必在處理槽110的上方待機，可進一步縮短生產作業時間。就結果而言，生產量會提升。
如上述，在吹氣槽38，藉由使用吹氣噴嘴(未圖示的)對基板W噴吹空氣，可除去在基板W的表面所殘留的液滴而將基板W乾燥。依照上述的實施形態，第1吸引嘴130及第2吸引嘴136係可從基板W大致全面吸引處理液。因而，可盡力抑制在吹氣槽38之處理液的飛散，而可防止基板W的污染。
第35圖(a)係顯示第1吸引嘴130的變形例之上面圖，第35圖(b)係第35圖(a)的B線箭視圖。如在第35圖(a)及第35圖(b)所顯示，亦可將第1噴嘴130的支數設為3支。此時，各自的第1噴嘴130係沿著基板側密 封構件66的圓周方向排列。藉由此種配置，第1吸引嘴130係可吸引更多的處理液。
第36圖(a)係顯示第1吸引嘴130之進一步其他變形例之上面圖，第36圖(b)係第36圖(a)之C線箭視圖。如第36圖(a)及第36圖(b)所顯示，第1吸引嘴130係由在前端形成有狹縫130a之狹縫噴嘴所構成。該狹縫130a係具有沿著基板側密封構件66的圓周方向而彎曲的圓弧形狀，基板側密封構件66上的處理液係從狹縫130a被吸入。只有使具有此種狹縫130a之第1吸引嘴130接近基板W，第1吸引嘴130就可吸引基板側密封構件66所殘留的處理液。亦即，將第1吸引嘴130配置在預定吸引位置之後，就不須驅動Y軸引動器144及Z軸引動器146。
第37圖(a)係顯示第2吸引嘴136之其他變形例之立體圖，第37圖(b)係第37圖(a)的D線箭視圖。如第37圖(a)及第37圖(b)所顯示，第2吸引嘴136係由在前端形成有狹縫136a之狹縫噴嘴所構成。該狹縫136a係與被基板保持器8保持之基板W的表面平行且水平地延伸。具有此種狹縫136a之第2吸引嘴136，係可更確實地吸引在基板W的表面上所殘留的處理液。
亦可將上述的各種噴嘴適當地組合。例如，藉由上述的狹縫噴嘴構成第1吸引嘴130及第2吸引嘴136之兩者，可效率更良好地吸引殘留在基板W的處理液。
如第32圖所顯示，在第1吸引嘴130位於基板W及基板側密封構件66的下部之對向位置之期間， 亦可使第2吸引嘴136移動對向於基板保持器8的下端部之位置(參照第23圖)。而且，亦可以使以第1吸引嘴130之吸引與使用第2吸引嘴136之吸引交替地或同時地進行而可除去在基板保持器8的下端部及其周圍所聚集的處理液。
在上述的例子中，顯示吸引附著在基板W的表面及基板側密封構件66的接觸部的處理液的例子，但是亦可藉同樣的構成，吸引附著在基板保持器8表面的處理液。藉此，可減少附著在基板保持器8表面的處理液，而且可藉由隨後的步驟來減少處理液所引起的污染。依照本實施形態，因為在朝水平方向搬運基板保持器8之期間，亦可進行處理液的吸引除去，不須為了除去液體而使基板保持器8待機，可提升生產量。
又，本發明係除了搬運機100以外，亦可適用藉由另外設置之升降機構進行在處理槽110之基板保持器8的上升下降動作之鍍覆裝置。在該類型的鍍覆裝置，亦可在對向於從處理槽110上升之基板保持器8的位置配置吸引嘴，而且該吸引嘴可與基板保持器8同時一邊朝水平移動一邊吸引處理液。
至此為止，已說明了實施形態，但是本發明係不被上述的實施形態限定，在其技術思想的範圍內當然亦可實施各種的相異形態。

Claims (8)

