JP2020015958A - マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1を参照してマグネトロンスパッタ装置の構成を説明する。
図1が示すように、マグネトロンスパッタ装置10は、真空槽11、ターゲット12、磁気回路13、回転部14、および、変更部15を備えている。真空槽11は、成膜空間11Aを区画している。ターゲット12は、成膜空間11Aに露出する被スパッタ面12Sを含んでいる。磁気回路13は、ターゲット12に対して成膜空間11Aとは反対側に位置している。磁気回路13は、被スパッタ面12Sと対向する平面視において、ターゲット12の一部を覆う大きさを有する磁石13Aを含んでいる。磁石13Aは、第1磁石部13A1、第2磁石部13A2、および、第3磁石部13A3を含んでいる。
図2および図3を参照して磁気回路の構成をより詳しく説明する。以下では、磁気回路13における構成の一例として、被スパッタ面12Sと対向する平面視において、ターゲット12が円板状である場合における磁気回路13の構成を説明する。
(条件2)ターゲット12がスパッタされる所定の期間にわたって、ターゲット12と磁気回路13との間の距離は、ターゲット12の全体において一定である。
図4から図9を参照して変更部の構成を説明する。以下では、変更部として採用することが可能な5つの構成を順に説明する。図4から図9の各々では、説明および図示の便宜上、変更部15が含む機構のなかで、第2ヨーク部13B2の位置を変える機構のみが図示されている。実際には、第2ヨーク部13B2は、第1ヨーク部13B1の位置を変える機構、および、第3ヨーク部13B3の位置を変える機構を含んでいる。なお、磁気回路13は、以下に説明する第1の形態から第5の形態のなかで、1つの形態のみを含んでもよいし、2つ以上の形態を含んでもよい。
図4が示すように、磁気回路13は、磁石13Aおよびヨーク13Bに加えて、回転軸Aに沿って延びる筒部13Cを備えている。筒部13Cは、ヨーク13Bに対してターゲット12とは反対側に底部を有する有底筒状である。筒部13Cにおいて、底部とは反対側の開口は、ヨーク13Bによって塞がれている。変更部15は、ヨーク13Bと筒部13Cとによって形成される空間内に位置している。なお、以下に説明する第2の形態から第5の形態の各々においても、磁気回路13が筒部13Cを備え、かつ、変更部15の少なくとも一部が、筒部13Cとヨーク13Bとによって区画される空間内に位置している。
図5が示すように、変更部15は、電磁式アクチュエーター31を備えている。電磁式アクチュエーター31は、回転軸Aに沿って延び、かつ、第2ヨーク部13B2に接続されたシャフトを含んでいる。シャフトは、電磁式アクチュエーター31に供給される電力の積算値に応じて、回転軸Aに沿った長さが変わる。
図6が示すように、変更部15は、シャフト41、ベアリング42、レール43、アクチュエーター44、および、リニアガイド45を備えている。シャフト41は、回転軸Aに沿って延びている。シャフト41において、第1端部は、第2ヨーク部13B2に接続され、かつ、第2端部は、ヨーク13Bの径方向における外側に向けて屈曲している。ベアリング42は、第2端部に接続されている。レール43は、磁気回路13と同心の円環状を有している。シャフト41の第2端部は、ベアリング42を介してレール43に支持されている。これにより、磁気回路13の回転に伴って、シャフト41がレール43に沿って回転する。
図7が示すように、変更部15は、ギヤボックス51、入力部52、出力部53、および、シャフト54を備えている。ギヤボックス51は、所定の減速比を有する。ギヤボックス51は、例えば、ウォームギヤと歯車との組み合わせによる高い減速比を有する。入力部52は、回転部14の回転をギヤボックス51に入力するための機構である。出力部53は、ギヤボックス51における回転運動を出力部53に接続されたシャフト54の直動運動に変換するための機構である。
被スパッタ面12Sと対向する平面視において、被スパッタ面12Sにおける第1磁石部13A1の位置が第1位置であり、被スパッタ面12Sにおける第2磁石部13A2の位置が第2位置である。第5の形態が備える変更部15は、上述した第1位置と第2位置とを互いに独立に変えることが可能である。図8および図9を参照して、第5の形態をより詳しく説明する。
図10を参照して、マグネトロンスパッタ装置10の作用を説明する。以下では、マグネトロンスパッタ装置10の作用のなかで、上述した磁気回路13によって得られる作用を説明する。
図10が示すように、ターゲット12の使用を開始してから所定の期間が経過した後では、被スパッタ面12Sは、凹凸面である。なお、ターゲット12の使用が開始された時点において、被スパッタ面12Sはほぼ平坦な面である。図3を参照して先に説明したように、ターゲット12の浸食量は、中心からの距離に応じた3つのピークを有し、かつ、中心からの距離が大きいピークほど浸食量が大きい。そのため、被スパッタ面12Sは、ターゲット12の中心から縁までの間に、3つの凹部を有する。3つの凹部は、ターゲット12の中心から順に第1凹部、第2凹部、および、第3凹部である。第2凹部の深さは、第1凹部の深さよりも深く、かつ、第3凹部の深さよりも浅い。
(1)第1距離、第2距離、および、第3距離を互いに独立に変えることができる。そのため、被スパッタ面12Sと対向する平面視において、被スパッタ面12Sのなかで各磁石部13A1,13A2,13A3と重なる部分における漏洩磁場の強度を互いに独立に変えることができる。すなわち、被スパッタ面12Sと磁石との間の距離が固定された場合と比べて、被スパッタ面12Sに沿う漏洩磁場の強度における自由度を高めることができる。
[磁気回路]
・磁石部の数、すなわちヨーク部の数は、2以上であれば3以外でもよい。
・磁石13Aが配置される配置領域は、対向方向に沿って延びる中心軸を中心とする円状を有してよい。中心軸は、上述した回転軸Aでもよいし、回転軸A以外の軸であって、回転軸Aに対して偏心した中心軸でもよい。これにより、以下の効果を得ることができる。
