JP2005209809A - エッチング装置およびこれを用いたエッチング方法 - Google Patents
エッチング装置およびこれを用いたエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005209809A JP2005209809A JP2004013437A JP2004013437A JP2005209809A JP 2005209809 A JP2005209809 A JP 2005209809A JP 2004013437 A JP2004013437 A JP 2004013437A JP 2004013437 A JP2004013437 A JP 2004013437A JP 2005209809 A JP2005209809 A JP 2005209809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- etching
- plasma
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 プラズマエッチング装置において、プラズマの発生する上部電極と下部電極が対向する空間に複数の移動可能な遮蔽電極を設けた。
【選択図】 図1
Description
間に電圧を印加する電源と、前記真空チャンバ内にガスを導入するためのガス導入口を備えた本発明のプラズマエッチング装置においては、前記上部電極と前記下部電極が対向する空間に複数の移動可能な遮蔽電極を設けたことを特徴としているので、基板表面のエッチング量を均一にすることができる。また遮蔽電極の形状や配置を任意に設定することができるため、基板内のエッチング量を高精度に制御することができる。さらに、プラズマエッチング装置に必要な電源およびその電源に必要なマッチング回路も一つでよいため、エッチング装置が大型でかつ高価になることもない。以上のように本発明のプラズマエッチング装置を使用して基板や基板上の薄膜をエッチングすることにより高精度な配線形成が可能となり、電気的特性あるいは光学的特性の優れた部品を作製することが可能となる。
2 低真空用ポンプ
3 高真空用ポンプ
4、5 バルブ
6 ガス導入口
7 上部電極
8 下部電極
9 シールド電極
10〜13、31a〜31d 遮蔽電極
14〜17 遮蔽電極駆動用エアシリンダ
18a〜18d ベローズ
19、30a〜30d、40a〜40e 基板
20 高周波電源
41a〜41e Al電極
42b〜42d フォトレジスト
43c Arイオン
Claims (3)
- 真空チャンバと、真空用ポンプと、前記真空チャンバ内に互いに対向させて配置された上部電極と下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に電圧を印加する電源と、前記真空チャンバ内にガスを導入するためのガス導入口を備えたエッチング装置において、
前記上部電極と前記下部電極が対向する空間に複数の移動可能な遮蔽電極を設けたことを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1記載のエッチング装置において、
前記複数の遮蔽電極の形状が同心環状であることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1ないし請求項2記載のエッチング装置を用いて前記下部電極上に基板を配置し、前記基板の表面をエッチングするエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004013437A JP2005209809A (ja) | 2004-01-21 | 2004-01-21 | エッチング装置およびこれを用いたエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004013437A JP2005209809A (ja) | 2004-01-21 | 2004-01-21 | エッチング装置およびこれを用いたエッチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005209809A true JP2005209809A (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=34899488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004013437A Pending JP2005209809A (ja) | 2004-01-21 | 2004-01-21 | エッチング装置およびこれを用いたエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005209809A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9809039B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-11-07 | Oce-Technologies B.V. | Plasma generating device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5723227A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
JPS57202734A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for manufacturing of semiconductor |
JPS59217330A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
JPH03138382A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-12 | Nissin Electric Co Ltd | 反応性イオンエッチング装置 |
-
2004
- 2004-01-21 JP JP2004013437A patent/JP2005209809A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5723227A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
JPS57202734A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for manufacturing of semiconductor |
JPS59217330A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
JPH03138382A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-12 | Nissin Electric Co Ltd | 反応性イオンエッチング装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9809039B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-11-07 | Oce-Technologies B.V. | Plasma generating device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080283500A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
CN101785088A (zh) | 等离子处理方法和等离子处理装置 | |
KR20010080368A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
JP2010003958A (ja) | バッフル板及び基板処理装置 | |
CN110880443B (zh) | 等离子处理装置 | |
JP2007067037A (ja) | 真空処理装置 | |
US20070170155A1 (en) | Method and apparatus for modifying an etch profile | |
TW201702414A (zh) | 用來沉積材料之方法及設備 | |
JP2013139642A (ja) | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 | |
US5543688A (en) | Plasma generation apparatus with interleaved electrodes and corresponding method | |
KR20210010425A (ko) | 플라스마 처리 장치 | |
JP2005209809A (ja) | エッチング装置およびこれを用いたエッチング方法 | |
JP2006054334A (ja) | 半導体製造装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2006128729A (ja) | エッチング装置 | |
EP3128819A1 (en) | Plasma treatment device and coil used therein | |
JPH11283926A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5914786B1 (ja) | 絶縁物ターゲット | |
JP6509553B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
US6432730B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
JPH0457091B2 (ja) | ||
JPH051072Y2 (ja) | ||
WO2003050862A1 (fr) | Procede de gravure au plasma | |
JP7055083B2 (ja) | スパッタエッチング装置 | |
JPS63153266A (ja) | スパツタ装置 | |
JPH10330970A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20061031 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20070402 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090818 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100518 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |