JPS59112624A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59112624A JPS59112624A JP22246482A JP22246482A JPS59112624A JP S59112624 A JPS59112624 A JP S59112624A JP 22246482 A JP22246482 A JP 22246482A JP 22246482 A JP22246482 A JP 22246482A JP S59112624 A JPS59112624 A JP S59112624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- susceptor
- semiconductor wafer
- reactive ion
- ion etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はＩ Ｃ、ＬＳＩ等の半導体装置の製造に使用さ
れる反応性イオンエツチング装置の改良に関する。
れる反応性イオンエツチング装置の改良に関する。
半導体装置の製造には、半導体ウェハー上に被着された
金属膜、多結晶シリコン膜、絶縁膜等を選択的にエツチ
ングして配線層等の種々のパターンを形成するフォトリ
ングラフイ一工程が薮多く含まれている。この工程にお
けるエツチング法としては長年湿式エツチングが用いら
れて来たが、サイドエツチングを生じるために高精度の
・母ターンニングができないという間顕があった。これ
に対して近年用いられるようになった反応性イオンエツ
チングはサイドエツチングを生じることなく高精度のパ
ターンを形成することができる。このため、反応性イオ
ンエツチングは、現在、超ＬＳＩ製造の微細加工技術に
おいて主敬な地位を占めるに至っている。
金属膜、多結晶シリコン膜、絶縁膜等を選択的にエツチ
ングして配線層等の種々のパターンを形成するフォトリ
ングラフイ一工程が薮多く含まれている。この工程にお
けるエツチング法としては長年湿式エツチングが用いら
れて来たが、サイドエツチングを生じるために高精度の
・母ターンニングができないという間顕があった。これ
に対して近年用いられるようになった反応性イオンエツ
チングはサイドエツチングを生じることなく高精度のパ
ターンを形成することができる。このため、反応性イオ
ンエツチングは、現在、超ＬＳＩ製造の微細加工技術に
おいて主敬な地位を占めるに至っている。
上記反応性イオンエツチング（以下ＲＩＥという）は第
１図に示すＲＩＥ装置を用いて行なわれている。同図に
おいて、１ノはガス導入口１２およびガス排出口１３を
有するチャンバーである。該チャンバー１１は接地され
ており、アノードとして作用する。このチャンバー１１
内には電源に接続されたカソード１４が設けられ、該カ
ソード１４の頂面には半導体ウェハー１を載置するだめ
のサセプタ１５が設ケラれている。
１図に示すＲＩＥ装置を用いて行なわれている。同図に
おいて、１ノはガス導入口１２およびガス排出口１３を
有するチャンバーである。該チャンバー１１は接地され
ており、アノードとして作用する。このチャンバー１１
内には電源に接続されたカソード１４が設けられ、該カ
ソード１４の頂面には半導体ウェハー１を載置するだめ
のサセプタ１５が設ケラれている。
また、頂面を除くカソード１４の周囲にはブラックス被
−スシールド１６が配設されている。
−スシールド１６が配設されている。
該シールド１６およびチャンバーも１１とカッ−に１４
とは絶縁体１７を介して電気的に絶縁されている。また
、サセプタ１５の上方空間にはカソードフォール１８が
設けられている。このカソードフォール１８内では、ガ
ス導入口１２から導入されたＳＦ６．ＣＦ４等の反応ガ
スのプラズマ１９が形成される。そして、このプラズマ
化された反応ガスのイオンはカソード１４とアノ−トノ
１との間の電界によってサセプタ１５上に載置された半
導体ウニノ・−１の表面に衝突し、これによシ半導体つ
ニノ・−１のエツチング加工が行なわれる。
とは絶縁体１７を介して電気的に絶縁されている。また
、サセプタ１５の上方空間にはカソードフォール１８が
設けられている。このカソードフォール１８内では、ガ
ス導入口１２から導入されたＳＦ６．ＣＦ４等の反応ガ
スのプラズマ１９が形成される。そして、このプラズマ
化された反応ガスのイオンはカソード１４とアノ−トノ
１との間の電界によってサセプタ１５上に載置された半
導体ウニノ・−１の表面に衝突し、これによシ半導体つ
ニノ・−１のエツチング加工が行なわれる。
ところで、上記ＲＩＥ装置ではチャンバー１１内の位置
によって反応ガスの流量および電極間電圧等が異なるこ
とから、チャンバー１１内で同時にエツチングされるウ
ニノ・−１間にエツチング量のばらつきを生じる。そこ
で、第２図に示すように従来のエツチング装置ではサセ
プタ１５を回転させることにより、その上に叔ｆｆされ
た複数のウェハ−１相互間でエッチ：／グ（６二にばら
つきが生じるのを防止する方法が採られている。
によって反応ガスの流量および電極間電圧等が異なるこ
とから、チャンバー１１内で同時にエツチングされるウ
ニノ・−１間にエツチング量のばらつきを生じる。そこ
で、第２図に示すように従来のエツチング装置ではサセ
プタ１５を回転させることにより、その上に叔ｆｆされ
た複数のウェハ−１相互間でエッチ：／グ（６二にばら
つきが生じるのを防止する方法が採られている。
しかしながら、上記のＲＩＥ装を１におけるエツチング
速度はチャンバー１の内側から外側に行くほど速い傾向
にある。このため、第２図のようにサセプタ１５を回転
させてウェハ−１相互間のエツチング量のばらつきを抑
えた場合にも、同一のウェハー１内で内側と外側にエツ
チングｆＡのばらつきが生じるという問題があった。第
３図は従来のＲＩＥ装置によシウニノ・−１表面に形成
された多結晶シリコン層をエツチングした駅１合、Ａ−
Ｂ線上の各位置におけるエツチング量のばらつきを示し
ている。
速度はチャンバー１の内側から外側に行くほど速い傾向
にある。このため、第２図のようにサセプタ１５を回転
させてウェハ−１相互間のエツチング量のばらつきを抑
えた場合にも、同一のウェハー１内で内側と外側にエツ
チングｆＡのばらつきが生じるという問題があった。第
３図は従来のＲＩＥ装置によシウニノ・−１表面に形成
された多結晶シリコン層をエツチングした駅１合、Ａ−
Ｂ線上の各位置におけるエツチング量のばらつきを示し
ている。
本発明は上記事情に宛みてなされたもので、チャンバ内
で同＾数の半導体ウニノ・−をエツチングする際、ウェ
ハー間のエツチング量のげらつきを防止すると共に、同
一ウニバー内におけるエツチング量のばらつきも防止で
きる反応性イオンエツチング装置を提供するものである
。
で同＾数の半導体ウニノ・−をエツチングする際、ウェ
ハー間のエツチング量のげらつきを防止すると共に、同
一ウニバー内におけるエツチング量のばらつきも防止で
きる反応性イオンエツチング装置を提供するものである
。
本発明による反応性イオンエツチング装置は、エツチン
グされるべき半導体ウェハーを載置したサセプタを回転
すると共に、前記半導体ウェハーを自転させてエツチン
グを行なうことを特徴とするものである。
グされるべき半導体ウェハーを載置したサセプタを回転
すると共に、前記半導体ウェハーを自転させてエツチン
グを行なうことを特徴とするものである。
即ち、本発明は半導体ウェハーを自転させながらエツチ
ングを行なうことによシ、半導体ウェハー内でのエツチ
ング量のばらつき防止を図ったものである。
ングを行なうことによシ、半導体ウェハー内でのエツチ
ング量のばらつき防止を図ったものである。
第４図は本発明によるＲＩＥ装置の一実施例を示す説明
図である。同図に示すように、この実施例のＲＩＥ装置
ではサセプタ１５を矢印方向に回転させると共に、該サ
セプタ１５上に載置された半導体ウェハー１をサセプタ
１５の回転方向と逆方向に自転させながらエツチングを
行なうようになっている。その他の構成は第１図のＲＩ
Ｅ装置と同様である。
図である。同図に示すように、この実施例のＲＩＥ装置
ではサセプタ１５を矢印方向に回転させると共に、該サ
セプタ１５上に載置された半導体ウェハー１をサセプタ
１５の回転方向と逆方向に自転させながらエツチングを
行なうようになっている。その他の構成は第１図のＲＩ
Ｅ装置と同様である。
なお、第５図（Ａ） 、 （Ｂ）は半導体ウェハー１を
自転させる手段の一例を示す断百図である。即ち、第５
図（Ａ）に示すように、カソード１４およびサセプタ１
５におけるウェハー１の載置位置に回転可能なウェハー
載置部１４’＋ １５’を分離して設ければよい。また
、第Ｓ図の）に示すように、カソード１４およびサセプ
タ１５のウェハー載に８位置に回転軸１４“を植設する
と共に、該回転軸に固定されて回転する独立したサセプ
タ１５“を設けてもよい。何れの場合にも、ウェハー載
置部１４’、 １５”ｉｆ）るいは回転軸１４〃は、夫
々にこれらを回転駆動するモータを設けて自転させるこ
とができ、また遊星歯車機構にょシカソード１４および
サセプタ１５の回転に連動して自転させることも可能で
ある。
自転させる手段の一例を示す断百図である。即ち、第５
図（Ａ）に示すように、カソード１４およびサセプタ１
５におけるウェハー１の載置位置に回転可能なウェハー
載置部１４’＋ １５’を分離して設ければよい。また
、第Ｓ図の）に示すように、カソード１４およびサセプ
タ１５のウェハー載に８位置に回転軸１４“を植設する
と共に、該回転軸に固定されて回転する独立したサセプ
タ１５“を設けてもよい。何れの場合にも、ウェハー載
置部１４’、 １５”ｉｆ）るいは回転軸１４〃は、夫
々にこれらを回転駆動するモータを設けて自転させるこ
とができ、また遊星歯車機構にょシカソード１４および
サセプタ１５の回転に連動して自転させることも可能で
ある。
上記実施例のＲＩＥ装置によれば、チャンバー内位置に
よってエツチング速度が相違したとしても、検数の半導
体ウェハ−１相互間のみならず、同一の半導体ウェハー
内におけるエツチング量のばらつきを防止して均一なエ
ツチング加工を行なうことができる。
よってエツチング速度が相違したとしても、検数の半導
体ウェハ−１相互間のみならず、同一の半導体ウェハー
内におけるエツチング量のばらつきを防止して均一なエ
ツチング加工を行なうことができる。
なお、半導体ウェハー１の自転方向は上記実施例のよう
にサセプタ１５の回転方向と逆方向に限らず、同一方向
であってもよい。
にサセプタ１５の回転方向と逆方向に限らず、同一方向
であってもよい。
以上詳述したように本発明によれば半導体ウェハーの表
面をエツチング量にばらつきを生じることなく均一にエ
ツチング加工することができるＲＩＥ装置を提供できる
ものである。
面をエツチング量にばらつきを生じることなく均一にエ
ツチング加工することができるＲＩＥ装置を提供できる
ものである。
第１図および第２図は従来のＲＩＥ装置の説明図、第３
