JP2552292B2 - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 101
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板または基板をのせたトレーを基板電極
上に設置し、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ
処理を行なうようにしたマイクロ波プラズマ処理装置に
関するものである。
上に設置し、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ
処理を行なうようにしたマイクロ波プラズマ処理装置に
関するものである。
［従来の技術］ この種のマイクロ波プラズマ処理装置の従来例として
は添付図面の第３図に示すような電子サイクロトロン共
鳴プラズマ処理装置が知られており、この装置は、図示
したように電子サイクロトロン共鳴イオン源Ａとこのイ
オン源Ａに対向して配置された基板電極Ｂとを有し、イ
オン源Ａはマイクロ波電源Ｃに接続され、また基板電極
Ｂはバイアス電源Ｄに接続され、基板電極Ｂに高周波バ
イアスを印加してバイアスエッチングやバイアスデポジ
ションを行なうように構成されている。基板電極Ｂに対
する基板または基板をのせたトレーの装着は通常第４図
または第５図に示すように、基板電極Ｂ上に冷却効率を
高めるための冷却シートＥを敷き、その上に基板Ｆまた
は基板ＦをのせたトレーＧを置き金属製のクランプリン
グＨで基板ＦまたはトレーＧの表面縁部をクランプする
ようにされている。なお、第４図および第５図において
Ｉは絶縁物シールド、Ｊは汚染防止用カバーであり、例
えばアルミナから成り得る。第４図に示すように基板Ｆ
を金属製のクランプリングＨで直接クランプした場合に
は高周波電力はクランプリングＨを介して基板Ｆに供給
され、また第５図に示すようにトレーＧを金属製のクラ
ンプリングＨでクランプした場合には高周波電力はクラ
ンプリングＨおよびトレーＧを介して基板Ｆに供給され
る。
は添付図面の第３図に示すような電子サイクロトロン共
鳴プラズマ処理装置が知られており、この装置は、図示
したように電子サイクロトロン共鳴イオン源Ａとこのイ
オン源Ａに対向して配置された基板電極Ｂとを有し、イ
オン源Ａはマイクロ波電源Ｃに接続され、また基板電極
Ｂはバイアス電源Ｄに接続され、基板電極Ｂに高周波バ
イアスを印加してバイアスエッチングやバイアスデポジ
ションを行なうように構成されている。基板電極Ｂに対
する基板または基板をのせたトレーの装着は通常第４図
または第５図に示すように、基板電極Ｂ上に冷却効率を
高めるための冷却シートＥを敷き、その上に基板Ｆまた
は基板ＦをのせたトレーＧを置き金属製のクランプリン
グＨで基板ＦまたはトレーＧの表面縁部をクランプする
ようにされている。なお、第４図および第５図において
Ｉは絶縁物シールド、Ｊは汚染防止用カバーであり、例
えばアルミナから成り得る。第４図に示すように基板Ｆ
を金属製のクランプリングＨで直接クランプした場合に
は高周波電力はクランプリングＨを介して基板Ｆに供給
され、また第５図に示すようにトレーＧを金属製のクラ
ンプリングＨでクランプした場合には高周波電力はクラ
ンプリングＨおよびトレーＧを介して基板Ｆに供給され
る。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような従来のプラズマ処理装置では基板または
基板をのせたトレーの冷却効率を上げるために冷却シー
トは必要であり、しかもこの冷却シートは一般にシリコ
ーンゴム系の材料から成り、導電性が悪く、基板または
トレーの背面は実質的に電気的に絶縁されてしまうこと
になる。そのため、基板電極に高周波電力（100KHz〜10
0MHz）を印加してバイアスエッチングまたはバイアスデ
ポジションを行なう場合、高周波電力は基板またはトレ
ーの背面から処理面に供給されずに、金属クランプリン
グを介して供給されることになる。その結果、基板また
はトレーの表面での電界が不均一となり、エッチングま
たはデポジションの不均一性を生じるという問題点があ
った。
基板をのせたトレーの冷却効率を上げるために冷却シー
トは必要であり、しかもこの冷却シートは一般にシリコ
ーンゴム系の材料から成り、導電性が悪く、基板または
トレーの背面は実質的に電気的に絶縁されてしまうこと
になる。そのため、基板電極に高周波電力（100KHz〜10
0MHz）を印加してバイアスエッチングまたはバイアスデ
ポジションを行なう場合、高周波電力は基板またはトレ
ーの背面から処理面に供給されずに、金属クランプリン
グを介して供給されることになる。その結果、基板また
はトレーの表面での電界が不均一となり、エッチングま
