JPS6247131A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6247131A JPS6247131A JP60187611A JP18761185A JPS6247131A JP S6247131 A JPS6247131 A JP S6247131A JP 60187611 A JP60187611 A JP 60187611A JP 18761185 A JP18761185 A JP 18761185A JP S6247131 A JPS6247131 A JP S6247131A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cathode electrode
- reactive ion
- ion etching
- insulator
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の加工に用いる反応性イオンエツチ
ング装置に関する。
ング装置に関する。
従来、この種の反応性イオンエツチング装置は第2図に
示すように、平行平板型対向電極のカソード電極4にウ
ェハ1を載置し、対向電極をアノード側に設定し、両電
極間の電位差を利用して、異方性エツチングを行うこと
を原理とする。またウェハ1の周辺部には環状の絶縁体
3を設置し、絶縁体3にてウェハ部分を除いてカソード
電極4の上面を被覆させていた。
示すように、平行平板型対向電極のカソード電極4にウ
ェハ1を載置し、対向電極をアノード側に設定し、両電
極間の電位差を利用して、異方性エツチングを行うこと
を原理とする。またウェハ1の周辺部には環状の絶縁体
3を設置し、絶縁体3にてウェハ部分を除いてカソード
電極4の上面を被覆させていた。
上述した従来の反応性イオンエツチング装置は、被エツ
チング物であるウェハ1が1つの電極の働きをしている
ため、ウェハ周辺部で電界集中により工、チンダレ−1
・が増進され、ウェハ内で均一性のよいエツチング特性
が得られないことから、安定i〜だ高い歩留りを得るこ
とができないという欠点がある。
チング物であるウェハ1が1つの電極の働きをしている
ため、ウェハ周辺部で電界集中により工、チンダレ−1
・が増進され、ウェハ内で均一性のよいエツチング特性
が得られないことから、安定i〜だ高い歩留りを得るこ
とができないという欠点がある。
本発明は前記問題点を解消するもので、ウェハ周辺部で
の電界集中を緩和し、ウェハ内に均一性のよいエツチン
グを行うイオンエツチング装置を提供するものである。
の電界集中を緩和し、ウェハ内に均一性のよいエツチン
グを行うイオンエツチング装置を提供するものである。
本発明はカソード電極のウェハ載置部に凹部を設けてウ
ェハをカソード電極表面よりもくぼんだ位置に載置し、
更にウェハの外周縁に環状の導電体を設置したことを特
徴とする反応性イオンエツチング装置である。
ェハをカソード電極表面よりもくぼんだ位置に載置し、
更にウェハの外周縁に環状の導電体を設置したことを特
徴とする反応性イオンエツチング装置である。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は本発明の反応性イオンエツチング装置のカソー
ド電極部分の概略図である。第1図においで、カソード
電極4の一部に凹部4aを設け、該凹部4a内にウェハ
1を収納し、該ウェハ1をカソード電極表面よりもくぼ
んだ位置に載置し、ウェハlの外周縁に環状の導電体2
を配設する。
ド電極部分の概略図である。第1図においで、カソード
電極4の一部に凹部4aを設け、該凹部4a内にウェハ
1を収納し、該ウェハ1をカソード電極表面よりもくぼ
んだ位置に載置し、ウェハlの外周縁に環状の導電体2
を配設する。
またウェハ1及び導電体2の部分を除いたカソード電極
4の表面上を絶縁物3で被覆する。さらに、カソード電
極4の表面を抽鉢状に窪1ぜて、ウェハ1の表面の外縁
よりカソード電極4を通して絶縁物3の表面までを弧状
に連続させて接合する。
4の表面上を絶縁物3で被覆する。さらに、カソード電
極4の表面を抽鉢状に窪1ぜて、ウェハ1の表面の外縁
よりカソード電極4を通して絶縁物3の表面までを弧状
に連続させて接合する。
5は高周波電源である。
したがって、ウェハ1と環状の導電体2とが界面なく接
するため、ウェハ周囲部に電界が集中することはなく、
均一な電界が形成され、その結果均一性の良いエツチン
グ特性が得られる。
するため、ウェハ周囲部に電界が集中することはなく、
均一な電界が形成され、その結果均一性の良いエツチン
グ特性が得られる。
以北説明したように本発明による反応性イオンエツチン
グ装置は、半導体装置」二の被工、チング物ヲエッチン
グする際に、ウェハをカソード電極表面よりもくぼんだ
位置に載置し7、更にウェー・の周囲をウェハと連続的
に導電体で囲むことにより、電界の集中を緩和でき、し
たがって均一性の良いエツチングが可能となり、安定し
た高い歩留りを得ることができる効果を有するものであ
る。
グ装置は、半導体装置」二の被工、チング物ヲエッチン
グする際に、ウェハをカソード電極表面よりもくぼんだ
位置に載置し7、更にウェー・の周囲をウェハと連続的
に導電体で囲むことにより、電界の集中を緩和でき、し
たがって均一性の良いエツチングが可能となり、安定し
た高い歩留りを得ることができる効果を有するものであ
る。
第1図は本発明の反応性イオンエツチング装置のカソー
ド電極部分の概略図、第2図は従来の反応性イオンエツ
チング装置のカソード電極部分の概略図である。 1・・・被エツチング物ウェハ、2・・・導電体、3・
・・絶縁物、4・・・カソード電極、5・・・高周波電
源。
ド電極部分の概略図、第2図は従来の反応性イオンエツ
チング装置のカソード電極部分の概略図である。 1・・・被エツチング物ウェハ、2・・・導電体、3・
・・絶縁物、4・・・カソード電極、5・・・高周波電
源。
Claims (1)
- (1)反応性イオンエッチング装置のカソード電極のウ
ェハを載置する部分に凹部を設けてウェハをカソード電
極表面よりもくぼんだ位置に載置し、更にウェハの外周
縁に環状の導電体を設置したことを特徴とする反応性イ
オンエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60187611A JPS6247131A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60187611A JPS6247131A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6247131A true JPS6247131A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16209135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60187611A Pending JPS6247131A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6247131A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1992007377A1 (en) * | 1990-10-23 | 1992-04-30 | Genus, Inc. | Sacrificial metal etchback system |
US5292399A (en) * | 1990-04-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing |
US5494523A (en) * | 1993-05-13 | 1996-02-27 | Applied Materials, Inc. | Controlling plasma particulates by contouring the plasma sheath using materials of differing RF impedances |
US5556500A (en) * | 1994-03-03 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
US5680013A (en) * | 1994-03-15 | 1997-10-21 | Applied Materials, Inc. | Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces |
US5792376A (en) * | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
WO2003043061A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Lam Research | Apparatus and method for improving etch rate uniformity |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55173813U (ja) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | ||
JPS5665535U (ja) * | 1979-10-26 | 1981-06-01 | ||
JPS56162905A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Takamatsu Electric Works Ltd | Branch unit for multiple circuit |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP60187611A patent/JPS6247131A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JPS55173813U (ja) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | ||
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