JPH0791645B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0791645B2 JPH0791645B2 JP1110690A JP11069089A JPH0791645B2 JP H0791645 B2 JPH0791645 B2 JP H0791645B2 JP 1110690 A JP1110690 A JP 1110690A JP 11069089 A JP11069089 A JP 11069089A JP H0791645 B2 JPH0791645 B2 JP H0791645B2
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
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- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0206—Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜形成装置に係り、特に、量産用のロード
ロック式又はインライン式の成膜装置において、バイア
スを印加するのに好適な印加電極構造に関する。
ロック式又はインライン式の成膜装置において、バイア
スを印加するのに好適な印加電極構造に関する。
スパッタ装置（薄膜形成装置）は、種々の材料の薄膜形
成の重要な手段として各方面で広く用いられている。特
に最近は、微細化や高機能化が進み、かつ量産性が要求
されるようになってきている。これらに対し、種々の技
術が開発されてきているが、特にバイアススパッタ技術
及びインライン化成膜技術は重要な技術の１つとなって
いる。
成の重要な手段として各方面で広く用いられている。特
に最近は、微細化や高機能化が進み、かつ量産性が要求
されるようになってきている。これらに対し、種々の技
術が開発されてきているが、特にバイアススパッタ技術
及びインライン化成膜技術は重要な技術の１つとなって
いる。
しかしながら、基板表面のエッチング等の機構と異な
り、高周波を用いたバイアススパッタは成膜と同時に行
なうため、特にインライン装置などに組合せることが難
かしく、特開昭62−253765号公報のように、基板を固定
した方式が殆んどである。又、特殊なものとしては、特
開昭62−80266号公報のカルーセルタイプの回転基板ホ
ルダーにバイアスを印加させている例はあるが、インラ
インの搬送基板方式は未だ実用化に至っていない。
り、高周波を用いたバイアススパッタは成膜と同時に行
なうため、特にインライン装置などに組合せることが難
かしく、特開昭62−253765号公報のように、基板を固定
した方式が殆んどである。又、特殊なものとしては、特
開昭62−80266号公報のカルーセルタイプの回転基板ホ
ルダーにバイアスを印加させている例はあるが、インラ
インの搬送基板方式は未だ実用化に至っていない。
インラインスパッタ方式において、高周波を用いたバイ
アススパッタを行なう場合は、そのバイアス電位、高周
波プラズマ制御等が重要な課題となるが、特に移動式の
基板ホルダーへの高周波電力の印加の状態が大きく影響
する。
アススパッタを行なう場合は、そのバイアス電位、高周
波プラズマ制御等が重要な課題となるが、特に移動式の
基板ホルダーへの高周波電力の印加の状態が大きく影響
する。
すなわち、高周波電力導入部は基板搬送ごとに接続又は
切離されるものであり、この部分の接続の良否が電極回
路のインピーダンスのリアクタンス成分を大きく変化さ
せるため、RF電源側での負バイアス電位をモニターして
いても、基板電極（基板）への電力入射量を適切に管理
することは難しく、成膜の変化は避け難い。同一のバイ
アス電力でバイアス電位が変化したり、同一の電位を得
るためのバイアス電力の変化は20〜30％に及ぶことがあ
る。
切離されるものであり、この部分の接続の良否が電極回
路のインピーダンスのリアクタンス成分を大きく変化さ
せるため、RF電源側での負バイアス電位をモニターして
いても、基板電極（基板）への電力入射量を適切に管理
することは難しく、成膜の変化は避け難い。同一のバイ
アス電力でバイアス電位が変化したり、同一の電位を得
るためのバイアス電力の変化は20〜30％に及ぶことがあ
る。
一方、搬送されてくる基板に高周波電力を印加すること
により、基板もしくは基板ホルダと、真空チェンバーと
の間に希薄な放電プラズマが形成される。これは、基板
に対し、適切な高周波シールドがなされていないためだ
が、移動式の基板ホルダーを完全に覆うことは極めて難
しく電力損失となっている。また、高周波シールドの電
極に対するリアクタンス成分を基板の移動ごとに極めて
良く一致させないと成膜の安定性に大きく影響する。
により、基板もしくは基板ホルダと、真空チェンバーと
の間に希薄な放電プラズマが形成される。これは、基板
に対し、適切な高周波シールドがなされていないためだ
が、移動式の基板ホルダーを完全に覆うことは極めて難
しく電力損失となっている。また、高周波シールドの電
極に対するリアクタンス成分を基板の移動ごとに極めて
良く一致させないと成膜の安定性に大きく影響する。
この他、前記の高周波シールドを基板乃至基板ホルダー
に具備させることにより、今度は基板加熱が面倒にな
る。すなわち、高周波シールドは、電極間との放電を抑
止するため、２〜4mm程度の極めて狭い空隙を保持せね
ばならず、この間に加熱装置を載置することは不可能で
ある。
に具備させることにより、今度は基板加熱が面倒にな
る。すなわち、高周波シールドは、電極間との放電を抑
止するため、２〜4mm程度の極めて狭い空隙を保持せね
ばならず、この間に加熱装置を載置することは不可能で
ある。
従来の薄膜形成装置にあっては、基板の搬送ごとに高周
波電力導入部は接続又は切離されているため、その接続
の良否によってバイアス電位が変化し、成膜の変化が避
け難い。
波電力導入部は接続又は切離されているため、その接続
の良否によってバイアス電位が変化し、成膜の変化が避
け難い。
一方、基板ホルダを完全に覆って高周波シールドするこ
とは困難であって、電力損失になるとともに、成膜の安
定性に影響する問題点がある。
とは困難であって、電力損失になるとともに、成膜の安
定性に影響する問題点がある。
本発明の目的は、移動式の基板と導入電極を接続しかつ
高周波シールドする安定で高性能なバイアススパッタ機
構を備えた成膜形成装置を提供することにある。
高周波シールドする安定で高性能なバイアススパッタ機
構を備えた成膜形成装置を提供することにある。
前記の目的を達成するため、本発明に係る成膜形成装置
は、真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置する
スパッタ電極と、成膜させる基板をスパッタ電極に対向
して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移動
機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とからな
る薄膜形成装置において、成膜位置に移動した基板ホル
ダに導入電極を接触させかつ導入電極を高周波シールド
する同軸管を備えた移動導入電極機構と、同軸管に接触
するとともに基板ホルダを覆うアースシールドとを設け
るように構成されている。
は、真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置する
スパッタ電極と、成膜させる基板をスパッタ電極に対向
して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移動
機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とからな
る薄膜形成装置において、成膜位置に移動した基板ホル
ダに導入電極を接触させかつ導入電極を高周波シールド
する同軸管を備えた移動導入電極機構と、同軸管に接触
するとともに基板ホルダを覆うアースシールドとを設け
るように構成されている。
そして移動導入電極機構は、導入電極を上下及び前後方
向に移動させる駆動部と、駆動部に一端を連結しかつ他
端を導入電極に固定した導入電極と同芯の同軸管とから
なる構成とする。
向に移動させる駆動部と、駆動部に一端を連結しかつ他
端を導入電極に固定した導入電極と同芯の同軸管とから
なる構成とする。
またアースシールドは、その外周縁を基板ホルダと接触
しかつ内周は所定の空隙離間して基板ホルダに固設さ
れ、基板ホルダとともに移動して成膜位置で内周縁が同
軸管と接触する形状を有するものとする。
しかつ内周は所定の空隙離間して基板ホルダに固設さ
れ、基板ホルダとともに移動して成膜位置で内周縁が同
軸管と接触する形状を有するものとする。
さらに同軸管と真空容器との接触位置に、真空シール用
のベロー又はＯリングを設けた構成であり、アースシー
ルドの基板ホルダと対向する面に、基板加熱用ヒータを
具備した構成でも良い。
のベロー又はＯリングを設けた構成であり、アースシー
ルドの基板ホルダと対向する面に、基板加熱用ヒータを
具備した構成でも良い。
真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置するスパ
ッタ電極と、成膜させる基板を前記スパッタ電極に対向
して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移動
機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とからな
る薄膜形成装置において、導入電極は、成膜位置に移動
した基板ホルダに接触することにより基板に高周波電力
を印加するとともに、その導入電極の周囲を高周波シー
ルドし導入電極とともに上下動する同軸管が設けられ、
一方、同軸管に接触するとともに基板ホルダを覆いかつ
