JPH07207428A - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents

マグネトロンスパッタリング装置

Info

Publication number
JPH07207428A
JPH07207428A JP6003950A JP395094A JPH07207428A JP H07207428 A JPH07207428 A JP H07207428A JP 6003950 A JP6003950 A JP 6003950A JP 395094 A JP395094 A JP 395094A JP H07207428 A JPH07207428 A JP H07207428A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
target
outer peripheral
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6003950A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3398452B2 (ja
Inventor
Yoshinori Yoshimura
芳紀 吉村
Masaaki Iwasaki
眞明 岩崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Music Solutions Inc
Original Assignee
Sony Disc Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Disc Technology Inc filed Critical Sony Disc Technology Inc
Priority to JP00395094A priority Critical patent/JP3398452B2/ja
Priority to US08/371,227 priority patent/US6159350A/en
Priority to GB9500594A priority patent/GB2286201B/en
Priority to AT0005895A priority patent/AT402944B/de
Publication of JPH07207428A publication Critical patent/JPH07207428A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3398452B2 publication Critical patent/JP3398452B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering

Abstract

(57)【要約】 【目的】 常に再現性良く、基板上に均一な被膜層を形
成することができるマグネトロンスパッタリング装置を
提供する。 【構成】 ターゲット１の後方に配置される磁石５によ
って直交電磁界を印加させながらディスク基板２のスパ
ッタ形成面２ａにスパッタ膜を成膜させるようにしたマ
グネトロンスパッタリング装置において、上記スパッタ
形成面側の基板中央部分に密着してこの基板中央部分を
マスクするセンターマスク３と、基板外周縁部分に密着
してこの基板外周縁部分をマスクする外周マスク４とを
独立させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、光ディスク等
の如き円盤状をなす基板のスパッタ形成面にアルミニュ
ーム（Ａｌ）被膜等を成膜するのに用いて好適なマグネ
トロンスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】デジタル化された音声情報や画像情報を
大量に記録するのに、いわゆるコンパクトディスク（以
下、ＣＤと略称する）等の如き光ディスクが広く使用さ
れるようになってきた。光ディスクは、例えばポリカー
ボネート等の透明な合成樹脂性基板の表面にスパッタリ
ングにより光反射率の高いＡｌ薄膜層が形成されて構成
され、「１」か「０」のデジタル情報に合わせて、その
基板にピット（ｐｉｔ）と称する小さな孔を開け、その
孔の有無をレーザー光の反射波の有無によりその記録情
報を読み出し得るものである。
【０００３】１枚のディスクへの薄膜形成は、比較的短
時間で可能なことから、多数のディスクを連絡的（１枚
づつ連続しての意）にスパッタするために、例えば図２
に示すような構成が採用されている。
【０００４】図２は、マグネトロンスパッタリング装置
の主要な機構のみを取り出して示した構成図で、先ずベ
ルトコンベア等の外部搬送装置１０１で次々と搬送され
てくるＣＤ等の基板１０２は、軸中心に回転及び上下方
向に移動可能な円盤状の搬送装置１０３の吸着パット１
０４に吸着されスパッタ室１０５に搬送される。
【０００５】スパッタ室１０５では、同じく軸中心に回
転及び上下方向に移動可能な搬送テーブル１０６に載置
され、順次スパッタ源１０７によりスパッタ成膜が行わ
れる。スパッタ成膜後の基板１０２は、再び搬送テーブ
ル１０６に載置され、搬送装置１０３を経て外部に取り
出される。
【０００６】ところで、スパッタ室１０５に運ばれた基
板１０２は、図３に拡大して示すように、搬送テーブル
１０６によってスパッタ源１０７に設けられるマスク１
０８の下端面に密着するように押し上げられる。スパッ
タ成膜を行う成膜室１０９は、外囲器１１０内に内接し
た防着シールド１１２ａ，１１２ｂと前記マスク１０８
により形成されている。そして、この成膜室１０９は、
基板１０２の無いときにマスク１０８の空間１１１を通
