JPH1034055A - 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 - Google Patents
塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法Info
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- JPH1034055A JPH1034055A JP19679696A JP19679696A JPH1034055A JP H1034055 A JPH1034055 A JP H1034055A JP 19679696 A JP19679696 A JP 19679696A JP 19679696 A JP19679696 A JP 19679696A JP H1034055 A JPH1034055 A JP H1034055A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レジスト膜、有機樹脂膜、ＳＯＧ膜などの塗布
膜形成方法及び塗布膜形成装置において、塗布液の使用
効率を向上させ該装置の稼働率を向上させることによ
り、塗布膜形成の費用を削減することを目的とする。 【解決手段】基板を２次元的に振動させることにより、
基板上に滴下された塗布液に任意の方向に力を作用させ
て塗布膜を形成する。また、複数のノズルを有する滴下
機構により基板上の複数箇所に塗布液を滴下してから塗
布膜を形成する。
膜形成方法及び塗布膜形成装置において、塗布液の使用
効率を向上させ該装置の稼働率を向上させることによ
り、塗布膜形成の費用を削減することを目的とする。 【解決手段】基板を２次元的に振動させることにより、
基板上に滴下された塗布液に任意の方向に力を作用させ
て塗布膜を形成する。また、複数のノズルを有する滴下
機構により基板上の複数箇所に塗布液を滴下してから塗
布膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト膜、有機樹
脂膜、ＳＯＧ (Spin-On-Glass)膜、塗布液を利用する絶
縁膜や導電膜などを基板上に形成するための塗布膜形成
装置及び塗布膜の形成方法に関する。
脂膜、ＳＯＧ (Spin-On-Glass)膜、塗布液を利用する絶
縁膜や導電膜などを基板上に形成するための塗布膜形成
装置及び塗布膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程で
は、数多くの塗布膜が使用されている。これらの塗布膜
にはフォトエッチング工程で使用されるレジスト膜、層
間絶縁膜やオーバコート膜として使用される有機樹脂
膜、平坦化を目的として使用されるＳＯＧ膜などがあ
る。また、この他にも溶剤に各種の物質を微粒子として
分散させるなどして液体を基板に塗布し焼成することに
より各種の導電膜や絶縁膜あるいは半導体膜を形成する
方法がある。
は、数多くの塗布膜が使用されている。これらの塗布膜
にはフォトエッチング工程で使用されるレジスト膜、層
間絶縁膜やオーバコート膜として使用される有機樹脂
膜、平坦化を目的として使用されるＳＯＧ膜などがあ
る。また、この他にも溶剤に各種の物質を微粒子として
分散させるなどして液体を基板に塗布し焼成することに
より各種の導電膜や絶縁膜あるいは半導体膜を形成する
方法がある。
【０００３】前記塗布膜は従来スピンコート法により形
成されていた。スピンコート法は回転可能なステージに
真空チャックなどによりセットされた基板の中央付近に
塗布液を滴下し、該基板を回転させることにより該基板
の中央付近の１ヶ所に滴下された塗布液を遠心力で基板
全面に広げて塗布膜を形成する方法である。スピンコー
ト法では、塗布膜の膜厚は塗布液の粘度と基板の回転数
により容易に制御可能であり、また基板面内の膜厚の均
一性も非常に優れている。特に、半導体装置や液晶表示
装置の製造工程で使用されるレジスト膜は、薄膜のパタ
ンの加工精度に強く関係しており、従って該装置の性能
や歩留まりを左右するため、該装置の歴史の初期から使
用されてきた。
成されていた。スピンコート法は回転可能なステージに
真空チャックなどによりセットされた基板の中央付近に
塗布液を滴下し、該基板を回転させることにより該基板
の中央付近の１ヶ所に滴下された塗布液を遠心力で基板
全面に広げて塗布膜を形成する方法である。スピンコー
ト法では、塗布膜の膜厚は塗布液の粘度と基板の回転数
により容易に制御可能であり、また基板面内の膜厚の均
一性も非常に優れている。特に、半導体装置や液晶表示
装置の製造工程で使用されるレジスト膜は、薄膜のパタ
ンの加工精度に強く関係しており、従って該装置の性能
