JPS59217330A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59217330A JPS59217330A JP9265883A JP9265883A JPS59217330A JP S59217330 A JPS59217330 A JP S59217330A JP 9265883 A JP9265883 A JP 9265883A JP 9265883 A JP9265883 A JP 9265883A JP S59217330 A JPS59217330 A JP S59217330A
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- JP
- Japan
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- electrode
- supporting
- distance
- ion etching
- reactive ion
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、反応性イオンエツチング装置に関する。
近年、集積回路ＩＣから大規模集積回路ＬＳＩへと移行
するに従って、素子の高集積度化、高速化が行われてい
る。素子の高集積度化及び高速化を達成するために微細
加工技術が要求される。而して、大規模集積回路の製造
工程では、従来行われていた湿式エツチング□□□ｔ
ｅｔｃｈｉｎｇ）。
するに従って、素子の高集積度化、高速化が行われてい
る。素子の高集積度化及び高速化を達成するために微細
加工技術が要求される。而して、大規模集積回路の製造
工程では、従来行われていた湿式エツチング□□□ｔ
ｅｔｃｈｉｎｇ）。
ケミカルドライエツチング（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｄｒｙ
ｅｔｃｈｉｎｇ）等の等方性エツチングに代わって、
所謂サイドエラ７（ｓｉｄｅ ｅｔｃｈ）が起きず、
異方性エツチングの可能な反応性イオンエツチング（Ｒ
ｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ、 Ｒ，工
。Ｅ）が採用されている。
ｅｔｃｈｉｎｇ）等の等方性エツチングに代わって、
所謂サイドエラ７（ｓｉｄｅ ｅｔｃｈ）が起きず、
異方性エツチングの可能な反応性イオンエツチング（Ｒ
ｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ、 Ｒ，工
。Ｅ）が採用されている。
反応性イオンエツチング装置としては、例えば平行平板
層のものが使用されている。この反応性イオンエツチン
グ装置は、所定の反応ガスを満したチャンバー内に被エ
ツチング体を載置する電極と、これに所定間隔を設けて
対設された対向電極とを有している。而して、両電極間
に所定の高周波電力ＲＦを印加し、反応ガスをプラズマ
化する。このとき、高周波を印加した電極には、電子と
イオンの移動度の差及び高周波を印加した電極と対向電
極および接地されたデャンパー内壁の面積の違いにより
、負の自己バイアスが生じる。負の自己バイアスは、陰
極降下電圧と呼ばれ、接地電位から測ってｖｄＣで示さ
れる。この負の自己バイアスによりプラズマ中で発生し
た正イオンが加速さ゛れ、エツチング種が吸着した被エ
ツチング試料表面に垂直に衝突する。衝突した正イオン
は、エツチング種と被エツチング物質との反応を促進し
、揮発物質を生成してエツチングを進行させる。つまり
、形状精度の高い均一なエツチング処理を施すには、被
エツチング試料表面上での陰極降下電圧Ｖｄｃの値を均
一にしなければならない。
層のものが使用されている。この反応性イオンエツチン
グ装置は、所定の反応ガスを満したチャンバー内に被エ
ツチング体を載置する電極と、これに所定間隔を設けて
対設された対向電極とを有している。而して、両電極間
に所定の高周波電力ＲＦを印加し、反応ガスをプラズマ
化する。このとき、高周波を印加した電極には、電子と
イオンの移動度の差及び高周波を印加した電極と対向電
極および接地されたデャンパー内壁の面積の違いにより
、負の自己バイアスが生じる。負の自己バイアスは、陰
極降下電圧と呼ばれ、接地電位から測ってｖｄＣで示さ
れる。この負の自己バイアスによりプラズマ中で発生し
た正イオンが加速さ゛れ、エツチング種が吸着した被エ
ツチング試料表面に垂直に衝突する。衝突した正イオン
は、エツチング種と被エツチング物質との反応を促進し
、揮発物質を生成してエツチングを進行させる。つまり
、形状精度の高い均一なエツチング処理を施すには、被
エツチング試料表面上での陰極降下電圧Ｖｄｃの値を均
一にしなければならない。
しかしながら、電極の表面での陰極降下電圧ＶｄＣの分
布を調べると、第１図に特性線工で示す如く中心部で小
さい値を示し、周辺部で大きい値を示す。
布を調べると、第１図に特性線工で示す如く中心部で小
さい値を示し、周辺部で大きい値を示す。
この問題を解消するために、両電極のうちの１
一方を傾斜させて陰極降下電圧■ｄｃの値を均一な分
布にする改良がなされている。しかしながら、電極を傾
斜させた場合の陰極降下電圧Ｖｄｃの分布は、第１図に
特性線■にて併記した如く、依然不均一な分布である。
一方を傾斜させて陰極降下電圧■ｄｃの値を均一な分
布にする改良がなされている。しかしながら、電極を傾
斜させた場合の陰極降下電圧Ｖｄｃの分布は、第１図に
特性線■にて併記した如く、依然不均一な分布である。
このため、一方の電極を回転させることにより、均一な
エツチング処理をする試みがなされている。しかしなが
ら、電極の回転速度は、試料ごとに試行錯誤によって決
めざるを得なかった。
エツチング処理をする試みがなされている。しかしなが
ら、電極の回転速度は、試料ごとに試行錯誤によって決