して、図示しないターボ分子ポンプにより排気される。
【０００７】上記基板１０２は、マスク１０８で支持さ
れるとともに、該基板１０２の非成膜部分はマスク１０
８で遮蔽される。マスク１０８は、高精度に製作されて
おり、その熱膨張力を利用して外囲器１１０に密着固定
される。また、Ａｌ製ターゲット１１３は、ターゲット
冷却プレート１１４に固定されてカソード電極を構成す
ると共に、磁石１１５と共に成膜室１０９内に磁界を形
成する。なお、磁石１１５は、前記成膜室１０９の中心
から偏心回転するように取り付けられており、形成磁界
の均一化によりターゲット１１３の利用効率化を図って
いる。
【０００８】カソード電極は、ターゲット面で７５Ｗ／
ｃｍ2 程度の放電電界を形成するが、成膜時のターゲッ
ト１１３の温度上昇を摂氏２００〜３００度以下に抑え
るため、ターゲット冷却プレート１１４内にリング状に
空洞を形成し、給水パイプ１１６を介して冷却水が供給
される。また、成膜室１０９内には、成膜に必要なアル
ゴンガスがガス導入管１１７から供給される。成膜時の
圧力は０．２〜５．０（ｐａ）の範囲内で使用される。
なお、このマグネトロンスパッタリング装置は、使用者
によって使用条件が異なるから、内部の圧力も上記のよ
うに広い範囲にわたることが知られている。
【０００９】上記構成のマグネトロンスパッタリング装
置においては、Ａｌ製のターゲット１１３がアルゴンガ
ス原子によりたたかれることにより、スパッタリング作
用が起こり、基板１０２の表面にＡｌの膜が形成され
る。そして、成膜後は放電停止され、基板１０２は再び
搬送テーブル１０６に載置されて搬送され、搬送装置１
０３を経て取り出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したマ
グネトロンスパッタリング装置においては、順次搬送さ
れてくる基板１０２への成膜は１枚あたり６秒程度の短
いサイクルで行われている。したがって、実際に成膜す
るに要する時間は、ターゲット１１３に電界を供給して
いる２秒間程度の極めて短い間で行われる。
【００１１】ところが、その短い時間内に成膜するに当
たっては、現状のマスク１０８では基板１０２の表面に
スパッタ膜を均一に成膜することができない。その原因
として、図４及び図５に示すように、基板１０２の中央
部分をマスクするセンターマスク部分１１８と、基板外
周縁部分をマスクする外周マスク部分１１９とを連結す
る４本の支柱１２０が設けられているためである。すな
わち、これら支柱１２０は基板１０２のスパッタ面上に
設けられることから、ターゲット１１３から叩き出され
た原子又は分子はこの支柱１２０によって遮られ、結果
として基板１０２の表面に成膜されたスパッタ膜は不均
一となる。
【００１２】そこで本発明は、上述の課題を解決するべ
く提案されたものであって、常に再現性良く、基板上に
均一な被膜層を形成することができるマグネトロンスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ターゲットの
後方に配置される磁界印加手段によって直交電磁界を印
加させながら円盤状をなす基板のスパッタ形成面にスパ
ッタ膜を成膜させるようにしたマグネトロンスパッタリ
ング装置である。このマグネトロンスパッタリング装置
では、スパッタ形成面側の基板中央部分に密着してこの
基板中央部分をマスクするセンターマスクと、基板外周
縁部分に密着してこの基板外周縁部分をマスクする外周
マスクとを独立させることにより、上述の課題を解決す
る。
【００１４】また、本発明のマグネトロンスパッタリン
グ装置では、円盤状をなす基板のスパッタ形成面にスパ
ッタ膜を成膜させるターゲットと、上記ターゲットのタ
ーゲット面とは反対側に取付けられ、該ターゲットを冷
却するターゲット冷却部材と、このターゲットの後方に
配置され、直交電磁界を印加する磁界印加手段を有す
る。さらに、上記ターゲット冷却部材に取付けられ、ス
パッタ形成面側の基板中央部分に密着してこの基板中央
部分をマスクするセンターマスクと、外囲器に取付けら
れ、基板外周縁部分に密着してこの基板外周縁部分をマ
スクする外周マスクとからなる独立マスク構造をとる。
そしてさらに、基板をセンターマスクと外周マスクに対
して近接する方向と離れる方向に上下動させる基板保持
用ピンを備え、上記センターマスクを、絶縁部材を介し
てターゲットとターゲット冷却部材に対して絶縁させた
状態で、該ターゲット冷却部材に取付けることにより、
上述の課題を解決する。
【００１５】上記絶縁部材を、センターマスクの中心軸
方向に設けられる貫通孔に挿入されターゲット冷却部材
に締結される絶縁体又は絶縁処理された締結部材と、セ
ンターマスクの基板との接触面とは反対側の基端側外周
面に嵌合する絶縁体又は絶縁処理されたホルダーとによ
って構成することにより、上述の課題を解決する。
【００１６】センターマスクは、締結部材、ホルダー及
び基板保持用ピンを介して冷却する。また、センターマ
スクを、スパッタリング時に基板保持用ピンと接触させ
て陽極電位化させる。
【００１７】
【作用】本発明のマグネトロンスパッタリング装置にお
いては、基板のスパッタ形成面側の基板中央部分に密着
してこの基板中央部分をマスクするセンターマスクと、
基板外周縁部分に密着してこの基板外周縁部分をマスク
する外周マスクとを独立させているので、スパッタ膜を
成膜すべきスパッタ形成面上にはこのスパッタ形成面を
遮るものは一切無い。したがって、基板のスパッタ形成
面にスパッタ膜を成膜すれば、均一な被膜層が得られ
る。
【００１８】また、本発明においては、センターマスク
を、絶縁部材を介して陰極電位とされるターゲットとタ
ーゲット冷却部材に対し絶縁させた状態で、該ターゲッ
ト冷却部材に取付け、しかもスパッタリング時に基板保