  1. 一種鍍覆裝置，具備：基板保持器，係保持基板；搬運機，係在基板保持器起倒機構與處理槽間搬運保持有基板之前述基板保持器；覆蓋構件，係將被保持在前述基板保持器的基板覆蓋；及氣流形成裝置，係在前述覆蓋構件與前述基板之間的空間導入氣體；前述氣流形成裝置係具備導入氣體之氣體導入管、及安裝在前述氣體導入管且使前述氣體流出之氣體噴嘴；前述氣流形成裝置係在保持有基板之前述基板保持器之搬運中導入氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之鍍覆裝置，其中，前述覆蓋構件具有上壁。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之鍍覆裝置，其中，前述氣體噴嘴的前端係配置於前述覆蓋構件的內部；前述氣流形成裝置係以前述氣體在前述空間往下方流動之方式，使前述氣體朝向被保持在前述基板保持器之基板流出。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之鍍覆裝置，其中，前述氣流形成裝置係從前述氣體噴嘴供給惰性氣體。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之鍍覆裝置，其係將加熱前述基板及前述基板保持器之發熱體配置於前述覆蓋構件上。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之鍍覆裝置，其更具備從前述基板除去靜電之除電裝置。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之鍍覆裝置，其更具備接收從前述基板保持器落下的處理液之受液機構；前述搬運機係使前述受液機構與前述基板保持器一體地朝水平方向移動。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之鍍覆裝置，其中，前述受液機構係具備：碟盤，其係位於前述基板保持器的下方；及引動器，其使前述碟盤朝水平方向移動；在使保持前述基板之前述基板保持器浸漬於前述處理槽內之處理液之期間，前述引動器係將前述碟盤移動至預定之退避位置。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9204982B2 (en) 2012-04-26 2015-12-08 Medtronic Vascular, Inc. Apparatus and methods for filling a drug eluting medical device via capillary action
US10561510B2 (en) 2016-06-10 2020-02-18 Medtronic Vascular, Inc. Customizing the elution profile of a stent
TWI738855B (zh) * 2016-09-08 2021-09-11 日商荏原製作所股份有限公司 基板固持器、鍍覆裝置、基板固持器之製造方法、以及基板保持方法
TW201819273A (zh) * 2016-10-20 2018-06-01 美商康寧公司 用於製造薄片的方法及裝置
US10226367B2 (en) 2016-12-19 2019-03-12 Medtronic Vascular, Inc. Apparatus and methods for filling a drug eluting medical device via capillary action
JP6951269B2 (ja) * 2018-01-29 2021-10-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の制御装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体
JP7059172B2 (ja) * 2018-12-21 2022-04-25 株式会社荏原製作所 基板ホルダのシールから液体を除去するための方法
CN110079853A (zh) * 2019-03-27 2019-08-02 宁波锦辉光学科技有限公司 一种光学镀镍机
EP3761348B1 (en) * 2019-07-05 2024-03-27 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG System for conveying a substrate between processing stations of a processing apparatus, processing apparatus and methods of handling a substrate
CN110512197B (zh) * 2019-07-31 2021-07-30 中国航发南方工业有限公司 柔性细长轴类易变形零件的局部热处理的加热设备和方法
CN110714826B (zh) * 2019-10-31 2020-07-24 进顺汽车零部件如皋有限公司 一种具有深孔电镀挂具的汽车排气管装饰圈
CN112553675B (zh) * 2020-11-30 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 一种载具防漏液装置及电化学沉积设备
CN112981378B (zh) * 2021-02-23 2023-09-08 常州工程职业技术学院 一种塑料件的化学镀加工装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200507979A (en) * 2003-08-07 2005-03-01 Ebara Corp Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW405158B (en) * 1997-09-17 2000-09-11 Ebara Corp Plating apparatus for semiconductor wafer processing
JP3830272B2 (ja) 1998-03-05 2006-10-04 株式会社荏原製作所 基板のめっき装置
JPH11154653A (ja) 1997-09-17 1999-06-08 Ebara Corp 基板メッキ装置
JP2003247098A (ja) 2002-02-21 2003-09-05 Ebara Corp めっき装置
TWI316097B (en) * 2002-06-21 2009-10-21 Ebara Corp Substrate holder and plating apparatus
JP4624738B2 (ja) 2003-08-21 2011-02-02 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP4800009B2 (ja) 2005-11-15 2011-10-26 株式会社フジクラ メッキ装置
US9728435B2 (en) * 2010-10-21 2017-08-08 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
JP5795965B2 (ja) 2011-05-30 2015-10-14 株式会社荏原製作所 めっき装置
TWI485286B (zh) * 2011-11-16 2015-05-21 Ebara Corp Electroless plating and electroless plating
JP6116317B2 (ja) 2013-03-28 2017-04-19 株式会社荏原製作所 めっき装置およびめっき方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200507979A (en) * 2003-08-07 2005-03-01 Ebara Corp Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus

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Publication number Publication date
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US9388504B2 (en) 2016-07-12
US20140295093A1 (en) 2014-10-02
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