JP2022544641A - 基板上に材料を堆積する方法 - Google Patents
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Abstract
基板上に材料を堆積する方法が記載される。該方法は、第１の磁石アセンブリを備えた第１の回転ターゲット及び第２の磁石アセンブリを備えた第２の回転ターゲットから、材料の少なくとも１つの成分をスパッタリングすることを含む。第１の回転ターゲット内の第１の磁石アセンブリは、第２の回転ターゲットの方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマを提供する。第２の回転ターゲット内の第２の磁石アセンブリは、第１の回転ターゲットの方に向かう第２の方向に第２の閉じ込めプラズマを提供する。【選択図】図１
Description
本開示の実施形態は、基板上への材料の堆積に関する。本開示の実施形態は、特に、対向ターゲットスパッタリングによる基板上への材料の堆積に関する。
基板への材料の堆積は、さまざまな技術分野に多くの用途を有している。スパッタリングは、基板に材料を堆積するための方法である。スパッタリングは、高エネルギー粒子による、基板、特に基板上に位置した膜への衝撃と関連しうる。衝撃は、基板上に位置した材料、特に膜の特性に不利な影響を与える可能性がある。衝撃を回避するために、対向ターゲット型スパッタリング（ＦＴＳ）システムが考案された。ＦＴＳシステムでは、基板に直接面するのではなく、ターゲットが互いに面する。しかしながら、従来のＦＴＳシステムにおけるスパッタリングプラズマの安定性には限界がある。大量生産での使用に対する従来のＦＴＳシステムの適合性は損なわれている。
上記を考慮すれば、基板上に材料を堆積する改善された方法を提供することは有益である。
実施形態によれば、基板上に材料を堆積する方法が提供される。該方法は、第１の磁石アセンブリを備えた第１の回転ターゲット及び第２の磁石アセンブリを備えた第２の回転ターゲットから材料の少なくとも１つの成分をスパッタリングすることを含む。第１の回転ターゲット内の第１の磁石アセンブリは、第２の回転ターゲットの方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマを提供する。第２の回転ターゲット内の第２の磁石アセンブリは、第１の回転ターゲットの方に向かう第２の方向に第２の閉じ込めプラズマを提供する。
実施形態によれば、材料を堆積するためのシステムが提供される。該システムは、第１の磁石アセンブリを備えた第１の回転式カソードと、第２の磁石アセンブリを備えた第２の回転式カソードとを含む。該システムは、材料の堆積中に、第１の回転式カソード内の第１の磁石アセンブリが、第２の回転式カソードの方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマを提供するように構成されるように、構成される。
本開示は、記載された各方法の態様を実施するための装置部品を含む、本開示の方法を実行するための装置及びシステムを包含するものとして理解されるべきである。方法の態様は、例えばハードウェア構成要素によって、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータによって、又は２つの任意の組合せによって、実施することができる。本開示はまた、記載された装置及びシステムを動作させるための方法を包含するものとして理解されるべきである。記載された装置及びシステムを動作させるための方法は、それぞれの装置又はシステムのすべての機能を実行するための方法の態様を含む。
上に列挙された特徴部を詳細に理解することができるように、上に簡単に概説した主題のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって以下に提供されうる。添付の図面は、実施形態に関連し、以下において説明される。
これより、実施形態の１つ以上の例が図に示されている、さまざまな実施形態を詳細に参照する。以下の図面の説明において、同じ参照番号は同じ構成要素を指す。概して、個々の実施形態に関する相違点のみが説明される。各例は、説明として提供されており、限定を意味するものではない。さらには、一実施形態の一部として図示又は説明されている特徴部は、さらなる実施形態を創出するために、他の実施形態において使用することができ、又は他の実施形態と併用することもできる。説明は、このような修正例及び変形例を含むことが意図されている。
