JPH08120443A - リフトオフによる膜パターン形成方法 - Google Patents
リフトオフによる膜パターン形成方法Info
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- JPH08120443A JPH08120443A JP28284294A JP28284294A JPH08120443A JP H08120443 A JPH08120443 A JP H08120443A JP 28284294 A JP28284294 A JP 28284294A JP 28284294 A JP28284294 A JP 28284294A JP H08120443 A JPH08120443 A JP H08120443A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リフトオフにより綺麗な断面矩形状の膜パタ
ーンを形成できるようにする。 【構成】 基板３０上に逆テーパー状のリフトオフ用レ
ジストパターン３２を形成し、真空チャンバー内で該基
板面に対してほぼ９０度の入射角で蒸発粒子が入射する
ように金属膜３８を蒸着し、その後、リフトオフ操作に
よりレジストパターンとその上の成膜物とを一緒に除去
するリフトオフによる膜パターン形成方法である。逆テ
ーパー状のリフトオフ用のレジストパターンの形成には
イメージリバースタイプのポジ型レジストを用いる。球
面状のドーム型蒸着治具を用い、その内面に多数の基板
を配設し、ドーム型蒸着治具の球面中心に蒸発源を設置
し、ドーム型蒸着治具を自転のみさせて蒸着する。
ーンを形成できるようにする。 【構成】 基板３０上に逆テーパー状のリフトオフ用レ
ジストパターン３２を形成し、真空チャンバー内で該基
板面に対してほぼ９０度の入射角で蒸発粒子が入射する
ように金属膜３８を蒸着し、その後、リフトオフ操作に
よりレジストパターンとその上の成膜物とを一緒に除去
するリフトオフによる膜パターン形成方法である。逆テ
ーパー状のリフトオフ用のレジストパターンの形成には
イメージリバースタイプのポジ型レジストを用いる。球
面状のドーム型蒸着治具を用い、その内面に多数の基板
を配設し、ドーム型蒸着治具の球面中心に蒸発源を設置
し、ドーム型蒸着治具を自転のみさせて蒸着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リフトオフにより膜パ
ターンを形成する方法に関し、更に詳しく述べると、逆
テーパー状のリフトオフ用レジストパターンを用い、蒸
発粒子の入射角度がほぼ９０度になるドーム型の蒸着治
具を用いて蒸着することにより、線幅の狭い膜パターン
を綺麗に形成できる方法に関するものである。この技術
は、特に薄膜磁気ヘッドのコイルパターンの形成などに
有用である。
ターンを形成する方法に関し、更に詳しく述べると、逆
テーパー状のリフトオフ用レジストパターンを用い、蒸
発粒子の入射角度がほぼ９０度になるドーム型の蒸着治
具を用いて蒸着することにより、線幅の狭い膜パターン
を綺麗に形成できる方法に関するものである。この技術
は、特に薄膜磁気ヘッドのコイルパターンの形成などに
有用である。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドのウエハープロセスにお
いては、コイルパターンの形成などにリフトオフ方法が
用いられている。これは、基板上にリフトオフ用のレジ
ストパターンを形成し、その上に蒸着法により全面的に
成膜し、その後、リフトオフ溶剤を用いてレジストパタ
ーンとその上の成膜物とを一緒に除去することにより、
所望の膜パターンを形成する方法である。
いては、コイルパターンの形成などにリフトオフ方法が
用いられている。これは、基板上にリフトオフ用のレジ
ストパターンを形成し、その上に蒸着法により全面的に
成膜し、その後、リフトオフ溶剤を用いてレジストパタ
ーンとその上の成膜物とを一緒に除去することにより、
所望の膜パターンを形成する方法である。
【０００３】従来、金属膜を蒸着する場合には、図４に
示すような自公転形式の蒸着装置が用いられていた。複
数枚の基板１０を蒸着治具（プラネタリー）１２に配設
し、それを真空チャンバー（図示せず）内に設置する。
そして蒸発源１３から蒸発粒子を飛散させ（破線矢印で
示す）、蒸着治具１２を軸ａの回りにそれぞれ自転させ
ると共に、全体を軸ｂの回りで公転させて、基板１０上
に金属膜を蒸着する。蒸着治具１２が大きければ、それ
に取り付けることのできる基板枚数も多くできるが、真
空チャンバーは大型化する。そこで、比較的小さな真空
チャンバーでも多数枚の基板を搭載して効率良く蒸着で
きるように、蒸着治具１２を立てて配置し、該蒸着治具
１２を自公転させることによって、均一な膜厚が得られ
るように工夫している。この場合、基板１０に対する蒸
発粒子の入射角度は、自公転蒸着治具１２に依存してい
るが、通常３０〜６０度である。
示すような自公転形式の蒸着装置が用いられていた。複
数枚の基板１０を蒸着治具（プラネタリー）１２に配設
し、それを真空チャンバー（図示せず）内に設置する。
そして蒸発源１３から蒸発粒子を飛散させ（破線矢印で
示す）、蒸着治具１２を軸ａの回りにそれぞれ自転させ
ると共に、全体を軸ｂの回りで公転させて、基板１０上
に金属膜を蒸着する。蒸着治具１２が大きければ、それ
に取り付けることのできる基板枚数も多くできるが、真
空チャンバーは大型化する。そこで、比較的小さな真空
チャンバーでも多数枚の基板を搭載して効率良く蒸着で
きるように、蒸着治具１２を立てて配置し、該蒸着治具
１２を自公転させることによって、均一な膜厚が得られ
るように工夫している。この場合、基板１０に対する蒸
発粒子の入射角度は、自公転蒸着治具１２に依存してい
るが、通常３０〜６０度である。
【０００４】ところで蒸着の前段階となるリフトオフ用
のレジストパターンの形成には、通常のポジ型レジスト
を使用する方法と、イメージリバースタイプのポジ型レ
ジストを使用する方法とがある。通常のポジ型レジスト
を使用すると、図５のＡに示すように、正テーパー状の
レジストパターン１４ができ、その上に蒸着することで
金属膜１６が載る。イメージリバースタイプのポジ型レ
ジストを使用すると、図５のＢに示すように、逆テーパ
ー状のレジストパターン１８ができ、その上に蒸着する
ことで金属膜２０が載る。その後、リフトオフ溶剤を用
いて、レジストパターン１４，１８を、その上に載って
いる金属膜と一緒に取り除くことで、所望の膜パターン
を形成する。
のレジストパターンの形成には、通常のポジ型レジスト
を使用する方法と、イメージリバースタイプのポジ型レ
ジストを使用する方法とがある。通常のポジ型レジスト
を使用すると、図５のＡに示すように、正テーパー状の
レジストパターン１４ができ、その上に蒸着することで
金属膜１６が載る。イメージリバースタイプのポジ型レ
ジストを使用すると、図５のＢに示すように、逆テーパ
ー状のレジストパターン１８ができ、その上に蒸着する
ことで金属膜２０が載る。その後、リフトオフ溶剤を用
いて、レジストパターン１４，１８を、その上に載って
いる金属膜と一緒に取り除くことで、所望の膜パターン
を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし図５のＡのよう
な正テーパー状のレジストパターン１４（テーパー角が
４５〜６０度）の場合、蒸発粒子の入射角度が４５度程
度では、レジストパターンの側面（傾斜面）に多くの成
膜物が付着するため、リフトオフが困難となる。また金
属は展延性に富むから、リフトオフできたとしても、金
属膜をレジストパターンの周囲で引きちぎることになる
ため、端縁にバリが生じ、綺麗な膜パターンが得られ難
い。
な正テーパー状のレジストパターン１４（テーパー角が
４５〜６０度）の場合、蒸発粒子の入射角度が４５度程
度では、レジストパターンの側面（傾斜面）に多くの成
膜物が付着するため、リフトオフが困難となる。また金
属は展延性に富むから、リフトオフできたとしても、金
属膜をレジストパターンの周囲で引きちぎることになる
ため、端縁にバリが生じ、綺麗な膜パターンが得られ難
い。
【０００６】それに対して図５のＢのような逆テーパー
状のレジストパターン１８の場合、レジストパターン１
８のエッジによって成膜物が切り離されるため、リフト
オフ性は良好である。しかし、蒸発粒子の入射角度が３
