JP2016098425A - スパッタリング装置 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 107
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 30
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 29
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 29
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 29
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract description 28
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 74
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 17
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】第2シールド182が誘導結合アンテナ151と被成膜箇所Pとの間を遮る位置に配される。誘導結合アンテナ151で生成される高密度プラズマに含まれるイオンや電子の一部は接地された第2シールド182の非空隙箇所に上方への通過を遮られる。一方で、ラジカルは第2シールド182の空隙部184を通って上方へと通過する。その結果、基材91の主面に対するプラズマダメージが抑制され、ラジカル反応により膜質が向上する。また、第2シールド182が2つの磁石ユニット21、22と被成膜箇所Pとの間を避ける位置に配される。このため、ターゲット16から被成膜箇所Pへと飛翔するスパッタ粒子が、第2シールド182の非空隙箇所に遮られることはない。その結果、成膜レートの低下を抑制できる。
【選択図】図2
Description
<1.1 スパッタリング装置1の全体構成>
図1は、第1実施形態に係るスパッタリング装置1の概略構成を模式的に示す断面模式図である。スパッタリング装置1は、反応性スパッタリングによって膜付けの対象物(ここでは、例えば基材91)に薄膜を形成する装置である。基材91は、例えば、シリコンウェハなどにより構成される。
図2は、プラズマ処理部50およびその周辺を示す断面模式図である。図3は、プラズマ処理部50の誘導結合アンテナ151(高密度プラズマ源)の例を示す側面図である。また、図4は、チムニー60内の各部(プラズマ処理部50およびその周辺部)を示す斜視図である。なお、図4では、シールド部180に係る構成が省略して描かれている。
以下、スパッタリング装置1における成膜処理の一例を説明する。
以下、図6および図7に示す比較例を参照しつつ、本実施形態の効果について説明する。図6は、比較例に係るスパッタリング装置1Yにおいて、プラズマ処理部50Yおよびその周辺を示す断面模式図である。図7は、比較例に係るスパッタリング装置1Zにおいて、プラズマ処理部50Zおよびその周辺を示す断面模式図である。
図8は、第2実施形態のスパッタリング装置1Aにおけるプラズマ処理部50Aおよびその周辺を示す断面模式図である。以下では、図8を参照しつつ第2実施形態のスパッタリング装置1Aについて説明するが、第1実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
図9は、第3実施形態のスパッタリング装置1Bにおけるプラズマ処理部50Bおよびその周辺を示す断面模式図である。以下では、図9を参照しつつ第3実施形態のスパッタリング装置1Bについて説明するが、第1実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
図10は、第4実施形態のスパッタリング装置1Cにおけるプラズマ処理部50Cおよびその周辺を示す断面模式図である。以下では、図10を参照しつつ第4実施形態のスパッタリング装置1Cについて説明するが、第1実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
5,6 回転カソード
7 支持棒
8 ベース部材
16 ターゲット
21,22 磁石ユニット
30 搬送機構
31 搬送ローラ
60 チムニー
90 キャリア
91 基材
50,50A〜50C,50Y,50Z プラズマ処理部
100 チャンバー
151 誘導結合アンテナ
153 高周波電源
163 スパッター用電源
180,180A〜180C,180Z シールド部
181,181A〜181C 第1シールド
182,182A〜182C,182Z 第2シールド
184,184A〜184C,184Z 空隙部
510 スパッターガス供給部
520 反応性ガス供給部
V 処理空間
Claims (10)
- その内部に処理空間を形成する真空チャンバーと、
前記処理空間にスパッターガスを供給するスパッターガス供給部と、
前記処理空間のうち少なくとも被遮蔽空間に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記処理空間でプラズマ処理を実行するプラズマ処理部と、
前記プラズマ処理部に対向した少なくとも1つの被成膜箇所を含む搬送経路面に沿って基材を搬送する搬送機構と、
を備え、
前記プラズマ処理部は、
円筒状でその外周面がターゲット材料で被覆された2つの回転カソードを前記処理空間内で一定距離を隔てて対向配置させたカソード対と、
各回転カソードをそれぞれの中心軸線回りに回転させる回転部と、
前記2つの回転カソードにスパッタ電圧を印加するスパッタ電圧供給手段と、
前記2つの回転カソードの内部にそれぞれ収容されて前記外周面のうち自身の近傍で磁界を形成する2つの磁界形成部と、
前記被遮蔽空間にプラズマを発生するプラズマ源と、
前記プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、
複数の空隙部が2次元的に配列された貫通面を含み、電気的に接地され、前記処理空間内で前記被遮蔽空間を規定するシールド部と、
を有し、
前記貫通面は、前記2つの磁界形成部と前記被成膜箇所との間を避ける位置で、かつ、前記プラズマ源と前記被成膜箇所との間を遮る位置に配されることを特徴とするスパッタリング装置。 - その内部に処理空間を形成する真空チャンバーと、
前記処理空間にスパッターガスを供給するスパッターガス供給部と、
前記処理空間のうち少なくとも被遮蔽空間に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記処理空間でプラズマ処理を実行するプラズマ処理部と、
前記プラズマ処理部に対向した少なくとも1つの被成膜箇所を含む搬送経路面に沿って基材を搬送する搬送機構と、
を備え、
前記プラズマ処理部は、
円筒状でその外周面がターゲット材料で被覆された回転カソードと、
回転カソードをその中心軸線回りに回転させる回転部と、
前記回転カソードにスパッタ電圧を印加するスパッタ電圧供給手段と、
前記回転カソードの内部に収容されて前記外周面のうち自身の近傍で磁界を形成する磁界形成部と、
前記被遮蔽空間にプラズマを発生するプラズマ源と、
前記プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、
複数の空隙部が2次元的に配列された貫通面を含み、電気的に接地され、前記処理空間内で前記被遮蔽空間を規定するシールド部と、
を有し、
前記貫通面は、前記磁界形成部と前記被成膜箇所との間を避ける位置で、かつ、前記プラズマ源と前記被成膜箇所との間を遮る位置に配されることを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1または請求項2に記載のスパッタリング装置であって、
前記シールド部のうち、少なくとも貫通面を含む部分を冷却する冷却部を備えることを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のスパッタリング装置であって、
前記処理空間内で、前記プラズマ源の周囲が前記シールド部に覆われることを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のスパッタリング装置であって、
前記シールド部に覆われた前記被遮蔽空間内に、前記スパッターガス供給部が前記スパッターガスを供給することを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のスパッタリング装置であって、
開口部を有し、前記開口部を除いて前記プラズマ処理部と前記搬送経路面との間を仕切ることで前記被成膜箇所を規定する仕切り部材、
を備えることを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のスパッタリング装置であって、
前記シールド部のうち前記貫通面に係る部分は、導電性の板状体に前記複数の空隙部が穿設されたパンチングプレートであることを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のスパッタリング装置であって、
前記シールド部のうち前記貫通面に係る部分は、導電性の複数の線状体が編まれたメッシュ板であることを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のスパッタリング装置であって、
前記シールド部のうち前記貫通面に係る部分は、導電性の複数の線状体が並行に配列されて構成される面状体であることを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のスパッタリング装置であって、
前記シールド部のうち前記貫通面に係る部分は、導電性の板状体に複数のスリット状の空隙部が貫通されたスリット板であることを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014238406A JP6373740B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014238406A JP6373740B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016098425A true JP2016098425A (ja) | 2016-05-30 |
JP6373740B2 JP6373740B2 (ja) | 2018-08-15 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014238406A Active JP6373740B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6373740B2 (ja) |
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---|---|
JP6373740B2 (ja) | 2018-08-15 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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