JPH06116721A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH06116721A JPH06116721A JP26695792A JP26695792A JPH06116721A JP H06116721 A JPH06116721 A JP H06116721A JP 26695792 A JP26695792 A JP 26695792A JP 26695792 A JP26695792 A JP 26695792A JP H06116721 A JPH06116721 A JP H06116721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- target
- cathode
- center
- sputtering apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子製造に使用するスパッタリング装置
において、ウェハー上に成膜された導電膜の段差被覆性
の改善を図る。 【構成】ウェハー１に対して偏心した位置にターゲット
４を取付け、そのターゲット４を取付けるカソード２の
回転軸をウェハー中心と一致させて回転させる。これに
より、ターゲット４はウェハー１に対し偏心運動し、ウ
ェハー１の端部においても成膜時の膜堆積方向の垂直成
分を増加させることができるので、良好な段差被覆性を
有する導電膜が得られる。
において、ウェハー上に成膜された導電膜の段差被覆性
の改善を図る。 【構成】ウェハー１に対して偏心した位置にターゲット
４を取付け、そのターゲット４を取付けるカソード２の
回転軸をウェハー中心と一致させて回転させる。これに
より、ターゲット４はウェハー１に対し偏心運動し、ウ
ェハー１の端部においても成膜時の膜堆積方向の垂直成
分を増加させることができるので、良好な段差被覆性を
有する導電膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造に使用するス
パッタリング装置に関し、特に導電膜成膜の為の枚葉式
スパッタリング装置に関する。
パッタリング装置に関し、特に導電膜成膜の為の枚葉式
スパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタリング装置を図２を用い
て説明する。図２は従来のスパッタリング装置のターゲ
ット及びカソード周辺部の部分断面図である。
て説明する。図２は従来のスパッタリング装置のターゲ
ット及びカソード周辺部の部分断面図である。
【０００３】ウェハー１に対向してカソード２は取付け
られており、カソード２の内部にはマグネトロン３を備
えている。カソード２のウェハー１と対向する面には、
成膜材料となるターゲット４が、ウェハー１の中心と同
心上の位置に取付けられている。被処理物であるウェハ
ー１の成膜処理は、カソード２に投入される電力により
ターゲット４の表面をスパッタリングし、処理実行され
る。
られており、カソード２の内部にはマグネトロン３を備
えている。カソード２のウェハー１と対向する面には、
成膜材料となるターゲット４が、ウェハー１の中心と同
心上の位置に取付けられている。被処理物であるウェハ
ー１の成膜処理は、カソード２に投入される電力により
ターゲット４の表面をスパッタリングし、処理実行され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタリング
装置では、ターゲットは被処理物であるウェハーの中心
と同心上の位置に配置されている構造である為、ウェハ
ーへの膜堆積方向はターゲットを源とする放射方向に依
存するものとなり、成膜されたウェハーの段差被覆性
は、図３の説明図にＡ，Ｂで示す様にウェハー１面内に
おいて、ウェハー中央部６では均一となるが、ウェハー
端部７では段差被覆性に偏りが発生するという問題があ
った。
装置では、ターゲットは被処理物であるウェハーの中心
と同心上の位置に配置されている構造である為、ウェハ
ーへの膜堆積方向はターゲットを源とする放射方向に依
存するものとなり、成膜されたウェハーの段差被覆性
は、図３の説明図にＡ，Ｂで示す様にウェハー１面内に
おいて、ウェハー中央部６では均一となるが、ウェハー
端部７では段差被覆性に偏りが発生するという問題があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、成膜材料となるターゲットを、対向するウェハ
ーに対し偏心した位置に取付ける構造となっており、タ
ーゲットを取付けるカソードは、その偏心軸をウェハー
中心に一致させて回転する機構を備えている。
装置は、成膜材料となるターゲットを、対向するウェハ
ーに対し偏心した位置に取付ける構造となっており、タ
ーゲットを取付けるカソードは、その偏心軸をウェハー
中心に一致させて回転する機構を備えている。
【０００６】
【作用】ウェハーに対しターゲットが偏心位置にあり、
成膜時にはスパッタリングされるターゲットがウェハー
中心を軸として回転している為、ウェハーの膜堆積方向
は、ウェハー端部においてもターゲット中心からと同様
の影響を受ける事となり、ウェハー面内全域に膜堆積方
向のウェハーに対する垂直成分が増加する事となる。
成膜時にはスパッタリングされるターゲットがウェハー
中心を軸として回転している為、ウェハーの膜堆積方向
は、ウェハー端部においてもターゲット中心からと同様
の影響を受ける事となり、ウェハー面内全域に膜堆積方
向のウェハーに対する垂直成分が増加する事となる。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例の部分断面図であ
る。本実施例は、従来のスパッタリング装置に比べ、タ
ーゲット４は対向するウェハー１に対して偏心した位置
に取付けられている。ターゲット４を取付けるカソード
２は、内部にマグネトロン３を備え、ターゲット４の偏
心軸上には電動機５が接続されている。
る。本実施例は、従来のスパッタリング装置に比べ、タ
ーゲット４は対向するウェハー１に対して偏心した位置
に取付けられている。ターゲット４を取付けるカソード
２は、内部にマグネトロン３を備え、ターゲット４の偏
心軸上には電動機５が接続されている。
【０００９】成膜処理時は、電動機５によりカソード２
が回転する。カソード２が回転する事でスパッタリング
中のターゲット４は、ウェハー１に対し偏心回転運動す
る事となり、ウェハー１への膜堆積方向はターゲット４
の偏心運動の軌跡に依存する。従って、ウェハー１の端
部においても、ターゲット４の取付け位置である偏心の
幅を設ける事により、ウェハー１の中心同様、ターゲッ
ト４全域からの膜堆積方向の影響を受けるものとなり、
ウェハー１の端部を含めた全域の膜堆積方向は、ウェハ
