JPH0578837A - スパツタリング陰極の使用の下に化合物をまたは合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法およびこの方法を実施する装置 - Google Patents

スパツタリング陰極の使用の下に化合物をまたは合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法およびこの方法を実施する装置

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JPH0578837A
JPH0578837A JP5035392A JP5035392A JPH0578837A JP H0578837 A JPH0578837 A JP H0578837A JP 5035392 A JP5035392 A JP 5035392A JP 5035392 A JP5035392 A JP 5035392A JP H0578837 A JPH0578837 A JP H0578837A
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sputtering
doping
magnet unit
plasma
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JP5035392A
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Rudolf Latz
ラツツ ルードルフ
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Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】マグネトロン方式で動作するスパッタリング陰
極の使用の下に、基板上に化合物および合金を膜として
形成するための、ならびに基本材料をドーピングするた
めの、さらにこの膜をコスト的に有利に製造するための
方法を提供する。 【構成】ターゲットは複数部分３７，３８からなり、中
央ターゲット３７はドーピング材からなり、外側ターゲ
ット３８は基本材料から構成される。スパッタリング陰
極２３の磁石配列体は、位置定め可能な中心磁石ユニッ
ト２９と、固定位置を有する、中心磁石ユニット２９を
囲む磁石ユニット２５，２６，２７，２８から構成さ
れ、これにより、ターゲット部分３７，３８には夫々特
別に選定された磁界を用いてスパッタリングすることを
可能となり、異なる材料が異なるレートでスパッタリン
グ出来、任意のドーピングが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネトロン方式で動
作するスパッタリング陰極の使用の下に化合物をまたは
合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をド
ーピングする方法に関する。さらに本発明は、化合物お
よび合金をドーピングおよび製造するための陰極装置に
関する。
【０００２】
【従来技術】スパッタリング工程の場合に実際に、陰極
の手前の磁界により粒子の衝突の確率がしたがってイオ
ン化の確率が増加される形式の高出力スパッタリング装
置が使用される。
【０００３】この種の高出力スパッタリング装置は、例
えばドイツ連邦共和国特許公報第２４１７２８８号に示
されている。
【０００４】この公報に記載の高スパッタリングレート
を有する陰極スパッタリング装置の陰極は、陰極の一方
の表面上に、スパッタリングされて基板上に沈積される
材料を有する。さらに前記の陰極スパッタリング装置
は、スパッタリング面から出て再びここに戻る磁力線
が、閉ループの形状を有する放電領域を形成するように
構成された、磁石装置を有する。さらにスパッタリング
される、スパッタリング面から基板まで移動する材料の
進路の外側に設けられた陽極を有する。
【０００５】前記の特許公報において次の構成が提案さ
れている、即ちスパッタリングされるべき、スプレーさ
れる基板と同じ側の陰極表面が平らであること、基板は
放電領域の近傍において平らなスパッタリング面に平行
にこの面にわたり移動されること、磁界を発生させる磁