０〜６０度では、レジストパターンのクローズ領域（影
となる部分）にも蒸発粒子が侵入し、出来上がった膜パ
ターンは断面台形状になる。膜パターンが薄膜磁気ヘッ
ドのコイルパターンのような場合には、断面積が抵抗値
に直接影響するため、必要な断面積を確保するために断
面台形状だとパターン幅（底面での幅）が広くなる。そ
のため、狭い溝内にパターニングするような場合には、
リフトオフマージンが小さく位置合わせが困難になる。
また、パターンピッチを更に狭くしたい場合には対応し
難い。
状のレジストパターン１８の場合、レジストパターン１
８のエッジによって成膜物が切り離されるため、リフト
オフ性は良好である。しかし、蒸発粒子の入射角度が３
０〜６０度では、レジストパターンのクローズ領域（影
となる部分）にも蒸発粒子が侵入し、出来上がった膜パ
ターンは断面台形状になる。膜パターンが薄膜磁気ヘッ
ドのコイルパターンのような場合には、断面積が抵抗値
に直接影響するため、必要な断面積を確保するために断
面台形状だとパターン幅（底面での幅）が広くなる。そ
のため、狭い溝内にパターニングするような場合には、
リフトオフマージンが小さく位置合わせが困難になる。
また、パターンピッチを更に狭くしたい場合には対応し
難い。
【０００７】本発明の目的は、リフトオフにより綺麗な
断面矩形状の膜パターンを形成できる方法を提供するこ
とである。
断面矩形状の膜パターンを形成できる方法を提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に逆テ
ーパー状のリフトオフ用レジストパターンを形成し、真
空チャンバー内で該基板面に対してほぼ９０度の入射角
で蒸発粒子が入射するように蒸着し、その後、リフトオ
フ操作によりレジストパターンとその上の成膜物とを一
緒に除去するリフトオフによる膜パターン形成方法であ
る。ここで、逆テーパー状のリフトオフ用のレジストパ
ターンの形成にはイメージリバースタイプのポジ型レジ
ストを用いる。そして真空チャンバー内で球面状のドー
ム型蒸着治具の内面に多数の基板を配設し、ドーム型蒸
着治具の球面中心に蒸発源を設置し、ドーム型蒸着治具
を自転のみさせて、各基板に対してほぼ９０度の入射角
で蒸発粒子が入射するように蒸着する。
ーパー状のリフトオフ用レジストパターンを形成し、真
空チャンバー内で該基板面に対してほぼ９０度の入射角
で蒸発粒子が入射するように蒸着し、その後、リフトオ
フ操作によりレジストパターンとその上の成膜物とを一
緒に除去するリフトオフによる膜パターン形成方法であ
る。ここで、逆テーパー状のリフトオフ用のレジストパ
ターンの形成にはイメージリバースタイプのポジ型レジ
ストを用いる。そして真空チャンバー内で球面状のドー
ム型蒸着治具の内面に多数の基板を配設し、ドーム型蒸
着治具の球面中心に蒸発源を設置し、ドーム型蒸着治具
を自転のみさせて、各基板に対してほぼ９０度の入射角
で蒸発粒子が入射するように蒸着する。
【０００９】
【作用】逆テーパー状のリフトオフ用レジストパターン
を使用することで、該レジストパターンのエッジで、そ
の上に載る成膜物が切り離され、容易に且つ綺麗にリフ
トオフできるようになる。逆テーパー状のレジストパタ
ーンを形成した基板の表面に対してほぼ９０度の入射角
度で蒸発粒子が入射すると、レジストパターンのクロー
ズ領域には蒸発粒子が到達せず、膜パターンは断面矩形
状に、即ち端部が垂直に成膜する。このため、膜パター
ンについて、同じ断面積が必要となる場合には、パター
ン底面の幅を狭くでき、リフトオフマージンを大きくと
れる。またパターンピッチを更に狭くすることが可能と
なり、薄膜磁気ヘッドの小形化、高性能化に有利とな
る。
を使用することで、該レジストパターンのエッジで、そ
の上に載る成膜物が切り離され、容易に且つ綺麗にリフ
トオフできるようになる。逆テーパー状のレジストパタ
ーンを形成した基板の表面に対してほぼ９０度の入射角
度で蒸発粒子が入射すると、レジストパターンのクロー
ズ領域には蒸発粒子が到達せず、膜パターンは断面矩形
状に、即ち端部が垂直に成膜する。このため、膜パター
ンについて、同じ断面積が必要となる場合には、パター
ン底面の幅を狭くでき、リフトオフマージンを大きくと