持用ピンと接触させてセンターマスクを陽極電位化させ
ているので、当該センターマスクが陽極電極として確実
に機能する。
【００１９】さらに、本発明においては、絶縁部材を、
センターマスクの中心軸方向に設けられる貫通孔に挿入
されターゲット冷却部材に締結される絶縁体又は絶縁処
理された締結部材と、センターマスクの基板との接触面
とは反対側の基端側外周面に嵌合する絶縁体又は絶縁処
理されたホルダーとによって構成しているので、センタ
ーマスクとターゲット又はターゲット冷却部材との絶縁
性が確実に図れる。
【００２０】そしてさらに、本発明においては、センタ
ーマスクを、締結部材、ホルダー、基板保持用ピンを介
して冷却しているので、スパッタリングによって高熱化
されるセンターマスクの冷却化がなされる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら具体的に説明する。本実施例の
マグネトロンスパッタリング装置は、図１に示すよう
に、主としてターゲット１と、円盤状をなすディスク基
板２の所定部分をマスクするセンターマスク３と外周マ
スク４と、直交電磁界を印加する磁界印加手段である磁
石５とを備えてなる。
【００２２】ターゲット１は、カソード電極として機能
すると共にディスク基板２のスパッタ形成面２ａにスパ
ッタ膜を成膜するためのものである。例えば、光ディス
クを製造する場合には、ターゲット１としてアルミを用
いる。かかるターゲット１は、少なくともディスク基板
２の外径寸法よりも大とされた円盤体として形成され、
その外周縁部分のみ厚みが薄くなされている。逆の見か
たをすると、ディスク基板２と対向する中央部分が突出
した円盤体として形成されている。
【００２３】そして、このターゲット１のアルゴン等の
原子が衝突するターゲット面１ａとは反対側の面には、
該ターゲット１を冷却するターゲット冷却部材６が設け
られている。ターゲット冷却部材６は、ターゲット１の
外径寸法と略同一の外径寸法とされた円盤として形成さ
れている。
【００２４】このターゲット冷却部材６には、冷水を循
環させる冷水循環用孔（図示は省略する。）が板厚の略
中央部分に空洞の孔として形成されている。その冷水循
環用孔の入口側には冷水を供給するための冷水供給用パ
イプ７が接続されると共に、出口側には循環した冷水を
排出する冷水排出用パイプ８が接続されている。
【００２５】したがって、冷水供給用パイプ７より導入
された冷水は、ターゲット冷却部材６の冷水循環用孔を
循環し、このターゲット冷却部材６と接して設けられる
ターゲット１を冷却せしめた後、循環し終えた冷水を冷
水排出用パイプ８より排出するようになっている。これ
により、スパッタリング時のターゲット１の温度上昇を
抑えることができる。
【００２６】磁石５は、アルゴンガス雰囲気中でターゲ
ット１を叩く原子に対して直交電磁界を印加するように
なっている。かかる磁石５は、ターゲット冷却部材６を
挟んでターゲット１と反対側の後方に、回動軸９の先端
部に対して偏心した位置に取付けられている。したがっ
て、磁石５が偏心回転することにより、形成磁界が均一
化され、ターゲット１の利用効率が向上する。
【００２７】センターマスク３は、基板中央部分をマス
クするためのもので、該ディスク基板２のスパッタ形成
面側の基板中央部分に密着して当該ディスク基板２を保
持するようになっている。かかるセンターマスク３は、
上記ディスク基板２と密着する側が大径の円盤状とされ
たいわゆる裾広がり形状をなす円筒体として形成されて
いる。
【００２８】そして、このセンターマスク３の中心軸方
向には、当該センターマスク３をターゲット冷却部材６
に固定するための絶縁体又は絶縁処理された締結部材で
あるボルト１０を挿入させる貫通孔１１が形成されてい
る。その貫通孔１１の開口端側には、後述する基板保持
用ピンのディスクセンタリング部材が臨みセンターマス
ク３と接触するセンタリング部材嵌合部１７が形成され
ている。このセンタリング部材嵌合部１７は、ディスク
センタリング部材が嵌合して設けられる大きさのへこみ
として形成されている。
【００２９】なお、上記ボルト１０に絶縁体を用いる場
合には、セラミックス，プラスチック，ＰＴＦＥ（ポリ
テトラフルオロエチレン）等の絶縁体物がいずれも適用
できる。
【００３０】また、このセンターマスク３のターゲット
１に導入される部分は、外径寸法が若干小とされた先細
り形状とされている。そのセンターマスク３の先細り部
分とされた段差面とターゲット面１ａとの間には、ター
ゲット１とセンターマスク３の絶縁を図るための絶縁体
又は絶縁処理された円環状のスペーサ１２が介在されて
いる。かかるスペーサ１２を絶縁体で形成する場合に
は、先のボルト１０と同じ絶縁体物が使用できる。
【００３１】また、そのセンターマスク３の先細り部分
とされた外周囲には、センターマスク３をターゲット１
及びターゲット冷却部材６に対して絶縁するための絶縁
体又は絶縁処理されたホルダー１３が設けられている。
かかるホルダー１３は、上記センターマスク３の先細り
部分に嵌合して設けられる一方が開放された有底の円筒
体として形成され、上記ターゲット１の中心に穿設され
たホルダー取付け孔１５に嵌合するようになされてい
る。なお、このホルダー１３を絶縁体で形成する場合
は、やはり先のボルト１０、スペーサ１２と同じ絶縁体
物が使用できる。
【００３２】そして、このホルダー１３の底面には、上
記センターマスク３の貫通孔１１に挿入されたボルト１
０の先端部を臨ませる円形状をなすボルト挿入用孔１４
が設けられている。また、このセンターマスク３の底面
側には、上記ホルダー１３をホルダー取付け孔１５に嵌
合させたときに当該ホルダー１３が脱落しないように、
外周囲より張り出して形成されるフランジ部１６が設け