たはデポジションの不均一性を生じるという問題点があ
った。
そこで、本発明は、上記の問題点を解決するため、基
板またはそれをのせたトレーの背面全体から高周波電力
を供給できるようにしたマイクロ波プラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
板またはそれをのせたトレーの背面全体から高周波電力
を供給できるようにしたマイクロ波プラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するため、基板または基板をのせた
トレーを基板電極上に設置し、基板電極に高周波電力を
印加してプラズマ処理を行なうようにした本発明のマイ
クロ波プラズマ処理装置は、基板または基板をのせたト
レーの背面全体を導電性面状部材を介して基板電極に電
気的に接続し、導電性面状部材が、基板または基板をの
せたトレーの背面と基板電極表面との間に挿置された冷
却シート部材の表面を覆う金属箔シートから成ることを
特徴とする。
トレーを基板電極上に設置し、基板電極に高周波電力を
印加してプラズマ処理を行なうようにした本発明のマイ
クロ波プラズマ処理装置は、基板または基板をのせたト
レーの背面全体を導電性面状部材を介して基板電極に電
気的に接続し、導電性面状部材が、基板または基板をの
せたトレーの背面と基板電極表面との間に挿置された冷
却シート部材の表面を覆う金属箔シートから成ることを
特徴とする。
また本発明の別の特徴によれば、基板または基板をの
せたトレーの基板電極上に設置し、基板電極に高周波電
力を印加してプラズマ処理を行なうようにしたマイクロ
波プラズマ処理装置において、基板または基板をのせた
トレーの背面全体を導電性面状部材を介して基板電極に
電気的に接続し、導電性面状部材が、基板または基板を
のせたトレーの背面と基板電極表面との間に挿置された
冷却シート部材の表面を覆う金属箔シートから成り、ま
た基板または基板をのせたトレーの表面縁部を電気絶縁
性のクランプ部材で固定したことを特徴とする。
せたトレーの基板電極上に設置し、基板電極に高周波電
力を印加してプラズマ処理を行なうようにしたマイクロ
波プラズマ処理装置において、基板または基板をのせた
トレーの背面全体を導電性面状部材を介して基板電極に
電気的に接続し、導電性面状部材が、基板または基板を
のせたトレーの背面と基板電極表面との間に挿置された
冷却シート部材の表面を覆う金属箔シートから成り、ま
た基板または基板をのせたトレーの表面縁部を電気絶縁
性のクランプ部材で固定したことを特徴とする。
［作用］ 本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置において
は、高周波電極を成す基板電極からの高周波電力は、基
板または基板をのせたトレーの背面に設けられた導電性
面状部材を介して基板またはトレーの背面全体から供給
され、それにより基板またはトレーの表面上に均一な電
界を形成することができる。
は、高周波電極を成す基板電極からの高周波電力は、基
板または基板をのせたトレーの背面に設けられた導電性
面状部材を介して基板またはトレーの背面全体から供給
され、それにより基板またはトレーの表面上に均一な電
界を形成することができる。
［実施例］ 以下、添付図面の第１図および第２図を参照して本発
明の実施例について説明する。
明の実施例について説明する。
第１図には本発明を実施しているマイクロ波プラズマ
処理装置の基板電極部分の構成を概略的に示し、１は基
板電極であり、この基板電極１は図示してない高周波電
源に接続される。基板電極１はその内部に冷却水の循環
器２を備え、外部から供給される冷却水によって冷却す
るように構成されている。また基板電極１上面には基板
または基板をのせたトレー３を受ける被処理物受け面1a
とその周囲の段部1bとを備え、基板電極１の被処理物受
け面1a上には、シラスコンシートから成り得る冷却シー
ト４および導電性面状部材を成すアルミ箔５が設けら
れ、冷却シート４は丁度基板電極１の被処理物受け面1a
の周縁部で終端しているが、アルミ箔５の周縁部は第２
図に拡大して示すように基板電極１の被処理物受け面1a
の周縁部を越えてその周囲の段部1bにまでのび、押え部
材６によって基板電極１の段部1b上に圧接されている。
さらに基板電極１の周囲には絶縁シールド部材７が設け
られている。アルミ５上にのせられる基板またはトレー
３のクランプ部材８はアルミナ、SiO2等のような絶縁物
質で構成され、クランプ昇降機構９によりクランプ位置
と開放位置との間で移動できるようにされている。
処理装置の基板電極部分の構成を概略的に示し、１は基
板電極であり、この基板電極１は図示してない高周波電
源に接続される。基板電極１はその内部に冷却水の循環
器２を備え、外部から供給される冷却水によって冷却す
るように構成されている。また基板電極１上面には基板
または基板をのせたトレー３を受ける被処理物受け面1a
とその周囲の段部1bとを備え、基板電極１の被処理物受
け面1a上には、シラスコンシートから成り得る冷却シー
ト４および導電性面状部材を成すアルミ箔５が設けら
れ、冷却シート４は丁度基板電極１の被処理物受け面1a
の周縁部で終端しているが、アルミ箔５の周縁部は第２
図に拡大して示すように基板電極１の被処理物受け面1a
の周縁部を越えてその周囲の段部1bにまでのび、押え部
材６によって基板電極１の段部1b上に圧接されている。
さらに基板電極１の周囲には絶縁シールド部材７が設け
られている。アルミ５上にのせられる基板またはトレー
３のクランプ部材８はアルミナ、SiO2等のような絶縁物
質で構成され、クランプ昇降機構９によりクランプ位置
と開放位置との間で移動できるようにされている。
このように構成することにより、基板電極１から基板
またはトレー３への高周波電力の印加は、基板電極１か
らアルミ箔５を介して基板またはトレー３の背面全域か
ら行われ、それにより被処理面上に均一な電界を形成す
ることができる。
またはトレー３への高周波電力の印加は、基板電極１か
らアルミ箔５を介して基板またはトレー３の背面全域か
ら行われ、それにより被処理面上に均一な電界を形成す
ることができる。
ところで、図示実施例では、冷却シート上に導電性面
状部材を敷いた構成を取っているが、冷却シート自体を
電気伝導性のすぐれた材料で構成した場合には冷却シー
ト自体を導電性面状部材として作用させることができ
る。または通常使用されている冷却シートの全表面をア
ルミ箔のような導電性面状部材で覆った構造に構成する
こともできる。
状部材を敷いた構成を取っているが、冷却シート自体を
電気伝導性のすぐれた材料で構成した場合には冷却シー
ト自体を導電性面状部材として作用させることができ
る。または通常使用されている冷却シートの全表面をア
ルミ箔のような導電性面状部材で覆った構造に構成する
こともできる。
このように構成した図示実施例装置を第３図に示すよ
うな従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置に
適用してSiO2のエッチングを行なった例を従来装置との
比較して以下に例示する。
うな従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置に
適用してSiO2のエッチングを行なった例を従来装置との
比較して以下に例示する。
SiO2のエッチングは、口径８インチの電子サイクロト
ロン共鳴イオン源を用いて400KHzおよび13.56MHzの高周
波バイアスを印加して実施した。
ロン共鳴イオン源を用いて400KHzおよび13.56MHzの高周
波バイアスを印加して実施した。
［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明のマイクロ波プラズ
マ処理装置においては、高周波電極を成す基板電極から
の高周波電力を、基板または基板をのせたトレーの背面
に設けられた導電性面状部材を介して基板またはトレー
の背面全体から供給するように構成しているので、基板
またはトレーの表面に有効なバイアスを均一に印加で
き、その結果エッチング分布やデポジション分布の均一
性が大幅に改善できるだけなく、エッチングやデポジシ
ョン等の処理速度も高めることができ、装置の処理能力
および処理特性の向上が期待できる。
マ処理装置においては、高周波電極を成す基板電極から
の高周波電力を、基板または基板をのせたトレーの背面
に設けられた導電性面状部材を介して基板またはトレー
の背面全体から供給するように構成しているので、基板
またはトレーの表面に有効なバイアスを均一に印加で
き、その結果エッチング分布やデポジション分布の均一
性が大幅に改善できるだけなく、エッチングやデポジシ
ョン等の処理速度も高めることができ、装置の処理能力
および処理特性の向上が期待できる。
第１図は本発明を実施している装置の一例を示す概略断
面図、第２図は第１図の装置の一部の拡大断面図、第３
図は従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置を
示す概略線図、第４図および第５図は第３図の装置にお
ける基板電極構造を示す部分拡大断面である。 図中、 1:基板電極、3:基板またはトレー 4:冷却シート、5:導電性面状部材 6:押え部材、7:絶縁シールド部材 8:クランプ部材
面図、第２図は第１図の装置の一部の拡大断面図、第３
図は従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置を
示す概略線図、第４図および第５図は第３図の装置にお
