JPS61113235A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS61113235A JPS61113235A JP23555584A JP23555584A JPS61113235A JP S61113235 A JPS61113235 A JP S61113235A JP 23555584 A JP23555584 A JP 23555584A JP 23555584 A JP23555584 A JP 23555584A JP S61113235 A JPS61113235 A JP S61113235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electric field
- impressed
- etching
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プラズマを用いて蝕刻もしくは洗浄を行う装
置に関するもので、特に半導体基板上にシリコン酸化膜
、ポリシリコン膜、配線金属膜等の薄膜をフォトエツチ
ングする際に多く利用される。
置に関するもので、特に半導体基板上にシリコン酸化膜
、ポリシリコン膜、配線金属膜等の薄膜をフォトエツチ
ングする際に多く利用される。
従来の技術
プラズマエツチング、特に反応性イオンエツチング装置
は、その異方性エツチングが可能となる陰極降下電圧を
大きくする必要から高周波（ＲＦ）印加電極と対向接地
電極との面積比を太きくする必要がある。従って、従来
一般的に広く用いられている平行平板型の反応性イオン
エッチよシも第２図で示すヘキソード型と呼ばれる六角
筒型の電極構造を持った反応性イオンエツチング装置が
、小さい体積でより大きい電極面積比が得られる構造で
あることはよく知られており、同電極構造のプラズマエ
ツチング装置が、すでに、アプライドマテリアルステフ
ノロジー社から発売されている。
は、その異方性エツチングが可能となる陰極降下電圧を
大きくする必要から高周波（ＲＦ）印加電極と対向接地
電極との面積比を太きくする必要がある。従って、従来
一般的に広く用いられている平行平板型の反応性イオン
エッチよシも第２図で示すヘキソード型と呼ばれる六角
筒型の電極構造を持った反応性イオンエツチング装置が
、小さい体積でより大きい電極面積比が得られる構造で
あることはよく知られており、同電極構造のプラズマエ
ツチング装置が、すでに、アプライドマテリアルステフ
ノロジー社から発売されている。
発明が解決しようとする問題点
上記に示すようにベキソード型反応性イオンエツチング
装置は、大きい電極面積比が得られる構造であるという
点ですぐれていることは知られているが、現在、実用化
されている装置は、第２図の断面構造図に示す様に、対
向接地電極がヘキソード型ではなく、円筒型で作られて
いる。この場合、ＲＦ印加電極と対向接地電極との形状
が異なるため、電極間距離が不均一になり、ＲＦ印加電
極表面の電界にバラツキが生じるためエツチングの均一
性が悪くなるという問題があった。
装置は、大きい電極面積比が得られる構造であるという
点ですぐれていることは知られているが、現在、実用化
されている装置は、第２図の断面構造図に示す様に、対
向接地電極がヘキソード型ではなく、円筒型で作られて
いる。この場合、ＲＦ印加電極と対向接地電極との形状
が異なるため、電極間距離が不均一になり、ＲＦ印加電
極表面の電界にバラツキが生じるためエツチングの均一
性が悪くなるという問題があった。
問題点を解決するだめの手段
エツチングの均一性を向上させるためには、ＲＦ印加電
極表面の電界強度のバラツキを少なくする必要がち９、
本発明はＲＦ印加電極と対向接地電極とを共に六角筒型
のヘキソードで形成し、対向面電極間隔を一定にして、
ＦｔＦ印加電極表面の電界分布を一様にした。
極表面の電界強度のバラツキを少なくする必要がち９、
本発明はＲＦ印加電極と対向接地電極とを共に六角筒型
のヘキソードで形成し、対向面電極間隔を一定にして、
ＦｔＦ印加電極表面の電界分布を一様にした。
作用
ＲＦ印加電極と対向接地電極とが平行であるため、等電
位面が電極間の空間にＲＦ印加電極面と平行に形成され
る。したがって、ＲＦ印加電極上に置かれた被エツチン
グ物表面の電界分布は、ＲＦ印加電極と平行に形成され
た等電位面により均一になる。エツチング反応種は、電
界に沿って被エツチング物表面に入射するから、均一な
電界分布により、均一性の良いエツチングが行なわれる
。
位面が電極間の空間にＲＦ印加電極面と平行に形成され
る。したがって、ＲＦ印加電極上に置かれた被エツチン
グ物表面の電界分布は、ＲＦ印加電極と平行に形成され
た等電位面により均一になる。エツチング反応種は、電
界に沿って被エツチング物表面に入射するから、均一な
電界分布により、均一性の良いエツチングが行なわれる
。
実施例
第１図に本発明の一実施例の断面構造図を示す。
ＲＦ印加電極１とヘキソード型対向接地電極２とが平行
に対峙し、その対向空間に等電位面３がＦｔＦ印加電極
１の面に平行に形成される。電界（方位）４は、等電位
面に垂直に形成されるので、これによって、ＲＦ印加電
極１の表面に均一に電界が形成される。電極間の空間に
グロー放電で形成されたイオンは、この電界の方向に沿
ってＲＦ印加電極１の面に入射する。均一な電界でイオ
ンが入射、するため、ＲＦ印加電極１上に置かれた被エ
ツチング物は、均一にエツチングが行なわれる。
に対峙し、その対向空間に等電位面３がＦｔＦ印加電極
１の面に平行に形成される。電界（方位）４は、等電位
面に垂直に形成されるので、これによって、ＲＦ印加電
極１の表面に均一に電界が形成される。電極間の空間に
グロー放電で形成されたイオンは、この電界の方向に沿
ってＲＦ印加電極１の面に入射する。均一な電界でイオ
ンが入射、するため、ＲＦ印加電極１上に置かれた被エ
ツチング物は、均一にエツチングが行なわれる。
発明の効果
本発明によれば、均一なエツチングを行うことができる
ため、バラツキによる歩留の低下を防ぐ ・ことが
できる。また、従来は、バラツキのだめ、エツチング時
間を長くして、いわゆるオーバエツチング時間の設定に
よシ、エツチングを行い、エツチング残りを少なくして
いるが、本発明によれば均一性の良いエツチングが可能
なため、このオーバーエツチング時間を少なくすること
が可能であるので、下地基板のダメージの減少等、著し
い効果が得られる。
ため、バラツキによる歩留の低下を防ぐ ・ことが
できる。また、従来は、バラツキのだめ、エツチング時
間を長くして、いわゆるオーバエツチング時間の設定に
よシ、エツチングを行い、エツチング残りを少なくして
いるが、本発明によれば均一性の良いエツチングが可能
なため、このオーバーエツチング時間を少なくすること
が可能であるので、下地基板のダメージの減少等、著し
い効果が得られる。
第１図は本発明実施例装置の電極の断面図、第２図は従
来例の電極の断面図である。 １・・・・・・ＲＦ印加電極、２・・・・・・ヘキソー
ド型対向接地電極、３・・・・・等電位面、４・・・・
・・電界（方位）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図
来例の電極の断面図である。 １・・・・・・ＲＦ印加電極、２・・・・・・ヘキソー
ド型対向接地電極、３・・・・・等電位面、４・・・・
・・電界（方位）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 六角筒型の高周波印加電極面を有し、且つ、この電極
面と平行になる様に形成された六角筒型の対向面電極を
有するプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23555584A JPS61113235A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23555584A JPS61113235A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113235A true JPS61113235A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=16987716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23555584A Pending JPS61113235A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113235A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007290758A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 二剤混合キャップ |
| JP2007290757A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 二剤混合キャップ |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP23555584A patent/JPS61113235A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007290758A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 二剤混合キャップ |
| JP2007290757A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 二剤混合キャップ |
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