られている。
【００３３】一方、外周マスク４は、ディスク基板２の
外周縁部分に密着してこの基板外周縁部分をマスクする
役目をするもので、センターマスク３とは独立して図示
しない成膜室を構成する外囲器に取付けられている。か
かる外周マスク４は、ターゲット１の突出部分の外径寸
法と略同一寸法とされた止まり孔１８と、ディスク基板
２の外径寸法よりも若干小径とされた円形状の貫通孔と
して形成されるセンター孔１９とを有した円盤体として
形成されている。そして、上記外周マスク４のディスク
基板２の外周縁部分と密着する密着面４ａは、ディスク
基板２を水平に保ちスパッタ膜を均一なものとなすため
に、センターマスク３の密着面３ａと面一となるように
されている。
【００３４】上記センターマスク３と外周マスク４の密
着面３ａ，４ａにディスク基板２を密着させるには、基
板保持用ピン２０によって行われる。基板保持用ピン２
０は、ディスク基板２を載置し、このディスク基板２を
センターマスク３と外周マスク４に対して図中矢印Ｘで
示す近接する方向と離れる方向に上下動させるシリンダ
２１のシャフト２２の先端部に取付けられ、該シャフト
２２を通じて陽極電位化されている。
【００３５】この基板保持用ピン２０には、ディスク基
板２の中心部に設けられる円形状の貫通孔に嵌合してこ
のディスク基板２をセンタリングするディスクセンタリ
ング部材２３と、センタリングされたディスク基板２を
支持するディスク載置テーブル２４とが設けられてい
る。
【００３６】ディスクセンタリング部材２３は、ディス
ク基板２の中心部に形成された貫通孔内に臨んでこのデ
ィスク基板２をセンタリングするもので、先端側に行く
に従って除々に先細りとされるいわゆる截頭円錐形とし
て突出形成されている。このディスクセンタリング部材
２３の基端側の外周囲には、ディスク基板２を安定に支
持するための円盤状をなすディスク載置テーブル２４が
設けられている。
【００３７】スパッタリング時には、ディスク基板２は
ディスク載置テーブル２４上に載置された状態でシリン
ダ２１によって上昇せしめられ、基板中央部分にセンタ
ーマスク３が密着すると共に、基板外周縁部分に外周マ
スク４が密着して当該ディスク基板２がこれらマスクに
よって支持される。この結果、ディスク基板２にスパッ
タ膜を形成すべきスパッタ形成面２ａはマスクに覆われ
ることなく全て露出する形となり、スパッタ形成面２ａ
上に成膜されるスパッタ膜が均一となる。
【００３８】また、このとき、基板保持用ピン２０のデ
ィスクセンタリング部材２３がセンターマスク３のセン
タリング部材嵌合部１７に嵌合して接触することにな
る。この結果、センターマスク３が陽極電位化される。
このとき、センターマスク３は、ターゲット１及びター
ゲット冷却部材６に対し絶縁体又は絶縁処理されたボル
ト１０，スペーサ１２，ホルダー１３によって確実に絶
縁せしめられるので、陽極電位化が確実なものとなる。
【００３９】また、スパッタリング時においては、セン
ターマスク３が高温にさらされるが、ターゲット冷却部
材６に接触して設けられるホルダー１３及びボルト１０
を介してセンターマスク３がこのターゲット冷却部材６
によって冷却せしめられる。
【００４０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のマグネトロンスパッタリング装置においては、基板
のスパッタ形成面側の基板中央部分に密着してこの基板
中央部分をマスクするセンターマスクと、基板外周縁部
分に密着してこの基板外周縁部分をマスクする外周マス
クとを独立させているので、スパッタ膜を成膜すべきス
パッタ形成面上にはこのスパッタ形成面を遮るものは一
切無く、スパッタ形成面にスパッタ膜を均一な膜として
成膜することができる。この結果、例えば光ディスクを
製造する場合には、膜厚のばらつきから生ずる光学特性
の変化が無く、信頼性の高い光ディスクを歩留り良く製
造することができる。
【００４１】また、本発明においては、センターマスク
を、絶縁部材を介して陰極電位とされるターゲットとタ
ーゲット冷却部材に対し絶縁させた状態で、該ターゲッ
ト冷却部材に取付け、しかもスパッタリング時に基板保
持用ピンと接触させてセンターマスクを陽極電位化させ
ているので、当該センターマスクが陽極電極として確実
に機能する。
【００４２】さらに、本発明においては、絶縁部材を、
センターマスクの中心軸方向に設けられる貫通孔に挿入
されターゲット冷却部材に締結される絶縁体又は絶縁処
理された締結部材と、センターマスクの基板との接触面
とは反対側の基端側外周面に嵌合する絶縁体又は絶縁処
理されたホルダーとによって構成しているので、センタ
ーマスクとターゲット又はターゲット冷却部材との絶縁
性を確実に図ることができる。
【００４３】そしてさらに、本発明においては、センタ
ーマスクを、締結部材、ホルダー、基板保持用ピンを介
して冷却しているので、スパッタリングによって高熱化
されるセンターマスクを確実に冷却することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例のマグネトロンスパッタリング装置を
一部破断して示す正面図である。
【図２】従来の連続スパッタリング装置の一構成を示す
正面図である。
【図３】図２に示す連続スパッタリング装置の要部拡大
断面図である。
【図４】従来のマスクを示す平面図である。
【図５】従来のマスクの断面図である。
【符号の説明】
１ ターゲット ２ ディスク基板 ２ａ スパッタ形成面 ３ センターマスク ４ 外周マスク ５ 磁石 ６ ターゲット冷却部材 １０ ボルト １２ スペーサ １３ ホルダー ２０ 基板保持用ピン ２１ シリンダ ２２ シャフト ２３ ディスクセンタリング部材 ２４ ディスク載置テーブル

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ターゲットの後方に配置される磁界印加
    手段によって直交電磁界を印加させながら円盤状をなす
    基板のスパッタ形成面にスパッタ膜を成膜させるように
    したマグネトロンスパッタリング装置において、 上記スパッタ形成面側の基板中央部分に密着してこの基
    板中央部分をマスクするセンターマスクと、基板外周縁
    部分に密着してこの基板外周縁部分をマスクする外周マ
    スクとを独立させたことを特徴とするマグネトロンスパ
    ッタリング装置。
  2. 【請求項２】 円盤状をなす基板のスパッタ形成面にス
    パッタ膜を成膜させるターゲットと、 上記ターゲットのターゲット面とは反対側に取付けら
    れ、該ターゲットを冷却するターゲット冷却部材と、 ターゲットの後方に配置され、直交電磁界を印加する磁
    界印加手段と、 ターゲット冷却部材に取付けられ、スパッタ形成面側の
    基板中央部分に密着してこの基板中央部分をマスクする
    センターマスクと、 外囲器に取付けられ、基板外周縁部分に密着してこの基
    板外周縁部分をマスクする外周マスクと、 基板をセンターマスクと外周マスクに対して近接する方
    向と離れる方向に上下動させる基板保持用ピンとを備
    え、 上記センターマスクは、絶縁部材を介してターゲットと
    ターゲット冷却部材に対して絶縁された状態で、該ター
    ゲット冷却部材に取付けられていることを特徴とするマ
    グネトロンスパッタリング装置。
  3. 【請求項３】 絶縁部材は、センターマスクの中心軸方
    向に設けられる貫通孔に挿入されターゲット冷却部材に
    締結される絶縁体又は絶縁処理された締結部材と、セン
    ターマスクの基板との接触面とは反対側の基端側外周面
    に嵌合する絶縁体又は絶縁処理されたホルダーとからな
    ることを特徴とする請求項２記載のマグネトロンスパッ
    タリング装置。
  4. 【請求項４】 センターマスクは、締結部材、ホルダー
    及び基板保持用ピンを介して冷却されていることを特徴
    とする請求項２又は３記載のマグネトロンスパッタリン
    グ装置。
  5. 【請求項５】 センターマスクは、スパッタリング時に
    基板保持用ピンと接触して陽極電位化されることを特徴
    とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載され
    るマグネトロンスパッタリング装置。
JP00395094A 1994-01-19 1994-01-19 スパッタリング装置 Expired - Fee Related JP3398452B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00395094A JP3398452B2 (ja) 1994-01-19 1994-01-19 スパッタリング装置
US08/371,227 US6159350A (en) 1994-01-19 1995-01-11 Magnetron sputtering apparatus and mask
GB9500594A GB2286201B (en) 1994-01-19 1995-01-12 Magnetron sputtering apparatus and mask
AT0005895A AT402944B (de) 1994-01-19 1995-01-17 Magnetron-zerstäubervorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00395094A JP3398452B2 (ja) 1994-01-19 1994-01-19 スパッタリング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07207428A true JPH07207428A (ja) 1995-08-08
JP3398452B2 JP3398452B2 (ja) 2003-04-21