ける基板電極構造を示す部分拡大断面である。 図中、 1:基板電極、3:基板またはトレー 4:冷却シート、5:導電性面状部材 6:押え部材、7:絶縁シールド部材 8:クランプ部材
Claims (2)
- 【請求項１】基板または基板をのせたトレーを基板電極
上に設置し、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ
処理を行なうようにしたマイクロ波プラズマ処理装置に
おいて、基板または基板をのせたトレーの背面全体を導
電性面状部材を介して基板電極に電気的に接続し、導電
性面状部材が、基板または基板をのせたトレーの背面と
基板電極表面との間に挿置された冷却シート部材の表面
を覆う金属箔シートから成ることを特徴とするマイクロ
波プラズマ処理装置。 - 【請求項２】基板または基板をのせたトレーを基板電極
上に設置し、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ
処理を行なうようにしたマイクロ波プラズマ処理装置に
おいて、基板または基板をのせたトレーの背面全体を導
電性面状部材を介して基板電極に電気的に接続し、導電
性面状部材が、基板または基板をのせたトレーの背面と
基板電極表面との間に挿置された冷却シート部材の表面
を覆う金属箔シートから成り、また基板または基板をの
せたトレーの表面縁部を電気絶縁性のクランプ部材で固
定したことを特徴とするマイクロ波プラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146860A JP2552292B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146860A JP2552292B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63311726A JPS63311726A (ja) | 1988-12-20 |
| JP2552292B2 true JP2552292B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=15417198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146860A Expired - Lifetime JP2552292B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552292B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3141208B2 (ja) * | 1991-06-03 | 2001-03-05 | 富士通株式会社 | ドライエッチング装置のウェハ保持盤 |
| US5501740A (en) * | 1993-06-04 | 1996-03-26 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
| KR100995715B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2010-11-19 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 방법 및 장치와 플라즈마 처리용 트레이 |
| US7528073B2 (en) | 2004-11-04 | 2009-05-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dry etching method and diffractive optical element |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846637A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPS59175727A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS6113625A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP62146860A patent/JP2552292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63311726A (ja) | 1988-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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