・変更部15が被スパッタ面12Sにおける各磁石部の位置を変えることが可能である場合には、変更部15は、対向方向における磁石部の位置と、被スパッタ面12Sにおける磁石部の位置とを互いに独立に変えることが可能でもよい。これにより、対向方向における各磁石部の位置の変更に伴って、被スパッタ面12Sにおける各磁石部の位置が変わる場合と比べて、被スパッタ面12Sにおける漏洩磁場の強度における自由度がより高まる。
・マグネトロンスパッタ装置10は、ヨーク13B,71のZ位置を検出する検出装置を備えてもよい。なお、Z位置とは、ヨーク13B,71とターゲット12とが対向する方向における位置である。検出装置は、筒部13Cにおける円筒面よりも外側から、ヨーク13B,71に対して非接触でヨーク13B,71の位置を検出することが可能であることが好ましい。この場合には、回転体である磁気回路13よりも外側に検出装置が位置するため、ロータリージョイント23やスリップリング32を介して、制御部10Cと検出装置とが信号の送受信を行う必要がない。なお、検出装置には、例えば、渦電流式の位置検出装置、または、光学式の位置検出装置を用いることができる。
Claims (6)
- 成膜空間を区画する真空槽と、
前記成膜空間に露出する被スパッタ面を含むターゲットと、
前記ターゲットに対して前記成膜空間とは反対側に位置し、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記ターゲットの一部を覆う大きさを有し、第1磁石部と第2磁石部とを含む磁石を含む磁気回路と、
前記ターゲットと前記磁気回路とが対向する対向方向に沿う回転軸を中心に前記磁気回路を回転させる回転部と、
前記第1磁石部と前記被スパッタ面との間の距離である第1距離と、前記第2磁石部と前記被スパッタ面との間の距離である第2距離とを互いに独立に変え、かつ、前記ターゲットがスパッタされている間に前記第1距離と前記第2距離とを変えることが可能な変更部と、を備える
マグネトロンスパッタ装置。 - 前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記磁石が配置される領域が配置領域であり、
前記配置領域は、前記対向方向に沿って延びる中心軸を中心とする円状を有し、かつ、第1区画と第2区画とを含み、
前記第1区画と前記第2区画とは、前記中心軸を中心とする同心状であり、前記配置領域の径方向において、前記第2区画は前記第1区画よりも外側に位置し、
前記第1磁石部は、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記第1区画に位置し、
前記第2磁石部は、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記第2区画に位置する
請求項1に記載のマグネトロンスパッタ装置。 - 前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記磁石が配置される領域が配置領域であり、
前記配置領域は、前記回転軸を中心とする円状を有し、かつ、第1区画と第2区画とを含み、
前記第1区画と前記第2区画とは、前記回転軸を中心とする同心状であり、前記配置領域の径方向において、前記第2区画は前記第1区画よりも外側に位置し、
前記第1磁石部は、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記第1区画に位置し、
前記第2磁石部は、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記第2区画に位置する
請求項1に記載のマグネトロンスパッタ装置。 - 前記磁気回路は、前記磁石が固定されるヨークを含み、
前記ヨークは、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記回転軸を中心とする円板状を有し、前記第1磁石部が固定される第1ヨーク部と、前記第2磁石部が固定される第2ヨーク部とを含み、
前記第1ヨーク部と前記第2ヨーク部とは、前記回転軸を中心とする同心状であり、前記ヨークの径方向において、前記第2ヨーク部は、前記第1ヨーク部よりも外側に位置し、
前記変更部は、前記対向方向における前記第1ヨーク部の位置と前記第2ヨーク部の位置とを互いに独立に変えることによって、前記第1距離と前記第2距離とを互いに独立に変える
請求項1に記載のマグネトロンスパッタ装置。 - 前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記被スパッタ面における前記第1磁石部の位置が第1位置であり、前記被スパッタ面における前記第2磁石部の位置が第2位置であり、
前記変更部は、前記第1位置と前記第2位置とを互いに独立に変える
請求項1から4のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタ装置。 - 前記磁気回路が前記回転軸を中心に1回転するときの前記被スパッタ面の径方向での各位置における漏洩磁場の強度を積算した値が積算値であり、
前記被スパッタ面の径方向のなかで、前記積算値が最大である位置が最大位置であり、
前記第1磁石部および前記第2磁石部のいずれか一方が、前記被スパッタ面と対向する平面視において前記最大位置と重なる
請求項3または4に記載のマグネトロンスパッタ装置。
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JPH05311432A (ja) * | 1992-05-01 | 1993-11-22 | Tel Varian Ltd | マグネトロンスパッタ方法 |
JPH09143713A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-06-03 | Applied Materials Inc | スパッタリング装置のマグネトロンユニット |
JP2008514810A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト | マグネトロンで成膜された基板を製造する方法、およびマグネトロンスパッタ源 |
JP2009287076A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Showa Denko Kk | スパッタリング方法及び装置 |
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