図１は、本明細書に記載される実施形態による、材料を堆積するためのシステムを示している。システム１００は、第１の磁石アセンブリ１０４を備えた第１の回転ターゲット１０２を含む。システムは、第２の磁石アセンブリ１１０を備えた２の回転ターゲット１０８をさらに含む。第１の磁石アセンブリは、第１の回転ターゲット内に位置づけられている。第２の磁石アセンブリは、第２の回転ターゲット内に位置づけられている。回転ターゲットは、互いに向き合うように動作することができる。例えば、第１の磁石アセンブリは、第２の回転ターゲットの方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマを提供し、第２の磁石アセンブリは、第１の回転ターゲットの方に向かう第２の方向に第２の閉じ込めプラズマを提供する。
材料の堆積中に、第１の回転ターゲット１０２内の第１の磁石アセンブリ１０４は、第２の回転ターゲット１０８の方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマ１０６を提供する。材料の堆積中に、第２の回転ターゲット１０８内の第２の磁石アセンブリ１１０は、第１の回転ターゲット１０２の方に向かう第２の方向に第２の閉じ込めプラズマ１１２を提供しうる。スパッタ堆積に関連するプラズマは、第１の回転ターゲットと第２の回転ターゲットとの間に捕捉することができる。第１及び第２の閉じ込めプラズマは、少なくとも部分的に重なっていてもよい。通常、第１及び第２の回転ターゲットは隣接するターゲットである。特に、第１の回転ターゲットと第２の回転ターゲットとの間の領域に位置づけられる、さらなるターゲットは存在しない。
本開示の文脈において、閉じ込めプラズマは、プラズマ閉じ込め領域として特に理解されるべきである。プラズマ閉じ込め領域は、特に回転ターゲットの磁石アセンブリに関連する磁場の影響に起因して、プラズマの量が環境に対して増加する領域として理解することができる。本開示の文脈において、ある方向に閉じ込めプラズマを提供することは、閉じ込めプラズマの主方向がその方向に位置づけられるように、閉じ込めプラズマを提供することとして特に理解されるべきである。特に、磁石アセンブリが永久磁石を含む実施形態では、回転ターゲットに面する方向に閉じ込めプラズマを提供することは、磁石アセンブリが、回転ターゲット、例えば隣接する回転ターゲットに面するような位置に磁石アセンブリを提供することとして理解することができる。
概して、回転ターゲット内に位置づけられた磁石アセンブリは、マグネトロンスパッタリングができるようにしうる。本明細書で用いられる場合、「マグネトロンスパッタリング」とは、マグネトロン、すなわち磁石アセンブリを使用して行われるスパッタリングのことを指す。磁石アセンブリは、磁場を生成することができるユニットとして特に理解されるべきである。磁石アセンブリは、１つ以上の永久磁石を含みうる。永久磁石は、自由電子が生成磁場内に捕捉されるように、回転ターゲット内に配置することができる。磁石アセンブリは、回転ターゲットのバッキングチューブ内又はターゲット材料チューブ内に提供することができる。第１の回転ターゲット及び第２の回転ターゲットは、両方ともカソードでありうる。システムは、ＤＣスパッタリング用に構成することができる。実施形態では、システムは、パルスＤＣスパッタリング用に構成することができる。
回転ターゲットは、回転可能なスパッタリングターゲットとして、特に理解されるべきである。特に、回転ターゲットは、堆積される材料を含む回転可能なカソードでありうる。回転ターゲットは、システムの少なくとも１つの動作状態で回転するように構成されたシャフトに接続することができる。回転ターゲットは、接続要素を介して直接又は間接的にシャフトに接続することができる。幾つかの実施形態によれば、堆積チャンバ内の回転ターゲットは交換可能でありうる。スパッタされる材料が消費された後の回転ターゲットの交換が可能になりうる。
実施形態では、システムは、透明な導電性酸化膜のスパッタリング用に構成することができる。該システムは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、又はＭｏＮなどの材料の堆積用に構成することができる。実施形態では、システムは、金属材料の堆積用に構成することができる。システムは、電極、特にディスプレイ、特にＯＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイ、及びタッチスクリーンにおける透明な電極の堆積用に構成することができる。システムは、電極、特に薄膜太陽電池、フォトダイオード、及びスマートガラス又はスイッチャブルガラス内の透明電極の堆積用に構成することができる。
実施形態では、回転ターゲットのターゲット材料は、アルミニウム、ケイ素、タンタル、モリブデン、ニオブ、チタン、及び銅からなる群より選択することができる。特に、ターゲット材料は、アルミニウム及びケイ素からなる群より選択することができる。システムは、反応性スパッタプロセスを介して材料を堆積するように構成することができる。反応性スパッタプロセスでは、通常、ターゲット材料の酸化物が堆積される。しかしながら、窒化物又は酸窒化物も同様に堆積することができる。
第１の回転ターゲットの閉じ込めプラズマが第２のターゲットに面し、第２の回転ターゲットの閉じ込めプラズマが第１のターゲットに面する特徴部のいずれも、ソフトな堆積が達成されるという利点を有することができる。例えば、高エネルギー粒子による基板への衝撃を低減することができる。基板の損傷、特に基板上のコーティングの損傷を軽減することができる。これは、感受性の基板又は層への堆積、より具体的には、感受性コーティングを有する基板への堆積に関して、特に有利である。例えば、ＯＬＥＤの電極を堆積する場合、材料は、高感度層上に堆積する必要がありうる。さらには、本明細書に記載されるソフトな堆積を介して、基板に衝突する電子の量を低減することができる。基板表面上又はその近くの温度変化を低減することができる。特に、基板表面上又はその近くで、より低い温度を達成することができる。
既知の対向ターゲット型スパッタリング（ＦＴＳ）のセットアップは、平面ターゲットを利用する。大量の材料が、隣接するターゲット表面に堆積される。ターゲット表面への材料の堆積は、例えば、ターゲットから、堆積された材料、特に堆積された材料の層へのアーク放電又は剥離につながる可能性がある。概して、既知のＦＴＳのセットアップでは、特に大量生産での用途が実行可能ではないなど、長期的な安定性が損なわれる可能性がある。既知のＦＴＳのセットアップでは、１日未満の安定性が期待されうる。
本開示の実施形態によれば、第２の回転ターゲットに面する第１の回転ターゲットの閉じ込めプラズマは、回転ターゲットの表面に堆積された材料を再びスパッタすることができるという利点を有する。平面カソードを備えた既知のＦＴＳのセットアップでは、平面カソードのレーストラック上に堆積された少量の材料のみが再びスパッタされうる。平面ターゲットについての安定したＦＴＳプロセスを実現することは困難又は不可能である。
回転ターゲットでは、マグネトロンスパッタリング中のターゲットからの材料の除去は、平面ターゲットからのマグネトロンスパッタリングの場合よりも改善された均一性を有する。回転ターゲットの場合の均一性は、特に、ターゲットの回転に起因した、磁場に対するターゲット表面の移動によって生じる。ターゲット表面に収集される材料の量を低減するか、さらには排除することができる。アーク放電を低減するか、又は排除することもできる。材料の剥離を低減するか、又は排除することができる。安定性、特に堆積プロセスの長期安定性を向上させることができる。大量生産のためのＦＴＳ概念の使用を可能にすることができる。特に、ターゲットに堆積された材料の量が増加すると再びスパッタされるという効果によって、収集効率を向上させることができる。収集効率は、スパッタリングターゲットによって放出される材料の総量に対する、基板によって捕捉されるスパッタされる材料の量として、特に理解されるべきである。材料利用を向上させることができる。材料の無駄及びコストを削減することができる。
実施形態では、システム１００は、基板１１４上に材料を堆積するように構成することができる。システムはさらに、第１の方向及び第２の方向が、４０°未満の角度だけ基板平面に対する平行から逸脱するように構成することができる。本開示の文脈において、「基板平面」は、特に、材料が堆積される基板１１４の面を指す。特に、第１及び第２の方向は、例えば、３０°、２０°又は１０°未満の角度だけ、基板平面に対する平行から逸脱させることができる。エネルギー粒子による基板への衝撃を最小限に抑えつつ、少なくとも十分な量の材料を基板上に堆積するという有利な構成を達成することができる。第１の方向及び第２の方向のいずれかが、基板に向かう方向に基板平面に対する平行から大きく逸脱する場合、エネルギー粒子による基板の不利な衝撃が結果として生じるであろう。第１の方向及び第２の方向のいずれかが、基板から離れる方向に基板平面に対して平行から大きく逸脱する場合には、基板への不十分な低い堆積速度が結果として生じるであろう。追加的に又は代替的に、ターゲット材料の無駄が生じる可能性がある。
第１の方向は、第１の角度、特に極座標系の第１の偏角に対応しうる。極座標系の基準点、特に極は、回転ターゲットの回転軸上に位置づけられうる。極座標系の基準方向は、回転ターゲットの回転軸に垂直でありうる。基板平面に対する平行からの第１の方向の逸脱は、第１の回転ターゲットの極座標系を指す場合がある。基板平面に対する平行からの第２の方向の逸脱は、第２の回転ターゲットの極座標系を指す場合がある。
実施形態では、システムは、第１の方向及び第２の方向が、基板に向かう方向に４０°、３０°又は２０°よりも小さい角度だけ、且つ基板から離れる方向に１０°よりも小さい角度だけ、基板平面に対する平行から逸脱するように、構成することができる。
図２は、本明細書に記載される実施形態による、材料を堆積するためのシステム２００を示している。第１の回転ターゲット１０２及び第２の回転ターゲット１０８は、堆積チャンバ２１６内に位置づけられている。第１の追加のチャンバ２１８及び第２の追加のチャンバ２１９が、堆積チャンバに隣接して設けられていてもよい。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、基板上に材料を堆積することは、動的堆積プロセスを提供することができる。例えば、基板は、材料が堆積されている間、第１の回転ターゲット及び第２の回転ターゲットを通過して移動することができる。減圧処理システムの堆積チャンバ又は領域は、バルブによって、さらなるチャンバ又は他の領域から分離することができる。
幾つかの実施形態によれば、処理ガスは、アルゴンなどの不活性ガス、並びに酸素、窒素、水素、及びアンモニア（ＮＨ３）、オゾン（Ｏ３）、活性ガスなどの反応性ガスのいずれかを含みうる。
基板１１４は、基板キャリア２２４上に提供されるように示されている。堆積チャンバ２１６内には、堆積チャンバ２１６の内外へと基板キャリア２２４を移送するためのローラ２２２を設けることができる。基板キャリアの例示的な移動方向は、矢印２３２によって示されている。本明細書で用いられる「基板」という用語は、柔軟性のない基板、例えばガラス基板、ウエハ、サファイアなどの透明な結晶のスライス、若しくはガラス板、及びウェブ又は箔などの柔軟な基板の両方を包含するものとする。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、基板及び／又は基板キャリアの輸送は、それぞれ、磁気浮上システムによって提供することができる。キャリアは、磁力によって浮上させるか、あるいは機械的接触なしに、又は機械的接触を低減して保持することができ、かつ磁力によって移動させることができる。
第１の回転ターゲット１０２及び第２の回転ターゲット１０８は、両方ともカソードでありうる。第１及び第２の回転ターゲットは、ＤＣ電源２３０に電気的に接続することができる。例えば、減圧チャンバ内のチャンバ筐体又は１つ以上のシールドは、参照番号２２０で示されるように、質量電位上に提供することができる。これらの構成要素は、アノードとして機能しうる。任意選択的に、システムはさらにアノードを含んでいてもよい。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる実施形態では、少なくとも１つ以上の回転ターゲットは、それぞれの個別の電源に電気的に接続されうる。特に、回転ターゲットの各々は、それぞれの個別の電源に接続されうる。例えば、第１の回転ターゲットは第１のＤＣ電源に接続することができ、第２の回転ターゲットは第２のＤＣ電源に接続することができる。
図３は、本明細書に記載される実施形態による、材料を堆積するためのシステムを示している。システム３００は、複数の回転ターゲットを含みうる。一例として、４つの回転ターゲットが示されている。このシステムは、図１及び２に関して説明したような特性を備えた第１の回転ターゲット１０２及び第２の回転ターゲット１０８を含む、少なくとも一対の回転ターゲットを含むことができる。
本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、特に大面積堆積の用途で、カソードのアレイ又はカソード対を提供することができる。アレイは、２つ以上のカソード又はカソード対、例えば、３つ、４つ、５つ、６つ、又はさらにそれより多くのカソード又はカソード対を含みうる。アレイは、１つの堆積チャンバ内に提供されてもよい。
本開示はさらに、材料を堆積するためにシステムに接続可能に構成されたコントローラに関する。コントローラはさらに、本明細書に記載される実施形態による方法が実施されるように、システムを制御するように構成される。
コントローラは、中央処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、及び例えば、支援回路を含みうる。システムの制御を容易にするために、ＣＰＵは、さまざまな部品及びサブプロセッサを制御するために産業環境で使用することができる、任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つでありうる。メモリはＣＰＵに接続される。メモリ又はコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ、読み取り専用メモリ、フロッピーディスク、ハードディスク、若しくはローカル又は遠隔の任意の形態のデジタルストレージなど、１つ以上の容易に利用可能なメモリデバイスでありうる。支援回路は、従来の方式でプロセッサを支援するためにＣＰＵに接続される。これらの回路には、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、及び関連するサブシステムなどが含まれる。
制御命令は通常、ソフトウェアルーチン又はプログラムとしてメモリに保存される。ソフトウェアルーチン又はプログラムはまた、ＣＰＵによって制御されているハードウェアから遠隔に位置している第２のＣＰＵによって格納及び／又は実行することもできる。ソフトウェアルーチン又はプログラムは、ＣＰＵによって実行されると、本開示の実施形態のいずれかに従って、汎用コンピュータを、材料を堆積するためのシステムを制御する特定目的のコンピュータ（コントローラ）へと変換する。
本開示の方法は、ソフトウェアルーチン又はプログラムとして実装することができる。本明細書に開示される方法動作の少なくとも幾つかは、ハードウェアを介して、並びにソフトウェアコントローラによって、実行することができる。したがって、実施形態は、コンピュータシステム上で実行されるソフトウェアに、及び特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェアの実装としてハードウェアに、若しくはソフトウェアとハードウェアとの組合せに実装することができる。コントローラは、本開示の実施形態に従って、基板上に材料を堆積する方法を実行又は実施することができる。本明細書に記載される方法は、コンピュータプログラム、ソフトウェア、コンピュータソフトウェア製品、並びに、ＣＰＵ、メモリ、ユーザインターフェース、及び材料を堆積するためのシステムの対応する部品と通信する入出力デバイスを有しうる相互に関連するコントローラを使用して実施することができる。
本開示はさらに、基板上に材料を堆積する方法に関する。材料は、例えば、ＩＴＯ及びＩＺＯのいずれかを含みうる。該方法は、第１の磁石アセンブリを備えた第１の回転ターゲット及び第２の磁石アセンブリを備えた第２の回転ターゲットから材料の少なくとも１つの成分をスパッタリングすることを含む。第１の回転ターゲット内の第１の磁石アセンブリは、第２の回転ターゲットの方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマを提供する。第２の回転ターゲット内の第２の磁石アセンブリは、第１の回転ターゲットの方に向かう第２の方向に第２の閉じ込めプラズマを提供する。
特に、非反応性スパッタリングが行われる実施形態では、基板上に堆積される材料は、第１及び第２の回転ターゲットからスパッタされうる。これは、特に、第１又は第２の回転ターゲットの表面から放出された粒子が、堆積された材料を形成するものと理解されるべきである。特に、反応性スパッタリングが行われる実施形態では、第１の材料の粒子は、第１又は第２のターゲットの表面から放出されうる。第１の材料の粒子は、第２の材料と結合して、基板上に堆積される材料を形成することができる。第１の材料は、堆積される材料の成分であると理解することができる。第１及び第２の回転ターゲットを取り囲むガスは、第２の材料を含みうる。
実施形態では、第１の方向及び第２の方向は、４０°未満の角度だけ基板平面に対する平行から逸脱している。特に、第１及び第２の方向は、３０°、２０°又は１０°未満の角度だけ基板平面に対する平行から逸脱させることができる。実施形態では、第１の方向及び第２の方向は、基板に向かう方向に４０°、３０°又は２０°よりも小さい角度だけ、且つ基板から離れる方向に１０°よりも小さい角度だけ、基板平面に対する平行から逸脱する。
本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる本明細書に記載されるシステムによれば、スパッタリングに関連するプラズマ及び基板は、該基板上に材料を堆積するために、互いに対して移動する。
概して、磁石アセンブリは、基板上に材料を堆積している間、静止したまま保つことができる。実施形態では、磁石アセンブリは、例えば振動又は往復して、堆積中に、互いに対して、及び／又は基板に対して移動させることができる。堆積層の均一性を高めることができる。
図４は、本明細書に記載される実施形態による、基板上に材料を堆積する方法を示すチャートである。方法４００は、ブロック４０２において、第１の磁石アセンブリが第２の回転ターゲットの方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマを提供するように、第１の回転ターゲットの第１の磁石アセンブリを適合させることを含む。該方法は、ブロック４０４において、第２の磁石アセンブリが第１の回転ターゲットの方に向かう第２の方向に第２の閉じ込めプラズマを提供するように、第２の回転ターゲットの第２の磁石アセンブリを適合させることをさらに含む。とりわけ、磁石アセンブリが永久磁石を含む実施形態では、磁石アセンブリを適合させることは、回転ターゲット内の特定の位置に、特に特定の向きで、磁石アセンブリを提供することとして理解することができる。該方法は、ブロック４０６において、第１及び第２の回転ターゲットから材料の少なくとも１つの成分をスパッタリングすることによって、基板上に材料を堆積することをさらに含む。