石装置が、前記の平らなスパッタリング面とは反対側の
陰極面上に設けられていることである。
【０００６】ドイツ連邦共和国特許出願公開公報第３８
１２３７９号に、マグネトロン方式によるスパッタリン
グ陰極が示されている。この陰極は、少なくとも１つの
部分から成るターゲットと、このターゲットの後に設け
られた磁石装置と、複数個の互いに入り組む、それ自体
でまとまった交番的に異なる極性の磁石ユニット、を有
する。この磁石ユニットにより、少なくとも２つの同じ
くそれでまとまった互いに入り組み合う磁気トンネルが
構成される。この場合、ターゲットとは反対側の、磁石
ユニットの磁極が磁石ヨークを介して互いに結合されて
おり、さらに少なくとも１つの磁界の強さが、少なくと
も１つの別の磁界の強さに比較して、ヨーク部分の１つ
を操作装置を用いてターゲット方向へ可変に変化させる
ことが示されている。
【０００７】この公開公報において次の構成が提案され
ている、即ちこの操作装置は少なくとも１つの光学的セ
ンサと共働する電気回路を介して制御可能であり、この
場合このセンサは、コーティング工程の際に調整される
少なくとも１つのプラズマリングへ方向づけられており
さらにこのプラズマリングの輝度に対して応動する。
【０００８】
【発明の解決すべき問題点】本発明の課題は、基板の上
に化合物および合金を膜として形成するための、ならび
に基本材料をドーピングするための、さらにこの膜をコ
スト的に有利に製造するための構成を提供することであ
る。
【０００９】例えば任意のドーピング材料による膜の経
済的製造法を産業に利用できるようにし、かつ一方では
１つのドーピング材料から他方のドーピング材料へのコ
スト的に有利な交換を可能にし、他方ではその都度のド
ーピング材の濃度のコスト的に有利な変化を可能にする
ことである。
【００１０】ドーピングそのものは高い精度で実施可能
にすべきである。
【００１１】さらに本発明の課題は、スパッタリング装
置において、ターゲットとして設けられているドーピン
グ材料を長い時間をかけずに交換可能にする前提条件を
提供すべきである。
【００１２】前記課題は本発明により次のようにして解
決されている。即ち、複数の例えば２つの部分から成る
ターゲットによりスパッタリングがなされるようにし、
この場合、少なくとも第１のターゲット部分が第１の材
料成分を有しており、さらに第２のターゲット部分が第
２の材料成分を有しており、さらにスパッタリング工程
の間中は第１のターゲット部分に個別の第１スパッタリ
ングプラズマが配属されており、さらに第２のターゲッ
ト部分に個別の第２のスパッタリングプラズマが配属さ
れており、さらにスパッタリング工程の間中は基板上へ
被着されるスパッタリングされる材料成分がドーピング
される基本材料，化合物または合金を形成するのであ
る。
【００１３】例えばマグネトロン方式で動作するスパッ
タリング陰極を用いて化学物または合金を製造するため
に、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法に
おいて、提案されていることは、複数の例えば２つの部
分から成るターゲットによりスパッタリングがなされる
ようにし、この場合、少なくとも第１のターゲット部分
が第１の材料成分を有しており（基本材料ターゲッ
ト）、さらに第２のターゲット部分が第２の材料成分
（ドーピング材料ターゲット）を有しており、さらにス
パッタリング工程の間中は第１のターゲット部分に個別
の第１スパッタリングプラズマ（基本材料プラズマ）が
配属されており、さらに第２のターゲット部分に個別の
第２のスパッタリングプラズマ（ドーピング材料プラズ
マ）が配属されており、さらにスパッタリング工程の間
中は基板上へ被着されるスパッタリングされる基本材料
がスパッタリングされるドーピング材料により、ドーピ
ングされる。
【００１４】本発明の構成によれば、第１のスパッタリ
ングプラズマのスパッタリング出力を変化する目的で、
磁界が例えば磁界の強さ，第１のスパッタリングプラズ
マの強さが変化できるようにし、これにより化合物の組
成がまたは合金の組成が変化される。
【００１５】さらに提案されている構成として、第１の
ドーピングプラズマのスパッタリング出力を変化する目
的で、磁界が例えば磁界の強さ，ドーピング材料プラズ
マの強さが変化できるようにし、これにより基本材料の
ドーピングが変化される。
【００１６】この場合、提案されている構成として、基
本材料プラズマのスパッタリング出力を変化する目的
で、磁界が例えば磁界の強さ，基本材料プラズマの強さ
が変化できるようにし、基本材料のドーピングが変化さ
れる。
【００１７】コスト的に特に有利であることが示された
構成として、磁界の変化が例えば磁界の強さの変化が、
少なくとも一つの磁石ユニットをターゲット表面へ関連
づけて変化させることにより行なわれる。
【００１８】この場合、ターゲット表面と少なくとも一
つの磁石ユニットとの間の間隔が変化される。
【００１９】本発明の技術思想を特に有利に実現する装
置は次の構成を有する。即ち、異なる強さの磁界を発生
する少なくとも２つの磁石ユニットが設けられており、
さらにターゲットが少なくとも２つの部分から形成され
るようにし、さらに各々のターゲット部分に１つの磁界
が配属されている。
【００２０】磁界の簡単な変化は、少なくとも１つの磁
石ユニットが、ターゲット表面へ関連づけて変化可能に
位置定めできるようにして、達せられる。
【００２１】例えば、少なくとも１つの磁石ユニットと
ターゲット表面との間の間隔が可変であるようにされ
る。
【００２２】著しくコンパクトな構成は次のようにして
得られる、即ちスパッタリング陰極の磁石配列体が、位
置定め可能な中心磁石ユニットと，固定位置を有する、
該磁石ユニットを囲む磁石ユニット（外側の磁石ユニッ
ト）とから構成されており、さらに前記の中心磁石ユニ
ットに第１の材料成分を有する第１のターゲット部分が
配属されており、外側の磁石ユニットに、第２の材料成
分を有する第２のターゲット部分が配属されている。
【００２３】この場合に提案されている構成として、ス
パッタリング陰極の磁石配列体が、位置定め可能な中心
磁石ユニットと，固定位置を有する、該磁石ユニットを
囲む磁石ユニット（外側の磁石ユニット）とから構成さ
れており、さらに前記の中心磁石ユニットにドーピング
材料ターゲットが配属されており、外側の磁石ユニット
に、基本材料ターゲットが配属されている。
【００２４】例えば、可動の磁石ユニットのために操作
装置が設けられており、該操作装置が前記可動の磁石ユ
ニットをドーピング材料ターゲットの表面への所定の間
隔において位置定めする。
【００２５】有利な構成として、第１のターゲット部分
が円形のディスクとして構成されており、該ディスクは
リング状の第２のターゲット部分により囲まれている。
【００２６】この場合の可能な構成として、ドーピング
材料ターゲットが円形のディスクとして構成されてお
り、該ディスクはリング状の基本材料ターゲットにより
囲まれている。
【００２７】代替的に設けられる構成として、スパッタ
リング陰極が実質的に長方形の磁石配列体を有するたて
長の陰極として構成されており、さらに磁石配列体の、
中心の実質的に直線の磁石ユニットが位置定め可能であ
る。
【００２８】スパッタリング装置の迅速な変形構成とし
て、第１のターゲット部分が簡単に着脱可能に、例えば
螺合接続体により陰極そうに例えば銅そうに取り付けら
れている。
【００２９】この場合に提案されている構成として、ド
ーピング材料ターゲットが簡単に着脱可能に、例えば螺
合接続体により陰極そうに例えば銅構成体に取り付けら
れている。
【００３０】特に有利な構成として、位置定め可能な磁
石ユニットが、ヨークを貫通して例えばヨークプレート
を貫通して、可動に設けられている。
【００３１】特別な構成として、基本材料ターゲットが
Ｉｎ2Ｏ3から形成され、さらにドーピング材料ターゲッ
トがＳｎから形成されている。
【００３２】
【発明の効果】本発明により、種々の化合物または合金
から成る膜の、または任意のドーピングによる膜の経済
的な製造法が提供される。コスト的に有利に、ドーピン
グ材料がスパッタリング装置において交換可能となり、
さらに基本材料中のその都度のドーピング材料の濃度が
変化可能となる。
【００３３】
【実施例】実施例に、基本材料をドーピングするための
スパッタリング法およびスパッタリング装置が示されて
いる。図示されている様に本発明は、化合物の製造のた
めのおよび合金の製造のための方法および装置も含む。
【００３４】図１に公知のスパッタリング装置の実質的
な構成部分が示されている。この場合、全体が１で示さ
れている収容室が対象とされる。この収容室の中に遮へ
い箱２が設けられている。収容室の底部上に基板３が設
けられている。スパッタリング工程中に、基板の上に膜
４が被着される。スパッタリング工程の間中、収容室の
ないし遮へいボックスの室内は真空の下におかれる、正
確に言えば収容室中の圧力はスパッタリング工程のため
に必要とされる低い圧力レベルへ移される。
【００３５】収容室の上側領域の中にマグネトロン陰極
が設けられており、これはその全体が５で示されてい
る。この高性能陰極の詳細は、冒頭に述べたドイツ連邦
共和国特許公報第２４１７２８８号およびドイツ連邦共
和国特許出願公開公報第３８１２３７９号に示されてい
る。
【００３６】この高性能陰極の特徴は磁石６，７，８か
ら成る磁石配列体である。この磁石配列体は陰極そうの
中に収容されている。
【００３７】収容室の中央と同じ側の、陰極そうの上
に、ターゲット１０が設けられている。
【００３８】このスパッタリング装置は、ＤＣエネルギ
ー供給ユニット１１およびＨＦ（高周波）エネルギー供
給ユニット１２を備えている。
【００３９】１３および１４でＯ2容器ないしＡｒ容器
が示されている。管１５および１６を介してＯ2とＡｒ
は収容室の中へ達する。ここでＯ2ないしＡｒは、反応
性スパッタリングのために必要とされる反応性混合気を
ないし必要とされる反応性気体雰囲気を形成する。
【００４０】ターゲット表面１７の上に侵食された領域
１８，１９（侵食凹欠）が示されている。
【００４１】これらの侵食凹欠の間に、侵食されていな
いまたはそれほど侵食されていない中間領域２０が存在
する。同様に周縁領域２１，２２も全然またはそれほど
侵食されていない。
【００４２】この実施例の場合、マグネトロン形式の公
知のスパッタリング陰極の使用が前提とされている。こ
のスパッタリング陰極の特徴は、陰極の手前に２つの同
心状のプラズマリングないしスパッタリングリングが形
成されている点にする特徴を有する。これに関しては前
述の公報第３８１２３７９号，第１図の参照番号２９を
参照のこと。
【００４３】本発明の図２の実施例の場合、同じ陰極上
に複数個のスパッタリングリングを可能にする陰極装置
が選定されている。このことは特別に選定された磁界を
用いて介して行なわれる。陰極の上に、で各々のスパッ
タリング用リングに対して、異なるターゲット材料が与
えられる。このことは本発明の課題にもとづく発明の成
果である。
【００４４】各々のスパッタリング用リングの磁界の強
さを用いてスパッタリング能力が分割できるため、異な
る材料が異なるレートでスパッタリング可能となる。そ
のため任意のドーピングが可能となる。
【００４５】スパッタリング用リングの磁界の強さは例
えば、相応の磁石をターゲット表面に対して離間へまた
は接近させることにより、変化できる。
【００４６】図２には２重リング式マグネトロン高性能
陰極を用いた構成が断面図で詳細に示されている。この
場合、この横断面は２重リングの中心を通って切欠され
る。次に示す：円形の陰極そう２３の中にヨークプレー
ト２４が収容されている。このヨークプレート上に２つ
の、互いに円心状に設けられているリング状の磁石が取
り付けられている。図２において外側のリング状の磁石
の横断面が２５，２８で示されている。内側のリング状
の磁石の横断面は参照番号２６，２７を有する。
【００４７】２９で、中心にかつヨークプレートの中で
可動に配置されている磁石が、示されている。磁石２９
の運動は双方向矢印３０で示されている。３１で位置定
め機構が示されている。この３１により磁石２９が、中
央ターゲット３７の表面へ関連づけて位置定めされる。
この位置定め機構は部分４２の中に案内される。
【００４８】中央ターゲットはリングディスク状の外側
ターゲット３８により囲まれている。
【００４９】公知の様にスパッタリング装置の処理室内
に、陰極に対向して、加熱される基板支持体４３が設け
られている。この支持体上にフィルムの形式の基板が設
けられる。基板３９の上に膜４１が被着される。基体材
料とドーピング材料との同時のスパッタリングの場合、
基板上に、ドーピングされた膜が成長する。
【００５０】図２において文字ＳとＮにより示されてい
る様に、磁石２５〜２６の南極および北極がそれぞれ交
番的に上ないし下に設けられている。そのため磁石の間
に磁界が形成される。この磁界は、マグネトロンの場合
に公知の様に、同心状のプラズマ管状体を形成する。
【００５１】この実施例の場合、２つのリング状のプラ
ズマ管状体が形成される。即ち一方は中心のスパッタリ
ングプラズマ管状体であり、その横断面は３２と３３で
示されている。他方は外側のスパッタリングプラズマ管
状体であり、その横断面は３４と３５で示されている。
【００５２】基板３９の上の膜４１におけるドーピング
材料の濃度は、中心磁石３９が、中心ターゲットの表面
３６から種々異なる距離において位置定めされることに
より、変化できる。
【００５３】中心ターゲット３７はねじ結合部分４０を
用いて、陰極そう２３と簡単に着脱可能に結合されてい
る。
【００５４】図２の実施例の場合、ドーピング材料は即
ち中央ターゲット３７は、銅板上にねじ止めされている
すず（Ｓｎ）から形成される。基本材料は即ちリング状
の外側ターゲット３８は酸化インジュウム（Ｉｎ2Ｄ3）
から形成される。
【００５５】もちろんユーザーの所望に応じて別の材料
を用いることができる。
【００５６】図３の実施例の場合、公知の長方形横断面
を有するたて長手形陰極が用いられる。図３は分解図を
示す。
【００５７】陰極そうは参照番号４７を有する。ターゲ
ットはその全体が４８で示されている。このターゲット
は外側のターゲット部４９と中心のターゲット部５０か
ら形成されており、これらは図３において異なる斜線で
区別される。
【００５８】磁石配列体の全体は４６で示されている。
この磁石配列体は磁石ユニット４４と５３を含む。外側
に設けられた４４は位置固定の磁石ユニットである。５
３は内側に設けられた位置固定の磁石ユニットである。
両方の磁石ユニットは図３に示されている様に長方形で
ある。
【００５９】位置固定の配置とは、両方の磁石４４と４
３は、基本材料から成る外側ターゲット部４９の表面に
関連づけて、固定的に配置されているということであ
る。
【００６０】磁石配列体はさらに中央磁石４５を含み、
これは直線状に構成されておりさらに、ドーピング材料
から成る中央のターゲット部分５０に関連づけて、種々
異なる位置を例えば種々異なる間隔を有することができ
る。
【００６１】中心磁石４５に対して位置定め可能である
ことは、双方向矢印５１，５２で示されている。
【００６２】図３による実施例の動作は図２の実施例の
動作と類似する：ドーピング材料の濃度は、中央ターゲ
ット部分５０の表面と中央磁石４５の表面との間の間隔
により定められる。この間隔が変化されると、基本材料
中のドーピング材料の濃度も変化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】公知技術によるスパッタリング装置のブロック
図である。
【図２】第１実施例の詳細図である。
【図３】第２実施例の詳細図である。
【符号の説明】
１ 収容室 ２ 遮へいボックス ３ 基板 ４ 膜 ５ マグネトロン陰極 ６，７，８ 磁石 ９ 陰極そう １０ ターゲット １１，１２ ユニット １３ Ｏ2容器 １４ Ａｒ容器 １５，１６ 管 １７ ターゲット表面 １８，１９，２０，２１，２２ 領域 ２３ 陰極そう ２４ ヨークプレート ２５，２６，２７，２８ 磁石横断面 ２９ 磁石 ３０ 双方向矢印 ３１ 位置定め機構 ３２，３３，３４，３５ 断面，プラズマ管状体 ３６ 表面 ３７ 中央ターゲット ３８ 外側ターゲット ３９ 基板，フィルム ４０ ねじ止め部分 ４１ 膜 ４２ 構成部分 ４３ 基板支持体 ４４，４５ 磁石ユニット ４６ 磁石配列体 ４７ 陰極そう ４８ ターゲット ４９ 外側ターゲット部 ５０ 中央ターゲット部 ５１，５２ 双方向矢印 ５３ 磁石ユニット

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マグネトロン方式で動作するスパッタリ
    ング陰極を用いて化合物または合金を製造するために、
    ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法におい
    て、複数部分から成るターゲットによりスパッタリング
    がなされるようにし、この場合、少なくとも第１のター
    ゲット部分が第１の材料成分を有しており、さらに第２
    のターゲット部分が第２の材料成分を有しており、さら
    にスパッタリング工程の間中は第１のターゲット部分に
    別個の第１スパッタリングプラズマが配属されており、
    さらに第２のターゲット部分に別個の第２のスパッタリ
    ングプラズマが配属されており、さらにスパッタリング
    工程の間中は基板上へ被着されるスパッタリングされる
    材料成分がドーピングされる基本材料，化合物または合
    金を形成することを特徴とする、スパッタリング陰極を
    用いて化合物または合金を製造するために、ドーピング
    材料で基本材料をドーピングする方法。
  2. 【請求項２】 マグネトロン方式で動作するスパッタリ
    ング陰極を用いて少なくとも１つのドーピング材料で基
    本材料をドーピングする方法において、複数の例えば２
    つの部分から成るターゲットによりスパッタリングがな
    されるようにし、この場合、少なくとも第１のターゲッ
    ト部分が基本材料を有しており（基本材料ターゲッ
    ト）、さらに少なくとも第２のターゲット部分がドーピ
    ング材料を有しており（ドーピング材料ターゲット）、
    さらにスパッタリング工程の間中は基本材料ターゲット
    部分に個別の第１スパッタリングプラズマ（基本材料プ
    ラズマ）が配属されており、さらにドーピングターゲッ
    ト部分に個別の第２のスパッタリングプラズマが配属さ
    れており（ドーピング材料プラズマ）、さらにスパッタ
    リング工程の間中は基板上へ被着されるスパッタリング
    される基本材料が、スパッタリングされるドーピング材
    料によりスパッタリングされる請求項１項記載の方法。
  3. 【請求項３】 第１のスパッタリングプラズマのスパッ
    タリング出力を変化する目的で、磁界が例えば磁界の強
    さ，第１のスパッタリングプラズマの強さが変化できる
    ようにし、これにより化合物の組成がまたは合金の組成
    が変化されるようにした請求項１又は２記載の方法。
  4. 【請求項４】 第１のドーピングプラズマのスパッタリ
    ング出力を変化する目的で、磁界が例えば磁界の強さ，
    ドーピング材料プラズマの強さが変化できるようにし、
    これにより基本材料のドーピングが変化されるようにし
    た請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
  5. 【請求項５】 基本材料プラズマのスパッタリング出力
    を変化する目的で、磁界が例えば磁界の強さ，基本材料
    プラズマの強さが変化できるようにし、これにより基本
    材料のドーピングが変化されるようにした請求項１から
    ４までのいずれか１項記載の方法。
  6. 【請求項６】 磁界の変化が例えば磁界の強さの変化
    が、少なくとも一つの磁石ユニットをターゲット表面へ
    関連づけて変化させることにより行なわれるようにした
    請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
  7. 【請求項７】 ターゲット表面と少なくとも一つの磁石
    ユニットとの間の間隔が変化されるようにした請求項１
    から６までのいずれか１項記載の方法。
  8. 【請求項８】 請求項１から７までのいずれか１項記載
    の方法を実施するための装置において、異なる強さの磁
    界を発生する少なくとも２つの磁石ユニットが設けられ
    ており、さらにターゲットが少なくとも２つの部分から
    形成されるようにし、さらに各々のターゲット部分に１
    つの磁界が配属されていることを特徴とする装置。
  9. 【請求項９】 少なくとも１つの磁石ユニットが、ター
    ゲット表面へ関連づけて変化可能に位置定めできるよう
    にした請求項８記載の装置。
  10. 【請求項１０】 少なくとも１つの磁石ユニットとター
    ゲット表面との間の間隔が可変である請求項８又は９記
    載の装置。
  11. 【請求項１１】 スパッタリング陰極の磁石配列体が、
    位置定め可能な中心磁石ユニット（２９）と，固定位置
    を有する、該中心磁石ユニットを囲む磁石ユニット（外
    側の磁石ユニット）（２５，２６，２７，２８）とから
    構成されており、さらに前記の中心磁石ユニットに第１
    の材料成分（３７）を有する第１のターゲット部分が配
    属されており、外側の磁石ユニットに、第２の材料成分
    （３８）を有する第２のターゲット部分が配属されてい
    る請求項８から１０までのいずれか１項記載の装置。
  12. 【請求項１２】 スパッタリング陰極の磁石配列体が、
    位置定め可能な中心磁石ユニット（２９）と，固定位置
    を有する、該磁石ユニットを囲む磁石ユニット（外側の
    磁石ユニット）（２５，２６，２７，２８）とから構成
    されており、さらに前記の中心磁石ユニットにドーピン
    グ材料ターゲット（３７）が配属されており、外側の磁
    石ユニットに、基本材料ターゲット（３８）が配属され
    ている請求項８から１１までのいずれか１項記載の装
    置。
  13. 【請求項１３】 可動の磁石ユニット（２９）のために
    操作装置（３１，４２）が設けられており、該操作装置
    が前記可動の磁石ユニットを第１のターゲット部分（３
    ７）の表面への所定の間隔において位置定めするように
    した請求項８から１２までのいずれか１項記載の装置。
  14. 【請求項１４】 可動の磁石ユニット（２９）のために
    操作装置（３１，４２）が設けられており、該操作装置
    が前記可動の磁石ユニットをドーピング材料ターゲット
    （３７）の表面への所定の間隔において位置定めするよ
    うにした請求項８から１３までのいずれか１項記載の装
    置。
  15. 【請求項１５】 第１のターゲット部分（３７）が円形
    のディスクとして構成されており、該ディスクはリング
    状の第２のターゲット部分（３８）により囲まれている
    請求項８から１４までのいずれか１項記載の装置。
  16. 【請求項１６】 ドーピング材料ターゲット（３７）が
    円形のディスクとして構成されており、該ディスクはリ
    ング状の基本材料ターゲット（３８）により囲まれてい
    る請求項８から１５までのいずれか１項記載の装置。
  17. 【請求項１７】 スパッタリング陰極が実質的に長方形
    の磁石配列体（４４，５３，４５）を有する長手形陰極
    として構成されており、さらに磁石配列体の、中央の実
    質的に直線の磁石ユニット（４５）が位置定め可能であ
    る請求項８から１６までのいずれか１項記載の装置。
  18. 【請求項１８】 第１のターゲット部分（３７）が簡単
    に着脱可能に、例えばねじ継手（４０）により陰極そう
    （２３）に例えば銅そうに取り付けられている請求項８
    から１７までのいずれか１項記載の装置。
  19. 【請求項１９】 ドーピング材料ターゲット（３７）が
    簡単に着脱可能に、例えばねじ継手（４０）により陰極
    そう（２３）に例えば銅構成体に取り付けられている請
    求項８から１８までのいずれか１項記載の装置。
  20. 【請求項２０】 位置定め可能な磁石ユニットが、ヨー
    クを貫通して例えばヨークプレート（２４）を貫通し
    て、可動に設けられている請求項８から１９までのいず
    れか１項記載の装置。
  21. 【請求項２１】 基本材料ターゲット（３８）がＩｎ2
    Ｏ3から形成され、さらにドーピング材料ターゲット
    （３７）がＳｎから形成されている請求項８から２０ま
    でのいずれか１項記載の装置。
JP5035392A 1991-03-09 1992-03-09 スパツタリング陰極の使用の下に化合物をまたは合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法およびこの方法を実施する装置 Pending JPH0578837A (ja)

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