JP2007302921A - マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置 - Google Patents
マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007302921A JP2007302921A JP2006130290A JP2006130290A JP2007302921A JP 2007302921 A JP2007302921 A JP 2007302921A JP 2006130290 A JP2006130290 A JP 2006130290A JP 2006130290 A JP2006130290 A JP 2006130290A JP 2007302921 A JP2007302921 A JP 2007302921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnet group
- magnetron cathode
- magnetic
- magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3455—Movable magnets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】円形の内ターゲット5と、その外側に内ターゲット5と同心状の外ターゲット4を具備するマグネトロンカソード1において、外ターゲット4の背面側に位置して外ターゲット4を保持する外ターゲット用裏板部62に対して不動であり、外ターゲット用マグネット群及びマグネット群が固定される外ヨーク10からなる外マグネットユニット9と、内ターゲット5の背面側に位置して内ターゲット5を保持する内ターゲット用裏板部72に回転可能及び移動可能とし、内ターゲット用マグネット群81及びマグネット群が固定される内ヨーク11からなる内マグネットユニット8と、内マグネットユニット8を内ターゲット5に対して移動させる移動制御手段と、内マグネットユニット8を内ターゲット5に対して回転させる回転制御手段を具備する。
【選択図】 図1
Description
2 ハウジング
4 外ターゲット
5 内ターゲット
8 内マグネットユニット
9 外マグネットユニット
10 外ヨーク
11 内ヨーク
12 絶縁体
20 内マグネットユニット回転機構
30 位置マグネットユニット垂直移動機構
50 磁気センサー
61 冷却水流路
62 外ターゲット用裏板部
72 内ターゲット用裏板部
80A 外周マグネットユニット
80B 中央マグネットユニット
81 内ターゲット用マグネット群
81A 外周マグネット群
81B 中央マグネット群
90 外ターゲット用マグネット群
91 内側マグネット群
92 外側マグネット群
93 内側非磁性体リング
94 内側磁性体リング
95 非磁性体リング
96 磁性体リング
Claims (15)
- 円形の内ターゲットと、該内ターゲットの外側に該内ターゲットと同心状に設けられる外ターゲットを具備するマグネトロンカソードにおいて、
前記外ターゲットの背面側に位置して前記外ターゲットを保持する外ターゲット用裏板部に対して不動であり、外ターゲット用マグネット群及び該マグネット群が固定される外ヨークからなる外マグネットユニットと、
前記内ターゲットの背面側に位置して前記内ターゲットを保持する内ターゲット用裏板部に回転可能及び移動可能に設けられ、内ターゲット用マグネット群及び該マグネット群が固定される内ヨークからなる内マグネットユニットと、
前記内マグネットユニットを前記内ターゲットに対して移動させる移動制御手段と、
前記内マグネットユニットを前記内ターゲットに対して回転させる回転制御手段を具備することを特徴とするマグネトロンカソード。 - 前記内マグネットユニット近傍に配され、前記内マグネットユニット近傍の磁束密度を検出する磁束密度検出手段と、
該磁束密度検出手段によって検出された磁束密度に基づいて、前記移動制御手段を制御することを特徴とする請求項1記載のマグネトロンカソード。 - 前記外ターゲット用マグネット群は、径方向に併設された外側マグネット群及び内側マグネット群からなり、前記外側マグネット群及び前記内側マグネット群の外ターゲット側磁極面は、前記外側マグネット群の外ターゲット側磁極面が前記内側マグネット群の外ターゲット側磁極面よりも前記外ターゲット側に近くなるように、階段状に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のマグネトロンカソード。
- 前記外ターゲット用裏板部と、前記外ターゲット用マグネット群の間には、前記外ターゲット用裏板部に沿って環状に形成された磁性体リングが設けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のマグネトロンカソード。
- 前記磁性体リングと前記外ターゲット用マグネット群の間には、磁性体リングに沿って環状に形成された非磁性体リングが設けられることを特徴とする請求項4記載のマグネトロンカソード。
- 前記外ターゲット用マグネット群の内側マグネット群と前記非磁性体リングの間には、前記非磁性体リングに沿って環状に形成された内側磁性体リングと、該内側磁性体リングに沿って環状に形成され、該内側磁性体リングと前記内側マグネット群の間に配される非磁性体リングとが設けられることを特徴とする請求項5記載のマグネトロンカソード。
- 前記外ターゲットと前記外ターゲット用裏板部の間に、磁性体を配したことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のマグネトロンカソード。
- 前記内マグネットユニットの内マグネット群は、独立して回転可能な外周マグネット群と中央マグネット群とによって構成されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載のマグネトロンカソード。
- 前記中央マグネット群の内ターゲット側端部には、円板状の磁性体プレートが配されると共に、前記外周マグネット群の内ターゲット側端部には、環状の磁性体プレートが配されることを特徴とする請求項8記載のマグネトロンカソード。
- 前記内ターゲット用裏板部の内マグネットユニット側の面に、中心から不均一に広がる形状の磁性体板を設けたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載のマグネトロンカソード。
- 前記内ターゲットと前記外ターゲットは、同種の材料からなることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載のマグネトロンカソード。
- 前記内ターゲットと前記外ターゲットは、異種の材料からなることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載のマグネトロンカソード。
- 前記内ターゲット及び外ターゲットは同時にスパッタされることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一つに記載のマグネトロンカソード。
- 前記内ターゲット及び外ターゲットは、それぞれ独立してスパッタされることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一つに記載のマグネトロンカソード。
- 前記請求項1〜14のいずれか一つに記載のマグネトロンカソードを搭載したことを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006130290A JP4750619B2 (ja) | 2006-05-09 | 2006-05-09 | マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置 |