めざるを得なかった。
本発明は、常に陰極降下電圧ｖｄｃを電極の全域で均一
になるようにして、均一なエツチング処理を可能にした
反応性イオンエツチング装置を提供することをその目的
とするものである。
になるようにして、均一なエツチング処理を可能にした
反応性イオンエツチング装置を提供することをその目的
とするものである。
本発明は、相対向する電極の一方を分割し、これを可動
自在に設けるか、または変形可能な電極自在に設けて常
に陰極降下電圧Ｖｄｃを電極の全域で均一にし、高精度
で均一なエツチング処理を可能にした反応性イオンエツ
チング装置である。
自在に設けるか、または変形可能な電極自在に設けて常
に陰極降下電圧Ｖｄｃを電極の全域で均一にし、高精度
で均一なエツチング処理を可能にした反応性イオンエツ
チング装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第２図は、本発明の一実施例の断面図である。
図中１は、所定の反応ガスが満されるチャン／４−であ
る。チャンバー１は、図示しない排気機構により所定の
減圧状態に保たれている。チャンバー１内には、支持電
極２が回転自在に設けられている。支持電極２の表面は
、被処理体支持面になっている。被処理体支持面上には
、被処理体３である被エツチング基板が設置されるよう
になっている。支持電極２には、後述する対向電極６と
の間に高周波電力を印加するための高周波電源１４が設
けられている。支持電極２の上方には、所定間隔を設け
て対向電極６が設けられている。対向電極６は、第３図
に示す如く、中心部分割電極６轟と、これと同窓円状を
なす中１間：部・分割電極６ｂ、及び外周部分割電極６
Ｃとで構成されている。各々の分割電極６ａ、６ｂ、６
ｃは、昇降軸７に沿って昇降動し、被処理体支持面との
対向間隔を自在に調節できるようになっている。
る。チャンバー１は、図示しない排気機構により所定の
減圧状態に保たれている。チャンバー１内には、支持電
極２が回転自在に設けられている。支持電極２の表面は
、被処理体支持面になっている。被処理体支持面上には
、被処理体３である被エツチング基板が設置されるよう
になっている。支持電極２には、後述する対向電極６と
の間に高周波電力を印加するための高周波電源１４が設
けられている。支持電極２の上方には、所定間隔を設け
て対向電極６が設けられている。対向電極６は、第３図
に示す如く、中心部分割電極６轟と、これと同窓円状を
なす中１間：部・分割電極６ｂ、及び外周部分割電極６
Ｃとで構成されている。各々の分割電極６ａ、６ｂ、６
ｃは、昇降軸７に沿って昇降動し、被処理体支持面との
対向間隔を自在に調節できるようになっている。
このように構成された反応性イオンエツチング装置ユ」
によれば、例えば、中心部分割電極６２と被処理体支持
面との間隔を小さくシ、外周に向つに従ってこの間隔が
大きくなるように、外周部う分１４割１電極６ｃと被処
理体支持面との間隔を大きく設定している。このため、
支持電極２の被処理体支持面上の陰極降下電圧ｖｄｃの
分布を調べると、第４図に特性線■にて示す如く、極め
て均一な値に設定することができる。その結果、エツチ
ング処理の際の陰極降下電圧Ｖｄｃを、支持電極２の表
面で常に均一な値となるようにして、極めて均一なエツ
チング処理を施すことができる。
によれば、例えば、中心部分割電極６２と被処理体支持
面との間隔を小さくシ、外周に向つに従ってこの間隔が
大きくなるように、外周部う分１４割１電極６ｃと被処
理体支持面との間隔を大きく設定している。このため、
支持電極２の被処理体支持面上の陰極降下電圧ｖｄｃの
分布を調べると、第４図に特性線■にて示す如く、極め
て均一な値に設定することができる。その結果、エツチ
ング処理の際の陰極降下電圧Ｖｄｃを、支持電極２の表
面で常に均一な値となるようにして、極めて均一なエツ
チング処理を施すことができる。
なお、各分割電極６ｍ、６ｂ、６ｃの位置は。
陰極降下電圧ｖｄｃの値を所定箇所で測定し、その信号
を帰還して制御することができる。
を帰還して制御することができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る反応性イオンエラチン
、グ装置によれば、常に陰極降下電圧を電極の全域で均
一になるようにして、均一なエツチング処理をすること
ができるものである。
、グ装置によれば、常に陰極降下電圧を電極の全域で均
一になるようにして、均一なエツチング処理をすること
ができるものである。
第１図は、従来の反応性イオンエツチング装置の電極上
の位置と陰極降下電圧との関係を示す特性図、第２図は
、本発明の一実施例の断面図、第３図は、同実施例にて
使用する上部電極の斜視図、第４図は、同実施例の反応
性イオンエツチング装置の支持電極上の位置と陰極降下
電圧との関係を示す特性図である。 １・・・チャンバー、２・・・支持電極、３・・・被処
理体、４・・・高周波電源、６・・・対向電極、６ａ・
・・中心部分割電極、６ｂ・・・中間部分割電極、６Ｃ
・・・外周部分割電極、７・・・昇降軸、土ユ・・・反
応性イオンエツチング装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 電石にと４イ立置 第２ｒｆ！Ｊ ０
の位置と陰極降下電圧との関係を示す特性図、第２図は
、本発明の一実施例の断面図、第３図は、同実施例にて
使用する上部電極の斜視図、第４図は、同実施例の反応
性イオンエツチング装置の支持電極上の位置と陰極降下
電圧との関係を示す特性図である。 １・・・チャンバー、２・・・支持電極、３・・・被処
理体、４・・・高周波電源、６・・・対向電極、６ａ・
・・中心部分割電極、６ｂ・・・中間部分割電極、６Ｃ
・・・外周部分割電極、７・・・昇降軸、土ユ・・・反
応性イオンエツチング装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 電石にと４イ立置 第２ｒｆ！Ｊ ０
Claims (1)
- 所定の反応ガスが満されたチャンバーと、該チャンバー
内に回転自在に設けられ、かつ、被処理体支持面を有す
る支持電極と、複数個の分割電極または、変形可能な電
極からなり、その各々が前記被処理体支持面との対向間
隔を可変にして設けられた対向電極と、該対向電極及び
前記支持電極間に所定の電圧を印加する電源部とを具備
することを特徴とする反応性イオンエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9265883A JPS59217330A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9265883A JPS59217330A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217330A true JPS59217330A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14060564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9265883A Pending JPS59217330A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217330A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0327253A2 (en) * | 1988-02-01 | 1989-08-09 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Forming films, e.g. of amorphous silicon |
| NL9201938A (nl) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Leybold Ag | Inrichting voor het ionenetsen over een groot oppervlak. |
| JP2005209809A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | エッチング装置およびこれを用いたエッチング方法 |
| JP2009032885A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JP2013141004A (ja) * | 2007-05-18 | 2013-07-18 | Lam Research Corporation | 容積可変型プラズマ処理チャンバおよびその方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5458361A (en) * | 1977-10-19 | 1979-05-11 | Hitachi Ltd | Plasma gas phase processor |
| JPS5723227A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
| JPS5758322A (en) * | 1980-08-11 | 1982-04-08 | Eaton Corp | Planar plasma etching device |
-
1983
- 1983-05-26 JP JP9265883A patent/JPS59217330A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5458361A (en) * | 1977-10-19 | 1979-05-11 | Hitachi Ltd | Plasma gas phase processor |
| JPS5723227A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
| JPS5758322A (en) * | 1980-08-11 | 1982-04-08 | Eaton Corp | Planar plasma etching device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0327253A2 (en) * | 1988-02-01 | 1989-08-09 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Forming films, e.g. of amorphous silicon |
| NL9201938A (nl) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Leybold Ag | Inrichting voor het ionenetsen over een groot oppervlak. |
| JP2005209809A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | エッチング装置およびこれを用いたエッチング方法 |
| JP2013141004A (ja) * | 2007-05-18 | 2013-07-18 | Lam Research Corporation | 容積可変型プラズマ処理チャンバおよびその方法 |
| JP2009032885A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | プラズマエッチング装置 |
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