JPS63311726A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPS63311726A JPS63311726A JP14686087A JP14686087A JPS63311726A JP S63311726 A JPS63311726 A JP S63311726A JP 14686087 A JP14686087 A JP 14686087A JP 14686087 A JP14686087 A JP 14686087A JP S63311726 A JPS63311726 A JP S63311726A
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 8
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、基板または基板をのせたトレーを基板電極上
に設ぽし、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ処
理を行なうようにしたマイクロ波プラズマ処理装置に関
するものである。
に設ぽし、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ処
理を行なうようにしたマイクロ波プラズマ処理装置に関
するものである。
［従来の技術］
この種のマイクロ波プラズマ処理装置の従来例としては
添付図面の第３図に示すような電子サイクロ１−ロン共
鳴プラズマ処理装置が知られており、この装置は、図示
したように電子サイクロトロン共鳴イオン源Ａとこのイ
オン源Ａに対向して配置された基板電極Ｂとを有し、イ
オン源Ａはマイクロ波電源Ｃに接続され、また基板電極
Ｂはバイアス電源りに接続され、基板電極已に高周波バ
イアスを印加してバイアスエツチングやバイアスデポジ
ションを行なうように構成されている。基板環Ｐｉ！Ｂ
に対する基板または基板をのせたトレーの装着は通常第
４図または第５図に示すように、基板’ｔＷ Ｎ Ｂ上
に冷却効率を高めるための冷却シートＥを敷き、その上
に基板Ｆまたは基板ＦをのせたトレーＧを置き金属製の
クランプリングＨで基板ＦまたはトレーＧの表面縁部を
クランプするようにされている。なお、第４図および第
５図において工は絶縁物シールド、Ｊは汚染防止用カバ
ーであり、例えばアルミナから成り得る。第４図に示す
ように基板Ｆを金属製のクランプリングＨで直接クラン
プした場合には高周波電力はクランプリングＨを介して
基板Ｆに供給され、また第５図に示すようにトレーＧを
金属製のクランプリングＨでクランプした場合には高周
波電力はクランプリングＨおよびトレーＧを介して基板
Ｆに供給される。
添付図面の第３図に示すような電子サイクロ１−ロン共
鳴プラズマ処理装置が知られており、この装置は、図示
したように電子サイクロトロン共鳴イオン源Ａとこのイ
オン源Ａに対向して配置された基板電極Ｂとを有し、イ
オン源Ａはマイクロ波電源Ｃに接続され、また基板電極
Ｂはバイアス電源りに接続され、基板電極已に高周波バ
イアスを印加してバイアスエツチングやバイアスデポジ
ションを行なうように構成されている。基板環Ｐｉ！Ｂ
に対する基板または基板をのせたトレーの装着は通常第
４図または第５図に示すように、基板’ｔＷ Ｎ Ｂ上
に冷却効率を高めるための冷却シートＥを敷き、その上
に基板Ｆまたは基板ＦをのせたトレーＧを置き金属製の
クランプリングＨで基板ＦまたはトレーＧの表面縁部を
クランプするようにされている。なお、第４図および第
５図において工は絶縁物シールド、Ｊは汚染防止用カバ
ーであり、例えばアルミナから成り得る。第４図に示す
ように基板Ｆを金属製のクランプリングＨで直接クラン
プした場合には高周波電力はクランプリングＨを介して
基板Ｆに供給され、また第５図に示すようにトレーＧを
金属製のクランプリングＨでクランプした場合には高周
波電力はクランプリングＨおよびトレーＧを介して基板
Ｆに供給される。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のプラズマ処理装置では基板または基
板をのせたトレーの冷却効率を上げるために冷却シート
は必要であり、しかもこの冷却シートは一般にシリコー
ンゴム系の材料から成り導電性が悪く、基板またはＩ・
レーの背面は実質的に電気的に絶縁されてしまうことに
なる。そのため、基板電極に高周波電力（１００Ｋｔ（
ｚ 〜１００ＭＨｚ）を印加してバイアスエツチングま
たはバイアスデポジションを行なう場合、高周波電力は
基板またはトレーの背面から処理面に供給されずに、金
属クランプリングを介して供給されることになる。その
結果、基板またはトレーの表面での電界が不均一となり
、エツチングまたはデポジションの不均一性を生じると
いう問題点があった。
板をのせたトレーの冷却効率を上げるために冷却シート
は必要であり、しかもこの冷却シートは一般にシリコー
ンゴム系の材料から成り導電性が悪く、基板またはＩ・
レーの背面は実質的に電気的に絶縁されてしまうことに
なる。そのため、基板電極に高周波電力（１００Ｋｔ（
ｚ 〜１００ＭＨｚ）を印加してバイアスエツチングま
たはバイアスデポジションを行なう場合、高周波電力は
基板またはトレーの背面から処理面に供給されずに、金
属クランプリングを介して供給されることになる。その
結果、基板またはトレーの表面での電界が不均一となり
、エツチングまたはデポジションの不均一性を生じると
いう問題点があった。
そこで、本発明は、上記の問題点を解決するなめ、基板
またはそれをのせたトレーの背面全体から高周波電力を
供給できるようにしたマイクロ波プラズマ処理装置を提
供することを目的としている。
またはそれをのせたトレーの背面全体から高周波電力を
供給できるようにしたマイクロ波プラズマ処理装置を提
供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段コ
上記の目的を達成するために、基板または基板をのせた
トレーを基板電極上に設置し、基板電極に高周波電力を
印加してプラズマ処理を行なうようにした本発明による
マイクロ波プラズマ処理装置は、基板または基板をのせ
たトレーの背面全体を導電性面状部材を介して基板電極
に電気的に接続したことを特徴としている。
トレーを基板電極上に設置し、基板電極に高周波電力を
印加してプラズマ処理を行なうようにした本発明による
マイクロ波プラズマ処理装置は、基板または基板をのせ
たトレーの背面全体を導電性面状部材を介して基板電極
に電気的に接続したことを特徴としている。
ま／こ本発明の別の特徴によれば、基板または基板をの
ぜなトレーの基板電極への装着は、その表面縁部を電気
絶縁性のクランプ部材で固定することによって行われる
。
ぜなトレーの基板電極への装着は、その表面縁部を電気
絶縁性のクランプ部材で固定することによって行われる
。
導電性面状部材は、基板または基板をのせたトレーの背
面と基板電極表面との間に挿置された導電性冷却シート
部材自体または冷却シート部材の表面を覆う金属箔シー
トから成ることができる。
面と基板電極表面との間に挿置された導電性冷却シート
部材自体または冷却シート部材の表面を覆う金属箔シー
トから成ることができる。
［作 用］
本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置においては、
高周波電極を成す基板電極からの高周波電力は、基板ま
たは基板をのせたトレーの背面に設けられた導電性面状
部材を介して基板またはトレーの背面全体から供給され
、それにより基板またはトレーの表面上に均一な電界を
形成することができる。
高周波電極を成す基板電極からの高周波電力は、基板ま
たは基板をのせたトレーの背面に設けられた導電性面状
部材を介して基板またはトレーの背面全体から供給され
、それにより基板またはトレーの表面上に均一な電界を
形成することができる。
［実 施 例］
以下、添付図面の第１図および第２図を参照して本発明
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
第１図には本発明を実施しているマイクロ波プラズマ処
理装置の基板１！極部分の構成を概略的に示し、１は基
板電極であり、この基板電極１は図示してない高周波電
源に接続される。基板電極１はその内部に冷却水の循環
＃Ｉ２を備え、外部から供給される冷却水によって冷却
するように構成されている。また基板電極１上面には基
板または基板をのせたトレー３を受ける被処理物受は面
１ａとその周囲の段部１ｂとを備え、基板＃Ｉ！極１の
被処理物受は面１ａ上には、シラスコンシートから成り
得る冷却シート４および導電性面状部材を成すアルミ箔
５が設けられ、冷却シート４は丁度基板電極１の被処理
物受は面１ａの周縁部で終端しているが、アルミ箔５の
周縁部は第２図に拡大して示すように基板電極１の被処
理物受は面１ａの周縁部を越えてその周囲の段部１ｂま
でのび、押え部材６によって基板電極１の段部１ｂ上に
圧接されている。さらに基板電極１の周囲には絶縁シー
ルド部材７が設けられている。アルミ箔５上にのせられ
る基板またはトレー３のクランプ部材８はアルミナ、Ｓ
ｉｏ２等のような絶縁物質で構成され、クランプ昇降１
１１１１９によりクランプ位置と開放位置との間で移動
できるようにされている。
理装置の基板１！極部分の構成を概略的に示し、１は基
板電極であり、この基板電極１は図示してない高周波電
源に接続される。基板電極１はその内部に冷却水の循環
＃Ｉ２を備え、外部から供給される冷却水によって冷却
するように構成されている。また基板電極１上面には基
板または基板をのせたトレー３を受ける被処理物受は面
１ａとその周囲の段部１ｂとを備え、基板＃Ｉ！極１の
被処理物受は面１ａ上には、シラスコンシートから成り
得る冷却シート４および導電性面状部材を成すアルミ箔
５が設けられ、冷却シート４は丁度基板電極１の被処理
物受は面１ａの周縁部で終端しているが、アルミ箔５の
周縁部は第２図に拡大して示すように基板電極１の被処
理物受は面１ａの周縁部を越えてその周囲の段部１ｂま
でのび、押え部材６によって基板電極１の段部１ｂ上に
圧接されている。さらに基板電極１の周囲には絶縁シー
ルド部材７が設けられている。アルミ箔５上にのせられ
る基板またはトレー３のクランプ部材８はアルミナ、Ｓ
ｉｏ２等のような絶縁物質で構成され、クランプ昇降１
１１１１９によりクランプ位置と開放位置との間で移動
できるようにされている。
ハ１−一 −←１圃 」−９０口このように
構成することにより、基板１９７１１から基板またはト
レー３への高周波電力の印加は、基板電極１からアルミ
箔５を介して基板またはトレー３の背面全域から行われ
、それにより被処理面上に均一な電界を形成することが
できる。
構成することにより、基板１９７１１から基板またはト
レー３への高周波電力の印加は、基板電極１からアルミ
箔５を介して基板またはトレー３の背面全域から行われ
、それにより被処理面上に均一な電界を形成することが
できる。
ところで、図示実施例では、冷却シート上に導電性面状
部材を敷いた構成を取っているが、冷却シート自体を電
気伝導性のすぐれた材料で構成した場合には冷却シート
自体を導電性面状部材として作用させることができる。
部材を敷いた構成を取っているが、冷却シート自体を電
気伝導性のすぐれた材料で構成した場合には冷却シート
自体を導電性面状部材として作用させることができる。
または通常使用されている冷却シートの全表面をアルミ
箔のような導電性面状部材で覆った構造に構成すること
もできる。
箔のような導電性面状部材で覆った構造に構成すること
もできる。
このように構成した図示実施例装置を第３図に示すよう
な従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置に適
用して５１０２のエツチングを行なった例を従来装置と
の比軟して以下に例示する。
な従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置に適
用して５１０２のエツチングを行なった例を従来装置と
の比軟して以下に例示する。
Ｓ ｚ Ｏ２のエツチングは、口径８インチの電子サイ
クロトロン共鳴イオン源を用いて４００ＫＨｚおよび１
３．５６ＭＨｚの高周波バイアスを印加して実施した。
クロトロン共鳴イオン源を用いて４００ＫＨｚおよび１
３．５６ＭＨｚの高周波バイアスを印加して実施した。
便木茨匣 乎冗明
マイクロ波電力 ２００Ｗ ｊ２００Ｗ高周波バイ
アス１３．５６Ｍｔｌｚの場合バイアス電力 １００
Ｗ ；ｔｏｏｗエツチング速度 ４５０人／ｎｉｎ
６００人／ｎ＋ｉｎエツチング分布 １５０
内で １５０φ内でφ ±６０％ ±５％ 高周波バイアス４００にＨｚの場合 バイアス電力 ｓｏｗ ８口ｗ エツチング速度 ５００人／ｎ＋ｉｎ １７００人／
ｎ＋ｉｎエツチング分布 １５０φ内で １５０φ内
で±５５％ ±３％ ［発明の効果コ 以上説明してきたように、本発明のマイクロ波プラズマ
処理装置においては、高周波電極を成す基板電極からの
高周波電力を、基板または基板をのせたトレーの背面に
設けられた導電性面状部材を介して基板またはトレーの
背面全体から供給するように構成しているので、基板ま
たはトレーの表面に有効なバイアスを均一に印加でき、
その結果エツチング分布やデポジション分布の均一性が
大幅に改善できるだけなく、エツチングやデポジション
等の処理速度も高めることができ、装置の処理能力およ
び処理特性の向上が期待できる。
アス１３．５６Ｍｔｌｚの場合バイアス電力 １００
Ｗ ；ｔｏｏｗエツチング速度 ４５０人／ｎｉｎ
６００人／ｎ＋ｉｎエツチング分布 １５０
内で １５０φ内でφ ±６０％ ±５％ 高周波バイアス４００にＨｚの場合 バイアス電力 ｓｏｗ ８口ｗ エツチング速度 ５００人／ｎ＋ｉｎ １７００人／
ｎ＋ｉｎエツチング分布 １５０φ内で １５０φ内
で±５５％ ±３％ ［発明の効果コ 以上説明してきたように、本発明のマイクロ波プラズマ
処理装置においては、高周波電極を成す基板電極からの
高周波電力を、基板または基板をのせたトレーの背面に
設けられた導電性面状部材を介して基板またはトレーの
背面全体から供給するように構成しているので、基板ま
たはトレーの表面に有効なバイアスを均一に印加でき、
その結果エツチング分布やデポジション分布の均一性が
大幅に改善できるだけなく、エツチングやデポジション
等の処理速度も高めることができ、装置の処理能力およ
び処理特性の向上が期待できる。
第１図は本発明を実施している装置の一部を示す概略断
面図、第２図は第１図の装置の一部の拡大断面図、第３
図は従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置を
示す旅路線図、第４図および第５図は第３図の装置にお
ける基板電極構造を示す部分拡大断面である。 図 中、 １：基板電１［ｆ ３：基板またはトレー４：冷却
シート ５：導電性面状部材６：押え部材 ７：
絶縁シールド部材８：クランプ部材 第３図 ＋ 第４図 第ろ図
面図、第２図は第１図の装置の一部の拡大断面図、第３
図は従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置を
示す旅路線図、第４図および第５図は第３図の装置にお
ける基板電極構造を示す部分拡大断面である。 図 中、 １：基板電１［ｆ ３：基板またはトレー４：冷却
シート ５：導電性面状部材６：押え部材 ７：
絶縁シールド部材８：クランプ部材 第３図 ＋ 第４図 第ろ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板または基板をのせたトレーを基板電極上に設置
し、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ処理を行
なうようにしたマイクロ波プラズマ処理装置において、
基板または基板をのせたトレーの背面全体を導電性面状
部材を介して基板電極に電気的に接続したことを特徴と
するマイクロ波プラズマ処理装置。 ２、導電性面状部材が、基板または基板をのせたトレー
の背面と基板電極表面との間に挿置された導電性冷却シ
ート部材から成る特許請求の範囲第１項に記載のマイク
ロ波プラズマ処理装置。 ３、導電性面状部材が、基板または基板をのせたトレー
の背面と基板電極表面との間に挿置された冷却シート部
材の表面を覆う金属箔シートから成る特許請求の範囲第
１項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。 ４、基板または基板をのせたトレーを基板電極上に設置
し、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ処理を行
