JP2018519427A - スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリア、少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための装置、および少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積する方法 - Google Patents

Abstract

スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリア（１００）が、提供される。キャリア（１００）は、キャリア本体（１０２）と、キャリア本体（１０２）に設けられた絶縁部とを含む。絶縁部は、電気絶縁材料の表面（１０３）を提供し、表面（１０３）は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成される。
【選択図】図８

Description

本明細書に記載の実施形態は、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリア、少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための装置、および少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積する方法に関する。本明細書に記載の実施形態は、特に、ＡＣスパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのパシベートされたキャリアに関する。

基板上への層堆積技術は、例えば、熱蒸発、化学気相堆積（ＣＶＤ）およびスパッタリング堆積を含む。スパッタ堆積プロセスを用いて、絶縁材料の層などの材料層を基板上に堆積させることができる。スパッタ堆積プロセス中に、基板上に堆積されるべきターゲット材料を有するターゲットは、プラズマ領域で生成されたイオンの衝突を受け、ターゲットの表面からターゲット材料の原子を叩き出す。叩き出された原子は、基板上に材料層を形成することができる。反応性スパッタ堆積プロセスでは、叩き出された原子は、プラズマ領域内のガス、例えば窒素または酸素と反応して、基板上にターゲット材料の酸化物、窒化物または酸窒化物を形成することができる。

コーティングされた基板は、例えば、半導体デバイスおよび薄膜電池に使用することができる。リチウムイオン電池などの薄膜電池は、携帯電話、ノートブック、埋め込み型医療機器などの、ますます多くの用途に使用されている。薄膜電池は、例えばフォームファクタ、サイクル寿命、電力容量および安全性に関して有益な特性を提供する。

キャリアが、薄膜電池の製造に使用されるスパッタ堆積プロセスなどの堆積プロセス中に、基板を支持するために使用されることができる。スパッタ堆積プロセス中に、真空処理チャンバ内の電位差に起因してアーク放電が発生する可能性がある。アーク放電は、例えば、キャリアおよび／または基板を損傷する可能性がある。さらに、アーク放電は、基板上に堆積された材料層の均質性および／または純度に影響を及ぼす可能性がある。

前述の観点から、当技術分野の少なくともいくつかの問題を克服する、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアを提供する必要がある。本開示は、特に、真空処理チャンバ内でのアーク放電の発生を低減するかまたは回避することさえできるキャリア、装置、および方法を提供することを目的とする。本開示は、少なくとも１つの基板上に堆積された材料層の改善された均質性および純度を可能にするキャリア、装置および方法を、さらに目的とする。

上記に照らして、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリア、少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための装置、および少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積する方法が、提供される。本開示の実施形態のさらなる態様、利点、および特徴は、従属請求項、明細書および添付の図面から明らかである。

本開示の一態様によれば、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアが提供される。キャリアは、キャリア本体と、キャリア本体に設けられた絶縁部とを含み、絶縁部は、電気絶縁材料の表面を提供し、表面は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成される。

本開示の別の態様によれば、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアが提供される。キャリアは、２つ以上のセグメントを有するキャリア本体を含み、２つ以上のセグメントは、少なくとも１つの基板を支持するように構成され、２つ以上のセグメントは、互いから電気的に絶縁される。

本開示のさらに別の態様によれば、少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための装置が提供される。本装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内の１つ以上のスパッタ堆積源と、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアとを含む。キャリアは、キャリア本体と、キャリア本体に設けられた絶縁部とを含み、絶縁部は、電気絶縁材料の表面を提供し、表面は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成される。

本開示の別の態様によれば、少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための装置が提供される。本装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内の１つ以上のスパッタ堆積源と、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアとを含む。キャリアは、２つ以上のセグメントを有するキャリア本体を含み、２つ以上のセグメントは、少なくとも１つの基板を支持するように構成され、２つ以上のセグメントは、互いに電気的に絶縁される。

本開示の一態様によれば、少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための方法が提供される。本方法は、少なくとも１つの基板をキャリア上に配置することと、ＡＣスパッタ堆積プロセスを用いて少なくとも１つの基板上に材料の層を堆積させることとを含む。キャリアは、キャリア本体と、キャリア本体に設けられた絶縁部とを含み、絶縁部は、電気絶縁材料の表面を提供し、表面は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成される。

本開示の別の態様によれば、少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための方法が提供される。本方法は、少なくとも１つの基板をキャリア上に配置することと、ＡＣスパッタ堆積プロセスを用いて少なくとも１つの基板上に材料の層を堆積させることとを含む。キャリアは、２つ以上のセグメントを有するキャリア本体を含み、２つ以上のセグメントは、少なくとも１つの基板を支持するように構成され、２つ以上のセグメントは、互いに電気的に絶縁される。

実施形態は、開示された方法を実施するための装置にも向けられ、記載された方法の態様の各々を実行するための装置部分を含む。これらの方法の態様は、ハードウェアコンポーネントによって、適切なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータによって、これら２つの任意の組み合わせによって、または他の任意の方法で実行することができる。さらに、本開示による実施形態は、記載された装置を動作させる方法も対象とする。記載された装置を動作させる方法は、本装置のすべての機能を実行するための方法の態様を含む。

本開示の実施形態の上述の特徴が詳細に理解され得るように、本明細書に記載された実施形態を参照することによって、上で簡潔に要約された実施形態のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、本開示の実施形態に関するものであり、以下に説明される。