ー１面に対し垂直成分が増加し、ウェハー１面内全域に
おいて良好な段差被覆性をもった成膜状態を実現してい
る。
が回転する。カソード２が回転する事でスパッタリング
中のターゲット４は、ウェハー１に対し偏心回転運動す
る事となり、ウェハー１への膜堆積方向はターゲット４
の偏心運動の軌跡に依存する。従って、ウェハー１の端
部においても、ターゲット４の取付け位置である偏心の
幅を設ける事により、ウェハー１の中心同様、ターゲッ
ト４全域からの膜堆積方向の影響を受けるものとなり、
ウェハー１の端部を含めた全域の膜堆積方向は、ウェハ
ー１面に対し垂直成分が増加し、ウェハー１面内全域に
おいて良好な段差被覆性をもった成膜状態を実現してい
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、ウェハー面
内全域に対して成膜時の膜堆積方向は垂直成分が増加し
ているので、ウェハー面内全域に成膜の良好な段差被覆
性が得られる事となり、半導体素子製造における不良発
生要因である成膜の段差被覆不良に起因する断線を防止
するという効果を有する。
内全域に対して成膜時の膜堆積方向は垂直成分が増加し
ているので、ウェハー面内全域に成膜の良好な段差被覆
性が得られる事となり、半導体素子製造における不良発
生要因である成膜の段差被覆不良に起因する断線を防止
するという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の部分断面図である。
【図２】従来のスパッタリング装置の部分断面図であ
る。
る。
【図３】従来のスパッタリング装置の段差被覆性を示す
説明図である。
説明図である。
１ ウェハー ２ カソード ３ マグネトロン ４ ターゲット ５ 電動機 ６ ウェハー中央部 ７ ウェハー端部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子製造工程のメタライズ工程に
使用するスパッタリング装置において、ウェハーと対向
するカソードに取付けられたターゲットをウェハー中心
に対し偏心した位置に設け、導電膜成膜中にそのターゲ
ットがウェハー中心を軸として回転する機構を備えたこ
とを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26695792A JPH06116721A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26695792A JPH06116721A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116721A true JPH06116721A (ja) | 1994-04-26 |
Family
ID=17438046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26695792A Withdrawn JPH06116721A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06116721A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004058A1 (fr) * | 1997-07-18 | 1999-01-28 | Shibaura Mechatronics Corporation | Dispositif de pulverisation cathodique a magnetron a feuille |
| US6461484B2 (en) * | 2000-09-13 | 2002-10-08 | Anelva Corporation | Sputtering device |
| US6585870B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-01 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations |
| JP2006111927A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
| US7156961B2 (en) * | 2001-10-30 | 2007-01-02 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film forming method |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP26695792A patent/JPH06116721A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004058A1 (fr) * | 1997-07-18 | 1999-01-28 | Shibaura Mechatronics Corporation | Dispositif de pulverisation cathodique a magnetron a feuille |
| US6083364A (en) * | 1997-07-18 | 2000-07-04 | Shibaura Mechatronics Kabushiki Kaisha | Magnetron sputtering apparatus for single substrate processing |
| US6585870B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-01 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations |
| US6461484B2 (en) * | 2000-09-13 | 2002-10-08 | Anelva Corporation | Sputtering device |
| US7156961B2 (en) * | 2001-10-30 | 2007-01-02 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film forming method |
| JP2006111927A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
| JP4583868B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-11-17 | 株式会社昭和真空 | スパッタ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |