JPH03284839A - バッチ式エッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体基板を量産する場合に用いることがで
きるバッチ式エツチング装置に関するものである。

従来の技術 従来のバッチ式エツチング装置については、下部電極の
みを回転させて半導体基板をエツチング処理していた。

第３図は、従来のバッチ式エツチング装置を示すもので
あり、下部電極１の上面に複数のウェハーステージ２を
設け、下部電極１を矢印方向に回転しながら、ウェハー
ステージ２上に載せた半導体基板（図示せず）をエツチ
ング処理するものである。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の従来のバッチ式エツチング装置で
半導体基板をエツチング処理すると、半導体基板内のエ
ツチングレートの均一性が悪（さらに、それが影響し仕
上がり寸法のばらつきが太き（なるという欠点を有して
いた。

本発明は、上記従来の問題を解決するもので、半導体基
板内のエツチングレートの均一性の向上及び仕上がり寸
法のばらつきの低減を目的とする。

課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明のバッチ式エツチン
グ装置は、下部電極だけでなく半導体基板を載せるウェ
ハーステージをも回転させる構成を有している。

作用 この構成によって、下部電極のみならず、その上で回転
するウェハーステージ上の半導体基板も回転することに
より、半導体基板の一定面ではな（全面にプラズマ放電
をあてることができる。

実施例 以下本発明はの一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１図は、本発明は一実施例におけるバッチ式エツチン
グ装置の平面図である。第１図において、ｌは回転する
下部電極、２は下部電極１上に回転自在に取付けられた
ウェハーステージである。第１図中の二種類の矢印につ
いては、下部電極１およびウェハーステージ２のそれぞ
れの回転方向を示している。

第２図は、ウェハーステージ２を回転させるための原理
を示したものである。第２図において、３は第１歯車、
４は第２歯車、５は第３歯車それぞれを示している。第
２図中１，２及び矢印は、第１図の下部電極、ウェハー
ステージおよびそれらの回転方向と同じものを示してい
る。

第２図に示すウェハーステージ２を回転させる原理は次
の通りである。まず下部電極１が回転することにより第
１歯車３も矢印方向に回転する。

第１歯車３が回転することにより、第２歯車４さらに、
第２歯車４が回転することにより第３歯車５が回転する
。そして第３歯車５が回転することにより、ウェハース
テージ２が回転する。

以上のように、第２図の原理でウェハーステージ２を回
転させることにより、ウェハーステージ２上に置かれた
半導体基板が回転する。このためプラズマ放電が半導体
基板の全面にあたり、エツチングレートの均一性の向上
を図り、さらに仕上がり寸法のばらつきを抑えることが
できる。さらに、半導体基板が回転することで、サイド
エッチ量も最小限ですむ。

なお、第１．第２．第３の各歯車の大きさを色毎と変更
することにより、ウェハーステージ（半導体基板）の回
転速度が調整できる。

発明の効果 以上のように本発明は、下部電極だけでなく、ウェハー
ステージをも回転させることにより、ウェハーステージ
上に置かれた半導体基板のエツチングレートの均一性の
向上を図り、仕上がり寸法のばらつきを抑えることがで
きる。しかもウェハーステージが回転することで、サイ
ドエッチ量も少なくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるバッチ式エツチング
装置のエツチング中の下部電極、ウェハーステージの動
作を示した平面図、第２図は上記実施例のウェハーステ
ージを回転させるための原理を示した平面図、第３図は
従来のバッチ式エツチング装置の平面図である。 ｌ・・・・・・下部電極、２・・・・・・ウェハーステ
ージ、３・・・・・・第１歯車、４・・・・・・第２歯
車、５・・・・・・第３歯車。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 反応室に設置された、回転する下部電極と、その下部電
   極上に設置された、回転するウェハーステージとを備え
   たバッチ式エッチング装置。