JPH069012Y2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH069012Y2 JPH069012Y2 JP6940989U JP6940989U JPH069012Y2 JP H069012 Y2 JPH069012 Y2 JP H069012Y2 JP 6940989 U JP6940989 U JP 6940989U JP 6940989 U JP6940989 U JP 6940989U JP H069012 Y2 JPH069012 Y2 JP H069012Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- back plate
- vacuum processing
- tray
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案はアノードの電位を安定にした真空処理装置に
関するものである。
関するものである。
（従来の技術） 従来の真空処理装置は、第２図に示されるように真空槽
１内には、基板２とカソード本体３とが所定の間隔をお
いて対向しているが、その基板２は搬送用ローラ等（図
示せず）で搬送されるトレー４によって支持されている
と共に、裏面２ａより背板５で押圧されている。一方、
カソード本体３は高圧電源６に接続されている。
１内には、基板２とカソード本体３とが所定の間隔をお
いて対向しているが、その基板２は搬送用ローラ等（図
示せず）で搬送されるトレー４によって支持されている
と共に、裏面２ａより背板５で押圧されている。一方、
カソード本体３は高圧電源６に接続されている。
そして、上記装置では、アースされた搬送用ローラ等と
トレー４を接触させるだけで、トレー４、基板２及び背
板５をアース電位にし、これらをアノードにしていた。
トレー４を接触させるだけで、トレー４、基板２及び背
板５をアース電位にし、これらをアノードにしていた。
したがって、高圧電源６よりカソード本体３に高電圧を
印加すると、基板２とカソード本体３との間の空間にプ
ラズマが発生し、そして、そのプラズマ中のラジカル等
により、基板２の表面に薄膜が形成されていた。
印加すると、基板２とカソード本体３との間の空間にプ
ラズマが発生し、そして、そのプラズマ中のラジカル等
により、基板２の表面に薄膜が形成されていた。
（考案が解決しようとする課題） 従来の真空処理装置は、上記のようにアースされた搬送
用ローラ等とトレー４を接触させるだけで、トレー４、
基板２及び背板５をアース電位にし、これらをアノード
にしていたから、搬送用ローラ等とトレー４との接触状
態がよくないときには、アノードの電位が不安定になり
やすく、基板２の表面に形成される薄膜の膜厚分布や、
膜質分布が不均一になる等の問題があった。
用ローラ等とトレー４を接触させるだけで、トレー４、
基板２及び背板５をアース電位にし、これらをアノード
にしていたから、搬送用ローラ等とトレー４との接触状
態がよくないときには、アノードの電位が不安定になり
やすく、基板２の表面に形成される薄膜の膜厚分布や、
膜質分布が不均一になる等の問題があった。
この考案は、上記従来の問題を解決して、アノードの電
位を安定にすることによって、基板の表面に形成される
薄膜の膜厚分布や、膜質分布を良くすることの可能な真
空処理装置を提供することを目的とするものである。
位を安定にすることによって、基板の表面に形成される
薄膜の膜厚分布や、膜質分布を良くすることの可能な真
空処理装置を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、この考案は、上記のような
構成をした真空処理装置において、基板の裏面を押圧す
る背板に離脱可能に当接する移動自在なアース電位のア
ース物体を配設したことを特徴とするものである。
構成をした真空処理装置において、基板の裏面を押圧す
る背板に離脱可能に当接する移動自在なアース電位のア
ース物体を配設したことを特徴とするものである。
（作用） この考案においては、アース電位のアース物体が移動し
て、背板に当接したならば、トレー、基板及び背板が安
定したアース電位となる。即ち、トレー、基板及び背板
よりなるアノードの電位が安定するようになる。
て、背板に当接したならば、トレー、基板及び背板が安
定したアース電位となる。即ち、トレー、基板及び背板
よりなるアノードの電位が安定するようになる。
（実施例） 以下、この考案の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図はこの考案の実施例を示しており、同図におい
て、真空槽１内でカソード本体３と所定の間隔をおいて
対向している基板２は、裏面２ａより背板５で押圧され
ながら、搬送用ローラ等（図示せず）で搬送されるトレ
ー４によって支持されているが、基板２を押圧する背板
５の背後には駆動機（図示せず）によって上下に移動自
在なアース電位のアース物体７が配設され、アース物体
７が図中の破線で示される位置から下方に移動して、背
板５に当接すると、トレー４、基板２及び背板５が安定
したアース電位となり、トレー４、基板２及び背板５よ
りなるアノードの電位が安定するようになる。なお、ア
ース物体７は背板５より離脱して、上方に移動すること
が可能になっている。ところで、カソード本体３は従来
と同様に、高圧電源５に接続されている。
て、真空槽１内でカソード本体３と所定の間隔をおいて
対向している基板２は、裏面２ａより背板５で押圧され
ながら、搬送用ローラ等（図示せず）で搬送されるトレ
ー４によって支持されているが、基板２を押圧する背板
５の背後には駆動機（図示せず）によって上下に移動自
在なアース電位のアース物体７が配設され、アース物体
７が図中の破線で示される位置から下方に移動して、背
板５に当接すると、トレー４、基板２及び背板５が安定
したアース電位となり、トレー４、基板２及び背板５よ
りなるアノードの電位が安定するようになる。なお、ア
ース物体７は背板５より離脱して、上方に移動すること
が可能になっている。ところで、カソード本体３は従来
と同様に、高圧電源５に接続されている。
上記実施例において、アース物体７が下方に移動して、
背板５に当接し、トレー４、基板２及び背板５が安定し
たアース電位となり、アノードの電位が安定していると
きに、高圧電源６よりカソード本体３に高電圧を印加す
ると、基板２とカソード本体３との間の空間に安定した
プラズマが発生し、そして、そのプラズマ中のラジカル
等により、基板２の表面に薄膜が形成されるようになる
が、その薄膜の膜厚分布や、膜質分布は従来に比べて非
常に良好になる。
背板５に当接し、トレー４、基板２及び背板５が安定し
たアース電位となり、アノードの電位が安定していると
きに、高圧電源６よりカソード本体３に高電圧を印加す
ると、基板２とカソード本体３との間の空間に安定した
プラズマが発生し、そして、そのプラズマ中のラジカル
等により、基板２の表面に薄膜が形成されるようになる
が、その薄膜の膜厚分布や、膜質分布は従来に比べて非
常に良好になる。
ところで、上記実施例は、基板２とカソード本体３とを