Family

ID=11571399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00395094A Expired - Fee Related JP3398452B2 (ja) 1994-01-19 1994-01-19 スパッタリング装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6159350A (ja)
JP (1) JP3398452B2 (ja)
AT (1) AT402944B (ja)
GB (1) GB2286201B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008108349A1 (ja) * 2007-03-06 2008-09-12 Shibaura Mechatronics Corporation プラズマ処理装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5800687A (en) * 1996-04-13 1998-09-01 Singulus Technologies Gmbh Device for masking or covering substrates
DE19614600C1 (de) * 1996-04-13 1997-04-24 Singulus Technologies Gmbh Vorrichtung zum Maskieren und Abdecken von Substraten
JP3096258B2 (ja) * 1997-07-18 2000-10-10 芝浦メカトロニクス株式会社 毎葉式マグネトロンスパッタ装置
US7125462B2 (en) 2002-06-18 2006-10-24 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Method of making vehicle windshield using coating mask
JP4653418B2 (ja) * 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置および光ディスクの製造方法
JP4653419B2 (ja) * 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
US7815782B2 (en) * 2006-06-23 2010-10-19 Applied Materials, Inc. PVD target
CN103114273B (zh) * 2013-03-08 2015-01-28 浙江蓝特光学股份有限公司 一种利用磁控溅射镀膜机镀外缘全封闭带的工艺

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4469719A (en) * 1981-12-21 1984-09-04 Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material
JPS61113141A (ja) * 1984-11-06 1986-05-31 Toshiba Ii M I Kk 情報記録媒体の製造システム
JPS62116761A (ja) * 1985-11-15 1987-05-28 Sanyo Electric Co Ltd マスキング装置
DE3735284A1 (de) * 1987-10-17 1989-04-27 Leybold Ag Vorrichtung nach dem karussell-prinzip zum beschichten von substraten
DE3912295C2 (de) * 1989-04-14 1997-05-28 Leybold Ag Katodenzerstäubungsanlage
DE3919147C2 (de) * 1989-06-12 1998-01-15 Leybold Ag Verfahren zum Beschichten eines Kunststoffsubstrats mit Aluminium
GB2235808A (en) * 1989-08-11 1991-03-13 Ernest Peter Small Optically readable data carriers
DE4020659C2 (de) * 1990-06-29 1997-09-11 Leybold Ag Katodenzerstäubungsvorrichtung
EP0496036B1 (en) * 1991-01-25 1994-12-14 Sony Corporation A sputtering apparatus
JP2725944B2 (ja) * 1991-04-19 1998-03-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 金属層堆積方法
US5174880A (en) * 1991-08-05 1992-12-29 Hmt Technology Corporation Magnetron sputter gun target assembly with distributed magnetic field
DE4128340C2 (de) * 1991-08-27 1999-09-23 Leybold Ag Zerstäubungskathodenanordnung nach dem Magnetron-Prinzip für die Beschichtung einer kreisringförmigen Beschichtungsfläche
JPH0578833A (ja) * 1991-09-20 1993-03-30 Shibaura Eng Works Co Ltd スパツタリング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008108349A1 (ja) * 2007-03-06 2008-09-12 Shibaura Mechatronics Corporation プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6159350A (en) 2000-12-12
JP3398452B2 (ja) 2003-04-21
GB9500594D0 (en) 1995-03-01
GB2286201B (en) 1997-04-16
GB2286201A (en) 1995-08-09
ATA5895A (de) 1997-02-15
AT402944B (de) 1997-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100532805B1 (ko) 기판상의 박막 증착 장치 및 방법
JP3398452B2 (ja) スパッタリング装置
JP3096258B2 (ja) 毎葉式マグネトロンスパッタ装置
JPH09228038A (ja) 中空のターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置
EP1493838A1 (en) Replacement unit and replacement method for substrate in thin-film forming device
JPH0925570A (ja) スパッタリング式被膜コーティング・ステーション、スパッタリング式被膜コートする方法、および真空処理装置
JP2004022154A (ja) 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法
JPH01309965A (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPH07331434A (ja) マグネトロンスパッタリング装置
TW588349B (en) Disk-like substrate sputtering device, substrate chucking method in the device, method of producing disk-like recording medium using the device
EP1496135A1 (en) Spattering device, method of forming thin film by spattering, and method of manufacturing disk-like recording medium using the device
JP2004022153A (ja) 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法
CN1647180A (zh) 将基片传递给用于盘形基片的薄膜形成装置的方法、基片传递机构和该方法中使用的掩模 ,以及使用该方法的盘形记录媒体制造方法
JP2559546B2 (ja) スパッタリング装置
JP2756158B2 (ja) スパッタ装置
JPH01116068A (ja) バイアススパッタ装置
JPH06108240A (ja) スパッタリング源
KR100697165B1 (ko) 원판형 기판용 성막 장치에 대한 기판의 교환 방법, 상기방법에 이용되는 기판 교환 기구 및 기판 홀더 및 상기방법을 이용한 디스크형 기록 매체의 제조 방법
JPH0578833A (ja) スパツタリング装置
JPS63125674A (ja) 真空成膜装置
JPH02301558A (ja) スパッタ装置
KR100697164B1 (ko) 원판형 기판용 성막 장치에 대한 기판의 교환 방법, 상기방법에 이용되는 기판 교환 기구 및 기판 홀더, 및 상기방법을 이용한 디스크형 기록 매체의 제조 방법
JPH05320900A (ja) 基板保持体及び基板保持方法
JP2000064044A (ja) 枚葉式マグネトロンスパッタ装置
JPS61243173A (ja) マグネトロンスパツタ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030107

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080214

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080214

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080214

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090214

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100214

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees