JPH07331434A - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 センターマスクの温度上昇を抑え、且つ異常
放電の発生を無くし、さらにターゲット材料効率を改善
して連続スパッタリングを可能となす。 【構成】 ターゲット１の後方に配置される磁石５によ
って直交電磁界を印加させながらディスク基板２のスパ
ッタ形成面２ａにスパッタ膜を成膜させるようにしたマ
グネトロンスパッタリング装置において、センターマス
ク３の上部に内周ヨーク１９を、ターゲット１の外周縁
近傍部に外周ヨーク２７とサイドヨーク２８を配置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、光ディスク等
の如き円盤状をなす基板のスパッタ形成面にアルミニュ
ーム（Ａｌ）被膜等を成膜するのに用いて好適なマグネ
トロンスパッタリング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】デジタル化された音声情報や画像情報を
大量に記録するのに、いわゆるコンパクトディスク（以
下、ＣＤと略称する。）等の如き光ディスクが広く使用
されるようになってきた。光ディスクは、例えばポリカ
ーボネート等の透明な合成樹脂性基板の表面にスパッタ
リングにより光反射率の高いＡｌ薄膜層が形成されて構
成され、「１」か「０」のデジタル情報に合わせて、そ
の基板にピット（ｐｉｔ）と称する小さな孔を開け、そ
の孔の有無をレーザー光の反射波の有無によりその記録
情報を読み出し得るものである。

【０００３】１枚のディスクへの薄膜形成は、比較的短
時間で可能なことから、多数のディスクを連絡的（１枚
づつ連続しての意）にスパッタするために、例えば図４
に示すような構成が採用されている。

【０００４】図４は、マグネトロンスパッタリング装置
の主要な機構のみを取り出して示した構成図で、先ずベ
ルトコンベア等の外部搬送装置１０１により次々と搬送
されてくるＣＤ等の基板１０２は、軸中心に回転及び上
下方向に移動可能な円盤状の搬送装置１０３の吸着パッ
ト１０４に吸着されスパッタ室１０５に搬送される。

【０００５】スパッタ室１０５では、同じく軸中心に回
転及び上下方向に移動可能な搬送テーブル１０６に載置
され、順次スパッタ源１０７によりスパッタ成膜が行わ
れる。スパッタ成膜後の基板１０２は、再び搬送テーブ
ル１０６に載置され、搬送装置１０３を経て外部に取り
出される。

【０００６】ところで、スパッタ室１０５に運ばれた基
板１０２は、図５に拡大して示すように、搬送テーブル
１０６によってスパッタ源１０７に設けられるマスク１
０８の下端面に密着するように押し上げられる。スパッ
タ成膜を行う成膜室１０９は、外囲器１１０内に内接し
た防着シールド１１２ａ，１１２ｂと前記マスク１０８
により形成されている。そして、この成膜室１０９は、
基板１０２の無いときにマスク１０８の空間１１１を通
して、図示しないターボ分子ポンプにより排気される。

【０００７】上記基板１０２は、マスク１０８で支持さ
れるとともに、該基板１０２の非成膜部分はマスク１０
８で遮蔽される。マスク１０８は、高精度に製作されて
おり、その熱膨張力を利用して外囲器１１０に密着固定
される。また、Ａｌ製ターゲット１１３は、ターゲット
冷却プレート１１４に固定されてカソード電極を構成す
ると共に、磁石１１５と共に成膜室１０９内に磁界を形
成する。なお、磁石１１５は、前記成膜室１０９の中心
から偏心回転するように取り付けられており、形成磁界
の均一化によりターゲット１１３の利用効率化を図って
いる。

【０００８】カソード電極は、ターゲット面で７５Ｗ／
ｃｍ² 程度の放電電界を形成するが、成膜時のターゲッ
ト１１３の温度上昇を摂氏２００〜３００度以下に抑え
るため、ターゲット冷却プレート１１４内にリング状に
空洞を形成し、給水パイプ１１６を介して冷却水が供給
される。また、成膜室１０９内には、成膜に必要なアル
ゴンガスがガス導入管１１７から供給される。成膜時の
圧力は０．２〜５．０（ｐａ）の範囲内で使用される。
なお、このマグネトロンスパッタリング装置は、使用者
によって使用条件が異なるから、内部の圧力も上記のよ
うに広い範囲にわたることが知られている。

【０００９】上記構成のマグネトロンスパッタリング装
置においては、Ａｌ製のターゲット１１３がアルゴンガ
ス原子により叩かれることにより、スパッタリング作用
が起こり、基板１０２の表面にＡｌの膜が形成される。
そして、成膜後は放電停止され、基板１０２は再び搬送
テーブル１０６に載置されて搬送され、搬送装置１０３
を経て取り出される。

【００１０】ところで、上述したマグネトロンスパッタ
リング装置においては、順次搬送されてくる基板１０２
への成膜は１枚あたり６秒程度の短いサイクルで行われ
ている。したがって、実際に成膜するに要する時間は、
ターゲット１１３に電界を供給している２秒間程度の極
めて短い間で行われる。

【００１１】ところが、その短い時間内に成膜するに当
たっては、現状のマスク１０８では基板１０２の表面に
スパッタ膜を均一に成膜することができない。その原因
として、図６及び図７に示すように、基板１０２の中央
部分をマスクするセンターマスク部分１１８と、基板外
周縁部分をマスクする外周マスク部分１１９とを連結す
る４本の支柱１２０が設けられているためである。

【００１２】すなわち、これら支柱１２０は基板１０２
のスパッタ面上に設けられることから、ターゲット１１
３から叩き出された原子又は分子はこの支柱１２０によ
って遮られる。この結果、基板１０２のスパッタ面に成
膜されたスパッタ膜は、不均一なものとなる。

【００１３】そこで本願出願人は、上述の課題を解決す
べく鋭意検討を行った結果、スパッタ膜を不均一なもの
となす支柱を廃止し、センターマスクと外周マスクを独
立させるように構成したマグネトロンスパッタリング装
置を考えた。

【００１４】かかるマグネトロンスパッタリング装置
は、図８に示すように、ターゲット１２１を取付けるタ
ーゲット冷却部材１２２にセンターマスク１２３をボル
ト１２４によって固定し、このセンターマスク１２３に
対して支柱の無い外周マスク１２５を別個独立としたも
のである。その他の構成は、従来の装置とほぼ同じであ
り、マグネット１２６はターゲット１２１の後方に配置
され、基板１２７のマスク１２３，１２５への着脱装置
はシリンダーよりなる基板保持用ピン１２８によって行
われる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このマグネ
トロンスパッタリング装置を用いて連続スパッタリング
を行ったところ、以下の原因により連続スパッタリング
を行うことが困難であった。第１に、センターマスク１
２３の温度上昇が、基板材料（例えばポリカーボネー
ト）の熱変形温度（約１２０℃）以上になり、該センタ
ーマスク１２３に基板１２７が溶着してしまう。

【００１６】第２に、センターマスク１２３をターゲッ
ト冷却部材１２２に固定するボルト１２４を挿入させる
ボルト挿入用貫通孔１２９にガスが溜まり、孔部及びそ
の周辺部に異常放電が発生し、安定したスパッタリング
ができない。第３に、ターゲット１２１が局所的に減少
するため、材料効率が悪い。

【００１７】そこで本発明は、上述の従来の有する課題
を解決するために提案されたものであって、センターマ
スクの温度上昇を抑え、且つ異常放電の発生を無くし、
さらにターゲットの材料効率を改善して連続スパッタリ
ングが行えるマグネトロンスパッタリング装置を提供す
る。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明のマグネトロンス
パッタリング装置では、円盤状をなす基板のスパッタ形
成面にスパッタ膜を成膜させるターゲットと、上記ター
ゲットのターゲット面とは反対側に取付けられ、該ター
ゲットを冷却するターゲット冷却部材と、このターゲッ
トの後方に配置され、直交電磁界を印加する磁界印加手
段とを有する。そして、スパッタ膜の均一化を図るべ
く、ターゲット冷却部材に取付けられ、スパッタ形成面
側の基板中央部分に密着してこの基板中央部分をマスク
するセンターマスクと、外囲器に取付けられ、基板外周
縁部分に密着してこの基板外周縁部分をマスクする外周
マスクを独立させた独立マスク構造をとる。

【００１９】そしてさらに、基板をセンターマスクと外
周マスクに対して近接する方向と離れる方向に上下動さ
せる基板保持用ピンと、センターマスクのターゲット冷
却部材に取付けられる基端部分を覆って設けられる磁性
体よりなる内周ヨークとを備えることにより、上述の課
題を解決する。

【００２０】また、本発明の装置においては、異常放電
の発生を無くすために、センターマスクの中心軸方向に
貫通する貫通孔に達するガス抜き孔を、このセンターマ
スクの外周面に設ける。

【００２１】さらに、ターゲットの材料効率を改善する
ために、ターゲットの外周縁近傍部に、いずれも磁性体
よりなる外周ヨークとサイドヨークを設ける。

【００２２】

【作用】本発明のマグネトロンスパッタリング装置にお
いては、外周マスクに対して独立させたセンターマスク
のターゲット冷却部材に取付けられる基端部分を覆って
磁性体よりなる内周ヨークを設けているので、この内周
ヨークにより磁力線方向が制御されてプラズマがセンタ
ーマスクから離れ、その結果、センターマスクの温度上
昇が抑えられる。

【００２３】また、本発明のマグネトロンスパッタリン
グ装置においては、センターマスクの中心軸方向に貫通
する貫通孔に達するガス抜き孔を、このセンターマスク
の外周面に設けているので、貫通孔内に溜まるガスがこ
のガス抜き孔を通って外へと放出される。したがって、
ガスが溜まることによる異常放電の発生が抑えられ、安
定したスパッタリングが行える。

【００２４】さらに、本発明のマグネトロンスパッタリ
ング装置においては、内周ヨークに加え、ターゲットの
外周縁近傍部にいずれも磁性体よりなる外周ヨークとサ
イドヨークを設けているので、これらヨークによる磁気
回路によってターゲット面上の磁場が調整され、均一な
スパッタリングがなされる。その結果、ターゲットが局
所的に減少するようなことが起こらず、均一にターゲッ
トが減ることになり、ターゲットの材料効率が高まる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら具体的に説明する。本実施例の
マグネトロンスパッタリング装置は、図１に示すよう
に、主としてターゲット１と、円盤状をなすディスク基
板２の所定部分をマスクするセンターマスク３と外周マ
スク４と、直交電磁界を印加する磁界印加手段である磁
石５とを備えてなる。

【００２６】ターゲット１は、カソード電極として機能
すると共にディスク基板２のスパッタ形成面２ａにスパ
ッタ膜を成膜するためのものである。例えば、光ディス
クを製造する場合には、ターゲット１としてアルミを用
いる。かかるターゲット１は、少なくともディスク基板
２の外径寸法よりも大とされた円盤体として形成され、
その外周縁部分のみ厚みが薄くなされている。逆の見か
たをすると、ディスク基板２と対向する中央部分が突出
した円盤体として形成されている。

【００２７】そして、このターゲット１のアルゴン等の
原子が衝突するターゲット面１ａとは反対側の面には、
該ターゲット１を冷却するターゲット冷却部材６が設け
られている。ターゲット冷却部材６は、例えば銅等の材
料によって、ターゲット１の外径寸法と略同一の外径寸
法とされた円盤として形成されている。

【００２８】このターゲット冷却部材６には、冷水を循
環させる冷水循環用孔（図示は省略する。）が板厚の略
中央部分に空洞の孔として形成されている。その冷水循
環用孔の入口側には冷水を供給するための冷水供給用パ
イプ７が接続されると共に、出口側には循環した冷水を
排出する冷水排出用パイプ８が接続されている。

【００２９】したがって、冷水供給用パイプ７より導入
された冷水は、ターゲット冷却部材６の冷水循環用孔を
循環し、このターゲット冷却部材６と接して設けられる
ターゲット１を冷却せしめた後、循環し終えた冷水を冷
水排出用パイプ８より排出するようになっている。これ
により、スパッタリング時のターゲット１の温度上昇を
抑えることができる。

【００３０】磁石５は、アルゴンガス雰囲気中でターゲ
ット１を叩く原子に対して直交電磁界を印加するように
なっている。かかる磁石５は、ターゲット冷却部材６を
挟んでターゲット１と反対側の後方に、回動軸９の先端
部に対して偏心した位置に取付けられている。したがっ
て、磁石５が偏心回転することにより、形成磁界が均一
化され、ターゲット１の利用効率が向上する。

【００３１】センターマスク３は、基板中央部分をマス
クするためのもので、該ディスク基板２のスパッタ形成
面側の基板中央部分に密着して当該ディスク基板２を保
持するようになっている。かかるセンターマスク３は、
図３に示すように、上記ディスク基板２と密着する側が
大径の円盤状とされた，いわゆる裾広がり形状をなす円
筒体として形成されている。

【００３２】そして、このセンターマスク３の中心軸方
向には、当該センターマスク３をターゲット冷却部材６
に固定するための絶縁体又は絶縁処理された締結部材で
あるボルト１０を挿入させる貫通孔１１が形成されてい
る。この貫通孔１１には、異常放電の原因と考えられる
ガスが溜まり易いため、当該貫通孔１１に達するガス抜
き孔１２がセンターマスク３の外周面に形成されてい
る。かかるガス抜き孔１２は、ターゲット１に保持され
る部分を除く部分に、上記貫通孔１１につながる横孔と
して形成されている。このガス抜き孔１１を設けること
により、上記貫通孔１１に溜まるガスが外方へ放出され
ることになる。

【００３３】また、上記貫通孔１１の開口端側には、後
述する基板保持用ピンのディスクセンタリング部材が臨
みセンターマスク３と接触するセンタリング部材嵌合部
１３が形成されている。このセンタリング部材嵌合部１
３は、ディスクセンタリング部材が嵌合して設けられる
大きさのへこみとして形成されている。

【００３４】なお、上記ボルト１０に絶縁体を用いる場
合には、セラミックス，プラスチック，ＰＴＦＥ（ポリ
テトラフルオロエチレン）等の絶縁体物がいずれも適用
できる。

【００３５】また、このセンターマスク３のターゲット
１に導入される部分は、外径寸法が若干小とされた先細
り形状とされている。そのセンターマスク３の先細り部
分とされた段差面とターゲット面１ａとの間には、ター
ゲット１とセンターマスク３の絶縁を図るための絶縁体
又は絶縁処理された円環状のスペーサ１４が介在されて
いる。かかるスペーサ１４を絶縁体で形成する場合に
は、先のボルト１０と同じ絶縁体物が使用できる。

【００３６】また、そのセンターマスク３の先細り部分
とされた外周囲には、センターマスク３をターゲット１
及びターゲット冷却部材６に対して絶縁するための絶縁
体又は絶縁処理されたホルダー１５が設けられている。
かかるホルダー１５は、上記センターマスク３の先細り
部分に嵌合して設けられる一方が開放された有底の円筒
体として形成され、上記ターゲット１の中心に形成され
たホルダー取付け孔１６にその先端部を嵌合させるよう
になっている。なお、このホルダー１５を絶縁体で形成
する場合は、やはり先のボルト１０、スペーサ１４と同
じ絶縁体物が使用できる。

【００３７】そして、このホルダー１５の底面には、上
記センターマスク３の貫通孔１１に挿入されたボルト１
０の先端部を臨ませる円形状をなすボルト挿入用孔１７
が設けられている。さらに、このセンターマスク３の底
面側には、上記ホルダー１５の先端部をホルダー取付け
孔１６に嵌合させたときに当該ホルダー１５が脱落しな
いように、外周囲より張り出して形成されるフランジ部
１８が設けられている。

【００３８】また、このホルダー１５の外周囲には、プ
ラズマによるセンターマスク３の温度上昇を抑えるため
に、磁性体よりなる内周ヨーク１９が設けられている。
この内周ヨーク１９は、ホルダー１５をその内部にほぼ
完全に収容するに足る大きさとされると共に、ターゲッ
ト冷却部材６側よりターゲット面１ａ側へ行くに従っ
て、次第にその外形寸法が小さくなるような截頭円錐形
状として形成されている。

【００３９】この内周ヨーク１９が設けられることによ
り、磁力線方向が制御され、プラズマがセンターマスク
３より離れ、当該センターマスク３の温度上昇が抑えら
れる。したがって、センターマスク３がディスク基板材
料の熱変形温度以上になるようなことが起こらず、該セ
ンターマスク３のディスク基板２への溶着が回避され
る。

【００４０】一方、外周マスク４は、ディスク基板２の
外周縁部分に密着してこの基板外周縁部分をマスクする
役目をするもので、センターマスク３とは独立して図示
しない成膜室を構成する外囲器に取付けられている。か
かる外周マスク４は、ターゲット１の突出部分の外径寸
法と略同一寸法とされた止まり孔２０と、ディスク基板
２の外径寸法よりも若干小径とされた円形状の貫通孔と
して形成されるセンター孔２１とを有した円盤体として
形成されている。そして、上記外周マスク４のディスク
基板２の外周縁部分と密着する密着面４ａは、ディスク
基板２を水平に保ちスパッタ膜を均一なものとなすため
に、センターマスク３の密着面３ａと面一となるように
されている。

【００４１】上記センターマスク３と外周マスク４の密
着面３ａ，４ａにディスク基板２を密着させるには、基
板保持用ピン２２によって行われる。基板保持用ピン２
２は、ディスク基板２を載置し、このディスク基板２を
センターマスク３と外周マスク４に対して図中矢印Ｘで
示す近接する方向と離れる方向に上下動させるシリンダ
２３のシャフト２４の先端部に取付けられ、該シャフト
２４を通じて陽極電位化されている。

【００４２】この基板保持用ピン２２には、ディスク基
板２の中心部に設けられる円形状の貫通孔に嵌合してこ
のディスク基板２をセンタリングするディスクセンタリ
ング部材２５と、センタリングされたディスク基板２を
支持するディスク載置テーブル２６とが設けられてい
る。

【００４３】ディスクセンタリング部材２５は、ディス
ク基板２の中心部に形成された貫通孔内に臨んでこのデ
ィスク基板２をセンタリングするもので、先端側に行く
に従って除々に先細りとされるいわゆる截頭円錐形とし
て突出形成されている。このディスクセンタリング部材
２５の基端側の外周囲には、ディスク基板２を安定に支
持するための円盤状をなすディスク載置テーブル２６が
設けられている。

【００４４】スパッタリング時には、図２に示すよう
に、ディスク基板２はディスク載置テーブル２６上に載
置された状態でシリンダ２４によって上昇せしめられ、
基板中央部分にセンターマスク３が密着すると共に、基
板外周縁部分に外周マスク４が密着して当該ディスク基
板２がこれらマスクによって支持される。この結果、デ
ィスク基板２にスパッタ膜を形成すべきスパッタ形成面
２ａはマスクに覆われることなく全て露出する形とな
り、スパッタ形成面２ａ上に成膜されるスパッタ膜が均
一となる。

【００４５】また、このとき、基板保持用ピン２２のデ
ィスクセンタリング部材２５がセンターマスク３のセン
タリング部材嵌合部１３に嵌合して接触することにな
る。この結果、センターマスク３が陽極電位化される。
このとき、センターマスク３は、ターゲット１及びター
ゲット冷却部材６に対し絶縁体又は絶縁処理されたボル
ト１０，スペーサ１４，ホルダー１５によって確実に絶
縁せしめられるので、陽極電位化が確実なものとなる。

【００４６】また、スパッタリング時においては、セン
ターマスク３が高温にさらされるが、ターゲット冷却部
材６に接触して設けられるホルダー１５及びボルト１０
を介してセンターマスク３がこのターゲット冷却部材６
によって冷却せしめられる。

【００４７】そして、このマグネトロンスパッタリング
装置では、ターゲット表面上の磁場を調整し均一なスパ
ッタリングをさせてターゲットの材料効率を高めるため
に、内周ヨーク１９に加え、やはり磁性体よりなる外周
ヨーク２７とサイドヨーク２８をターゲット１の外周縁
近傍部にそれぞれ設けている。

【００４８】外周ヨーク２７は、外周マスク４とほぼ同
一外形寸法を有した断面略Ｌ字状をなすリングとして形
成されている。この外周マスク４は、ターゲット冷却部
材６と対向する面に形成される円環状の嵌合溝に嵌まり
込む形で設けられている。

【００４９】一方、サイドヨーク２８は、ターゲット１
の段差部分に配置される円環状をなすアノードリング２
９の内周面に固定されている。アノードリング２９は、
ターゲット１に接触しないように所定の隙間を持ってタ
ーゲット冷却部材６に対してボルト等によって固定され
ている。

【００５０】そして、このアノードリング２９に取付け
られるサイドヨーク２８は、断面長方形のリングとして
形成され、ターゲット１の突出部分を取り囲むようにし
て設けられている。また、このサイドヨーク２８は、外
周ヨーク２７に対してセンターマスク３寄りに設けられ
ている。したがって、内周ヨーク１９、サイドヨーク２
８、外周ヨーク２７の順で外側へと順次配置されてい
る。

【００５１】このような関係でヨーク１９，２７，２８
を配置することにより、磁力線方向がターゲット表面１
ａ上に均一に分布するようになり、ターゲット１が局所
的に減少するようなことが回避される。その結果、ター
ゲット１が均一に減るため、ターゲット１の材料効率を
改善できる。

【００５２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のマグネトロンスパッタリング装置によれば、センタ
ーマスクの上部に磁性体よりなる内周ヨークを設けるよ
うにしたので、この内周ヨークにより磁力線方向を制御
してプラズマをセンターマスクから離すことが可能とな
り、センターマスクの温度上昇を抑制することができ
る。したがって、センターマスクの温度上昇が基板材料
の熱変形温度以上になるようなことが無くなり、該セン
ターマスクの基板への溶着が回避できる。

【００５３】また、本発明のマグネトロンスパッタリン
グ装置によれば、センターマスクをターゲット冷却部材
に取付けるための締結部材を臨ませる貫通孔に達するガ
ス抜き孔をセンターマスクの外周面に設けたので、貫通
孔に溜まるガスをこのガス抜き孔より外方へ効率良く放
出することができ、当該ガスが原因として生じる異常放
電の発生を回避することができる。

【００５４】さらに、本発明のマグネトロンスパッタリ
ング装置によれば、内周ヨークと外周ヨークとサイドヨ
ークを所定位置に配置しているので、これらヨークによ
る磁気回路によってターゲット表面上での磁場が調整さ
れ、均一なスパッタリングを行うことができ、ターゲッ
トの材料効率を高めることができる。

【００５５】したがって、本発明のマグネトロンスパッ
タリング装置を用いれば、連続してスパッタリングを行
うことができ、生産性の向上並びにコストの低下を実現
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例のマグネトロンスパッタリング装置を
一部破断して示す正面図である。

【図２】本実施例のマグネトロンスパッタリング装置を
一部破断して示すもので、ディスク基板をマスクに密着
させた状態を示す正面図である。

【図３】センターマスクの取付け部分を拡大して示す要
部拡大断面図である。

【図４】従来の連続スパッタリング装置の一構成例を示
す正面図である。

【図５】従来の連続スパッタリング装置の要部拡大断面
図である。

【図６】従来のマスクを示す平面図である。

【図７】従来のマスクの断面図である。

【図８】さらに従来のスパッタリング装置を一部破断し
て示す正面図である。

【符号の説明】

１ ターゲット ２ ディスク基板 ２ａ スパッタ形成面 ３ センターマスク ４ 外周マスク ５ 磁石 ６ ターゲット冷却部材 １０ ボルト １２ ガス抜き孔 １５ ホルダー １９ 内周ヨーク ２２ 基板保持用ピン ２３ シリンダ ２５ ディスクセンタリング部材 ２６ ディスク載置テーブル ２７ 外周ヨーク ２８ サイドヨーク

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円盤状をなす基板のスパッタ形成面にス
   パッタ膜を成膜させるターゲットと、 上記ターゲットのターゲット面とは反対側に取付けら
   れ、該ターゲットを冷却するターゲット冷却部材と、 ターゲットの後方に配置され、直交電磁界を印加する磁
   界印加手段と、 ターゲット冷却部材に取付けられ、スパッタ形成面側の
   基板中央部分に密着してこの基板中央部分をマスクする
   センターマスクと、 外囲器に取付けられ、基板外周縁部分に密着してこの基
   板外周縁部分をマスクする外周マスクと、 基板をセンターマスクと外周マスクに対して近接する方
   向と離れる方向に上下動させる基板保持用ピンと、 上記センターマスクのターゲット冷却部材に取付けられ
   る基端部分を覆って設けられる磁性体よりなる内周ヨー
   クとを備えたマグネトロンスパッタリング装置。
2. 【請求項２】 センターマスクには、該センターマスク
   をターゲット冷却部材に取付けるための締結部材をその
   中心軸方向に挿入させる貫通孔が形成されると共に、こ
   の貫通孔に達するガス抜き孔がセンターマスク外周面に
   設けられていることを特徴とする請求項１記載のマグネ
   トロンスパッタリング装置。
3. 【請求項３】 ターゲットの外周縁近傍部に、いずれも
   磁性体よりなる外周ヨークとサイドヨークが設けられて
   いることを特徴とする請求項１又は２記載のマグネトロ
   ンスパッタリング装置。
4. 【請求項４】 サイドヨークは外周ヨークよりもセンタ
   ーマスク寄りに設けられると共に、外周ヨークはサイド
   ヨークに対してターゲット冷却部材に近接した位置に設
   けられていることを特徴とする請求項３記載のマグネト
   ロンスパッタリング装置。