図は従来のＲＩＥ装置の問題点を示す線図、第４図は本
発明の一実施例になるＲＩＥ装置の説明図、第５図（Ａ
）および同図の）は第４図の実施例において半導体ウェ
ハー１を自転させるだめの手段の例を示す断面図である
。 １・・・半導体ウェハー、１ノ・・・チャンバ、１２、
・・ガス導入口、１３・・・ガス排出口、１４・・・カ
ソード、１５・・・サセプタ、１６・・・ブラックスペ
ースシールド、１７・・・絶縁体、１８・・・カンード
フォール、１９・・・プラズマ。
図は従来のＲＩＥ装置の問題点を示す線図、第４図は本
発明の一実施例になるＲＩＥ装置の説明図、第５図（Ａ
）および同図の）は第４図の実施例において半導体ウェ
ハー１を自転させるだめの手段の例を示す断面図である
。 １・・・半導体ウェハー、１ノ・・・チャンバ、１２、
・・ガス導入口、１３・・・ガス排出口、１４・・・カ
ソード、１５・・・サセプタ、１６・・・ブラックスペ
ースシールド、１７・・・絶縁体、１８・・・カンード
フォール、１９・・・プラズマ。
Claims (1)
- 同時に複数枚の半導体ウェハーを載置したサセプタを回
転させることにより、チャンバー内で前記半導体ウェハ
ーの位置を順次移動させながらエツチングを行なう反応
性イオンエツチング装置において、前記半導体ウェハー
を更に自転させるようにしたことを特徴とする反応性イ
オンエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22246482A JPS59112624A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22246482A JPS59112624A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112624A true JPS59112624A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16782821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22246482A Pending JPS59112624A (ja) | 1982-12-18 | 1982-12-18 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112624A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261375B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-07-17 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6323134B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-11-27 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6749764B1 (en) | 2000-11-14 | 2004-06-15 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed |
| CN110739250A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀反应设备及刻蚀方法 |
-
1982
- 1982-12-18 JP JP22246482A patent/JPS59112624A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6323134B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-11-27 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6627039B1 (en) | 1997-11-20 | 2003-09-30 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US7179397B2 (en) | 1997-11-20 | 2007-02-20 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6261375B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-07-17 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6287976B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-09-11 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6749764B1 (en) | 2000-11-14 | 2004-06-15 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed |
| CN110739250A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀反应设备及刻蚀方法 |
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