や歩留まりを左右するため、該装置の歴史の初期から使
用されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】スピンコート法による
従来の塗布膜の形成方法を図２に示す。ここでは塗布膜
の代表例としてレジストについて説明する。図２におい
て２０１は基板を真空チャックによりセット可能なステ
ージであり回転軸２０２に連結されている。レジストは
塗布液保管部２０８にある容器に保管されており、塗布
に必要な量が配管２０７を通してヘッド部２０６にある
ノズル２０５から、基板２０３の中央部に滴下される。
滴下されたレジスト２０４は基板の回転による遠心力に
より、図３に示すようにステージ３０１にセットされた
基板３０３の全面に広がりレジスト膜３０４が形成され
る。通常、滴下されるレジストの量は直径１５０ｍｍ程
度の基板で２−４ｍｌ、一辺が３００乃至５００ｍｍ程
度の矩形基板の場合には１０数ｍｌである。滴下量が少
ないと基板の周辺で塗布されない領域が発生し、滴下量
が多いと塗布されるレジスト膜厚は同じでもレジストの
使用量が増え材料費の増大を招く。通常のレジスト膜厚
は１μｍ程度であり、これは前記滴下量と単純な体積比
較をすると１％に達しない値となる。前記レジスト膜厚
は塗布後のレジストから溶媒を揮散させるためのベーク
を行った後の膜厚である。レジストだけでなく殆どの塗
布液は粘度の調整などのために溶媒を含んでいるので、
溶媒を除く溶質だけの滴下量と前記レジスト膜の体積比
較をしても高々数％程度である。即ち、スピンコート法
によるレジスト膜の形成では滴下量の数％程度しか利用
されておらず、９０％以上は無駄になっているのであ
る。
従来の塗布膜の形成方法を図２に示す。ここでは塗布膜
の代表例としてレジストについて説明する。図２におい
て２０１は基板を真空チャックによりセット可能なステ
ージであり回転軸２０２に連結されている。レジストは
塗布液保管部２０８にある容器に保管されており、塗布
に必要な量が配管２０７を通してヘッド部２０６にある
ノズル２０５から、基板２０３の中央部に滴下される。
滴下されたレジスト２０４は基板の回転による遠心力に
より、図３に示すようにステージ３０１にセットされた
基板３０３の全面に広がりレジスト膜３０４が形成され
る。通常、滴下されるレジストの量は直径１５０ｍｍ程
度の基板で２−４ｍｌ、一辺が３００乃至５００ｍｍ程
度の矩形基板の場合には１０数ｍｌである。滴下量が少
ないと基板の周辺で塗布されない領域が発生し、滴下量
が多いと塗布されるレジスト膜厚は同じでもレジストの
使用量が増え材料費の増大を招く。通常のレジスト膜厚
は１μｍ程度であり、これは前記滴下量と単純な体積比
較をすると１％に達しない値となる。前記レジスト膜厚
は塗布後のレジストから溶媒を揮散させるためのベーク
を行った後の膜厚である。レジストだけでなく殆どの塗
布液は粘度の調整などのために溶媒を含んでいるので、
溶媒を除く溶質だけの滴下量と前記レジスト膜の体積比
較をしても高々数％程度である。即ち、スピンコート法
によるレジスト膜の形成では滴下量の数％程度しか利用
されておらず、９０％以上は無駄になっているのであ
る。
【０００５】前述のように、レジストに限らずスピンコ
ート法による塗布膜の形成では、塗布膜として形成され
る塗布液の利用効率は高々数％である。また、スピンコ
ート時に飛散される塗布液により塗布装置が汚れるた
め、該塗布装置は絶えずクリーニングやメンテナンスが
必要となる。また、スピンコート時に飛散された塗布液
は最終的には廃液として処理されることになるので、そ
のための費用も必要となる。従って、上記塗布液の利用
効率を向上させることができれば、塗布液の材料費削減
だけでなく、廃液処理費用の削減、塗布装置の安定稼動
と稼働率向上など、塗布膜形成工程に直接、間接に関連
する各種の費用を削減することができ、結果的には塗布
膜を利用する各種デバイスの製造コストを削減すること
ができる。半導体装置や液晶表示装置では、数回乃至１
０数回のレジスト膜の塗布工程があり、前記製造コスト
の削減効果も大きい。また、塗布液の単価が高い場合に
も前記製造コストの削減効果が大きくなる。
ート法による塗布膜の形成では、塗布膜として形成され
る塗布液の利用効率は高々数％である。また、スピンコ
ート時に飛散される塗布液により塗布装置が汚れるた
め、該塗布装置は絶えずクリーニングやメンテナンスが
必要となる。また、スピンコート時に飛散された塗布液
は最終的には廃液として処理されることになるので、そ
のための費用も必要となる。従って、上記塗布液の利用
効率を向上させることができれば、塗布液の材料費削減
だけでなく、廃液処理費用の削減、塗布装置の安定稼動