US11/797,289 US20070261957A1 (en) | 2006-05-09 | 2007-05-02 | Magnetron cathode and sputtering device installing it |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006130290A JP4750619B2 (ja) | 2006-05-09 | 2006-05-09 | マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007302921A true JP2007302921A (ja) | 2007-11-22 |
JP4750619B2 JP4750619B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=38684084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006130290A Active JP4750619B2 (ja) | 2006-05-09 | 2006-05-09 | マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070261957A1 (ja) |
JP (1) | JP4750619B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009149927A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Ulvac Japan Ltd | 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置 |
JP2009287076A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Showa Denko Kk | スパッタリング方法及び装置 |
JP2011117019A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Showa Denko Kk | マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置 |
JP2012136780A (ja) * | 2012-02-13 | 2012-07-19 | Ulvac Japan Ltd | 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置 |
JP2018502224A (ja) * | 2014-12-14 | 2018-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Pvd誘電体堆積ための装置 |
JPWO2020044872A1 (ja) * | 2018-08-27 | 2021-06-10 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び成膜方法 |
CN113584449A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-11-02 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3077566A1 (en) * | 2013-12-04 | 2016-10-12 | Oerlikon Advanced Technologies AG | Sputtering source arrangement, sputtering system and method of manufacturing metal-coated plate-shaped substrates |
US11615947B2 (en) * | 2020-09-01 | 2023-03-28 | Oem Group, Llc | Systems and methods for an improved magnetron electromagnetic assembly |
US20230088552A1 (en) * | 2021-09-17 | 2023-03-23 | Applied Materials, Inc. | Top magnets for decreased non-uniformity in pvd |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61246367A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Nec Corp | マグネトロン型スパツタリング装置 |
JPS63195263A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | Shimadzu Corp | スパツタリング装置 |
JPH0361367A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Shimadzu Corp | マグネトロン方式のスパッタリング装置 |
JPH0578837A (ja) * | 1991-03-09 | 1993-03-30 | Leybold Ag | スパツタリング陰極の使用の下に化合物をまたは合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法およびこの方法を実施する装置 |
JPH0978237A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-25 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 薄膜製造方法及びその装置 |
JPH11310875A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-11-09 | Balzers & Leybold Deutsche Holding Ag | 基板の被覆のための装置 |
JP2000282234A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-10 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタリング装置 |
JP2001152333A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-05 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタリング装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6451177B1 (en) * | 2000-01-21 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes |
US6251242B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Magnetron and target producing an extended plasma region in a sputter reactor |
US6406599B1 (en) * | 2000-11-01 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Magnetron with a rotating center magnet for a vault shaped sputtering target |
US20050133361A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
-
2006
- 2006-05-09 JP JP2006130290A patent/JP4750619B2/ja active Active
-
2007
- 2007-05-02 US US11/797,289 patent/US20070261957A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61246367A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Nec Corp | マグネトロン型スパツタリング装置 |
JPS63195263A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | Shimadzu Corp | スパツタリング装置 |
JPH0361367A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Shimadzu Corp | マグネトロン方式のスパッタリング装置 |
JPH0578837A (ja) * | 1991-03-09 | 1993-03-30 | Leybold Ag | スパツタリング陰極の使用の下に化合物をまたは合金を製造するために、ドーピング材料で基本材料をドーピングする方法およびこの方法を実施する装置 |
JPH0978237A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-25 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 薄膜製造方法及びその装置 |
JPH11310875A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-11-09 | Balzers & Leybold Deutsche Holding Ag | 基板の被覆のための装置 |
JP2000282234A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-10 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタリング装置 |
JP2001152333A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-05 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタリング装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009149927A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Ulvac Japan Ltd | 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置 |
JP2009287076A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Showa Denko Kk | スパッタリング方法及び装置 |
JP2011117019A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Showa Denko Kk | マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置 |
JP2012136780A (ja) * | 2012-02-13 | 2012-07-19 | Ulvac Japan Ltd | 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置 |
JP2018502224A (ja) * | 2014-12-14 | 2018-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Pvd誘電体堆積ための装置 |
JPWO2020044872A1 (ja) * | 2018-08-27 | 2021-06-10 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び成膜方法 |
JP6997877B2 (ja) | 2018-08-27 | 2022-02-10 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び成膜方法 |
CN113584449A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-11-02 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极 |
CN113584449B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-07-28 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070261957A1 (en) | 2007-11-15 |
JP4750619B2 (ja) | 2011-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4750619B2 (ja) | マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置 | |
KR102578666B1 (ko) | 실드 마운트를 갖는 증착 시스템 | |
TWI363808B (ja) | ||
JP4371805B2 (ja) | マグネトロンスパッタソース | |
JP2002356772A (ja) | 複数部材からなるターゲットを備える、マグネトロンスパッタソース | |
JPH06330312A (ja) | 磁場支援されたスパッタリング装置とそれを用いた真空処理装置 | |
JP4755475B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JP2005187830A (ja) | スパッタ装置 | |
JP2007182617A (ja) | スパッタ成膜方法及び装置 | |
JP4660241B2 (ja) | スパッタ装置 | |
TWI839503B (zh) | 濺射裝置,薄膜製造方法 | |
JP2006233240A (ja) | スパッタ用カソード及びスパッタ装置 | |
JP2000073167A (ja) | 真空チャンバ内で基板をコ―ティングするための装置 | |
JPH1129866A (ja) | スパッタ装置 | |
JP2010001526A (ja) | マグネトロンスパッタ方法及びマグネトロンスパッタ装置 | |
JP4702530B2 (ja) | プラネタリー方式のスパッタリング装置 | |
JP4957992B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置及びそれを用いた成膜方法 | |
JPH09118980A (ja) | スパッタリング装置用のマグネトロンユニット及びスパッタリング装置 | |
JP2004346387A (ja) | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 | |
JP4219566B2 (ja) | スパッタ装置 | |
WO1999060617A1 (fr) | Appareil de pulverisation cathodique et unite magnetron | |
JP2006336034A (ja) | 真空処理装置 | |
JPH0565634A (ja) | スパツタ装置 | |
US9558921B2 (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
JPH04371575A (ja) | スパッタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090428 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110517 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110519 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4750619 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |