JP2009287076A - スパッタリング方法及び装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スパッタリング方法及び装置において、ターゲットへの再付着膜の堆積量を減少可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板に所望の膜を成膜するスパッタリング方法において、ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御することで、前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する。
【選択図】図４

Description

本発明は、スパッタリング方法及び装置に係り、特にマグネトロンスパッタリング等に好適なスパッタリング方法及び装置に関する。

図１は、従来のスパッタリング方法を説明する図である。図１において、マグネットベース１に設けられたマグネット２，３は、モータ（図示せず）によりターゲット８に対して回転する。ターゲット８の外周部分は、スパッタリング装置の真空室内においてターゲット押さえ９により保持されている。

スパッタリング装置の真空室内でスパッタリング中のスパッタリング原子１１の一部は、所望の膜をスパッタリングにより成膜するべき基板（図示せず）へ到達する過程においてＡｒガス等のプロセスガスの散乱によりターゲット８の表面に再付着する再付着原子１２となり、ターゲット８の表面に再付着膜を形成する。一方、ターゲット８の表面のスパッタリングレートは、主にターゲット８の表面に平行な磁場の強度に依存した分布となる。図１において、破線は磁場を示し、一点鎖線は磁場強度を示す。この結果、ターゲット８の表面に形成される再付着膜の体積は、スパッタリングレートと再付着膜の堆積レートのバランスにより決まる。

一般に、マグネトロンスパッタリングに使用される磁気回路、具体的にはロータリーカソードマグネットは、ターゲット８以外のターゲット押さえ９等をスパッタリングしないように、ターゲット８の外周部分の磁場強度が弱くなるように設計されている。このため、ターゲット８の外周部分では、スパッタリングレートに対して再付着膜の堆積レートが高くなり、再付着膜が堆積してしまう。

図２は、ターゲット８の表面に平行な磁場の強度が強い箇所でのスパッタリングレートと再付着膜の堆積レートの関係を示す図である。又、図３は、ターゲット８の表面に平行な磁場の強度が弱い箇所でのスパッタリングレートと再付着膜の堆積レートの関係を示す図である。図２及び図３において、ＳＱはスパッタリング原子１１のスパッタリング量を示し、ＲＤは再付着原子１２の再付着量を示す。図３の場合、再付着量ＲＤがスパッタリング量ＳＱと比べて多い。

再付着原子１２の堆積量ＲＤ、即ち、再付着膜の膜厚が一定値以上になると、熱応力の変化等により再付着膜の剥離が発生し易くなる。再付着膜の剥離が発生すると、再付着膜の成分が基板に付着して欠陥の原因となったり、真空室内においてカソードとグランドを短絡してスパッタリング装置の稼働障害を引き起こしたりする。

特許文献１乃至４からもわかるように、従来より各種スパッタリング装置が提案されている。
特開平１１−６１４０１号公報 特開２０００−１７７６号公報 特開平４−６３２７１号公報 特開平４−６３２７３号公報

従来のスパッタリング方法では、ターゲットの表面に平行な磁場の強度が弱いターゲットの外周部分での再付着膜の堆積量が多くなり、再付着膜の剥離が発生し易いという問題があった。

そこで、本発明は、ターゲットへの再付着膜の堆積量を減少可能なスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、基板に所望の膜を成膜するスパッタリング方法であって、ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御する制御ステップを有し、前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去するスパッタリング方法が提供される。

本発明の一観点によれば、基板に所望の膜を成膜するスパッタリング装置であって、真空室内でディスク形状のターゲットを保持するターゲット押さえと、回転可能なマグネットベース上に、前記ディスク形状の外周側から内周側に向かって配置されて前記ターゲットに磁場を発生させる第１、第２及び第３のマグネットと、前記ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御する制御部を備え、前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去するスパッタリング装置が提供される。

開示のスパッタリング方法及び装置によれば、ターゲットへの再付着膜の堆積量を減少可能となる。

開示のスパッタリング方法及び装置では、実稼働時又は生産時にターゲットの表面に平行な磁場の強度が弱いターゲットの部分等を、アイドル時又は非生産時には強い磁場強度に制御することで、実稼働時又は生産時にはスパッタリングされないターゲットの部分等をスパッタリングして再付着膜を除去する。アイドル時又は非生産時に除去される再付着膜は、実稼働又は生産前の排気処理等によりスパッタリング装置外に排出されるので、実稼働時又は生産時の基板上の成膜への影響は防止できる。

以下に、本発明のスパッタリング方法及び装置の各実施例を、図２以降と共に説明する。

図４は、本発明の第１実施例におけるスパッタリング装置の実稼働時又は生産時（以下、単に実稼働時と言う）の動作を説明する図である。図４において、マグネットベース２１には、マグネット２２を支持する第１の支持部２１１、マグネット２３を支持する第２の支持部２１２及びマグネット２４を支持する第３の支持部２１３が設けられている。マグネット２２，２３，２４は、いずれも永久磁石である。第１の支持部２１１は、マグネットベース２１に固定されている。一方、第２の支持部２１２は、モータ３１及び移送機構３２により、マグネットベース２１及びターゲット２８に対して移動可能に設けられている。又、第３の支持部２１３は、モータ３３及び移送機構３４により、マグネットベース２１及びターゲット２８に対して移動可能に設けられている。第２の支持部２１２及び第３の支持部２１３は、互いに別々に移動可能である。マグネットベース２１は、モータ（図示せず）によりターゲット２８に対して回転する。ターゲット２８の外周部分は、スパッタリング装置の真空室内においてターゲット押さえ（又は、シールド）２９により保持されている。

図４中、破線は磁場を示す。尚、図４に示すマグネット２４，２２，２３のＮ，Ｓ，Ｎ極の関係は、これとは逆のＳ，Ｎ，Ｓ極の関係となっていても良い。

本実施例では、ターゲット２８がディスク形状を有しこのディスク形状の外周側から内周側に向かってマグネット２４，２２，２３がこの順序で配置されている。

スパッタリング装置の実稼働時には、磁気記録媒体等の製品に使用する基板（図示せず）上に所望の膜をスパッタリングにより成膜する。この場合、マグネット２２，２３による磁場を用いてスパッタリングをするため、制御部（図示せず）はモータ３１を制御して第２の支持部２１２を図４に示す上昇した位置まで移動してターゲット２８に近づける。一方、制御部はモータ３３を制御して第３の支持部２１３を図４に示す下降した位置まで移動してターゲット２８から遠ざける。これにより、マグネット２４，２２による磁場は、ターゲット２８から漏れない程度の磁場強度に抑えられ、マグネット２４，２２による磁場でスパッタリングが発生することはない。尚、図４では、マグネット２４，２２による磁場がターゲット２８を通る場合が図示されているが、マグネット２４は、マグネット２４，２２による磁場がターゲット２８から漏れず、且つ、ターゲットを通らない程度にターゲット２８から遠ざけるようにしても良い。

図５は、実稼働時のターゲット２８の表面に平行な磁場の強度を示す図である。図５中、縦軸は水平方向の磁場強度を任意単位で示し、横軸はターゲット２８の位置を任意単位で示す。図５の左側がターゲット２８の外周部分に相当する。図５からもわかるように、実稼働時には、スパッタリングに寄与する磁場はマグネット２２，２３によるものであり、マグネット２４，２２による磁場はターゲット２８から漏れないのでスパッタリングに寄与しない。このため、ターゲット２８の外周部分にあるターゲット２８以外のターゲット押さえ２９等がスパッタリングされることはない。又、図４に示すようにマグネット２４，２２による磁場がターゲット２８を通る場合には、ターゲット押さえ２９を含むターゲット２８の外周部分では、スパッタリングレートに対して再付着膜の堆積レートが図１に示す従来例の場合と比較すると低くなり、再付着膜の堆積を抑えることができる。

図６は、第１実施例におけるアイドル時又は非生産時（以下、単にアイドル時と言う）の動作を説明する図である。

スパッタリング装置のアイドル時には、製品に使用される基板上に所望の膜をスパッタリングにより成膜することはないが、ダミーの基板等に所望の膜をスパッタリングにより成膜するようにしても良い。この場合、マグネット２２，２３による磁場の強度を上記実稼働時よりも弱くするため、制御部はモータ３１を制御して第２の支持部２１２を図６に示す下降した位置まで移動してターゲット２８から遠ざける。一方、制御部はモータ３３を制御して第３の支持部２１３を図６に示す上昇した位置まで移動してターゲット２８に近づける。これにより、マグネット２４，２２による磁場の強度は、マグネット２２，２３による磁場の強度以上に制御され、マグネット２４，２２による磁場でスパッタリングが発生する。この状態では、マグネット２２，２３による磁場でのスパッタリングは最小限に抑えられる。マグネット２４，２２による磁場で発生するスパッタリングにより、実稼働時にターゲット２８の外周部分やターゲット２８以外のターゲット押さえ２９等に付着した再付着膜を除去することができる。又、実稼働時にはあまりスパッタリングされないターゲット２８の外周部分がスパッタリングされるので、図１に示す従来例と比較するとターゲット２８の表面をより均一に利用することができる。

図７は、アイドル時のターゲット２８の表面に平行な磁場の強度を示す図である。図７中、縦軸は水平方向の磁場強度を任意単位で示し、横軸はターゲット２８の位置を任意単位で示す。図７の左側がターゲット２８の外周部分に相当する。図７からもわかるように、アイドル時には、スパッタリングに寄与する磁場は主にマグネット２４，２２によるものであり、マグネット２２，２３による磁場は実稼働時程はスパッタリングに寄与しない。このため、ターゲット２８の外周部分やターゲット２８以外のターゲット押さえ２９等もスパッタリングされる。これにより、実稼働時にターゲット２８の外周部分やターゲット２８以外のターゲット押さえ２９等に付着した再付着膜を除去することができる。アイドル時に除去される再付着膜は、実稼働前の排気処理等によりスパッタリング装置外に排出されるので、実稼働時の基板上の成膜への影響は防止できる。

図８は、本発明の第１実施例におけるスパッタリング装置を示す断面図である。図８に示すスパッタリング装置５１−１は、ロータリーカソードマグネットを用いたマグネトロンスパッタリングを行う。図８中、図４及び図６と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。この例では、２つのターゲット２８を用いる。

図８に示すスパッタリング装置５１−１には、真空室５２に２つのロータリーカソードマグネット部５３−１及び真空ポンプ５４が設けられている。２つのロータリーカソードマグネット部５３−１は、同じ構成を有し、マグネットベース２２を回転させるモータ５３３を有する。

真空室５２内には、基板６１を支持するキャリア５６が設けられ、キャリア５６は搬送ユニット５５により搬送される。搬送ユニット５５は、所望の膜を成膜するべき基板６１を真空室５２外から真空室５２内へ搬送し、所望の膜が成膜された基板６１を真空室５２内から真空室５２外へ搬送する。真空室５２には、Ａｒガス等のプロセスガスを導入するガス導入口５７が設けられている。

制御部５９は、スパッタリング装置５１−１の各部を制御する。図８では便宜上、制御部５９から各部への信号線の図示は省略する。制御部５９は、モータ３１，３３，５３３、搬送ユニット５５、真空ポンプ５４、ガス導入口５７からのプロセスガスの真空室５２への導入、真空室５２の排気口（図示せず）からの排気等を制御する。本実施例では、制御部５９はスパッタリング装置５１−１全体を制御する単一のプロセッサであるが、制御部５９が複数のプロセッサで構成されている場合には、スパッタリング装置５１−１の各部を別々のプロセッサで制御するようにしても良い。

図９は、図８中楕円で示すターゲット２８の部分を拡大して示す図である。スパッタリング装置５１−１の実稼働時に真空室５２内でスパッタリング中のスパッタリング原子１１の一部は、所望の膜をスパッタリングにより成膜するべき基板６１へ到達する過程においてＡｒガス等のプロセスガスの散乱によりターゲット２８やターゲット押さえ２９の表面に再付着する再付着原子１２となり、ターゲット２８やターゲット押さえ２９の表面に再付着膜を形成する。一方、ターゲット２８の表面のスパッタリングレートは、主にターゲット２８の表面に平行な磁場の強度に依存した分布となる。図９において、破線は磁場を示し、一点鎖線は磁場強度を示す。この結果、ターゲット２８やターゲット押さえ２９の表面に形成される再付着膜の体積は、スパッタリングレートと再付着膜の堆積レートのバランスにより決まる。

本実施例では、たとえ実稼働時にターゲット２８やターゲット押さえ２９の表面に再付着膜が形成されても、アイドル時のスパッタリングにより除去されるので、剥離した再付着膜の成分が基板６１に付着して欠陥の原因となったり、真空室５２内においてカソードとグランドを短絡してスパッタリング装置５１−１の稼働障害を引き起こしたりすることがない。

尚、アイドル時にスパッタリング装置５１−１を完全にオフ状態とせずに最低限のスパッタリング継続するのは、連続して複数の基板に対する成膜を行う場合、基板が代わる度にスパッタリング装置５１−１を毎回完全なオフ状態からオン状態（即ち、実稼働状態）へ立ち上げるのでは時間がかかり、生産効率が非常に低下してしまうからである。このため、スパッタリング装置５１−１は、基板６１に対して実際に成膜処理を行う成膜モード（即ち、実稼働状態）と、基板６１に対する成膜処理を行わない待機モード（即ち、アイドル状態）の２つの動作モードを有する。

図１０は、本発明の第２実施例におけるスパッタリング装置を示す断面図である。図１０中、図４、図６及び図８と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。

図１０に示すスパッタリング装置５１−２には、真空室５２に２つのロータリーカソードマグネット部５３−２及び真空ポンプ５４が設けられている。２つのロータリーカソードマグネット部５３−２は、同じ構成を有し、マグネットベース２２を回転させるモータ５３３を有する。マグネット２２，２３は、マグネットベース２２に固定されている。

図１１は、図１０中楕円で示すのターゲット２８の部分を拡大して示す図である。又、図１２は、図１０のターゲット押さえ２９の部分を拡大して示す図である。ターゲット押さえ２９は、移動可能なシールドベース２９１に設けられている。シールドベース２９１は、一対のモータ７１ｘ及び一対の移送機構７２ｘにより、マグネットベース２１に対してｘ方向に移動可能に設けられると共に、一対のモータ７１ｙ及び一対の移送機構７２ｙにより、マグネットベース２１に対してｙ方向に移動可能に設けられている。尚、シールドベース２９１は、ｘ方向或いはｙ方向の一方のみに移動可能な構成としても良い。モータ７１ｘ，７１ｙは、制御部５９により制御される。

図１３は、ターゲット２８の表面に平行な磁場の強度とターゲット２８の移動を示す図である。図１３中、縦軸は水平方向の磁場強度を任意単位で示し、横軸はターゲット２８の位置を任意単位で示す。図１３の左側がターゲット２８の外周部分に相当する。制御部５９は、スパッタリング装置５１−２の実稼働時にはターゲット２８が図１３中Ｉで示す位置でマグネット２２，２３と対向するようにモータ７１ｘ，７１ｙを制御し、アイドル時にはターゲット２８が図１３中ＩＩで示す位置でマグネット２２，２３と対向するようにモータ７１ｘ，７１ｙを制御する。ＩＩに示す位置では、マグネット２２，２３はターゲット２８の外周部分に対向する。この結果、ターゲット２８の表面に平行な磁場の強度は、ターゲット２８がＩＩで示す位置にあってもＩで示す位置と同じ強度に制御される。つまり、アイドル時には、ターゲット２８の外周部分やターゲット２８以外のターゲット押さえ２９等もスパッタリングされる。これにより、実稼働時にターゲット２８の外周部分やターゲット２８以外のターゲット押さえ２９等に付着した再付着膜を除去することができる。アイドル時に除去される再付着膜は、実稼働前の排気処理等によりスパッタリング装置外に排出されるので、実稼働時の基板上の成膜への影響は防止できる。

本実施例では、たとえ実稼働時にターゲット２８やターゲット押さえ２９の表面に再付着膜が形成されても、アイドル時のスパッタリングにより除去されるので、剥離した再付着膜の成分が基板６１に付着して欠陥の原因となったり、真空室５２内においてカソードとグランドを短絡してスパッタリング装置５１−２の稼働障害を引き起こしたりすることがない。

尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１）
基板に所望の膜を成膜するスパッタリング方法であって、
ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御する制御ステップを有し、
前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する、スパッタリング方法。
（付記２）
前記成膜モード中、第２の強度の磁場は、前記ターゲットから漏れない程度の磁場である、付記１記載のスパッタリング方法。
（付記３）
前記ターゲットはディスク形状を有し、回転可能なマグネットベースに設けられた第１、第２及び第３のマグネットは前記ディスク形状の外周側から内周側に向かって配置されて前記ターゲットに磁場を発生し、
前記制御ステップは、前記成膜モードでは前記第１のマグネットを前記ターゲットから遠ざけると共に前記第２及び第３のマグネットを前記ターゲットに近づけて前記第１及び第２のマグネットによる磁場を前記第２の強度に制御し、前記待機モードでは前記第１及び第２のマグネットを前記ターゲットに近づけると共に前記第３のマグネットを前記ターゲットから遠ざけて前記第１及び第２のマグネットによる磁場を前記第１の強度以上に制御する、付記１又は２記載のスパッタリング方法。
（付記４）
前記第１及び第３のマグネットは前記マグネットベースに移動可能に設けられ、前記第２のマグネットは前記マグネットベースに固定されている、付記３記載のスパッタリング方法。
（付記５）
前記ターゲットはディスク形状を有し、回転可能なマグネットベースに設けられた第１及び第２のマグネットは前記ディスク形状の外周側から内周側に向かって配置されて前記ターゲットに磁場を発生し、
前記制御ステップは、前記待機モードでは前記第１及び第２のマグネットが前記成膜モードよりも前記ターゲットの外周部分に対向するように前記ターゲットを移動する、付記１記載のスパッタリング方法。
（付記６）
基板に所望の膜を成膜するスパッタリング装置であって、
真空室内でディスク形状のターゲットを保持するターゲット押さえと、
回転可能なマグネットベース上に、前記ディスク形状の外周側から内周側に向かって配置されて前記ターゲットに磁場を発生させる第１、第２及び第３のマグネットと、
前記ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御する制御部を備え、
前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する、スパッタリング装置。
（付記７）
前記制御部は、前記成膜モード中、第２の強度の磁場を、前記ターゲットから漏れない程度の磁場に制御する、付記６記載のスパッタリング装置。
（付記８）
前記第１及び第３のマグネットは前記マグネットベースに移動可能に設けられ、前記第２のマグネットは前記マグネットベースに固定されている、付記６又は７記載のスパッタリング装置。
（付記９）
基板に所望の膜を成膜するスパッタリング装置であって、
真空室内でディスク形状のターゲットを保持するターゲット押さえと、
回転可能なマグネットベース上に、前記ディスク形状の外周側から内周側に向かって配置されて前記ターゲットに磁場を発生させる第１及び第２のマグネットと、
前記ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御する制御部を備え、
前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する、スパッタリング装置。
（付記１０）
前記制御部は、前記待機モードでは前記第１及び第２のマグネットが前記成膜モードよりも前記ターゲットの外周部分に対向するように前記ターゲットを移動する、付記９記載のスパッタリング装置。

以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。

従来のスパッタリング方法を説明する図である。 ターゲットの表面に平行な磁場の強度が強い箇所でのスパッタリングレートと再付着膜の堆積レートの関係を示す図である。 ターゲットの表面に平行な磁場の強度が弱い箇所でのスパッタリングレートと再付着膜の堆積レートの関係を示す図である。 本発明の第１実施例における実稼働時の動作を説明する図である。 実稼働時のターゲットの表面に平行な磁場の強度を示す図である。 本発明の第１実施例におけるアイドル時の動作を説明する図である。 アイドル時のターゲットの表面に平行な磁場の強度を示す図である。 本発明の第１実施例におけるスパッタリング装置を示す断面図である。 図８のターゲットの部分を拡大して示す図である。 本発明の第２実施例におけるスパッタリング装置を示す断面図である。 図１０のターゲットの部分を拡大して示す図である。 図１０のターゲット押さえの部分を拡大して示す図である。 ターゲットの表面に平行な磁場の強度とターゲットの移動を示す図である。

符号の説明

２１ マグネットベース
２２，２３，２４ マグネット
２８ ターゲット
２９ ターゲット押さえ
３１，３３，７１ｘ，７１ｙ，５３３ モータ
３２，３４，７２ｘ，７２ｙ 移送機構
５２ 真空室
５９ 制御部
６１ 基板
２１１，２１２，２１３ 支持部

Claims (5)

1. 基板に所望の膜を成膜するスパッタリング方法であって、
   ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御する制御ステップを有し、
   前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する、スパッタリング方法。
2. 前記ターゲットはディスク形状を有し、回転可能なマグネットベースに設けられた第１及び第２のマグネットは前記ディスク形状の外周側から内周側に向かって配置されて前記ターゲットに磁場を発生し、
   前記制御ステップは、前記待機モードでは前記第１及び第２のマグネットが前記成膜モードよりも前記ターゲットの外周部分に対向するように前記ターゲットを移動する、請求項１記載のスパッタリング方法。
3. 基板に所望の膜を成膜するスパッタリング装置であって、
   真空室内でディスク形状のターゲットを保持するターゲット押さえと、
   回転可能なマグネットベース上に、前記ディスク形状の外周側から内周側に向かって配置されて前記ターゲットに磁場を発生させる第１、第２及び第３のマグネットと、
   前記ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御する制御部を備え、
   前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する、スパッタリング装置。
4. 前記制御部は、前記成膜モード中、第２の強度の磁場を、前記ターゲットから漏れない程度の磁場に制御する、請求項３記載のスパッタリング装置。
5. 前記第１及び第３のマグネットは前記マグネットベースに移動可能に設けられ、前記第２のマグネットは前記マグネットベースに固定されている、請求項３又は４記載のスパッタリング装置。

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