と稼働率向上など、塗布膜形成工程に直接、間接に関連
する各種の費用を削減することができ、結果的には塗布
膜を利用する各種デバイスの製造コストを削減すること
ができる。半導体装置や液晶表示装置では、数回乃至１
０数回のレジスト膜の塗布工程があり、前記製造コスト
の削減効果も大きい。また、塗布液の単価が高い場合に
も前記製造コストの削減効果が大きくなる。
【０００６】従って、本発明の目的は塗布液の利用効率
の高い塗布膜の形成方法及び塗布膜の形成装置を提案す
ることである。
の高い塗布膜の形成方法及び塗布膜の形成装置を提案す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
め、 １）真空チャックなどにより基板をセット可能なステー
ジと、該ステージにセットされた基板上に塗布液を滴下
する滴下機構と、前記ステージを２次元的に振動させる
振動機構を具備したことを特徴とする。
め、 １）真空チャックなどにより基板をセット可能なステー
ジと、該ステージにセットされた基板上に塗布液を滴下
する滴下機構と、前記ステージを２次元的に振動させる
振動機構を具備したことを特徴とする。
【０００８】２）真空チャックなどにより基板をセット
可能なステージと、該ステージにセットされた基板上に
塗布液を滴下する滴下機構と、前記ステージを２次元的
に振動させる振動機構及び前記ステージを回転させる回
転機構とを具備したことを特徴とする。
可能なステージと、該ステージにセットされた基板上に
塗布液を滴下する滴下機構と、前記ステージを２次元的
に振動させる振動機構及び前記ステージを回転させる回
転機構とを具備したことを特徴とする。
【０００９】３）前記滴下機構は複数のノズルを有する
ヘッドと、該ヘッドをステージにセットされた基板上の
複数個所に塗布液を滴下する機構を具備することを特徴
とする。
ヘッドと、該ヘッドをステージにセットされた基板上の
複数個所に塗布液を滴下する機構を具備することを特徴
とする。
【００１０】４）前記滴下機構は複数のノズルを有する
ヘッドと、該ヘッドをステージにセットされた基板に対
して相対的に走査する機構を有し、前記相対的に走査し
ながら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する機構を具
備することを特徴とする。
ヘッドと、該ヘッドをステージにセットされた基板に対
して相対的に走査する機構を有し、前記相対的に走査し
ながら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する機構を具
備することを特徴とする。
【００１１】５）真空チャックなどにより基板をセット
可能なステージと、該ステージにセットされた基板上に
塗布液を滴下する滴下機構と、前記ステージを回転させ
る回転機構とを具備し、前記滴下機構は複数のノズルを
有するヘッドと、該ヘッドをステージにセットされた基
板に対して相対的に走査する機構と、前記相対的に走査
しながら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する機構を
有することを特徴とする。
可能なステージと、該ステージにセットされた基板上に
塗布液を滴下する滴下機構と、前記ステージを回転させ
る回転機構とを具備し、前記滴下機構は複数のノズルを
有するヘッドと、該ヘッドをステージにセットされた基
板に対して相対的に走査する機構と、前記相対的に走査
しながら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する機構を
有することを特徴とする。
【００１２】６）基板を真空チャックなどによりステー
ジにセットする工程と、次に塗布液滴下機構により該基
板上に塗布液を滴下する工程と、次に前記基板を２次元
的に振動させる工程と、を有することを特徴とする。
ジにセットする工程と、次に塗布液滴下機構により該基
板上に塗布液を滴下する工程と、次に前記基板を２次元
的に振動させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】７）基板を真空チャックなどによりステー
ジにセットする工程と、次に塗布液滴下機構により該基
板上に塗布液を滴下する工程と、次に前記基板を２次元
的に振動させる工程と、次に前記基板を回転させる工程
と、を有することを特徴とする。
ジにセットする工程と、次に塗布液滴下機構により該基
板上に塗布液を滴下する工程と、次に前記基板を２次元
的に振動させる工程と、次に前記基板を回転させる工程
と、を有することを特徴とする。
【００１４】８）前記塗布液滴下機構により前記基板上
に塗布液を滴下する工程は、複数のノズルを有するヘッ