上下に配置した横型装置にあるが、基板２とカソード本
体３とを左右に配置した縦型装置に、左右に移動するア
ース物体を配設したものであってもよい。
上下に配置した横型装置にあるが、基板２とカソード本
体３とを左右に配置した縦型装置に、左右に移動するア
ース物体を配設したものであってもよい。
（考案の効果） この考案は、上記のような構成をしているので、アース
電位のアース物体が移動して、背板に当接したならば、
トレー、基板及び背板が安定したアース電位となり、こ
れらよりなるアノードの電位が安定するようになる。そ
のため、プラズマが安定し、基板の表面に形成される薄
膜の膜厚分布や、膜質分布は従来に比べて非常に良好に
なる。
電位のアース物体が移動して、背板に当接したならば、
トレー、基板及び背板が安定したアース電位となり、こ
れらよりなるアノードの電位が安定するようになる。そ
のため、プラズマが安定し、基板の表面に形成される薄
膜の膜厚分布や、膜質分布は従来に比べて非常に良好に
なる。
第１図はこの考案の実施例を示す説明図である。第２図
は従来の装置を示す説明図である。 図中、 １……真空槽 ２……基板 ２ａ……基板の裏面 ３……カソード本体 ４……トレー ５……背板 ７……アース物体 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示してい
る。
は従来の装置を示す説明図である。 図中、 １……真空槽 ２……基板 ２ａ……基板の裏面 ３……カソード本体 ４……トレー ５……背板 ７……アース物体 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示してい
る。
Claims (1)
- 【請求項１】搬送自在のトレーによって支持されている
基板をその裏面より背板で押圧すると共に、基板と、カ
ソード本体とを真空槽内で所定の間隔をおいて対向さ
せ、基板とカソード本体との間の空間に発生するプラズ
マにより、基板の表面に薄膜を形成する真空処理装置に
おいて、上記基板の裏面を押圧する背板に離脱可能に当
接する移動自在なアース電位のアース物体を配設したこ
とを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6940989U JPH069012Y2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6940989U JPH069012Y2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311055U JPH0311055U (ja) | 1991-02-01 |
| JPH069012Y2 true JPH069012Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=31604687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6940989U Expired - Lifetime JPH069012Y2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069012Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011149094A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Canon Anelva Corp | 成膜装置及びクリーニング方法 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP6940989U patent/JPH069012Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311055U (ja) | 1991-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY126731A (en) | Lower electrode design for higher uniformity | |
| TW347553B (en) | Plasma treatment apparatus | |
| EP1172210A3 (en) | Liquid ejecting head, liquid ejecting device and liquid ejecting method | |
| JPH0791645B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH07147275A (ja) | 限定されたプラズマ補助化学エッチング用電極装置 | |
| JPS55161341A (en) | Microwave ion source | |
| JPH069012Y2 (ja) | 真空処理装置 | |
| CA2048470A1 (en) | Plasma processing apparatus having an electrode enclosing the space between cathode and anode | |
| JPS5647572A (en) | Etching method of indium oxide film | |
| JPH053176A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6247131A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPS5652861A (en) | Ionization chamber type x-ray detector | |
| JP3006029B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
| TW349131B (en) | Electrode for plasma etching | |
| JPH0649936B2 (ja) | バイアススパツタリング装置 | |
| JPS6324623A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2552292B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2811845B2 (ja) | 移動式成膜装置 | |
| JP2935537B2 (ja) | ウェーハのプラズマ処理装置 | |
| JPS53114679A (en) | Plasm etching unit | |
| JPS57143827A (en) | Parallel, flat electrode | |
| JPH01173710A (ja) | 薄膜形成装置の基板保持機構 | |
| JPH02303029A (ja) | プラズマ電極 | |
| JPH01100922A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH033574Y2 (ja) |