なうようにしたマイクロ波プラズマ処理装置において、
基板または基板をのせたトレーの背面全体を導電性面状
部材を介して基板電極に電気的に接続し、また基板また
は基板をのせたトレーの表面縁部を電気絶縁性のクラン
プ部材で固定したことを特徴とするマイクロ波プラズマ
処理装置。 ５、導電性面状部材が、基板または基板をのせたトレー
の背面と基板電極表面との間に挿置された導電性冷却シ
ート部材から成る特許請求の範囲第４項に記載のマイク
ロ波プラズマ処理装置。 ６、導電性面状部材が、基板または基板をのせたトレー
の背面と基板電極表面との間に挿置された冷却シート部
材の表面を覆う金属箔シートから成る特許請求の範囲第
４項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146860A JP2552292B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146860A JP2552292B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63311726A true JPS63311726A (ja) | 1988-12-20 |
| JP2552292B2 JP2552292B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=15417198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146860A Expired - Lifetime JP2552292B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552292B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04356921A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング装置のウェハ保持盤 |
| EP0737256A4 (en) * | 1993-06-04 | 1996-12-27 | Applied Science Technology | MICROWAVE PLASMA GENERATOR |
| US7232591B2 (en) * | 2002-04-09 | 2007-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of using an adhesive for temperature control during plasma processing |
| US7528073B2 (en) | 2004-11-04 | 2009-05-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dry etching method and diffractive optical element |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846637A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPS59175727A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS6113625A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP62146860A patent/JP2552292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846637A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPS59175727A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
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| JPH04356921A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング装置のウェハ保持盤 |
| EP0737256A4 (en) * | 1993-06-04 | 1996-12-27 | Applied Science Technology | MICROWAVE PLASMA GENERATOR |
| US7232591B2 (en) * | 2002-04-09 | 2007-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of using an adhesive for temperature control during plasma processing |
| US7528073B2 (en) | 2004-11-04 | 2009-05-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dry etching method and diffractive optical element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2552292B2 (ja) | 1996-11-06 |
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