ドによりステージにセットされた基板上の複数個所に塗
布液を滴下する工程であることをことを特徴とする。
に塗布液を滴下する工程は、複数のノズルを有するヘッ
ドによりステージにセットされた基板上の複数個所に塗
布液を滴下する工程であることをことを特徴とする。
【００１５】９）前記塗布液滴下機構により前記基板上
に塗布液を滴下する工程は、複数のノズルを有するヘッ
ドをステージにセットされた基板に対して相対的に走査
しながら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する工程で
あることをことを特徴とする。 １０）基板を真空チャックなどによりステージにセット
する工程と、次に塗布液滴下機構により該基板上に塗布
液を滴下する工程と、次に前記基板を回転させる工程と
を有し、前記塗布液滴下機構により前記基板上に塗布液
を滴下する工程は、複数のノズルを有するヘッドをステ
ージにセットされた基板に対して相対的に走査しながら
該基板上の複数個所に塗布液を滴下する工程であること
を特徴とする。
に塗布液を滴下する工程は、複数のノズルを有するヘッ
ドをステージにセットされた基板に対して相対的に走査
しながら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する工程で
あることをことを特徴とする。 １０）基板を真空チャックなどによりステージにセット
する工程と、次に塗布液滴下機構により該基板上に塗布
液を滴下する工程と、次に前記基板を回転させる工程と
を有し、前記塗布液滴下機構により前記基板上に塗布液
を滴下する工程は、複数のノズルを有するヘッドをステ
ージにセットされた基板に対して相対的に走査しながら
該基板上の複数個所に塗布液を滴下する工程であること
を特徴とする。
【００１６】
【作用】従来のスピンコート法による塗布膜の形成方法
では、基板の中央付近の１点を中心として基板を回転さ
せることにより塗布膜を形成するため、基板上の点の位
置により該点の塗布時の軌跡が変ることになるが、本発
明では基板上のどの点でも塗布時の軌跡が同じであると
いう特徴を有している。このことは、従来技術では基板
上の滴下液に働く力の大きさが基板上の位置により異な
ることになるが、本発明では基板上の滴下液に働く力の
大きさは基板上のどの点でも同じであることを意味して
いる。また、従来のスピンコート法では基板上の滴下液
に働く力の方向は一定（基板の中央から基板の周辺に向
かう方向）であるが、本発明では前記軌跡として自由な
２次元図形を選択できるので基板上の滴下液に働く力の
方向を自由に選択することができる。従って、本発明で
は基板上の一部に滴下された塗布液に対して基板のあら
ゆる方向に加速度による力を作用させることができるの
で、基板全面に効率良く塗布膜を形成することができ
る。
では、基板の中央付近の１点を中心として基板を回転さ
せることにより塗布膜を形成するため、基板上の点の位
置により該点の塗布時の軌跡が変ることになるが、本発
明では基板上のどの点でも塗布時の軌跡が同じであると
いう特徴を有している。このことは、従来技術では基板
上の滴下液に働く力の大きさが基板上の位置により異な
ることになるが、本発明では基板上の滴下液に働く力の
大きさは基板上のどの点でも同じであることを意味して
いる。また、従来のスピンコート法では基板上の滴下液
に働く力の方向は一定（基板の中央から基板の周辺に向
かう方向）であるが、本発明では前記軌跡として自由な
２次元図形を選択できるので基板上の滴下液に働く力の
方向を自由に選択することができる。従って、本発明で
は基板上の一部に滴下された塗布液に対して基板のあら
ゆる方向に加速度による力を作用させることができるの
で、基板全面に効率良く塗布膜を形成することができ
る。
【００１７】また、従来のスピンコート法による塗布膜
の形成方法では、基板中央付近の１箇所に滴下された塗
布液を基板全面に広げる必要があるため、基板中央付近
の塗布液を基板の周辺まで移動しなければならないが、
本発明では基板上の複数箇所に塗布液を滴下するため、
各滴下箇所の周辺に塗布液を広げることにより基板基板
全面に塗布膜を形成することができる。前者の場合は前
記塗布液の相当量が基板外に飛散することになるが、後
者の場合は塗布膜の基板外への飛散を低く押えることが
でき、従って塗布液の利用効率を大幅に向上させること
ができる。また、本発明では基板中央付近に滴下した塗
布液を基板の２次元的振動と、基板の回転の両方を組み
合わせて塗布膜を形成するため、塗布液の滴下量を低減
し塗布液の利用効率を大幅に向上させると同時に膜厚の
均一性の良い塗布膜を形成することができる。
の形成方法では、基板中央付近の１箇所に滴下された塗
布液を基板全面に広げる必要があるため、基板中央付近
の塗布液を基板の周辺まで移動しなければならないが、
本発明では基板上の複数箇所に塗布液を滴下するため、
各滴下箇所の周辺に塗布液を広げることにより基板基板
全面に塗布膜を形成することができる。前者の場合は前
記塗布液の相当量が基板外に飛散することになるが、後
者の場合は塗布膜の基板外への飛散を低く押えることが
でき、従って塗布液の利用効率を大幅に向上させること
ができる。また、本発明では基板中央付近に滴下した塗
布液を基板の２次元的振動と、基板の回転の両方を組み
合わせて塗布膜を形成するため、塗布液の滴下量を低減
し塗布液の利用効率を大幅に向上させると同時に膜厚の
均一性の良い塗布膜を形成することができる。
【００１８】
【本発明の実施の形態】以下本発明を図面に基づいて詳
しく説明する。
しく説明する。
【００１９】［実施例１］図４は請求項１および請求項
６に記載の塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関す
る第１の実施例を示すものである。図４は基板上４０１
に塗布膜４０２が滴下された状態を上から見た図であ
る。基板は液晶表示装置用の大型のガラス基板を例にし
ており、一辺の長さが３００ｍｍ乃至５００ｍｍの矩形
形状であり、塗布液はレジストを例にして説明する。塗
布液４０２は基板４０１の中央部に１乃至数ｍｌ程度滴
下される。次に基板は数Ｇ乃至数１０Ｇの加速度、数ｍ
ｍ乃至数１００ｍｍの振幅で左右４０３及び前後４０４
に振動される。基板の任意の１点が描く振動による軌跡
は、前記加速度を有する振動であれば直線でなくともよ
い。前記軌跡は円、楕円、８の字型など任意の２次元図
形とすることもできる。また、振動の加速度は徐々に大
きくする様にすれば、塗布液を基板外に飛散させる量を
少なくできる。図５は前記振動後の塗布液の塗布状態を
示す。基板５０１上に塗布された塗布液５０２はコーナ
部の一部を除きほぼ全面に広がっている。通常、基板の
辺から１０数ｍｍ以内の領域はパターンや素子が形成さ
れないダミー領域となるため、基板周辺の一部に塗布さ
れない領域があっても実際の素子形成では問題とはなら
ない。また、本発明の前記振動方式による塗布膜では、
膜厚の均一性が従来の基板を回転させて塗布膜を形成す
るスピンコート法による塗布膜と比較するとかなり劣る
が、滴下された塗布液の大部分が塗布膜として形成でき
るため、塗布液の使用効率は著しく高くすることができ
る。従って、本発明による塗布膜の形成方法によりデバ
イスのコストを相当程度低減することができる。
６に記載の塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関す
る第１の実施例を示すものである。図４は基板上４０１
に塗布膜４０２が滴下された状態を上から見た図であ
る。基板は液晶表示装置用の大型のガラス基板を例にし
ており、一辺の長さが３００ｍｍ乃至５００ｍｍの矩形
形状であり、塗布液はレジストを例にして説明する。塗
布液４０２は基板４０１の中央部に１乃至数ｍｌ程度滴
下される。次に基板は数Ｇ乃至数１０Ｇの加速度、数ｍ
ｍ乃至数１００ｍｍの振幅で左右４０３及び前後４０４
に振動される。基板の任意の１点が描く振動による軌跡
は、前記加速度を有する振動であれば直線でなくともよ
い。前記軌跡は円、楕円、８の字型など任意の２次元図
形とすることもできる。また、振動の加速度は徐々に大
きくする様にすれば、塗布液を基板外に飛散させる量を
少なくできる。図５は前記振動後の塗布液の塗布状態を
示す。基板５０１上に塗布された塗布液５０２はコーナ
部の一部を除きほぼ全面に広がっている。通常、基板の
辺から１０数ｍｍ以内の領域はパターンや素子が形成さ
れないダミー領域となるため、基板周辺の一部に塗布さ
れない領域があっても実際の素子形成では問題とはなら
ない。また、本発明の前記振動方式による塗布膜では、
膜厚の均一性が従来の基板を回転させて塗布膜を形成す
るスピンコート法による塗布膜と比較するとかなり劣る
が、滴下された塗布液の大部分が塗布膜として形成でき
るため、塗布液の使用効率は著しく高くすることができ
る。従って、本発明による塗布膜の形成方法によりデバ
イスのコストを相当程度低減することができる。
【００２０】［実施例２］図６は請求項２および請求項
７に記載の塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関
し、本発明による第２の実施例を示すものである。第２
の実施例は基板上に滴下された塗布液を、振動による加
速度と回転による加速度の２種類の加速度で基板上に広
げることにより塗布膜を形成するものである。図６は基
板６０１上に滴下した塗布液を最初に振動方式により該
