JPH02179871A - 薄膜形成方法およびマグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
薄膜形成方法およびマグネトロンスパッタ装置Info
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- JPH02179871A JPH02179871A JP33442288A JP33442288A JPH02179871A JP H02179871 A JPH02179871 A JP H02179871A JP 33442288 A JP33442288 A JP 33442288A JP 33442288 A JP33442288 A JP 33442288A JP H02179871 A JPH02179871 A JP H02179871A
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- magnetron sputtering
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 6
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- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、複合薄膜を形成する方法およびマグネトロン
スパッタ装置に関するものである。
スパッタ装置に関するものである。
従来の技術
二元系の材料をスパッタリング法で形成する場合、第２
図のように、−元ターゲット１６の上に他の材料のチッ
プ１７を載せ、組成比を変化させていた。
図のように、−元ターゲット１６の上に他の材料のチッ
プ１７を載せ、組成比を変化させていた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の方法では、各々の組成を調整すること
が困難であるという課題があった。そこで、本発明はス
パッタ電源１基で複合薄膜の形成を行うことのできるマ
グネトロンスパッタ装置を提供するものである。
が困難であるという課題があった。そこで、本発明はス
パッタ電源１基で複合薄膜の形成を行うことのできるマ
グネトロンスパッタ装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、電気的に一体となった導電性バッキングプレ
ートの上に、複数個のスパッタターゲットを配置し、磁
界強度を、各々のターゲット上で独立に変化させること
の出来る磁界付与手段を設けてマグネトロンスパッタ装
置を構成するものである。
ートの上に、複数個のスパッタターゲットを配置し、磁
界強度を、各々のターゲット上で独立に変化させること
の出来る磁界付与手段を設けてマグネトロンスパッタ装
置を構成するものである。
作用
本発明は、導電性バッキングプレート上に配置した複数
個のスパッタターゲット上の磁界強度を各々独立に変化
させることによって形成できる膜の組成比を容易に調整
できる。
個のスパッタターゲット上の磁界強度を各々独立に変化
させることによって形成できる膜の組成比を容易に調整
できる。
実施例
本発明における一実施例のマグネトロンスパック装置の
構成を第１図に示す。
構成を第１図に示す。
第１図において排気系である真空ポンプ２を接続したチ
ャンバｌに導電性のバッキングプレート３を配置する。
ャンバｌに導電性のバッキングプレート３を配置する。
このバンキングプレート３にＤＣあるいはＲＦのスパッ
タｔａ４を接続しバッキングプレート３にスパッタのた
めの電圧を印加できるようにする。バッキングプレート
３には、複数個のスパッタターゲット５ａと、スパッタ
ターゲット５ａと材料が異なるスパッタターゲット５ｂ
を設置する。バッキングプレート３の下部に可動性のマ
グネット６を配する。マグネット６から発生する磁場１
０は部位１１でスパッタターゲットの表面と平行になり
、バンキングプレート３に電圧を印加した場合に発生す
る電界と直交する。この直交した部位１１でプラズマ密
度は大きくなりチャンバ内にＡｒガスを導入した場合イ
オン化したＡｒがスパッタターゲットをたたき、ターゲ
ット材料がはじき出され、基板８に薄膜が堆積される。
タｔａ４を接続しバッキングプレート３にスパッタのた
めの電圧を印加できるようにする。バッキングプレート
３には、複数個のスパッタターゲット５ａと、スパッタ
ターゲット５ａと材料が異なるスパッタターゲット５ｂ
を設置する。バッキングプレート３の下部に可動性のマ
グネット６を配する。マグネット６から発生する磁場１
０は部位１１でスパッタターゲットの表面と平行になり
、バンキングプレート３に電圧を印加した場合に発生す
る電界と直交する。この直交した部位１１でプラズマ密
度は大きくなりチャンバ内にＡｒガスを導入した場合イ
オン化したＡｒがスパッタターゲットをたたき、ターゲ
ット材料がはじき出され、基板８に薄膜が堆積される。
スパッタターゲットの上には、アース電位のシールド部
９を配置する。
９を配置する。
シールド部９はスパッタターゲット上部に開口部１２を
持っている。シールド部９の開口部１２を通じて、マグ
ネット６の作用で密度を高めたプラズマ１３でスパッタ
ターゲット５ａはスバ・ツタされ基板に堆積される。マ
グネット７についても同様である。
持っている。シールド部９の開口部１２を通じて、マグ
ネット６の作用で密度を高めたプラズマ１３でスパッタ
ターゲット５ａはスバ・ツタされ基板に堆積される。マ
グネット７についても同様である。
次に、スパッタターゲット５ａとスバッタターゲソ）５
ｂの組成比を変える場合、マグネット６、マグネット７
のターゲットとの距離を変えることにより、ターゲット
上の磁界強度が変わりスパッタ速度の変化により、組成
比を変えることができる。
ｂの組成比を変える場合、マグネット６、マグネット７
のターゲットとの距離を変えることにより、ターゲット
上の磁界強度が変わりスパッタ速度の変化により、組成
比を変えることができる。
ここでは第１図のようにウオームギア１４．ウオームホ
イール１５．ステンビングモータで構成され、ウオーム
ギアの先端がマグネットの下部に取り付けられており、
ウオームホイールを動かすことによりマグネットを上下
することができる。
イール１５．ステンビングモータで構成され、ウオーム
ギアの先端がマグネットの下部に取り付けられており、
ウオームホイールを動かすことによりマグネットを上下
することができる。
本実施例において、磁場は永久磁石によって発生するこ
とで説明したが、電磁石でもよい。各スパッタターゲッ
トの直下に各々電磁石を配し、電流の強弱により組成比
を変える構成でもよい。又本実施例は、異なる材料の組
成比を変える方法を説明したが、他の実施例として同一
材料において、ターゲット上の磁界強度を独立に変化さ
せる−１の上に複数のスパッタターゲットを配し、各ス
パッタターゲット上の磁界強度を独立に変えることによ
り、容易に組成比を変えることができる。
とで説明したが、電磁石でもよい。各スパッタターゲッ
トの直下に各々電磁石を配し、電流の強弱により組成比
を変える構成でもよい。又本実施例は、異なる材料の組
成比を変える方法を説明したが、他の実施例として同一
材料において、ターゲット上の磁界強度を独立に変化さ
せる−１の上に複数のスパッタターゲットを配し、各ス
パッタターゲット上の磁界強度を独立に変えることによ
り、容易に組成比を変えることができる。
第１図は本発明における一実施例のマグネトロンスパッ
タ装置の概略図、第２図は従来の複合ターゲットの上図
面である。 １・・・・・・チャンバ、２・・・・・・真空ポンプ、
３・・・・・・バッキングプレート、４・・・・・・ス
パッタ電源、５ａ。 ５ｂ・・・・・・スパッタターゲット、６・・・・・・
マグネット１．７・・・・・・マグネット２．８・・・
・・・基板、９・旧・・シールド部、１０・・・・・・
磁場、１１・・・・・・プラズマ密度が高い部分、１２
・・・・・・開口部、１３・・・・・・プラズマ、１４
・・・・・・ウオームギア、１５・・・・・・ウオーム
ホイール、１６・・・・・・ターゲット、１７・・・・
・・チップ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名以上のよう
に本発明によれば、パッキングブレｂ−−チアンバ ２−一鼻空１丁ζンフ。 ３−ｍ−バフキン７゛デＬ−卜 牛−−一スハ警り肩ンジ啜 Ｓ入５ｈ−−−スハニツタターゲリト Ｃ−・−７７′半７ドｒ ７−−−マフ゛ネｌド２ Ｉ５・−プラス１７ １４−−−うχ−４ギア
タ装置の概略図、第２図は従来の複合ターゲットの上図
面である。 １・・・・・・チャンバ、２・・・・・・真空ポンプ、
３・・・・・・バッキングプレート、４・・・・・・ス
パッタ電源、５ａ。 ５ｂ・・・・・・スパッタターゲット、６・・・・・・
マグネット１．７・・・・・・マグネット２．８・・・
・・・基板、９・旧・・シールド部、１０・・・・・・
磁場、１１・・・・・・プラズマ密度が高い部分、１２
・・・・・・開口部、１３・・・・・・プラズマ、１４
・・・・・・ウオームギア、１５・・・・・・ウオーム
ホイール、１６・・・・・・ターゲット、１７・・・・
・・チップ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名以上のよう
に本発明によれば、パッキングブレｂ−−チアンバ ２−一鼻空１丁ζンフ。 ３−ｍ−バフキン７゛デＬ−卜 牛−−一スハ警り肩ンジ啜 Ｓ入５ｈ−−−スハニツタターゲリト Ｃ−・−７７′半７ドｒ ７−−−マフ゛ネｌド２ Ｉ５・−プラス１７ １４−−−うχ−４ギア
Claims (4)
- （１）電気的に一体となった導電性バッキンプレートの
上に、複数のターゲットを載置し、前記複数のターゲッ
ト上に磁界を付与する手段を有するマグネトロンスパッ
タ装置において、前記複数のターゲット上の磁界を独立
に変化させることを特徴とする薄膜形成方法。 - （２）電気的に一体となった導電性バッキンプレートの
上に、複数のターゲットを載置し、磁界強度を各々のタ
ーゲット上で独立に変化させることの出来る磁界付与手
段を有するマグネトロンスパッタ装置。 - （３）電気的に一体となった導電性バッキンプレートの
上に、複数のターゲットを載置し、前記ターゲットの下
部に独立に上下方向に可動なマグネットを設けた請求項
（２）記載のマグネトロンスパッタ装置。 - （４）電気的に一体となった導電性バッキンプレートの
上に、複数のターゲットを載置し、前記ターゲットの下
部に独立に磁界強度を変えられる電磁石を有する請求項
（２）記載のマグネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33442288A JPH02179871A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 薄膜形成方法およびマグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33442288A JPH02179871A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 薄膜形成方法およびマグネトロンスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02179871A true JPH02179871A (ja) | 1990-07-12 |
Family
ID=18277198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33442288A Pending JPH02179871A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 薄膜形成方法およびマグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02179871A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1004534A3 (fr) * | 1991-03-09 | 1992-12-08 | Leybold Ag | Procede pour doper un materiau de base avec un materiau de dopage afin de preparer un compose chimique ou un alliage en utilisant une cathode a pulveriser, et dispositif pour mettre le procede en oeuvre. |
| WO2006113170A2 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Tango Systems, Inc. | Sputtering system |
| JP2009041115A (ja) * | 2008-11-25 | 2009-02-26 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 |
| JP2009068103A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-04-02 | Toshiba Corp | 合金微粒子担持装置 |
| US7682495B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-03-23 | Tango Systems, Inc. | Oscillating magnet in sputtering system |
| JP2013216933A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Yamaguchi Univ | 膜厚方向に組成比が連続的に変化した薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33442288A patent/JPH02179871A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1004534A3 (fr) * | 1991-03-09 | 1992-12-08 | Leybold Ag | Procede pour doper un materiau de base avec un materiau de dopage afin de preparer un compose chimique ou un alliage en utilisant une cathode a pulveriser, et dispositif pour mettre le procede en oeuvre. |
| WO2006113170A2 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Tango Systems, Inc. | Sputtering system |
| WO2006113170A3 (en) * | 2005-04-14 | 2007-05-03 | Tango Systems Inc | Sputtering system |
| US7682495B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-03-23 | Tango Systems, Inc. | Oscillating magnet in sputtering system |
| JP2009068103A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-04-02 | Toshiba Corp | 合金微粒子担持装置 |
| JP2009041115A (ja) * | 2008-11-25 | 2009-02-26 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 |
| JP2013216933A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Yamaguchi Univ | 膜厚方向に組成比が連続的に変化した薄膜の製造方法 |
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