JP6431303B2 - エッチング装置およびエッチング方法 - Google Patents
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Description
<1.1 エッチング装置1の構成>
図1は、第1実施形態に係るエッチング装置1の概略構成を模式的に示す側面図である。図2は、エッチング装置1のうち処理空間Vの周辺部を示す部分斜視図である。
以下、本実施形態におけるエッチング処理の流れについて説明する。
図4は、第2実施形態のエッチング装置1Aの概略構成を模式的に示す側面図である。図5は、エッチング装置1Aのうち電極の周辺部を詳細に示す部分斜視図である。
図6は、第3実施形態のエッチング装置1Bの概略構成を模式的に示す側面図である。図7は、エッチング装置1Bのうち電極の周辺部を詳細に示す部分斜視図である。
図8は、第4実施形態のエッチング装置1Cの概略構成を模式的に示す側面図である。図9は、エッチング装置1Cのうち電極の周辺部を詳細に示す部分斜視図である。
図10は、基板Sおよび基板Sに取付けられる接地部120の構成を示す分解図である。図11は、接地部120が基板Sに取付けられた状態を示す下面図である。図12は、図11のA−A断面から見た端面図である。図13は、図11のB−B断面から見た端面図である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
100 チャンバー
2 搬送機構
3、3A、3B 仕切り部材
4 プラズマ処理部
41 誘導結合アンテナ
5 絶縁板
50 絶縁部材
6 ガス供給部
7 排気部
8A、8B 電極
81 パルス電源
120 接地部
121 アース電極
122 シール部
123 アース線
124 固定部材
P 被処理箇所
S 基板
V 処理空間
Claims (13)
- 基材の主面に処理を施すエッチング装置であって、
チャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、一方側が開放された処理空間を規定する仕切り部材と、
前記処理空間にガスを供給するガス供給部と、
前記処理空間内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部に高周波電力を供給する高周波電力供給部と、
前記処理空間の前記一方側に前記主面が配されるように前記基材を保持する保持機構と、
電気的な絶縁部材を介して前記チャンバー内に支持され、前記処理空間に配される電極と、
前記電極に正電圧を含むパルス電圧を繰り返して印加することによって前記プラズマ中のイオンを前記一方側に向けて加速するパルス電圧供給部と、
を備えることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1に記載のエッチング装置であって、
前記プラズマ生成部は前記処理空間内に設けられており、前記電極の少なくとも一部が前記プラズマ生成部よりも前記主面に近い位置に配されることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項2に記載のエッチング装置であって、
前記電極が、前記仕切り部材の前記一方側の端部を覆う第1部分を有することを特徴とするエッチング装置。 - 請求項2または請求項3に記載のエッチング装置であって、
前記電極が、前記仕切り部材のうち前記処理空間側の壁面に沿って伸びる第2部分を有することを特徴とするエッチング装置。 - 基材の主面に処理を施すエッチング装置であって、
チャンバーと、
電気的な絶縁部材を介して前記チャンバー内に支持され、一方側が開放された処理空間を規定する導電性の仕切り部材と、
前記処理空間にガスを供給するガス供給部と、
前記処理空間内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部に高周波電力を供給する高周波電力供給部と、
前記処理空間の前記一方側に前記主面が配されるように前記基材を保持する保持機構と、
前記仕切り部材に正電圧を含むパルス電圧を繰り返して印加することによって前記プラズマ中のイオンを前記一方側に向けて加速するパルス電圧供給部と、
を備えることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記基材を電気的に接地させる接地部、を備えることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項6に記載のエッチング装置であって、
前記接地部は、
前記基材の前記主面のうち前記処理の対象とならない非処理領域に電気的に接触するアース電極と、
前記基材に対して前記アース電極を押圧する方向に付勢された絶縁性のシール部と、
一端が前記アース電極に接続され他端が接地されたアース線と、
を備えることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記パルス電圧の繰返し周期での時間平均値は正であることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1ないし請求項8のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記保持機構は、前記基材を保持しつつ搬送可能な機構であることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記プラズマ生成部は、未周回の少なくとも1つの誘導結合アンテナを有することを特徴とするエッチング装置。 - チャンバー内に形成され一方側が開放された処理空間内にプラズマを生成し、前記プラズマを用いて基材の主面に処理を施すエッチング方法であって、
前記処理空間の前記一方側に前記主面が配されるように前記基材を保持する保持工程と、
前記処理空間内に配置されたプラズマ生成部によってプラズマを生成させるプラズマ生成工程と、
電気的な絶縁部材を介して前記チャンバー内に支持され前記処理空間に配される電極に対して正電圧を含むパルス電圧を繰り返して印加することによって前記プラズマ中のイオンを前記一方側に向けて加速するパルス電圧供給工程と、
を有し、
前記プラズマ生成工程と前記パルス電圧供給工程とが時間的に並行して行われることを特徴とするエッチング方法。 - 請求項11に記載のエッチング方法であって、
前記電極は、前記チャンバーの中を仕切って前記処理空間を規定する導電性の仕切り部材であることを特徴とするエッチング方法。 - 請求項11または請求項12に記載のエッチング方法であって、
前記保持工程では、前記処理空間の前記一方側に前記主面が配されるように前記基材を保持搬送することを特徴とするエッチング方法。
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