基板上に６０３のように滴下領域６０２より広い領域に
広げる。次に基板を回転させて基板全面に塗布膜を形成
するものである。
７に記載の塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関
し、本発明による第２の実施例を示すものである。第２
の実施例は基板上に滴下された塗布液を、振動による加
速度と回転による加速度の２種類の加速度で基板上に広
げることにより塗布膜を形成するものである。図６は基
板６０１上に滴下した塗布液を最初に振動方式により該
基板上に６０３のように滴下領域６０２より広い領域に
広げる。次に基板を回転させて基板全面に塗布膜を形成
するものである。
【００２１】この実施例は塗布液の高い使用効率と塗布
膜の膜厚の高い均一性を両立できる方法である。前述し
たように振動方式は滴下液に作用させる力を任意の方向
に制御できる。基板上に滴下された塗布液は通常円形に
広がるが、最初に振動方式により該滴下された塗布液を
基板面に広げるため、楕円形や基板の矩形形状に類似し
た領域に広げることができる。その後さらに基板の回転
による遠心力で基板全面に塗布液を広げるものである。
膜の膜厚の高い均一性を両立できる方法である。前述し
たように振動方式は滴下液に作用させる力を任意の方向
に制御できる。基板上に滴下された塗布液は通常円形に
広がるが、最初に振動方式により該滴下された塗布液を
基板面に広げるため、楕円形や基板の矩形形状に類似し
た領域に広げることができる。その後さらに基板の回転
による遠心力で基板全面に塗布液を広げるものである。
【００２２】［実施例３］図１は請求項３、４、５およ
び請求項８、９、１０記載の塗布膜形成装置および塗布
膜形成方法に関し、本発明による第３の実施例を示すも
のである。ここで示す塗布膜の形成装置及び塗布膜の形
成方法は、基板上に塗布液を少量づつ複数の箇所に滴下
することを特徴としている。図１において基板１０２が
ステージ１０１上にセット可能であり、塗布液保管容器
１０７から配管１０６を通して塗布膜形成装置のヘッド
部１０５に導かれた塗布液は、複数のノズル１０４から
該基板上に滴下される機構を有し、前記ステージは。該
ノズルと該基板は相対的に走査され７０３のように基板
上の全面にわたって複数の箇所に滴下される。塗布液の
１ヶ所の滴下量は数１００ｎｌ乃至数１００μｌであ
り、滴下箇所数は数１０乃至数千箇所である。塗布液が
基板上に滴下された後、直ちに基板が振動又は回転さ
れ、あるいは振動と回転が連続して行われ基板全面に塗
布膜が形成される。
び請求項８、９、１０記載の塗布膜形成装置および塗布
膜形成方法に関し、本発明による第３の実施例を示すも
のである。ここで示す塗布膜の形成装置及び塗布膜の形
成方法は、基板上に塗布液を少量づつ複数の箇所に滴下
することを特徴としている。図１において基板１０２が
ステージ１０１上にセット可能であり、塗布液保管容器
１０７から配管１０６を通して塗布膜形成装置のヘッド
部１０５に導かれた塗布液は、複数のノズル１０４から
該基板上に滴下される機構を有し、前記ステージは。該
ノズルと該基板は相対的に走査され７０３のように基板
上の全面にわたって複数の箇所に滴下される。塗布液の
１ヶ所の滴下量は数１００ｎｌ乃至数１００μｌであ
り、滴下箇所数は数１０乃至数千箇所である。塗布液が
基板上に滴下された後、直ちに基板が振動又は回転さ
れ、あるいは振動と回転が連続して行われ基板全面に塗
布膜が形成される。
【００２３】図７に前記複数のノズルのうち１つのノズ
ル部の拡大図を示す。塗布液は供給口７０１からバッフ
ァ領域７０２を経てキャビティ７０３に導入される。キ
ャビティ７０３を構成する内壁の一部は振動板７０５か
らなり該振動板にはピエゾ素子７０４が密着形成されて
いる。ピエゾ素子７０４は電圧が印加されると電圧が印
加された方向に伸びまたは縮み、その伸縮に対応して振
動板７０５がたわみ、そのたわみによってキャビティ７
０３の容積が減少し塗布液がノズル７０６から吐出され
る。
ル部の拡大図を示す。塗布液は供給口７０１からバッフ
ァ領域７０２を経てキャビティ７０３に導入される。キ
ャビティ７０３を構成する内壁の一部は振動板７０５か
らなり該振動板にはピエゾ素子７０４が密着形成されて
いる。ピエゾ素子７０４は電圧が印加されると電圧が印
加された方向に伸びまたは縮み、その伸縮に対応して振
動板７０５がたわみ、そのたわみによってキャビティ７
０３の容積が減少し塗布液がノズル７０６から吐出され
る。
【００２４】前記第３の実施例において、レジストを塗
布液とした場合、一辺の長さが３００ｍｍ乃至５００ｍ
ｍの基板上に滴下される総量は数１００μｌ乃至数ｍｌ
である。従来の技術であるスピンコート法によるレジス
ト膜の形成方法では、前記大きさの基板の場合には総滴
下量は１０ｍｌ乃至２０ｍｌ程度必要である。従って、
本発明によるレジスト膜の形成により、レジストの使用
量を基板当たり数分の１乃至１０分の１程度あるいはそ
れ以上に削減することができる。前記使用量の削減は塗
布液の基板外へ飛散する量が少なくなることであり、こ
れにより塗布膜形成装置のメンテナンスや廃液の処理な
どの頻度が少なくなる。従って、本発明により塗布液の
使用量削減、塗布膜形成装置の稼働率向上、廃液処理費
用の削減などが可能となる。
布液とした場合、一辺の長さが３００ｍｍ乃至５００ｍ
ｍの基板上に滴下される総量は数１００μｌ乃至数ｍｌ
である。従来の技術であるスピンコート法によるレジス
ト膜の形成方法では、前記大きさの基板の場合には総滴
下量は１０ｍｌ乃至２０ｍｌ程度必要である。従って、
本発明によるレジスト膜の形成により、レジストの使用
量を基板当たり数分の１乃至１０分の１程度あるいはそ
れ以上に削減することができる。前記使用量の削減は塗
布液の基板外へ飛散する量が少なくなることであり、こ
れにより塗布膜形成装置のメンテナンスや廃液の処理な
どの頻度が少なくなる。従って、本発明により塗布液の
使用量削減、塗布膜形成装置の稼働率向上、廃液処理費
用の削減などが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば基板上に滴下された塗布
液に任意の方向に力を作用させることができ、また、基
板上の複数箇所に塗布液を滴下してから塗布膜を形成す
るので、塗布液を効率よく使用して塗布膜を形成するこ
とができる。また、本発明によれば塗布液を基板外に飛
散させる量が少なくなるので、塗布膜形成装置の安定稼
動や稼働率向上を実現できる。
液に任意の方向に力を作用させることができ、また、基
板上の複数箇所に塗布液を滴下してから塗布膜を形成す
るので、塗布液を効率よく使用して塗布膜を形成するこ
とができる。また、本発明によれば塗布液を基板外に飛
散させる量が少なくなるので、塗布膜形成装置の安定稼
動や稼働率向上を実現できる。
【図１】本発明による第３の実施例による塗布膜形成装
置及び塗布膜形成方法を説明する図。
置及び塗布膜形成方法を説明する図。
【図２】従来技術のよる塗布膜形成装置及び塗布膜形成
方法を説明する図。
方法を説明する図。
【図３】従来技術のよる塗布膜形成方法を説明する図。
【図４】本発明による第１の実施例による塗布膜形成装
置及び塗布膜形成方法を説明する図。
置及び塗布膜形成方法を説明する図。
【図５】本発明による第１の実施例による塗布膜形成装
置及び塗布膜形成方法を説明する図。
置及び塗布膜形成方法を説明する図。
【図６】本発明による第２の実施例による塗布膜形成装
置及び塗布膜形成方法を説明する図。
置及び塗布膜形成方法を説明する図。
【図７】本発明による第３の実施例による塗布膜形成装
置のノズル部を示す図。
置のノズル部を示す図。
１０１，２０１，３０１ステージ １０２，２０３，３０３，４０１，５０１，６０１基板 １０３，２０４，４０２，６０２塗布液 １０４，２０５，７０６ノズル １０７，２０８塗布液保管部
Claims (10)
- 【請求項１】真空チャックなどにより基板をセット可能
なステージと、該ステージにセットされた基板上に塗布
液を滴下する滴下機構と、前記ステージを２次元的に振
動させる振動機構と、を具備したことを特徴とする塗布
膜形成装置。 - 【請求項２】真空チャックなどにより基板をセット可能
なステージと、該ステージにセットされた基板上に塗布
液を滴下する滴下機構と、前記ステージを２次元的に振
動させる振動機構及び前記ステージを回転させる回転機
構と、を具備したことを特徴とする塗布膜形成装置。 - 【請求項３】前記滴下機構は複数のノズルを有するヘッ
ドを有し、ステージにセットされた基板上の複数個所に
塗布液を滴下する機構を具備することを特徴とする請求
項１及び請求項２記載の塗布膜形成装置。 - 【請求項４】前記滴下機構は複数のノズルを有するヘッ
ドと、該ヘッドをステージにセットされた基板に対して
相対的に走査する機構を有し、前記相対的に走査しなが
ら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する機構を具備す
ることを特徴とする請求項１及び請求項２記載の塗布膜
形成装置。 - 【請求項５】真空チャックなどにより基板をセット可能
なステージと、該ステージにセットされた基板上に塗布
液を滴下する滴下機構と、前記ステージを回転させる回
転機構とを具備し、前記滴下機構は複数のノズルを有す
るヘッドと、該ヘッドをステージにセットされた基板に
対して相対的に走査する機構と、前記相対的に走査しな
がら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する機構を有す
ることを特徴とする塗布膜形成装置。 - 【請求項６】基板を真空チャックなどによりステージに
セットする工程と、次に塗布液滴下機構により該基板上
に塗布液を滴下する工程と、次に前記基板を２次元的に
振動させる工程と、を有することを特徴とする塗布膜形
成方法。 - 【請求項７】基板を真空チャックなどによりステージに
セットする工程と、次に塗布液滴下機構により該基板上
に塗布液を滴下する工程と、次に前記基板を２次元的に
振動させる工程と、次に前記基板を回転させる工程と、
を有することを特徴とする塗布膜形成方法。 - 【請求項８】前記塗布液滴下機構により前記基板上に塗
布液を滴下する工程は、複数のノズルを有するヘッドに
よりステージにセットされた基板上の複数個所に塗布液
を滴下する工程であることをことを特徴とする請求項６
及び請求項７記載の塗布膜形成方法。 - 【請求項９】前記塗布液滴下機構により前記基板上に塗
布液を滴下する工程は、複数のノズルを有するヘッドを
ステージにセットされた基板に対して相対的に走査しな
がら該基板上の複数個所に塗布液を滴下する工程である
ことをことを特徴とする請求項６及び請求項７記載の塗
布膜形成方法。 - 【請求項１０】基板を真空チャックなどによりステージ
にセットする工程と、次に塗布液滴下機構により該基板
上に塗布液を滴下する工程と、次に前記基板を回転させ
る工程とを有し、前記塗布液滴下機構により前記基板上
の複数箇所に塗布液を滴下する工程は、複数のノズルを
有するヘッドをステージにセットされた基板に対して相
対的に走査しながら該基板上の複数個所に塗布液を滴下
する工程であることを特徴とする塗布膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19679696A JPH1034055A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19679696A JPH1034055A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1034055A true JPH1034055A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16363801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19679696A Withdrawn JPH1034055A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1034055A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007054754A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜の平坦化方法及び平坦化装置 |
| JP2017501022A (ja) * | 2013-12-03 | 2017-01-12 | アドヴェニラ エンタープライジーズ，インコーポレイテッド | 同時回転および振動を使用したコーティング材料分布 |
-
1996
- 1996-07-25 JP JP19679696A patent/JPH1034055A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007054754A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜の平坦化方法及び平坦化装置 |
| JP4531659B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2010-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜の平坦化方法及び平坦化装置 |
| JP2017501022A (ja) * | 2013-12-03 | 2017-01-12 | アドヴェニラ エンタープライジーズ，インコーポレイテッド | 同時回転および振動を使用したコーティング材料分布 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050301 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20050329 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |