JPH01290767A - 多成分薄膜製造装置 - Google Patents

多成分薄膜製造装置

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JPH01290767A
JPH01290767A JP11956788A JP11956788A JPH01290767A JP H01290767 A JPH01290767 A JP H01290767A JP 11956788 A JP11956788 A JP 11956788A JP 11956788 A JP11956788 A JP 11956788A JP H01290767 A JPH01290767 A JP H01290767A
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JP
Japan
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target
thin film
vacuum chamber
backing plate
chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP11956788A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Tsuda
善行 津田
Hideaki Yasui
秀明 安井
Hiroyoshi Tanaka
博由 田中
Yuji Mukai
裕二 向井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、スパッタリング技術を利用し、薄膜を製造す
る装置に関するものであり、特に多成分薄膜を製造する
装置に関するものである。
従来の技術 従来の多成分薄膜を製造するスパッタリング装置は第5
図に示すように、真空チャンバ1には真空排気系2、ガ
ス導入系3、基板4を固定する基板ホルダ5(インライ
ン型装置では基板搬送系になる)等が設置されている。
真空チャンバ1内に設けられたカソード部の構成は次の
ようである。
真空チャンバ1とは絶縁物6で電気的に絶縁されたカソ
ード7に予め成分調整されたスパッタリングターゲット
8をボンディングしたバッキングプレート9が設置され
ている。そして、スパッタリングターゲット8等を冷却
するだめの冷却系10も設置されている。
スパッタに必要な電力は電源系11から供給されている
。真空チャンバ1には、スパッタリングターゲット8と
真空チャンバ1の間での放電時の異常放電を防ぐために
、グランドンールド12が取り付けられている。
この装置での製膜は以下のようになされる。ガス導入系
3からアルゴン等の不活性ガスを主成分とするスパッタ
ガスが所定の流量で真空チャンバ1内に導入され、真空
チャンバ1内の真空度は真空排気系2により所定の値に
設定されている。この状態でスパッタリングターゲット
8と基板4の間に(基板4が絶縁物の場合は基板ホルダ
6の間に)電源系11から電圧を印加すると、これらの
間に放電によるプラズマが発生する。そして、このプラ
ズマ中のスパッタガスから電離したイオンがスパッタリ
ンゲターゲノ)8に衝突した結果、スパッタ粒子がスパ
ッタリングターゲット8から飛散し、基板4上に薄膜が
形成される。
上記の従来例は多成分の材料を予め成分調整されたスパ
ッタリングターゲット8を用いたものであるが、他の従
来例では単一成分のスパッタリングターゲットを設置し
たカソードを成分の個数だけ配置し、この複数個のカソ
ードを同時に、まだは順次、放電させて多成分薄膜を製
造していた。
発明が解決しようとする課題 多成分材料からなるスパッタリンゲターゲ、t・を用い
た装置の場合、スパッタ率は材料によシ異なシ、製膜を
継続している間に次第に成分の変化が生じる。それ故、
製膜した薄膜の膜質が一定せず、製品の歩どまシが悪か
った。
また、単一成分のスバノタリ/ゲタ−ゲットを複数個設
置した場合では、製膜する基板の大きさに比べて、真空
装置が非常に大きくなり、設備コストが高くなるだめに
、製品の価格低下の大きな障害になっていた。
次に、上記のいずれの場合でもスパッタリングターゲッ
トを交換する場合には真空チヤンバを開ける必要があり
、この際に真空チャンバの内壁に空気中のガスが吸着す
る。作製する薄膜の膜質を劣下させる可能性があるこの
ようなガスを放出させるために、真空チャンバを開けた
後には長時間真空引きする必要があり、スパッタリング
装置の稼働率の低下になっていた。
本発明は上記の問題点を解決するもので、一定の成分比
率の薄膜を安定に製膜でき、設備コストの安価な、かつ
稼働率の大きな多成分薄膜製造装置を提供することを目
的とする。
課題を解決するだめの手段 本発明の多成分薄膜製造装置は、上記課題を解決するた
め、バッキングプレート上に取り付けるスパッタリング
ターゲットを立方体または直方体の複数個の独立したタ
ーゲット片の集合体で構成し、この独立したターゲット
片をバッキングプレート上を所定の行程で移動させるも
のであり、さらにターゲット片を真空チャンバ外部から
供給および廃棄が可能なように構成したものである。
上記の構成は基本的には本発明者の特願昭62−231
302号のスパッタリング装置と同様であるが、本発明
では多成分薄膜を製造するために、各ターゲット片は単
一材料で作られたものであシ、薄膜を構成する成分の数
だけの種類のターゲット片を、所定の成分比率の薄膜が
製膜できるように各材質のターゲット片の個数および配
置を調整して、バッキングプレート上に供給するもので
ある。
作用 上記構成によれば、各材質の単一成分で作られた独立し
たターゲット片はターゲット片供給部で予め個数調整さ
れてバッキングプレート上に送られ、定められた行程を
移動し、すなわちプラズマの強度の分布が存在する場合
でも移動するすべてのターゲット片は均一に減少し、局
所的なエロージョンの発生は皆無になる。このためター
ゲノトの利用効率は非常に高く、また安定放電が継続し
て行われるので製膜安定性が非常に高くなる。また、各
成分の比率はすでにターゲット片の供給個数で決められ
ており、スパッタが各ターゲット片で独立に行われるの
で、スパッタ率が異なることによる薄膜の成分への影響
はない。さらに、ターゲット片の供給及び廃棄を真空チ
ャンバを開けることなく行えるので、連続製膜が可能な
ことに加え、真空チャンバを開ける必要がないので真空
チャンバ内を汚染する危険が無いので、製膜した薄膜の
膜質安定性は非常に高い。
実施例 以下、本発明の実施例を図面と共に説明する。
第1図はスパッタ法を用いた場合の本発明の一実施例の
多成分薄膜製造装置の概略構成図である。
なお、従来例と共通する部分には同一の番号を付けであ
る。
真空チャンバ1には真空排気系2、ガス導入系3、基板
4を固定する基板ホルダ5(インライン型装置では基板
搬送系になる)等が設置されている。真空チャンバ1に
設置されたカソード部の構成は次のようである。真空チ
ャンバ1とは絶縁物6で電気的に絶縁されたカソードホ
ルダ7にバッキングプレート13が取シ付けられている
。このバッキングプレート13上に取り付けられるスパ
ッタリングターゲットは立方体または直方体の複数個の
独立したターゲット片14の集合体で構成され、この独
立したターゲット片14はバッキングプレート13上を
所定の行程で移動が可能な↓うになっている。そして、
ターゲット片14は真空チャンバ1の外部に設置された
ストッカ17からゲートパルプ20b、予備室19!L
、ゲートパルプ20aを通って供給部16へ送られる。
供給部15から送られたターゲット片14はバッキング
プレート13上を所定の行程で移動し、所定の量まで消
費された後、回収部16まで送られ、ゲートパルプ20
dおよび予備室19b、ゲートパルプ20Cを通って、
廃棄部18へ送られる。なお、予備室19a、19bは
、それぞれに設置された予備室排気系21&、21bに
よシ、ゲートパルプ20が開いたときに真空チャンバ1
内の真空度を乱さず、またターゲット片14に吸着して
いるガスを取り除くために所定の真空度に保たれている
次に、ターゲット片の移勤行程について説明する。供給
部16へ送られたターゲット片14は、上記のようにバ
ッキングプレート13上に送られ、第2図のように配置
されたレール状突起22の間を支持された状態で(この
支持状態を第4図に示した)第3図に示しだ矢印27の
ように移動する。
第3図に示したターゲット片14の動きを第2図に示し
たバッキングプレート13上辺の構成と共に簡単に説明
する。ターゲット片14の全体の動きとしては左右対称
の動きであり、供給部15カラバッキングプレート13
01辺の中央部から送られたターゲット片14はレール
状突起に沿って供給部15の対辺の中央部へ移動し、対
辺に到達するとステップ状に動くターゲット片駆動部2
3C,23dにより左右に分けられて、移動してきたレ
ール状突起の隣のレール状突起(両側辺側)に沿って、
今度は逆の方向に移動し、第3図に示す矢印27に示す
ように移動する。再び元の1辺に到達するとターゲット
片、駆動部23a。
23bにより上記と同様の移動をする。このように順次
−列ずつ左右にかつ交互て逆の方向に移動して供給部1
6に相対する対辺のコーナ一部に達しだターゲット片1
4ば、ターゲット片検食部24N 、24bでターゲッ
トの消費量を検査され所定の消費量に達したものは、廃
棄部18に送るため予備室導入部26a 、26bへ送
られる。達していないものは、リターン回路25a、2
5bを通って再び供給部15へ送られ、製膜に用いられ
る。以上のような動きは常に連続しており、ターゲット
片14は常にバッキングプレート13上を連続的に移動
している。なお、上記のターゲット片14の移勤行程は
一つの例でちり、この例に限定されるものではない。
ターゲット片の個々の動きは上記のようであり、次に、
多成分薄膜を作成するだめの実施例を述べる。例えばA
、Bの2成分の薄膜を作成する場合、A、Bの2種類の
単一材料で作られた各ターゲット片14は、供給部16
に個数調整されて投入され、バッキングプレート13上
に、第3図に示したように、移動順を定められて供給さ
れる(第3図ではム:B=4:1)。製膜する薄膜の成
分比率を変更する場合には、供給部15に投入する各材
質のターゲット片の個数を変更すればよく、種種の成分
の薄膜が容易に製膜できる。また、スパッタ率が大きく
異なる材料を用いる場合では、スパッタ率の大きな材質
のターゲット片の投入個数を少なめに調整するだけで対
応が可能である。
本実施例による作用を、以下に述べる。
独立したターゲット片14は、所定の行程でバッキング
プレート13上を移動するので、プラズマ強度の分布が
存在する場合でも、供給したターゲット片14の全てが
同じように均一に消費される。本実施例でばA、Bの2
種類の異なる材質のターゲット片を供給しているが、こ
の場合、各材質に於てスパッタ率が異なシ、ターゲット
片の消費量が材質により異なるが、各ターゲット片が単
一の材料で作られているので、多成分の材料で作られた
ターゲットを用いた場合に生じた製膜速度および製膜し
た膜質の経時変化が起こらない。なお、スパッタ率が大
きく、消費量の大きなターゲット片はターゲット片検査
部24で選択的に交換されるので、装置を停止すること
なく連続的に製膜が可能である。
次に、ターゲット片14の供給および廃棄を真空チャン
バ1を開けることなく行えるので、連続製膜が可能であ
る。また、真空チャンバ1内が空気にさらされる機会が
非常に少ないので、真空チャンバ1内が汚染される危険
が非常に少ない。
発明の効果 本発明のスパッタリング装置は、独立した単一の材質で
作られたターゲット片を所定の行程でバッキングプレー
ト上を移動させ、またターゲット片の供給および廃棄を
真空チャンバを開けることなく行える構成であるので、 (1)各ターゲット片は材質は異なるが、各々単一成分
で作られているので、各成分の材料の製膜速度は一定で
あり、時間経過にともなって作成した薄膜の膜成分は変
化しない。従って、同一の膜質の薄膜が安定して作成で
き、製品の歩どまりは非常に大きい。
(2)多成分薄膜を構成する各成分比率になる様に材質
の異なる各クーゲット片の個数調整することで、容易に
薄膜の成分変更が可能であるので種種の薄膜の作成が簡
単に行える。
(3)  ターゲットの利用効率が飛躍的に向上してお
シ・ターゲットコストを非常に低減できることから、製
品の低コスト化に効果が太きい。
(4)  ターゲットには局所的な二ローションが全く
発生しないので、製膜の安定性が非常に高く、製品の歩
どまりが飛躍的に向上する。
(5)真空チャンバを開ける必要性が非常に少なく、装
置の稼働率が大きい。また、装置の清浄度が高く保てる
ので、製品の歩どまり向上に効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図はスパッタ法を用いた本発明の一実施例の多成分
薄膜製造装置の概略構成を示す略断面図、第2図は本発
明の多成分薄膜製造装置でのバッキングプレート周辺の
構成を示す略断面図、第3図は第2図に示した構成での
ターゲット片の移動行程図、第4図はバッキングプレー
ト上でのターゲット片の支持状態を示した一部断面斜視
図、第5図はスパッタ法を用いた従来の多成分薄膜製造
装置の概略構成を示す略断面図である。 13・・・・・バッキングプレート、14・・・・ター
ゲット片、16 ・・・・供給部、1e・・・・回収部
、17・・・・ストッカ、18・・・・廃棄部、19 
・・予備室、20・・・・ゲートパルプ、21 ・・・
・予備室排気系、22・・・・レール状突起、23・・
・ターゲット片駆動部、24・・・・ターゲット片検査
部、25 ・・・リターン回路、26・・・・・予備室
導入部、27 ・・・ターゲット片の移動方向。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名I3
−゛  バッキソグプレート 14− ターナツトn I5・−供給部 16 −・−FiJ 噌又 邦 I7− ストシカ 18−廃乗祁 19−・−予備! n −−チ − ト バ Jし ブ n−レール状英起 8− ターケラトh友勧部 尻−ターチットh捜11g5 27−  ターゲプト片の捗動1間 第3区 第4図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空チャンバと、前記真空チャンバ内の排気を行
    う真空排気系と、前記真空チャンバ内へガスを導入する
    ガス導入系とを具備し、前記真空チャンバに取り付けら
    れたカソード部にバッキングプレートを設置し、前記バ
    ッキングプレート上に取り付けるスパッタリングターゲ
    ットを立方体または直方体の複数個の独立したターゲッ
    ト片の集合体で構成すると共に、前記ターゲット片は製
    膜される単一成分薄膜の成分数だけの種類あり、そのタ
    ーゲット片を所定の個数配分して前記集合体を構成し、
    前記複数個の独立したターゲット片を前記バッキングプ
    レート上で所定の行程分移動させることを特徴とする多
    成分薄膜製造装置。
  2. (2)ターゲット片の供給部および回収部をバッキング
    プレートに接続して設置し、薄膜を構成する成分の比率
    を前記供給部に投入する単一成分の前記ターゲット片の
    個数で設定することを特徴とする請求項1記載の多成分
    薄膜製造装置。
  3. (3)ターゲット片のストッカおよび廃棄部を真空チャ
    ンバ外部に設け、前記ストッカおよび廃棄部をバッキン
    グプレートに取り付けたターゲット片の供給部および回
    収部にゲートバルブ、予備室を介して接続し、前記予備
    室を真空排気する予備室排気系を設置した請求項1記載
    の多成分薄膜製造装置。
JP11956788A 1988-05-17 1988-05-17 多成分薄膜製造装置 Pending JPH01290767A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0492114A1 (de) 1990-12-20 1992-07-01 Leybold Aktiengesellschaft Zerstäubungsanlage
US5429729A (en) * 1989-11-29 1995-07-04 Hitachi, Ltd. Sputtering apparatus, device for exchanging target and method for the same
WO2012108075A1 (ja) * 2011-02-08 2012-08-16 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット組立体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0492114A1 (de) 1990-12-20 1992-07-01 Leybold Aktiengesellschaft Zerstäubungsanlage
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