本明細書に記載の実施形態による、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアの正面図を示す。 図１のキャリアの断面側面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、コーティングを有するキャリアの断面側面図を示す。 本明細書に記載の別の実施形態による、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアの正面図を示す。 本明細書に記載のさらに別の実施形態による、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアの正面図を示す。 図５Ａのキャリアの断面側面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、２つのセグメントを有するキャリアの正面図を示す。 本明細書に記載の別の実施形態による、２つのセグメントを有するキャリアの正面図を示す。 本明細書に記載のさらに別の実施形態による、２つのセグメントを有するキャリアの正面図を示す。 本明細書に記載の実施形態によるキャリアを利用したスパッタ堆積のための装置の概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態によるスパッタ堆積の方法を示すフローチャートを示す。

ここで、本開示の様々な実施形態を詳細に参照し、その１つ以上の実施例を図に示す。以下の図面の説明において、同じ参照番号は、同じ構成要素を指す。一般に、個々の実施形態に関する相違点のみが記載されている。各実施例は、本開示の実施形態の説明のために提供され、実施形態の限定を意味するものではない。さらに、一実施形態の一部として図示または説明された特徴は、他の実施形態で使用されるか、または他の実施形態と共に使用されて、さらなる実施形態をもたらすことができる。本説明は、そのような変更および変形を含むことが、意図されている。

キャリアは、スパッタ堆積プロセス中に基板を支持するために使用することができる。スパッタ堆積プロセス中に、真空処理チャンバ内の電位差に起因するアーク放電が発生することがある。アーク放電は、例えば、キャリアおよび／または基板を損傷する可能性がある。さらに、アーク放電は、基板上に堆積された材料層の均質性および／または純度に影響を及ぼす可能性がある。

本開示の実施形態は、電気的に絶縁されたまたはパシベートされたキャリアを提供する。一例として、キャリアは、キャリアを電気的に絶縁またはパシベートするために、絶縁部および／または２つ以上の電気的に絶縁されたセグメントを有することができる。キャリアは、電位に対する感受性が低減され、アーク放電の発生を低減または回避することさえできる。アーク放電による基板の損傷を防止することができる。さらに、アーク放電は、スパッタ堆積プロセスに影響を及ぼすことも、妨げることもなく、基板上に堆積された材料層の均質性が改善され得る。アーク放電によって生成された粒子による材料層の汚染が、低減でき、または回避さえできる。

本明細書で使用される「アーク放電」という用語は、異なる電位を有する２点間の電気的なフラッシュオーバを指す。一例として、「アーク放電」は、異なる電位を有する２つの点の間、すなわち、２つの点の間に電位差がある２つの点の間の空間を流れる電流として理解することができる。電位差が閾値を超えると、アーク放電が発生する可能性がある。閾値は、「フラッシュオーバ電圧」または「スパークオーバ」電圧と呼ぶことができる。異なる電位の２つの点は、スパッタ堆積源（例えば、ターゲット）、および、例えば、キャリアの一部またはキャリアとスパッタ堆積源が置かれている真空処理チャンバ内に設けられた別の点によって提供することができる。

本明細書に記載された実施形態は、例えばリチウム電池製造またはエレクトロクロミック窓のための大面積基板上へのスパッタ堆積に利用することができる。一例として、本明細書に記載された実施形態によるキャリアによって支持された大面積基板上に、１つ以上の薄膜電池を形成することができる。いくつかの実施形態によれば、大面積基板は、約０．６７ｍ^２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に対応するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、または約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０でもよい。ＧＥＮ１１およびＧＥＮ１２などのさらに大きな世代ならびに対応する基板面積を、同様に実施することができる。

いくつかの実施形態によれば、キャリアは、２つ以上の基板を支持するように構成されている。一例として、大きなキャリア（例えば、Ｇｅｎ４．５の堆積ウィンドウを有する）上のインレイ部またはサブキャリア（例えば、ＤＩＮ Ａ５、Ａ４またはＡ３）上に配置された基板の配列を使用することができる。

本発明の実施形態は、例えば、薄膜電池、エレクトロクロミック窓およびディスプレイ、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどの製造に使用することができる。

本明細書で使用する「基板」という用語は、特に、ガラス板や金属板などの柔軟性のない基板を包含する。しかしながら、本開示はこれに限定されず、「基板」という用語は、ウェブまたはフォイルなどの可撓性基板を包含することもできる。いくつかの実施形態によれば、基板は、材料堆積に適した任意の材料から作製することができる。例えば、基板は、ガラス（例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、雲母または堆積プロセスによってコーティングされ得る任意の他の材料もしくは材料の組み合わせからなる群から選択される材料から作製することができる。

図１は、本明細書に記載の実施形態による、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリア１００を示す。図２は、線Ｘ−Ｘ’に沿ったキャリア１００の断面側面図を示す。

キャリア１００は、キャリア本体１０２と、キャリア本体１０２に設けられた絶縁部とを含む。絶縁部は、電気絶縁材料の表面１０３を提供する。表面１０３は、スパッタ堆積プロセス、例えばＡＣスパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源（図示せず）に面するように構成される。キャリア１００は、異なる電位に対する感受性が低減され、アーク放電の発生を低減または回避することさえできる。アーク放電による基板の損傷を回避することができる。さらに、アーク放電は、スパッタ堆積プロセスに影響を及ぼすことも、妨げることもなく、基板上に堆積された材料層の均質性が改善され得る。アーク放電によって生成された粒子による材料層の汚染が、低減でき、または回避さえできる。

ＡＣスパッタ堆積プロセスは、カソード電圧の符号が所定の速度、例えば１３．５６ＭＨｚ、詳細には２７．１２ＭＨｚ、より詳細には４０．６８ＭＨｚ、または１３．５６ＭＨｚの別の倍数で変化するスパッタ堆積プロセスである。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、ＡＣスパッタ堆積プロセスは、ＨＦ（高い周波数）またはＲＦ（無線周波数）スパッタ堆積プロセスとすることができる。しかしながら、本開示は、ＡＣスパッタ堆積プロセスに限定されず、本明細書に記載の実施形態は、ＤＣスパッタ堆積プロセスなどの他のスパッタ堆積プロセスで使用することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、電気絶縁材料は、非導電性材料、セラミック材料、ガラスセラミック材料、およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、絶縁材料は、酸化アルミニウム、例えばＡｌ_２Ｏ_３であってもよい。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア本体１０２は、アルミニウム合金などの導電性材料で作ることができる。他の例では、キャリア本体１０２は、電気絶縁材料で、例えば、絶縁部または絶縁部の表面を作るのと同じ電気絶縁材料で、作ることができる。

非導電性材料または絶縁体は、特に導電性材料と比較して、導電性が乏しいかまたは全くない材料として理解することができる。非導電性材料または絶縁体は、半導体または導体よりも高い抵抗率を有する。一例として、導電性材料または絶縁体は、２０℃で少なくとも１０^１０（Ω・ｍ）、具体的には２０℃で少なくとも１０^１４（Ω・ｍ）、より具体的には２０℃で少なくとも１０^１６（Ω・ｍ）の抵抗率を有する。

ガラスセラミック材料（例えば、Ｃｅｒａｎ（登録商標））は、ベースガラスの制御された結晶化によって製造される多結晶材料として理解することができる。本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、ガラスセラミック材料は、限定されないが、Ｌｉ_２Ｏ ｘ Ａｌ_２Ｏ_３ ｘ ｎＳｉＯ_２系（ＬＡＳ系）、ＭｇＯ ｘ Ａｌ_２Ｏ_３ｘ ｎＳｉＯ_２系（ＭＡＳ系）、ＺｎＯ ｘ Ａｌ_２Ｏ_３ ｘ ｎＳｉＯ_２系（ＺＡＳ系）、及びこれらの任意の組合せを含む群から選択することができる。

いくつかの実施形態では、絶縁材料は、キャリア本体１０２の表面を少なくとも部分的に覆う。いくつかの実施形態では、絶縁材料は、キャリア本体１０２の表面または表面積の少なくとも３０％を覆うことができる。詳細には、絶縁材料は、キャリア本体１０２の表面または表面積の少なくとも５０％を覆うことができる。より詳細には、絶縁材料は、キャリア本体１０２の表面または表面積の１００％を覆うことができる。一例として、キャリア本体１０２のほぼ全表面が、絶縁材料で覆われている。

本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、基板は、前面および裏面を含むことができ、前面は、スパッタ堆積プロセスにおいて材料層が堆積される面である。言い換えれば、前面は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源の方に向いている基板の面とすることができる。前面および裏面は、基板の互いに反対側の面とすることができる。言い換えれば、裏面は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源の方に向いていない基板の面とすることができる。

他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア本体１０２は、プレートであってもよい。キャリア本体１０２は、基板の裏面などの基板の表面を支持することができる。他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、キャリア本体１０２は、１つ以上のフレーム要素を有するフレームを含むことができ、またはフレームであることができる。一例として、キャリア本体１０２は、長方形のフレームであってもよい。

いくつかの実施形態では、キャリア本体１０２は、アパーチャ開口部１１０を有することができる。一例として、アパーチャ開口部１１０は、キャリア本体１０２の１つ以上のフレーム要素によって画定され得る。アパーチャ開口部１１０は、少なくとも１つの基板を収容できるように構成することができる。一例として、アパーチャ開口部１１０は、１つの基板を収容できるように構成することができ、または２つ以上の基板を収容できるように構成することができる。フレーム形状のキャリア本体は、例えば基板の周辺に沿って基板の表面を支持することができる。いくつかの実施形態では、フレーム形状のキャリア本体を使用して、基板をマスクすることができる。

アパーチャ開口部１１０は、可変サイズを有することができる。一例として、基板をアパーチャ開口部１１０内に配置することができ、アパーチャ開口部１１０のサイズを小さくして、基板縁部で基板を保持またはクランプすることができる。基板がキャリア１００から取り出されるとき、アパーチャ開口部１１０のサイズを大きくして、基板縁部を離すことができる。これに加えてまたはこれに代えて、キャリアは、基板をキャリア１００に保持するように構成された１つ以上の保持デバイスを含むことができる。

図３Ａ〜図３Ｃは、本明細書に記載の実施形態によるキャリアの断面側面図を示す。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、絶縁部は、キャリア本体１０２上のコーティング１１５である。言い換えれば、キャリア本体１０２は、絶縁材料で少なくとも部分的にコーティングされている。いくつかの実施形態では、コーティング１１５は、キャリア本体１０２の表面または表面積の少なくとも３０％を覆うことができる。詳細には、コーティング１１５は、キャリア本体１０２の表面または表面積の少なくとも５０％を覆うことができる。より詳細には、コーティング１１５は、キャリア本体１０２の表面または表面積の１００％を覆うことができる。一例として、キャリア本体１０２のほぼ全表面が、コーティング１１５で覆われている。

いくつかの実施形態では、キャリア本体１０２は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成された第１の表面１０４（例えば、前面）と、第２の表面１０５（例えば、裏面）とを含むことができる。第１の表面１０４および第２の表面１０５は、キャリア本体１０２の互いに反対側の表面とすることができる。一例として、第２の表面１０５は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面していないように構成されてもよい。少なくとも１つの基板を、第１の表面１０４に設けることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、絶縁部は、キャリア本体１０２の前面および／またはキャリア本体１０２の裏面の少なくとも一部を覆う。一例として、絶縁部は、キャリア本体１０２の前面の実質的に全部を覆い、および／またはキャリア本体１０２の裏面の実質的に全部を覆う。

キャリア本体１０２は、例えばキャリア本体１０２の上部における少なくとも１つの第１の側面１０６、および例えばキャリア本体１０２の底部における少なくとも１つの第２の側面１０７などの側面を、含むことができる。少なくとも１つの第１の側面１０６および少なくとも１つの第２の側面１０７は、「水平な側面」と呼ぶこともできる。キャリア本体１０２は、例えば、各々が、少なくとも１つの第１の側面１０６と少なくとも１つの第２の側面１０７とを接続する、少なくとも１つの第３の側面および少なくとも１つの第４の側面（図３Ａ〜図３Ｃの断面図には示されていない）を、さらに含むことができる。少なくとも１つの第３の側面および少なくとも１つの第４の側面は、「垂直な側面」と呼ぶこともできる。側面は、例えばキャリア本体１０２の外周または縁部を画定する外側側面を含むことができる。側面は、アパーチャ開口部１１０を画定する内側側面をさらに含むことができる。

図３Ａの例において、コーティング１１５は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成されたキャリア本体１０２の第１の表面１０４または前面を少なくとも部分的に覆うことができる。いくつかの実施形態では、コーティング１１５は、キャリア本体１０２の第１の表面１０４の全部を覆う。

図３Ｂの例において、コーティング１１５は、第１の表面１０４または前面を少なくとも部分的にまたは完全に覆うことができ、且つ、少なくとも１つの第１の側面１０６および／または少なくとも１つの第２の側面１０７などの、キャリア本体１０２の１つ以上の（例えば、外側の）側面またはコーナー部を少なくとも部分的にまたは完全に覆うことができる。

図３Ｃに例示的に示すように、コーティング１１５は、キャリア本体１０２の第１の表面１０４または前面を少なくとも部分的にまたは完全に覆うことができ、キャリア本体１０２の第２の表面１０５または裏面を少なくとも部分的にまたは完全に覆うことができ、少なくとも１つの第１の側面１０６および／または少なくとも１つの第２の側面１０７などの、キャリア本体１０２の１つ以上の（例えば、外側の）側面またはコーナー部を少なくとも部分的にまたは完全に覆うことができる。図３Ａ〜図３Ｃの例には示されていないが、コーティング１１５は、アパーチャ開口部１１０を画定する内側側面の少なくとも一部を覆うこともできることを理解されたい。

いくつかの実施形態では、コーティング１１５またはパッシベーションは、１つ以上のスパッタ堆積源に面する領域（たとえば、キャリア本体の前面）、キャリアの前縁部および後縁部の狭い側部、キャリアの上部および底部における狭い側部、ならびにキャリアの裏側領域（例えば、裏面）に提供されてもよい。

本明細書の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、コーティング１１５は、５０〜６００μｍの範囲の厚さを有することができる。詳細には、コーティング１１５は、１００〜３００μｍの範囲の厚さを有することができる。より詳細には、コーティング１１５は、１５０〜２００μｍの範囲の厚さを有することができる。いくつかの実施形態では、コーティング１１５の厚さは、スパッタ堆積プロセス中の電位分布、例えば、１つ以上のスパッタ堆積源の電位、および／または１つ以上のスパッタ堆積源とキャリアまたはキャリア本体１０２との間の電位差に依存することができる。いくつかの実施形態では、コーティング１１５の厚さは、ＲＦスパッタ堆積プロセスによって生成されるキャリア表面における電圧差よりも大きくなるように選択することができる。

本明細書で使用される場合、用語「電位差」は、具体的には、１つ以上のスパッタ堆積源と基板との間、または１つ以上のスパッタ堆積源とキャリアとの間の電位差を指すことができる。一例として、電位値は、５０Ｖと６００Ｖの間、具体的には１００Ｖと４００Ｖの間、より具体的には２００Ｖと３００Ｖの間である。いくつかの実施形態では、コーティング１１５の厚さは、絶縁耐力、比誘電率および誘電損失角の少なくとも１つのような、コーティングに使用される材料の特性に依存する。

本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、コーティング１１５は、非導電性材料、セラミック材料、ガラスセラミック材料、およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含むことができる。詳細には、コーティング１１５は、酸化アルミニウム、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、または酸化ケイ素、例えば、ＳｉＯ_２を含むことができ、またはそれから作られることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア本体１０２および絶縁部は、電気絶縁材料で一体的に形成することができる。一例として、キャリア本体１０２および絶縁部は、単一の材料片で作ることができる。

図４は、本明細書に記載の実施形態によるキャリア４００の正面図を示す。キャリア４００は、基板１０を支持するように構成することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア４００は、上部バーなどの第１の搬送装置４２０と、底部バーなどの第２の搬送装置４３０とを含む。第１の搬送装置４２０および第２の搬送装置４３０は、処理装置、例えばインライン堆積ツールの搬送経路に沿ってキャリア４００を搬送するように構成することができる。搬送経路は、直線的な搬送経路とすることができる。一例として、１つ以上のスパッタ堆積源を直線的な搬送経路に沿って配置することができる。

本明細書の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア４００は、キャリア本体４０２を、上部バーなどの第１の搬送装置４２０、および底部バーなどの第２の搬送装置４３０に接続する１つ以上の絶縁接続部４４０を含む。いくつかの実施形態では、絶縁接続部４４０は、ポリマー材料で作ることができる。一例として、絶縁接続部４４０は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で作ることができる。いくつかの実施形態によれば、キャリア本体４０２は、例えばスパッタ堆積プロセスの間、キャリア４００または少なくともキャリア本体４０２を電気的に絶縁するために、電気絶縁材料の表面４０４を提供する絶縁部を有する。

図５Ａは、本明細書に記載の実施形態による、スパッタ堆積プロセス中に２つ以上の基板１０を支持するように構成されたキャリア５００の正面図を示す。図５Ｂは、図５Ａのキャリア５００の断面図を示す。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア５００は、インレイ部５２０を収容するように構成されたアパーチャ開口部５１０を有するキャリア本体５０２を含む。インレイ部５２０は、２つ以上の基板１０を支持するように構成することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、インレイ部５２０は、５個以上の基板、詳細には１０個以上の基板、より詳細には２０個以上の基板を支持するように構成することができる。

いくつかの実施形態によれば、インレイ部５２０は、プレートであってもよい。いくつかの実施形態では、インレイ部５２０は、キャリア５００またはキャリア本体５０２から取り外し可能に構成することができる。一例として、インレイ部５２０は、アパーチャ開口部５１０に取り付けられ、アパーチャ開口部５１０から取り外されるように構成することができる。インレイ部５２０は、アパーチャ開口部５１０のサイズに対応するサイズを有することができる。一例として、インレイ部５２０は、アパーチャ開口部５１０内に保持または固定することができる。

いくつかの実施形態では、キャリア５００は、キャリア本体５０２に設けられた絶縁部を含むことができる。絶縁部および／またはキャリア本体５０２およびインレイ部５２０は、電気絶縁材料で作ることができる、または電気絶縁材料でコーティングすることができる。言い換えれば、絶縁部および／またはキャリア本体５０２およびインレイ部５２０は、同じ材料で作ることができる、または同じ材料でコーティングすることができる。さらなる実施形態によれば、キャリア本体５０２およびインレイ部５２０は、異なる材料で作ることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、インレイ部５２０の表面は、電気絶縁材料で少なくとも部分的に覆われる。一例として、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成され、および／または少なくとも１つの基板を支持するように構成されたインレイ部５２０の表面（例えば、前面）が、少なくとも部分的に、具体的には完全に、電気絶縁材料で覆われる、またはコーティングされることができる。追加的または代替的に、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面していないように構成されたインレイ部５２０の別の表面（たとえば、裏面）が、少なくとも部分的に、具体的には完全に、電気絶縁材料で覆われる、またはコーティングされることができる。

図６Ａは、本明細書に記載の実施形態による、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリア６００の正面図を示す。キャリア６００は、第１のセグメント６０２ａおよび第２のセグメント６０２ｂなどの２つ以上のセグメントを有するキャリア本体６０２を含む。一例として、キャリア本体６０２は、２つ以上のセグメントを形成するように垂直に分割することができる。２つ以上のセグメントは、少なくとも１つの基板を支持するように構成される。

第１のセグメント６０２ａおよび第２のセグメント６０２ｂなどの２つ以上のセグメントは、互いに電気的に絶縁されている。２つ以上のセグメントは、キャリア６００がスパッタ堆積プロセス中に２つの異なる電位、例えば２つの異なるＲＦ電位またはプラズマ電位に曝される状況を低減または回避することさえできる。２つの異なる電位は、例えば、キャリア６００が、１つの堆積チャンバ内に並んで配置された２つのスパッタ堆積源を通過するときの、２つの異なるスパッタ堆積源に由来し得る。例えば、第１のセグメント６０２ａは、１つ以上のスパッタ堆積源の第１のスパッタ堆積源に面するように構成することができ、第２のセグメント６０２ｂは、１つ以上のスパッタ堆積源の第２のスパッタ堆積源に面するように構成することができる。

２つ以上のセグメントは、プレートまたはフレームであり得る。図６Ａ及び図６Ｂに示す例では、２つ以上のセグメントは、Ｃ字形であり、Ｃ字形の開いた部分が、互いの方に向けられている。一例として、第１のセグメント６０２ａは、「Ｃ」を形成することができ、第２のセグメント６０２ｂは、反転されたまたは鏡映された「Ｃ」を形成することができる。キャリア本体６０２は、例えば、２つ以上のセグメントによって提供または画定されるアパーチャ開口部６１０を有することができる。アパーチャ開口部６１０は、図５Ａおよび図５Ｂに関して説明したインレイ部を収容できるように構成することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア６００は、上部バーなどの第１の搬送装置６２０と、底部バーなどの第２の搬送装置６３０とを含む。第１の搬送装置６２０および第２の搬送装置６３０は、処理装置、例えばインライン堆積ツールの搬送経路に沿ってキャリア６００を搬送するように構成することができる。搬送経路は、直線的な搬送経路とすることができる。一例として、１つ以上のスパッタ堆積源を直線的な搬送経路に沿って配置することができる。

本明細書の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア６００は、キャリア本体６０２を、上部バーなどの第１の搬送装置６２０、および底部バーなどの第２の搬送装置６３０に接続する１つ以上の絶縁接続部６４０を含む。いくつかの実施形態では、絶縁接続部４４０は、ポリマー材料で作ることができる。一例として、絶縁接続部４４０は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で作ることができる。いくつかの実施形態では、２つ以上のセグメントは、２つ以上のセグメントの各セグメントに対して電気的に絶縁された共通の第１の搬送装置６２０（上部バー）および共通の第２の搬送装置６３０（底部バー）を有することができる。

いくつかの実施形態によれば、キャリア本体６０２は、第１のセグメント６０２ａと第２のセグメント６０２ｂとの間に間隙６１２を含むことができる。間隙６１２は、第１のセグメント６０２ａと第２のセグメント６０２ｂとを互いから電気的に分離するように構成することができる。本明細書で使用する「間隙」という用語は、２つ以上のセグメントが互いに接触しない２つ以上のセグメント間の領域または分離領域を指すことができる。一例として、第１のセグメント６０２ａと第２のセグメント６０２ｂは、互いに距離を置かれていてもよいし、互いに間隔を置かれていてもよい。いくつかの実施形態によれば、間隙６１２は、図６Ａに示すように、空の領域とすることができる。さらなる実施形態によれば、間隙６１２は、図６Ｂに示すように、絶縁体６１４で部分的または完全に充填することができる。絶縁体６１４は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などのポリマー材料、またはセラミックを含むことができ、またはそれらから作製することができる。

本開示のいくつかの実施形態によれば、スパッタ堆積源は、回転可能なスパッタ堆積源または回転可能なカソードであり得る。スパッタ堆積源は、回転軸の周りを回転可能であり得る。一例として、回転軸は、垂直回転軸であってもよい。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、間隙６１２は、１つ以上のスパッタ堆積源の回転軸に実質的に平行な方向に延びるように構成することができる。「実質的に平行」という用語は、例えば回転軸と間隙の、実質的に平行な向きに関連し、正確な平行の向きからの数度のずれ、例えば、１０°まで、または１５°までのずれでさえも、依然として「実質的に平行」とみなされる。しかし、本開示は、回転可能なスパッタ堆積源または回転可能なカソードに限定されない。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、スパッタ堆積源は、平面スパッタ堆積源または平面カソードであってもよい。その場合、間隙６１２は、平面スパッタ堆積源の延長された表面に実質的に平行に延びることができる。

一例として、間隙は、例えば、キャリア本体６０２を２つ以上のセグメントに垂直に分割することができる。キャリア本体６０２をスパッタ堆積源の回転軸に実質的に平行に分割する間隙は、キャリア６００が、２つの異なる電位、例えば、１つの堆積チャンバ内に並んで配置された２つの異なるスパッタ堆積源に由来する２つの異なるＲＦ電位またはプラズマ電位に曝される状況を低減または回避することさえできる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア６００は、キャリア本体６０２に設けられた絶縁部をさらに含むことができ、絶縁部は、電気絶縁材料の表面を提供する。電気絶縁材料の表面は、スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源（図示せず）に面するように構成することができる。本明細書に記載されたいくつかの実施形態によれば、キャリア６００の絶縁部は、図１〜図５を参照して説明した実施形態に従って構成することができる。一例として、絶縁部は、キャリア本体６０２上のコーティングとして設けることができる。

図７は、本明細書に記載のさらなる実施形態による、スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリア７００を示す。キャリア７００は、間隙７１２によって分離された第１のセグメント７０２ａおよび第２のセグメント７０２ｂを有するキャリア本体７０２を含む。間隙７１２は、図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明したように、例えば、空の間隙として、または絶縁体がその中に設けられて、構成することができる。

２つ以上のセグメントは、プレートまたはフレームであり得る。図７に示す例において、２つ以上のセグメントは、互いに隣接して配置されたＯ字形（例えばリング状）のフレームである。一例として、２つ以上のセグメントは、長方形のフレームであってもよい。第１のセグメント７０２ａは、第１の基板または第１のインレイ部を収容できるように構成された第１のアパーチャ開口部７１０ａを含むことができる。同様に、第２のセグメント７０２ｂは、第２の基板または第２のインレイ部を収容できるように構成された第２のアパーチャ開口部７１０ｂを含むことができる。第１のインレイ部および第２のインレイ部は、図５Ａおよび図５Ｂに関して説明したように構成することができる。

図８は、基板上のスパッタ堆積のための装置８００の概略図を示す。

本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、装置８００は、真空チャンバ８０２（「堆積チャンバ」または「真空処理チャンバ」とも呼ばれる）、真空チャンバ８０２内の第１のスパッタ堆積源８３０ａおよび第２のスパッタ堆積源８３０ｂなどの１つ以上のスパッタ堆積源、ならびにスパッタ堆積中に第１の基板８０１ａおよび第２の基板８０１ｂなどの少なくとも１つの基板を支持するためのキャリア８２０を含む。キャリア８２０は、セグメント化されたキャリアとして示されているが、キャリア８２０は、本明細書に記載の実施形態のいずれか１つに従って構成されてもよい。第１のスパッタ堆積源８３０ａおよび第２のスパッタ堆積源８３０ｂは、例えば、基板上に堆積される材料のターゲットを有する回転可能なカソードとすることができる。

図８に示すように、真空チャンバ８０２に隣接して別のチャンバを設けることができる。真空チャンバ８０２は、バルブハウジング８０４およびバルブユニット８０６を有するバルブによって、隣接するチャンバから分離することができる。少なくとも１つの基板をその上に有するキャリア８０５が、矢印１で示すように、真空チャンバ８０２に挿入された後、バルブユニット８０６を閉じることができる。真空チャンバ８０２内の雰囲気は、例えば真空チャンバに接続された真空ポンプを用いて、および／または真空チャンバ８０２内の堆積領域にプロセスガスを挿入することによって、技術的な真空を生成することによって個別に制御することができる。

いくつかの実施形態によれば、プロセスガスは、アルゴンなどの不活性ガスおよび／または酸素、窒素、水素およびアンモニア（ＮＨ_３）、オゾン（Ｏ_３）、活性化ガスなどの反応性ガスを含むことができる。真空チャンバ８０２内には、第１の基板８０１ａおよび第２の基板８０１ｂをその上に有するキャリア８２０を真空チャンバ８０２に出し入れするためにローラ８１０を設けることができる。

本明細書に記載の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、キャリア８２０は、スパッタ堆積プロセス中に第１の基板８０１ａおよび第２の基板８０１ｂを支持するように構成された、第１のセグメント８２２および第２のセグメント８２４などの２つ以上のセグメントを有するキャリア本体を含むことができる。図８に示すように、第１のセグメント８２２は、第１の基板８０１ａを支持することができ、第２のセグメント８２４は、第２の基板８０１ｂを支持することができる。

本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、例えば静的堆積プロセスで、第１のセグメント８２２は、第１のスパッタ堆積源８３０ａに面するように構成され、第２のセグメント８２４は、第２のスパッタ堆積源８３０ｂに面するように構成されることができる。キャリア８２０は、２つ以上のセグメントに垂直に分割されている。キャリア本体６０２を分割する間隙は、キャリア６００が、２つの異なる電位、例えば、１つの堆積チャンバ内に並んで配置された２つの異なるスパッタ堆積源に由来する２つの異なるＲＦ電位またはプラズマ電位に曝される状況を低減または回避さえするために、スパッタ堆積源の回転軸に実質的に平行にすることができる。

スパッタ堆積プロセスは、ＲＦ周波数（ＲＦ）スパッタ堆積プロセスとすることができる。一例として、ＲＦスパッタ堆積プロセスは、基板上に堆積される材料が誘電体材料である場合に使用することができる。ＲＦスパッタプロセスに使用される周波数は、約１３．５６ＭＨｚ以上であり得る。

本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、装置８００は、１つ以上のスパッタ堆積源に接続されたＡＣ電源８４０を有することができる。一例として、第１のスパッタ堆積源８３０ａおよび第２のスパッタ堆積源８３０ｂは、第１のスパッタ堆積源８３０ａおよび第２のスパッタ堆積源８３０ｂが交互にバイアスされ得るように、ＡＣ電源８４０に接続され得る。１つ以上のスパッタ堆積源は、同じＡＣ電源に接続することができる。他の実施形態では、各スパッタ堆積源は、それ自身のＡＣ電源を有することができる。

本明細書に記載の実施形態によれば、スパッタ堆積プロセスは、マグネトロンスパッタリングとして行うことができる。本明細書で使用される「マグネトロンスパッタリング」は、磁石アセンブリ、例えば磁場を生成することができるユニットを使用して実行されるスパッタリングを指す。そのような磁石アセンブリは、永久磁石からなることができる。この永久磁石は、回転可能なターゲット表面の下に生成された磁場内に自由電子が閉じ込められるように、回転可能なターゲットの内部に配置されるか、または平面のターゲットに結合され得る。このような磁石アセンブリは、平面カソードに結合して配置することもできる。マグネトロンスパッタリングは、限定するものではないが、ＴｗｉｎＭａｇ（商標）カソードアセンブリなどの、ダブルマグネトロンカソード、例えば、第１のスパッタ堆積源８３０ａおよび第２のスパッタ堆積源８３０ｂによって実現することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、装置８００は、少なくとも１つの基板上にリチウムまたはリチウム合金を堆積させるように構成することができる。いくつかの実施形態では、装置８００は、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２などの金属酸化物およびターゲット材料の少なくとも１つを堆積させるように構成することができる。ターゲット材料は、リチウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、チタン、マンガン、ニッケル、コバルト、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、銀、銅、およびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される１つ以上の元素を含むことができる。詳細には、装置は、少なくとも１つの基板上にリン酸リチウムオキシナイトライド（ＬｉＰＯＮ）を堆積させるように構成することができる。ＬｉＰＯＮは、薄膜電池の電解質材料として使用されるアモルファスガラス状材料である。ＬｉＰＯＮの層は、ＲＦマグネトロンスパッタリングによって、薄膜電池のカソード材料上に堆積されて、固体電解質を形成することができる。

本明細書に記載のキャリアおよびキャリアを利用する装置は、垂直基板処理に使用することができる。いくつかの実施形態によれば、本開示のキャリアは、実質的に垂直な向きで少なくとも１つの基板を保持するように構成される。用語「垂直基板処理」は、「水平基板処理」と区別するものと理解される。例えば、垂直基板処理は、基板処理中のキャリアおよび基板の実質的に垂直な向きに関連し、正確な垂直の向きからの数度のずれ、例えば、１０°まで、または１５°までのずれでさえも、依然として垂直基板処理とみなされる。垂直方向は、重力に実質的に平行であり得る。一例として、少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための装置８００は、垂直に配向された基板上にスパッタ堆積するように構成することができる。

いくつかの実施形態によれば、キャリアおよび基板は、堆積材料のスパッタリング中に静的または動的である。本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、例えば、薄膜電池製造のための動的スパッタ堆積プロセスを提供することができる。本開示の実施形態は、ＲＦプラズマを通って移動する導電性材料が、異なる電位に起因するアーク放電を引き起こす可能性があるため、このような動的スパッタ堆積プロセスにとって特に有益であり得る。本開示の実施形態によって提供される電気絶縁は、特に、キャリアが真空処理チャンバを通って移動するときに、アーク放電の発生を低減するか、または回避することさえできる。

図９は、本明細書に記載の実施形態による、少なくとも１つの基板上へのスパッタ堆積方法を示すフローチャートを示す。

この方法は、ブロック９０２において、本明細書に記載の実施形態によるキャリア上に少なくとも１つの基板を配置することを含む。一例として、キャリアは、キャリア本体と、キャリア本体に設けられた絶縁部とを含む。絶縁部は、電気絶縁材料の表面を提供する。キャリア本体は、追加的または代替的に、２つ以上のセグメントを有し、２つ以上のセグメントは、少なくとも１つの基板を支持するように構成され、２つ以上のセグメントは、互いから電気的に絶縁される。この方法は、ブロック９０４において、ＡＣスパッタ堆積プロセスを用いて、少なくとも１つの基板上に材料の層を堆積させることを、さらに含む。

本明細書に記載された実施形態によれば、少なくとも１つの基板上へのスパッタ堆積のための方法は、コンピュータプログラム、ソフトウェア、コンピュータソフトウェア製品、および相互に関連したコントローラによって実施することができ、コントローラは、ＣＰＵ、メモリ、ユーザインターフェース、および少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための装置の対応する構成要素と通信する入出力手段を有することができる。

本開示の実施形態は、電気的に絶縁されたまたはパシベートされたキャリアを提供する。一例として、キャリアは、キャリアを電気的に絶縁またはパシベートするために、絶縁部および／または２つ以上の電気的に絶縁されたセグメントを有することができる。キャリアは、電位に対する感受性が低減され、アーク放電の発生を低減または回避することさえできる。アーク放電による基板の損傷を回避することができる。さらに、アーク放電は、スパッタ堆積プロセスに影響を及ぼすことも、妨げることもなく、基板上に堆積された材料層の均質性が改善され得る。アーク放電によって生成された粒子によるスパッタリングされた材料層の汚染が、低減でき、または回避さえできる。

上記は本開示の実施形態を対象とするが、その基本的な範囲から逸脱することなく、他のおよびさらなる実施形態を考え出すこともでき、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

1. スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアであって、
   キャリア本体と、
   前記キャリア本体に設けられた絶縁部と
   を備え、前記絶縁部が、電気絶縁材料の表面を提供し、前記表面が、前記スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成されている、キャリア。
2. スパッタ堆積プロセス中に少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアであって、
   ２つ以上のセグメントを含むキャリア本体を備え、前記２つ以上のセグメントが、前記少なくとも１つの基板を支持するように構成され、前記２つ以上のセグメントが、互いから電気的に絶縁されている、キャリア。
3. 前記キャリア本体に設けられた絶縁部を備え、前記絶縁部が、電気絶縁材料の表面を提供し、前記表面が、前記スパッタ堆積プロセス中に１つ以上のスパッタ堆積源に面するように構成されている、請求項２に記載のキャリア。
4. 前記絶縁部が、前記キャリア本体上のコーティングである、請求項１または３に記載のキャリア。
5. 前記コーティングが、５０から６００μｍの範囲の厚さを有する、請求項４に記載のキャリア。
6. 前記絶縁部が、前記キャリア本体の表面の少なくとも３０％を覆う、請求項１から５のいずれか一項に記載のキャリア。
7. 前記絶縁部が、前記キャリア本体の前面および前記キャリア本体の裏面の少なくとも一部を覆う、請求項１から６のいずれか一項に記載のキャリア。
8. 前記キャリア本体が、前記２つ以上のセグメントの間の間隙を備え、前記間隙が、前記２つ以上のセグメントを互いから電気的に分離するように構成されている、請求項２から７のいずれか一項に記載のキャリア。
9. 前記間隙が、前記１つ以上のスパッタ堆積源の回転軸と平行な方向に延びるように構成されている、請求項８に記載のキャリア。
10. 前記電気絶縁材料が、非導電性材料、セラミック材料、ガラスセラミック材料、およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のキャリア。
11. 前記キャリア本体が、インレイ部を収容できるように構成されたアパーチャ開口部を備え、前記インレイ部が、前記少なくとも１つの基板を支持するように構成されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載のキャリア。
12. 前記インレイ部の表面が、前記電気絶縁材料で少なくとも部分的に覆われている、請求項１１に記載のキャリア。
13. 少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための装置であって、
    真空チャンバと、
    前記真空チャンバ内の１つ以上のスパッタ堆積源と、
    請求項１から１２のいずれか一項に記載の、スパッタ堆積プロセス中に前記少なくとも１つの基板を支持するためのキャリアと
    を備える装置。
14. 前記キャリアが、第１のセグメントおよび第２のセグメントを含む２つ以上のセグメントを備え、前記第１のセグメントが、前記１つ以上のスパッタ堆積源の第１のスパッタ堆積源に面するように構成され、前記第２のセグメントが、前記１つ以上のスパッタ堆積源の第２のスパッタ堆積源に面するように構成されている、請求項１３に記載の装置。
15. 少なくとも１つの基板上にスパッタ堆積するための方法であって、
    請求項１から１２のいずれか一項に記載のキャリア上に前記少なくとも１つの基板を配置することと、
    ＡＣスパッタ堆積プロセスを使用して、前記少なくとも１つの基板上に材料の層を堆積させることと
    を含む方法。

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