本明細書に記載される実施形態は、ディスプレイＰＶＤ、すなわち、ディスプレイ市場向けの大面積基板上へのスパッタ堆積に利用することができる。幾つかの実施形態によれば、大面積基板、又は複数の基板を有するそれぞれのキャリアは、少なくとも０．６７ｍ２のサイズを有しうる。典型的には、サイズは、約０．６７ｍ２（０．７３×０．９２ｍ－Ｇｅｎ４．５）から約８ｍ２、より典型的には、約２ｍ２から約９ｍ２、又はさらには最大で１２ｍ２でありうる。典型的には、本明細書に記載される実施形態による、構造、カソードアセンブリなどの装置、及び方法に提供される基板又はキャリアは、本明細書に記載されるような大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約０．６７ｍ２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に対応するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、又はさらには、約８．７ｍ２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０でありうる。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などのさらに大きい世代、及びそれに対応する基板面積も同様に実装することができる。
上記は幾つかの実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態を考案することができる。範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (13)
- 基板上に材料を堆積する方法であって、
第１の磁石アセンブリを備えた第１の回転ターゲット及び第２の磁石アセンブリを備えた第２の回転ターゲットから、前記材料の少なくとも１つの成分をスパッタリングすること
を含み、
前記第１の回転ターゲット内の前記第１の磁石アセンブリが、前記第２の回転ターゲットの方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマを提供し、かつ
前記第２の回転ターゲット内の前記第２の磁石アセンブリが、前記第１の回転ターゲットの方に向かう第２の方向に第２の閉じ込めプラズマを提供する、
方法。 - 前記第１の方向及び前記第２の方向が、４０°未満の角度だけ基板平面に対する平行から逸脱している、請求項１に記載のシステム。
- 前記第１の方向及び前記第２の方向が、前記基板に向かう方向に４０°よりも小さい角度だけ、かつ前記基板から離れる方向に１０°よりも小さい角度だけ、基板平面に対する平行から逸脱している、請求項２に記載のシステム。
- 前記基板に堆積される前記材料が透明な導電性酸化膜を形成する、請求項１から３のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記材料がＩＴＯ又はＩＺＯを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のシステム。
- 材料を堆積するためにシステムに接続可能に構成され、かつ、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法を実行するように前記システムを制御するようにさらに構成された、コントローラ。
- 第１の磁石アセンブリを備えた第１の回転式カソードと、第２の磁石アセンブリを備えた第２の回転式カソードとを含む、材料を堆積するためのシステムであって、前記材料の堆積中に、
前記第１の回転式カソード内の前記第１の磁石アセンブリが、前記第２の回転式カソードの方に向かう第１の方向に第１の閉じ込めプラズマを提供するように構成されるように、構成されている、
システム。 - 前記システムが、基板上に前記材料を堆積するように構成されており、前記第１の方向が、４０°未満の角度だけ基板平面に対する平行から逸脱している、請求項７に記載のシステム。
- 前記システムは、前記材料の堆積中に、
前記第２の回転式カソード内の前記第２の磁石アセンブリが、前記第１の回転式カソードの方に向かう第２の方向に第２の閉じ込めプラズマを提供するようにさらに構成されている、
請求項７に記載のシステム。 - 前記システムが、基板上に前記材料を堆積するように構成されており、前記第１の方向及び前記第２の方向が、４０°未満の角度だけ基板平面に対する平行から逸脱している、請求項９に記載のシステム。
- 前記第１の方向及び前記第２の方向が、前記基板に向かう方向に４０°よりも小さい角度だけ、且つ前記基板から離れる方向に１０°よりも小さい角度だけ、基板平面に対する平行から逸脱している、請求項１０に記載のシステム。
- 堆積される前記材料が透明な導電性酸化膜を形成する、請求項７から１１のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記材料がＩＴＯ又はＩＺＯを含む、請求項７から１２のいずれか一項に記載のシステム。
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