基板ホルダとともに移動するアースシールドを備えてい
る構成でも良い。
ッタ電極と、成膜させる基板を前記スパッタ電極に対向
して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移動
機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とからな
る薄膜形成装置において、導入電極は、成膜位置に移動
した基板ホルダに接触することにより基板に高周波電力
を印加するとともに、その導入電極の周囲を高周波シー
ルドし導入電極とともに上下動する同軸管が設けられ、
一方、同軸管に接触するとともに基板ホルダを覆いかつ
基板ホルダとともに移動するアースシールドを備えてい
る構成でも良い。
さらに真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置す
るスパッタ電極と、成膜させる基板をスパッタ電極に対
向して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移
動機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とから
なる薄膜形成装置において、所定の空隙を介して基板ホ
ルダにアースシールドを設け、アースシールドにより絶
縁されて成膜位置に移動された基板に導入電極を接触さ
せる移動導入電極機構を設けた構成でも良い。
るスパッタ電極と、成膜させる基板をスパッタ電極に対
向して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移
動機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とから
なる薄膜形成装置において、所定の空隙を介して基板ホ
ルダにアースシールドを設け、アースシールドにより絶
縁されて成膜位置に移動された基板に導入電極を接触さ
せる移動導入電極機構を設けた構成でも良い。
本発明によれば、薄膜形成装置の移動式の基板ホルダに
アースシールドを所定の空隙を介して設けることによっ
て、移動導入電極機構によって導入電極が搬送後の基板
と十分な接触圧をもって接続する。
アースシールドを所定の空隙を介して設けることによっ
て、移動導入電極機構によって導入電極が搬送後の基板
と十分な接触圧をもって接続する。
一方、導入電極は同軸管によって高周波シールドされて
おり、移動導入電極機構の駆動によって基板と確実でか
つ再現性の良い安定した接続をなすとともに、高周波導
入給電部とのシールドのみで十分であり、真空容器もＯ
リング等を介してシールドされる。
おり、移動導入電極機構の駆動によって基板と確実でか
つ再現性の良い安定した接続をなすとともに、高周波導
入給電部とのシールドのみで十分であり、真空容器もＯ
リング等を介してシールドされる。
また、アースシールドを基板加熱用ヒータで加熱するこ
とにより、成膜は密着性が高くなる。
とにより、成膜は密着性が高くなる。
本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明する。室
空容器１内に成膜母材となるターゲット２を載置するス
パッタ電極３と、成膜させる基板11をスパッタ電極３に
対向して保持する基板ホルダ12と、基板ホルダ12を移動
する移動機構15,16,17と、基板ホルダ12を介して基板11
に高周波電力を通電する導入電極21とからなる薄膜形成
装置において、移動用基板ホルダ14により成膜位置に移
動した基板ホルダ12に導入電極21の先端を押し付けかつ
導入電極21の周囲を高周波シールドする同軸管25を備え
た移動導入電極機構と、内周縁を同軸管25に外周縁を移
動用基板ホルダ14と絶縁石13を介して接続する基板ホル
ダ12にそれぞれ接触しかつ基板ホルダ12,14を所定の空
隙30を介して覆うアースシールド23とを設けた構成であ
る。
空容器１内に成膜母材となるターゲット２を載置するス
パッタ電極３と、成膜させる基板11をスパッタ電極３に
対向して保持する基板ホルダ12と、基板ホルダ12を移動
する移動機構15,16,17と、基板ホルダ12を介して基板11
に高周波電力を通電する導入電極21とからなる薄膜形成
装置において、移動用基板ホルダ14により成膜位置に移
動した基板ホルダ12に導入電極21の先端を押し付けかつ
導入電極21の周囲を高周波シールドする同軸管25を備え
た移動導入電極機構と、内周縁を同軸管25に外周縁を移
動用基板ホルダ14と絶縁石13を介して接続する基板ホル
ダ12にそれぞれ接触しかつ基板ホルダ12,14を所定の空
隙30を介して覆うアースシールド23とを設けた構成であ
る。
そして移動導入電極機構は、導入電極21を上下及び前後
方向に移動させる駆動部（シリンダ）26と、駆動部26に
一端を連結しかつ他端を導入電極21と絶縁石27を介して
固定した導入電極21と同芯の同軸管25とからなるものと
する。
方向に移動させる駆動部（シリンダ）26と、駆動部26に
一端を連結しかつ他端を導入電極21と絶縁石27を介して
固定した導入電極21と同芯の同軸管25とからなるものと
する。
真空容器１は、インライン装置もしくはロードロック式
装置の成膜室の部分を断面状に示される。
装置の成膜室の部分を断面状に示される。
真空室（真空容器）１に、成膜母材となるターゲット２
を載置したスパッタ電極３が絶縁石４を介して真空室１
内に設置される。スパッタ電極３にアースシールド５が
設けられ、高周波電源６より供給される高周波電力によ
りターゲット２の前面に高周波プラズマを形成し、その
プラズマ中のイオン粒子がターゲット２の表面に入射衝
突をすることによりスパッタを生ぜしめている。
を載置したスパッタ電極３が絶縁石４を介して真空室１
内に設置される。スパッタ電極３にアースシールド５が
設けられ、高周波電源６より供給される高周波電力によ
りターゲット２の前面に高周波プラズマを形成し、その
プラズマ中のイオン粒子がターゲット２の表面に入射衝
突をすることによりスパッタを生ぜしめている。
ターゲット２の上方に、ターゲット２と基板11との間を
物理的にしゃへいするシャッタ板７が設けられている。
物理的にしゃへいするシャッタ板７が設けられている。
基板11は基板ホルダ12にビス又は金具等で固定（図示な
し）するか、落ち込みやはめ合いなどにより支持され
る。この基板ホルダ12は、高周波バイアスが印加される
ため、絶縁石13を介して移動用基板ホルダ14に搭載され
る。
し）するか、落ち込みやはめ合いなどにより支持され
る。この基板ホルダ12は、高周波バイアスが印加される
ため、絶縁石13を介して移動用基板ホルダ14に搭載され
る。
この移動用基板ホルダ14は、駆動用モータ15により駆動
される真空室１内の搬送機構16のチェーン又は歯車等に
連結されたローラ17により、他の真空室から成膜室へ、
もしくは成膜室からつぎの真空室へと搬送される。
される真空室１内の搬送機構16のチェーン又は歯車等に
連結されたローラ17により、他の真空室から成膜室へ、
もしくは成膜室からつぎの真空室へと搬送される。
この移動用基板ホルダ14とともに移動する基板ホルダ12
にバイアス印加用の導入電極21を通して高周波が高周波
電源22より供給される。通常この導入電極21は真空中で
は周囲の接地電位部材、たとえば真空容器１などとグロ
ー放電を形成しがちである。本実施例はこれで防止する
ため、基板ホルダ12の上方にアースシールド23を設け、
基板ホルダ12又は移動用基板ホルダ14に外周縁を接触固
定させる。このとき、アースシールド23の内周は、基板
ホルダ12と4mm以上の空隙30を設けると放電しやすくな
るために、スペーサ24を介して基板ホルダ12との間隙を
２〜4mmに一定に保つようにする。また、高周波導入の
ための通電効率を向上させるため、導入電極21がシリン
ダ26により下方に押しつけられる力に耐えられるような
剛性をアースシールド23に保持させる。
にバイアス印加用の導入電極21を通して高周波が高周波
電源22より供給される。通常この導入電極21は真空中で
は周囲の接地電位部材、たとえば真空容器１などとグロ
ー放電を形成しがちである。本実施例はこれで防止する
ため、基板ホルダ12の上方にアースシールド23を設け、
基板ホルダ12又は移動用基板ホルダ14に外周縁を接触固
定させる。このとき、アースシールド23の内周は、基板
ホルダ12と4mm以上の空隙30を設けると放電しやすくな
るために、スペーサ24を介して基板ホルダ12との間隙を
２〜4mmに一定に保つようにする。また、高周波導入の
ための通電効率を向上させるため、導入電極21がシリン
ダ26により下方に押しつけられる力に耐えられるような
剛性をアースシールド23に保持させる。
導入電極21の周囲同芯に高周波シールド用の同軸管25が
設けられ、同軸管25と導入電極21とは真空シール機能を
有する絶縁石27により固定されている。
設けられ、同軸管25と導入電極21とは真空シール機能を
有する絶縁石27により固定されている。
シールド用の同軸管25と真空容器１との接触位置に、ベ
ロー（図示なし）もしくはＯリング28による真空シール
機能を有している。
ロー（図示なし）もしくはＯリング28による真空シール
機能を有している。
隣室より搬送されてきた基板11はターゲット２上の規定
の位置で停止後、シリンダ26により、バイアス印加用の
導入電極21とシールド用の同軸管25とは、絶縁石27を介
して基板ホルダ12又は移動用基板ホルダ14に押し付けら
れる。このとき基板11のアースシールド23は中央部（内
周縁）が図のように同軸管25とのはめ合い部がテーパ状
になっている。そこで下降してきた同軸管25はテーパに
従ってアースシールド23とはめ合い状態に容易にさせる
ことができ、かつ中央の導入電極21と同様に通電接触部
の径が基板ホルダ12に比べ小さいため、大きな接触圧が
得られる。高周波通電の場合、接触圧より接触ギャップ
とが重要だが、良い精度のはめ合いではこれが重要であ
る。
の位置で停止後、シリンダ26により、バイアス印加用の
導入電極21とシールド用の同軸管25とは、絶縁石27を介
して基板ホルダ12又は移動用基板ホルダ14に押し付けら
れる。このとき基板11のアースシールド23は中央部（内
周縁）が図のように同軸管25とのはめ合い部がテーパ状
になっている。そこで下降してきた同軸管25はテーパに
従ってアースシールド23とはめ合い状態に容易にさせる
ことができ、かつ中央の導入電極21と同様に通電接触部
の径が基板ホルダ12に比べ小さいため、大きな接触圧が
得られる。高周波通電の場合、接触圧より接触ギャップ
とが重要だが、良い精度のはめ合いではこれが重要であ
る。
従来のエッチング等で用いられている導入電極21のみの
駆動による接触通電や、アースシールド23の基板ホルダ
12への押し付けより優れた密着性が得られる。その密着
性が良いことは、この接触通電部の電気抵抗が小さいこ
ととなり、効率よくばらつきの少ない高周波電力の導入
が可能となる。
駆動による接触通電や、アースシールド23の基板ホルダ
12への押し付けより優れた密着性が得られる。その密着
性が良いことは、この接触通電部の電気抵抗が小さいこ
ととなり、効率よくばらつきの少ない高周波電力の導入
が可能となる。
したがって、成膜と同時に高周波バイアスを印加して
も、バイアス電位及びパワーの変動を小さくおさえるこ
とが可能で、より安定なバイアススパッタが行える。
も、バイアス電位及びパワーの変動を小さくおさえるこ
とが可能で、より安定なバイアススパッタが行える。
高周波の導入電極21の駆動部は、シリンダ26の代りに、
ギアとモーターと、必要に応じクラッチ等を組み合わせ
ても構成出来る。
ギアとモーターと、必要に応じクラッチ等を組み合わせ
ても構成出来る。
いずれの構成でも、通電時のばらつきを10％程度に低減
することが可能である。
することが可能である。
本発明の他の実施例は、第２図に示されるように、基板
ホルダ12を覆うアースシールド23の内面に基板加熱用ヒ
ータ41を埋込んだ構成である。
ホルダ12を覆うアースシールド23の内面に基板加熱用ヒ
ータ41を埋込んだ構成である。
ここで、基板11が搬送されてきた後、摺動通電部42より
基板加熱用ヒータ41に給電することにより、成膜中の加
熱が可能になって密着度の高い成膜が行える。ただしこ
のときヒータ通電部の真空容器１に対するシールド（図
示なし）を忘れてはならない。
基板加熱用ヒータ41に給電することにより、成膜中の加
熱が可能になって密着度の高い成膜が行える。ただしこ
のときヒータ通電部の真空容器１に対するシールド（図
示なし）を忘れてはならない。
また本発明の他の実施例として、第１図に示すように、
導入電極21は、成膜位置に移動した基板ホルダ12に接触
することにより基板11に高周波電力を印加するととも
に、その導入電極21の周囲を高周波シールドし導入電極
21とともに上下動する同軸管25が設けられ、一方、同軸
管25に接触するとともに基板ホルダ12及び移動用基板ホ
ルダ14を覆いかつ基板ホルダ14とともに移動するアース
シールド23を備えている構成でもよい。
導入電極21は、成膜位置に移動した基板ホルダ12に接触
することにより基板11に高周波電力を印加するととも
に、その導入電極21の周囲を高周波シールドし導入電極
21とともに上下動する同軸管25が設けられ、一方、同軸
管25に接触するとともに基板ホルダ12及び移動用基板ホ
ルダ14を覆いかつ基板ホルダ14とともに移動するアース
シールド23を備えている構成でもよい。
本発明の薄膜形成装置によれば、インライン方式のよう
な成膜用の基板を移動させなければならない場合でも、
基板ホルダに予めバイアス用の電極の一部を載置するこ
とにより、また高周波シールドを完全に行うことによ
り、再現よく安定に高周波電力の供給が可能となり、効
率的かつ信頼性の高いバイアススパッタ成膜を行なえる
効果がある。
な成膜用の基板を移動させなければならない場合でも、
基板ホルダに予めバイアス用の電極の一部を載置するこ
とにより、また高周波シールドを完全に行うことによ
り、再現よく安定に高周波電力の供給が可能となり、効
率的かつ信頼性の高いバイアススパッタ成膜を行なえる
効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は他の
実施例を示す部分断面図である。 １……真空室、２……ターゲット、 ３……スパッタ電極、11……基板、 12……基板ホルダ、21……導入電極、 23……アースシールド、30……空隙、 41……基板加熱用ヒータ。
実施例を示す部分断面図である。 １……真空室、２……ターゲット、 ３……スパッタ電極、11……基板、 12……基板ホルダ、21……導入電極、 23……アースシールド、30……空隙、 41……基板加熱用ヒータ。
Claims (7)
- 【請求項１】真空容器内に成膜母材となるターゲットを
載置するスパッタ電極と、成膜させる基板を前記スパッ
タ電極に対向して保持する基板ホルダと、該基板ホルダ
を移動する移動機構と、前記基板に高周波電力を通電す
る導入電極とからなる薄膜形成装置において、成膜位置
に移動した前記基板ホルダに前記導入電極を接触させか
つ該導入電極を高周波シールドする同軸管を備えた移動
導入電極機構と、前記同軸管に接触するとともに前記基
板ホルダを覆うアースシールドとを設けたことを特徴と
する薄膜形成装置。 - 【請求項２】移動導入電極機構は、導入電極を上下及び
前後方向に移動させる駆動部と、該駆動部に一端を連結
しかつ他端を前記導入電極に固定した該導入電極と同芯
の同軸管とからなることを特徴とする請求項１記載の薄
膜形成装置。 - 【請求項３】アースシールドは、その外周縁を基板ホル
ダと接触しかつ内周は所定の空隙離間して前記基板ホル
ダに固設され、該基板ホルダとともに移動して成膜位置
で内周縁が同軸管と接触する形状を有することを特徴と
する請求項１又は２記載の薄膜形成装置。 - 【請求項４】同軸管と真空容器との接触位置に、真空シ
ール用のベロー又はＯリングを設けたことを特徴とする
請求項１又は２記載の薄膜形成装置。 - 【請求項５】アースシールドの基板ホルダと対向する面
に、基板加熱用ヒータを具備したことを特徴とする請求
項１〜４のいずれか１項記載の薄膜形成装置。 - 【請求項６】真空容器内に成膜母材となるターゲットを
載置するスパッタ電極と、成膜させる基板を前記スパッ
タ電極に対向して保持する基板ホルダと、該基板ホルダ
を移動する移動機構と、前記基板に高周波電力を通電す
る導入電極とからなる薄膜形成装置において、前記導入
電極は、成膜位置に移動した前記基板ホルダに接触する
ことにより前記基板に前記高周波電力を印加するととも
に、その導入電極の周囲を高周波シールドし該導入電極
とともに上下動する同軸管が設けられ、一方、該同軸管
に接触するとともに前記基板ホルダを覆いかつ該基板ホ
ルダとともに移動するアースシールドを備えていること
を特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項７】真空容器内に成膜母材となるターゲットを
載置するスパッタ電極と、成膜させる基板を前記スパッ
タ電極に対向して保持する基板ホルダと、該基板ホルダ
を移動する移動機構と、前記基板に高周波電力を通電す
る導入電極とからなる薄膜形成装置において、所定の空
隙を介して前記基板ホルダにアースシールドを設け、該
アースシールドにより絶縁されて成膜位置に移動された
前記基板に前記導入電極を接触させる移動導入電極機構
を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110690A JPH0791645B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜形成装置 |
| US07/513,763 US4986890A (en) | 1989-04-28 | 1990-04-24 | Thin film deposition system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110690A JPH0791645B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290973A JPH02290973A (ja) | 1990-11-30 |
| JPH0791645B2 true JPH0791645B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=14541981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1110690A Expired - Fee Related JPH0791645B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US4986890A (ja) |
| JP (1) | JPH0791645B2 (ja) |
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-
1989
- 1989-04-28 JP JP1110690A patent/JPH0791645B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-04-24 US US07/513,763 patent/US4986890A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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| JPH02290973A (ja) | 1990-11-30 |
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