れる。またパターンピッチを更に狭くすることが可能と
なり、薄膜磁気ヘッドの小形化、高性能化に有利とな
る。
【００１０】
【実施例】図１は本発明で用いる蒸着装置の一例を示
し、図２は本発明による蒸着状態の例を示している。図
２に示すように、まず基板３０上にイメージリバースタ
イプのポジ型レジストを用いて逆テーパー状のリフトオ
フ用のレジストパターン３２を形成する。図１に示すよ
うに、真空チャンバー内に設置する蒸着治具３４は、球
面状のドーム型とする。このドーム型蒸着治具３４の内
面に多数の前記基板３０を配設し、ドーム型蒸着治具３
４の球面中心に蒸発源３６を設置する。そしてドーム型
蒸着治具３４を中心軸ａの回りで自転のみ行わせて、各
基板３０に対してほぼ９０度の入射角で蒸発粒子が入射
するように蒸着すると、図２に示されているように金属
膜３８が形成される。
し、図２は本発明による蒸着状態の例を示している。図
２に示すように、まず基板３０上にイメージリバースタ
イプのポジ型レジストを用いて逆テーパー状のリフトオ
フ用のレジストパターン３２を形成する。図１に示すよ
うに、真空チャンバー内に設置する蒸着治具３４は、球
面状のドーム型とする。このドーム型蒸着治具３４の内
面に多数の前記基板３０を配設し、ドーム型蒸着治具３
４の球面中心に蒸発源３６を設置する。そしてドーム型
蒸着治具３４を中心軸ａの回りで自転のみ行わせて、各
基板３０に対してほぼ９０度の入射角で蒸発粒子が入射
するように蒸着すると、図２に示されているように金属
膜３８が形成される。
【００１１】基板面に対してほぼ垂直に蒸発粒子が入射
することと、逆テーパー状のレジストパターン３２とを
用いることで、金属膜３８は、レジストパターン３２の
エッジで切り離された状態となり、且つ基板面に対して
垂直に成膜する。その後、リフトオフ溶剤に浸漬し超音
波をかけるリフトオフ操作によってレジストパターンと
その上の成膜物（金属膜）とを一緒に除去する。これに
よって、所望の膜パターンを得ることができ、且つその
膜パターンのエッジは基板面に対して垂直に立ったもの
となる。
することと、逆テーパー状のレジストパターン３２とを
用いることで、金属膜３８は、レジストパターン３２の
エッジで切り離された状態となり、且つ基板面に対して
垂直に成膜する。その後、リフトオフ溶剤に浸漬し超音
波をかけるリフトオフ操作によってレジストパターンと
その上の成膜物（金属膜）とを一緒に除去する。これに
よって、所望の膜パターンを得ることができ、且つその
膜パターンのエッジは基板面に対して垂直に立ったもの
となる。
【００１２】特にパターン幅が狭い場合、従来タイプの
蒸着治具で蒸着すると、図３のＢに示すように、リフト
オフによる膜パターン４０ｂは断面が台形状になる。そ
れに対して本発明方法のようにして蒸発粒子の入射角度
が基板面に対してほぼ９０度となるように成膜すると、
図３のＡに示すように、リフトオフによる膜パターン４
０ａは断面が矩形状になる。この膜パターンを比較する
と、同じ底面幅であれば、パターン断面積は、台形状の
膜パターン４０ｂによりも矩形状の膜パターン４０ａの
方が大きくなる。膜パターンが薄膜磁気ヘッドのコイル
パターンの場合は、台形状の膜パターン４０ｂによりも
矩形状の膜パターン４０ａの方が抵抗値は低くなる。
蒸着治具で蒸着すると、図３のＢに示すように、リフト
オフによる膜パターン４０ｂは断面が台形状になる。そ
れに対して本発明方法のようにして蒸発粒子の入射角度
が基板面に対してほぼ９０度となるように成膜すると、
図３のＡに示すように、リフトオフによる膜パターン４
０ａは断面が矩形状になる。この膜パターンを比較する
と、同じ底面幅であれば、パターン断面積は、台形状の
膜パターン４０ｂによりも矩形状の膜パターン４０ａの
方が大きくなる。膜パターンが薄膜磁気ヘッドのコイル
パターンの場合は、台形状の膜パターン４０ｂによりも
矩形状の膜パターン４０ａの方が抵抗値は低くなる。
【００１３】従って、薄膜磁気ヘッドのウエハープロセ
スにおいて、アルミナ膜４２によって形成した溝４４の
部分に膜パターン（コイルパターン）４０ａ，４０ｂを
形成する場合、従来、抵抗を下げるために溝幅いっぱい
に膜パターン４０ｂを形成しなければならなかったもの
が、本発明では同じ抵抗値であれば、膜パターン４０ａ
の幅が狭くてよく、リフトオフマージンが大きくなり溝
４４に対する位置合わせが容易となる。現在行われてい
る膜パターンで説明すると、膜厚が約１μｍ、膜パター
ン幅が従来方法では１７〜１８μｍであったのに対して
本発明方法では１５μｍでよい。このことは、薄膜磁気
ヘッドの小形化、高性能化に伴って、更に膜パターン幅
を狭くする必要が生じた時に、極めて有効となる。
スにおいて、アルミナ膜４２によって形成した溝４４の
部分に膜パターン（コイルパターン）４０ａ，４０ｂを
形成する場合、従来、抵抗を下げるために溝幅いっぱい
に膜パターン４０ｂを形成しなければならなかったもの
が、本発明では同じ抵抗値であれば、膜パターン４０ａ
の幅が狭くてよく、リフトオフマージンが大きくなり溝
４４に対する位置合わせが容易となる。現在行われてい
る膜パターンで説明すると、膜厚が約１μｍ、膜パター
ン幅が従来方法では１７〜１８μｍであったのに対して
本発明方法では１５μｍでよい。このことは、薄膜磁気
ヘッドの小形化、高性能化に伴って、更に膜パターン幅
を狭くする必要が生じた時に、極めて有効となる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は上記のように、逆テーパー状の
リフトオフ用レジストパターンを形成した基板に対し
て、ほぼ９０度の入射角で蒸発粒子が飛んでくるように
蒸着し、その後、リフトオフする方法であるから、レジ
ストパターンのエッジで、その上に載る成膜物が切り離
されると共に、レジストパターンのクローズ領域には蒸
発粒子が到達せず、膜パターンのエッジが垂直となるよ
うに成膜できる。つまりリフトオフ後の膜パターンは断
面矩形状になる。このため、同じ断面積が必要となる場
合にはパターン底面の幅を狭くできることになり、リフ
トオフマージンが大きく、位置合わせが容易となる。ま
たパターンピッチを更に狭くする場合に有利であり、薄
膜磁気ヘッドの小形化、高性能化が可能となる。
リフトオフ用レジストパターンを形成した基板に対し
て、ほぼ９０度の入射角で蒸発粒子が飛んでくるように
蒸着し、その後、リフトオフする方法であるから、レジ
ストパターンのエッジで、その上に載る成膜物が切り離
されると共に、レジストパターンのクローズ領域には蒸
発粒子が到達せず、膜パターンのエッジが垂直となるよ
うに成膜できる。つまりリフトオフ後の膜パターンは断
面矩形状になる。このため、同じ断面積が必要となる場
合にはパターン底面の幅を狭くできることになり、リフ
トオフマージンが大きく、位置合わせが容易となる。ま
たパターンピッチを更に狭くする場合に有利であり、薄
膜磁気ヘッドの小形化、高性能化が可能となる。
【図１】本発明に係る蒸着装置の一例を示す概略説明
図。
図。
【図２】本発明による成膜工程の例を示す説明図。
【図３】本発明と従来技術との膜パターンの説明図。
【図４】従来の蒸着装置の概略説明図。
【図５】従来の成膜工程の説明図。
３０ 基板 ３２ 逆テーパー状のレジストパターン ３４ ドーム型蒸着治具 ３６ 蒸発源 ３８ 金属膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に逆テーパー状のリフトオフ用レ
ジストパターンを形成し、真空チャンパー内で該基板面
に対してほぼ９０度の入射角度で蒸発粒子が入射するよ
うに蒸着し、その後、リフトオフ操作によりレジストパ
ターンとその上の成膜物とを一緒に除去することを特徴
とするリフトオフによる膜パターン形成方法。 - 【請求項２】 イメージリバースタイプのポジ型レジス
トを用いて基板上に逆テーパー状のリフトオフ用のレジ
ストパターンを形成し、真空チャンバー内で球面状のド
ーム型蒸着治具の内面に多数の前記基板を配設し、ドー
ム型蒸着治具の球面中心に蒸発源を設置し、ドーム型蒸
着治具を自転のみさせて、各基板に対してほぼ９０度の
入射角度で蒸発粒子が入射するように蒸着し、その後、
リフトオフ操作によりレジストパターンとその上の成膜
物とを一緒に除去することを特徴とするリフトオフによ
る膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28284294A JPH08120443A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | リフトオフによる膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28284294A JPH08120443A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | リフトオフによる膜パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08120443A true JPH08120443A (ja) | 1996-05-14 |
Family
ID=17657785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28284294A Pending JPH08120443A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | リフトオフによる膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08120443A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006131991A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-05-25 | Mikuni Kogyo:Kk | 微細金属バンプの形成方法 |
| WO2010129180A3 (en) * | 2009-04-28 | 2011-03-31 | Ferrotec (Usa) Corporation | Lift-off deposition system featuring a density optimized hula substrate holder in a conical dep0sition chamber |
| JP2012167322A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| WO2013145139A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | パイオニア株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
| JP2016048699A (ja) * | 2016-01-08 | 2016-04-07 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ装置 |
| JP2017017072A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
-
1994
- 1994-10-21 JP JP28284294A patent/JPH08120443A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8926755B2 (en) | 2009-04-28 | 2015-01-06 | Ferrotec (Usa) Corporation | Lift-off deposition system featuring a density optimized HULA substrate holder in a conical deposition chamber |
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| JP2017017072A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| JP2016048699A (ja) * | 2016-01-08 | 2016-04-07 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ装置 |
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