JPS6119774A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPS6119774A JPS6119774A JP13996984A JP13996984A JPS6119774A JP S6119774 A JPS6119774 A JP S6119774A JP 13996984 A JP13996984 A JP 13996984A JP 13996984 A JP13996984 A JP 13996984A JP S6119774 A JPS6119774 A JP S6119774A
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- JP
- Japan
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- sputtering
- target
- center
- sputtering target
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置等の製造において、基板上に膜付け
を行なうときに用いる枚葉処理型のスパッタリング装置
に関する。
を行なうときに用いる枚葉処理型のスパッタリング装置
に関する。
（従来技術とその問題点）
従来、この種の装置では第４図に示されるように１個の
スパッタリングターゲット１と、被膜されるべき１枚の
基板２とを、それぞれの表面が平行になるように対向さ
せ、かつ、ターゲット１の中心軸４と基板２の中心軸５
が一致するように配置し、膜付は処理中は基板２を静止
させるような構成がとられている。特に半導体用薄膜製
造の為のスパッタリング装置では生産性を上げると共に
良ａな薄膜を再現性良く生産するためＫ、カセット・ト
ウ・カセット方式の枚葉処理型スパッタリング装置が発
達し、第４図の配置でシリコンウェハ上に一枚づつ薄膜
を形成することが行なわれている。
スパッタリングターゲット１と、被膜されるべき１枚の
基板２とを、それぞれの表面が平行になるように対向さ
せ、かつ、ターゲット１の中心軸４と基板２の中心軸５
が一致するように配置し、膜付は処理中は基板２を静止
させるような構成がとられている。特に半導体用薄膜製
造の為のスパッタリング装置では生産性を上げると共に
良ａな薄膜を再現性良く生産するためＫ、カセット・ト
ウ・カセット方式の枚葉処理型スパッタリング装置が発
達し、第４図の配置でシリコンウェハ上に一枚づつ薄膜
を形成することが行なわれている。
この種の枚葉処理型スパッタリング装置の大きな長所は
２点ある。１つは、ウェハ一枚づつの膜付は処理である
為に成膜速度が大きくとれ、不純物ガスの影響な低く押
えることができる点であり、良質な薄膜を生産すること
が可能である。他の長所はウェハ一枚毎に同じ仕方で膜
付けが行なわれる為、ウェハ毎の処理の管理が可能で−
よく行き届き、形成される薄膜のウェハ内のプロフィル
がすべてのウェハで同一になる点である。
２点ある。１つは、ウェハ一枚づつの膜付は処理である
為に成膜速度が大きくとれ、不純物ガスの影響な低く押
えることができる点であり、良質な薄膜を生産すること
が可能である。他の長所はウェハ一枚毎に同じ仕方で膜
付けが行なわれる為、ウェハ毎の処理の管理が可能で−
よく行き届き、形成される薄膜のウェハ内のプロフィル
がすべてのウェハで同一になる点である。
しかし、半導体技術の急速な進歩は、この装置で作成さ
れる薄膜でもなお満足せず、より高品質な薄膜が要求さ
れるようになっている。現在この種のスパッタリング装
置が直面している最大の問題は、ウェハ内の膜質の均一
性向上である。特に膜厚分布及びステップカバレージ（
段差被膜度）の均一性向上が重要な課題となっている。
れる薄膜でもなお満足せず、より高品質な薄膜が要求さ
れるようになっている。現在この種のスパッタリング装
置が直面している最大の問題は、ウェハ内の膜質の均一
性向上である。特に膜厚分布及びステップカバレージ（
段差被膜度）の均一性向上が重要な課題となっている。
例えば、現在この種の装置ではウェハ内膜厚分布は±５
％程度のものが得られているが、将来はこの値が±１−
程度になることが要求される見通しにある。
％程度のものが得られているが、将来はこの値が±１−
程度になることが要求される見通しにある。
この段差部にスパッタリング法で薄膜２ｏを被膜する場
合、通常は、平坦部での膜厚２３に比べて段差部での膜
厚が薄くなる現象を生ずる。この場合の平坦部での膜厚
２３に対する段差部２１の最も薄い部分の膜厚２４の割
合をステ、ブカバレージと呼んでいる。半導体用薄膜で
はステップカバレージが大きいこと、すなわち段差部で
の最小膜厚２４が平坦部での膜厚２３に比べて極端に薄
くならないことが重要である。現在の半導体技術では、
段差の高さ２２が０．３〜１μ乳程度、立上り角度ψは
５０°〜７０°程度に作られているが、半導体。
合、通常は、平坦部での膜厚２３に比べて段差部での膜
厚が薄くなる現象を生ずる。この場合の平坦部での膜厚
２３に対する段差部２１の最も薄い部分の膜厚２４の割
合をステ、ブカバレージと呼んでいる。半導体用薄膜で
はステップカバレージが大きいこと、すなわち段差部で
の最小膜厚２４が平坦部での膜厚２３に比べて極端に薄
くならないことが重要である。現在の半導体技術では、
段差の高さ２２が０．３〜１μ乳程度、立上り角度ψは
５０°〜７０°程度に作られているが、半導体。
を子の微細化が進むに従い、立上り角度ψは８０゜〜９
０″ ど、より急角度になり、゛ステップカバレージが
＼＼低下する傾向にある。ステップカバレージが低下す
る場合には段差部２１に施された配線の信頼性が低下す
る。すなわち段差部乞１で膜厚２４等が薄くなる蝙為、
この部分の電流密度が増加し、その結果配線寿命が短く
なるのである。従って、段差部２１への被膜度すなわち
ステラ朧ブカバレージをできる限り大きくすることがこ
れらの半導体製造技術では重要なテーマとなってくる。
０″ ど、より急角度になり、゛ステップカバレージが
＼＼低下する傾向にある。ステップカバレージが低下す
る場合には段差部２１に施された配線の信頼性が低下す
る。すなわち段差部乞１で膜厚２４等が薄くなる蝙為、
この部分の電流密度が増加し、その結果配線寿命が短く
なるのである。従って、段差部２１への被膜度すなわち
ステラ朧ブカバレージをできる限り大きくすることがこ
れらの半導体製造技術では重要なテーマとなってくる。
・さらに、段差部の被膜では、現在の装置は第６図に示
されるような問題もかかえ【いる。すなわち基板２０表
面上に形成された段のうち、基板中央部に形成された段
３１と基板の外周近くに形成された段３２のステ、プヵ
バレージが互いに異なるという問題である。基板中央部
に形成された段３１の左右の段差３３．３４に対するス
テップカバレージは殆んどその差を生じない。ところが
、基板外周近くに形成された段３２の左右の段差３５．
３６に対しては、基板中心方向の段差３５のステップカ
バレージと基板外周方向の段差３６のステップカバレー
ジとでは大差が現われ、基板外周方向の段差３６のステ
ップカバン、−ジが低下する。この理由は基板の中心方
向から飛来するスパッタ原子３７の量に比べて基板外周
方向から飛来するスパッタ原子３８０景が少なくなるた
めである。このスパッタ原子の飛来量の差は、第４図に
おけるターゲット１と基板２の位置関係を見れば明白で
ある。
されるような問題もかかえ【いる。すなわち基板２０表
面上に形成された段のうち、基板中央部に形成された段
３１と基板の外周近くに形成された段３２のステ、プヵ
バレージが互いに異なるという問題である。基板中央部
に形成された段３１の左右の段差３３．３４に対するス
テップカバレージは殆んどその差を生じない。ところが
、基板外周近くに形成された段３２の左右の段差３５．
３６に対しては、基板中心方向の段差３５のステップカ
バレージと基板外周方向の段差３６のステップカバレー
ジとでは大差が現われ、基板外周方向の段差３６のステ
ップカバン、−ジが低下する。この理由は基板の中心方
向から飛来するスパッタ原子３７の量に比べて基板外周
方向から飛来するスパッタ原子３８０景が少なくなるた
めである。このスパッタ原子の飛来量の差は、第４図に
おけるターゲット１と基板２の位置関係を見れば明白で
ある。
更に付営すると、半導体技術の急速な進歩はウェハの径
をも急速に大きくしている。その結果、大きいウェハ上
に均一な膜を形成するためには大径のウェハに見合うだ
けの大径のカソード、′犬径のターゲットを必要とし、
必然的に装置の大型化をまねく。従って如何にすれば小
屋の装置で大径のウェハ上に均一な膜、均一なステ、プ
ヵバレージを形成するかは、大きい技術課題となってい
る。
をも急速に大きくしている。その結果、大きいウェハ上
に均一な膜を形成するためには大径のウェハに見合うだ
けの大径のカソード、′犬径のターゲットを必要とし、
必然的に装置の大型化をまねく。従って如何にすれば小
屋の装置で大径のウェハ上に均一な膜、均一なステ、プ
ヵバレージを形成するかは、大きい技術課題となってい
る。
（発明の目的）
本発明は現在の枚葉処理型スパッタリング装置が直面し
ている前述の問題を解決し、小型の装置で大径のウェハ
上に均一な膜厚、均一なステップカバレージの膜を形成
できる装置の提供を目的とする。
ている前述の問題を解決し、小型の装置で大径のウェハ
上に均一な膜厚、均一なステップカバレージの膜を形成
できる装置の提供を目的とする。
（発明の構成）
本発明は、基板はその表面と直交する回転軸のまわりに
所定速度で回転せしめ、スパッタリングターゲットの中
心からターゲットの表面に立てた垂線は前記基板表面と
交叉せしめ、前記基板と前記スパッタリングターゲット
とを非平行に対向配置する構成のスパッタリング装置に
よって、上記目的を達成したものである。
所定速度で回転せしめ、スパッタリングターゲットの中
心からターゲットの表面に立てた垂線は前記基板表面と
交叉せしめ、前記基板と前記スパッタリングターゲット
とを非平行に対向配置する構成のスパッタリング装置に
よって、上記目的を達成したものである。
（実施例）
筑１図は本発明の実施例であり、基板２はスパックリン
グターゲット１と対向配置されているが、従来の装置と
違って、基板２の表面とスパッタリングターゲット１９
表面は平行でない。又、基板２は、その中心５１を通り
基板表面に垂直な回転軸５０のまわりに一定速度で回転
している。この基板の中心５１は、スパックリングター
ゲット１の中心軸４０蕉長上に雷がれ、基板の回転軸５
゜はスパッタリングターゲットの中心軸４に対し角度θ
だゆ傾いている。この構成によれば、基板中央部に入射
するスパッタリング原子５２の量及び角度と、基板外周
部に入射するスパッタリング原子５３の平均入射角度及
び平均入射量をはぼ等しくすることができ、前述したス
テップカバレージ分布の問題を解決することができる。
グターゲット１と対向配置されているが、従来の装置と
違って、基板２の表面とスパッタリングターゲット１９
表面は平行でない。又、基板２は、その中心５１を通り
基板表面に垂直な回転軸５０のまわりに一定速度で回転
している。この基板の中心５１は、スパックリングター
ゲット１の中心軸４０蕉長上に雷がれ、基板の回転軸５
゜はスパッタリングターゲットの中心軸４に対し角度θ
だゆ傾いている。この構成によれば、基板中央部に入射
するスパッタリング原子５２の量及び角度と、基板外周
部に入射するスパッタリング原子５３の平均入射角度及
び平均入射量をはぼ等しくすることができ、前述したス
テップカバレージ分布の問題を解決することができる。
基板２は回転軸５０の周囲を一定速度奪で回転している
為基板上半径方向の膜厚分布は、従来よりもはるかに均
一にすることができる。
為基板上半径方向の膜厚分布は、従来よりもはるかに均
一にすることができる。
回転軸５０とスパッタリングターゲットの中心軸４のな
す角度θは、基板２内の膜厚分布及びステップカバレー
ジが最良になるような値に設定される。ステップカバレ
ージに対する最適なスパッタリング原子の入射角度につ
いては、Ｉ参Ａ・Ｂｌｅｃｈ （ｓｏ目ｄ ５ｔａｔ
ｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／日本版／Ｍａｒｃｈ １
９８４ ）に詳細な報告がありそのデーターを参考にし
てその最適値を決定することができる。Ｉ ” Ａ Ｉ
ＩＢｌｅｃｈによれば最適なステップカバレージを得る
ためには、スパッタリング原子の入射角度の分布を現わ
す気相分布関数を求め、その中心角（気相分布関数のピ
ークとなる入射角度−最も多くの原子が入射してくる角
度）及び半値角（気相分布関数の広がりを示す角度）を
適値に設定すべきである。
す角度θは、基板２内の膜厚分布及びステップカバレー
ジが最良になるような値に設定される。ステップカバレ
ージに対する最適なスパッタリング原子の入射角度につ
いては、Ｉ参Ａ・Ｂｌｅｃｈ （ｓｏ目ｄ ５ｔａｔ
ｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／日本版／Ｍａｒｃｈ １
９８４ ）に詳細な報告がありそのデーターを参考にし
てその最適値を決定することができる。Ｉ ” Ａ Ｉ
ＩＢｌｅｃｈによれば最適なステップカバレージを得る
ためには、スパッタリング原子の入射角度の分布を現わ
す気相分布関数を求め、その中心角（気相分布関数のピ
ークとなる入射角度−最も多くの原子が入射してくる角
度）及び半値角（気相分布関数の広がりを示す角度）を
適値に設定すべきである。
それらの値は段差の形状によっても異なるが、中心角は
３０６〜６０″、半値角は４０″〜６０°程度が良いと
している。この値を本発明にあてはめると、中心角は回
転軸５０と中心軸４のなす角θに相当し、半値角は、ス
パッタリングターゲット１の大きさ、スパッタリングタ
ーゲット１と基板２との距離、そしてスパッタリングガ
スの圧力によって変化する債となる（すなわち回転軸５
０−と中心軸４のなす角度θは３０″〜６０°の間の任
意の値に設定すれば良く、一方半値角は、スパッタリン
グターゲット１の大きさ、ス／くツタリングターゲット
１と基板２との距離、そしてスパッタリングガスの圧力
等によって適値を選定することになる。
３０６〜６０″、半値角は４０″〜６０°程度が良いと
している。この値を本発明にあてはめると、中心角は回
転軸５０と中心軸４のなす角θに相当し、半値角は、ス
パッタリングターゲット１の大きさ、スパッタリングタ
ーゲット１と基板２との距離、そしてスパッタリングガ
スの圧力によって変化する債となる（すなわち回転軸５
０−と中心軸４のなす角度θは３０″〜６０°の間の任
意の値に設定すれば良く、一方半値角は、スパッタリン
グターゲット１の大きさ、ス／くツタリングターゲット
１と基板２との距離、そしてスパッタリングガスの圧力
等によって適値を選定することになる。
基板内膜厚分布に対しても、同様に、スパッタリングタ
ーゲット１の大きさ、スパッタリングターゲット１と基
板２との距離等によって膜厚分布が最良になるような角
度θを設定する。但しこの場合の角度θは先に述べた３
０°〜６０°とは必ずしも一致しないが、両者の間には
障害を生ずるほどの相違具は見られない。
ーゲット１の大きさ、スパッタリングターゲット１と基
板２との距離等によって膜厚分布が最良になるような角
度θを設定する。但しこの場合の角度θは先に述べた３
０°〜６０°とは必ずしも一致しないが、両者の間には
障害を生ずるほどの相違具は見られない。
基板の回転に関して言えば、基板内の径方向に対する膜
質の均一化を図る為には膜付は処理の開始から終了まで
に、数回転から数十回転することｂ′−望ましく、例え
ば膜付は時間が一分間程度であれば回転速度は毎分数回
転から数十回転の速度を採用すべきである。
質の均一化を図る為には膜付は処理の開始から終了まで
に、数回転から数十回転することｂ′−望ましく、例え
ば膜付は時間が一分間程度であれば回転速度は毎分数回
転から数十回転の速度を採用すべきである。
第２図は本発明の別の実施例であり第１図の実施例と同
様に、基板２はその中心５１を通り基板表面に乎直な回
転軸５０を軸にして一定速度で回転し、回転軸５０はス
パッタリングターゲット１の中心軸４とは角度θだゆ傾
いている。この実施例が先の実施例と異なる点は、中心
軸４の延長線が基板２の中心５１を外れて点５５を通過
することである。この構成により、基板内の膜厚分布及
びステップカバレージ分布の均一化をより精度のよ℃・
ものにすることができる。
様に、基板２はその中心５１を通り基板表面に乎直な回
転軸５０を軸にして一定速度で回転し、回転軸５０はス
パッタリングターゲット１の中心軸４とは角度θだゆ傾
いている。この実施例が先の実施例と異なる点は、中心
軸４の延長線が基板２の中心５１を外れて点５５を通過
することである。この構成により、基板内の膜厚分布及
びステップカバレージ分布の均一化をより精度のよ℃・
ものにすることができる。
第３図は本発明の更に別の実施例であり先の二つの実施
例と同様に基板２はその中心５１を通り基板表面に垂直
な回転軸５０を軸にして一定速度で回転し、回転軸５０
はスパッタリングターゲット１の中心軸４とは角度θだ
け傾いている。第３図の実施例が第１図の実施例と異な
る点は、先づ、第２図のときと同様に、中心軸４の市長
線が基板２の中心５１と外周５４を結ぶ直綾の中央付近
５６を通過することである。そしてこれに加えて、本実
施例の場合はスパッタリングターゲット１の径が基板２
の径の約半分の大きさよりも若干大きい程度の小径にな
り装置を小型化している。この構成の装ｆｌＫよる処理
では、基板２上には、スパッタリングターゲット１に面
した部分にのみ膜が形成されることになるが、基板２は
回転軸５１を中心に回転している為、結果的には基板面
全面に均一な膜を付けることができる。
例と同様に基板２はその中心５１を通り基板表面に垂直
な回転軸５０を軸にして一定速度で回転し、回転軸５０
はスパッタリングターゲット１の中心軸４とは角度θだ
け傾いている。第３図の実施例が第１図の実施例と異な
る点は、先づ、第２図のときと同様に、中心軸４の市長
線が基板２の中心５１と外周５４を結ぶ直綾の中央付近
５６を通過することである。そしてこれに加えて、本実
施例の場合はスパッタリングターゲット１の径が基板２
の径の約半分の大きさよりも若干大きい程度の小径にな
り装置を小型化している。この構成の装ｆｌＫよる処理
では、基板２上には、スパッタリングターゲット１に面
した部分にのみ膜が形成されることになるが、基板２は
回転軸５１を中心に回転している為、結果的には基板面
全面に均一な膜を付けることができる。
第４図に示した従来の実施例あるいは第１図に示した本
発明の実施例では、均一な膜質な得るためにスパッタリ
ングターゲット１の径は基板２の径の約２倍稈度の大き
さであることが必要である。
発明の実施例では、均一な膜質な得るためにスパッタリ
ングターゲット１の径は基板２の径の約２倍稈度の大き
さであることが必要である。
これに対して第３図の実施例の構成では、ステップカバ
レージの分布に関しては、第１図の実施例で述べたと同
程度の性能を維持したままスパッタリングターゲット１
の大きさを小さくすることができる。
レージの分布に関しては、第１図の実施例で述べたと同
程度の性能を維持したままスパッタリングターゲット１
の大きさを小さくすることができる。
更にこの図の実施例においては、上記のほかに、スパッ
タリングターゲットｌと基板２の間にスパッタ原子を遮
蔽する遮蔽板５７を設けている。この付設によってば、
これが無い場合に較べて、膜厚分布、ステップカバレ−
ジ分布を修正補償することができ、均一化を一層高める
効果が生まれる。
タリングターゲットｌと基板２の間にスパッタ原子を遮
蔽する遮蔽板５７を設けている。この付設によってば、
これが無い場合に較べて、膜厚分布、ステップカバレ−
ジ分布を修正補償することができ、均一化を一層高める
効果が生まれる。
この遮蔽板５７の付設は、第１図、第２図の実施例の場
合にも効果を生ずる。しかし最も効果が大きいのは第３
図の実施例の場合である。
合にも効果を生ずる。しかし最も効果が大きいのは第３
図の実施例の場合である。
（発明の効果）
本発明によれば、基板内の膜厚分布、ステップカバレー
ジ分布の均一化が図れると共に、基板が大きくなった場
合にでもスパッタリングターゲットを犬にすることなく
、、Ｊ−型の装置で良質のスパッタリング膜を得ること
ができる。
ジ分布の均一化が図れると共に、基板が大きくなった場
合にでもスパッタリングターゲットを犬にすることなく
、、Ｊ−型の装置で良質のスパッタリング膜を得ること
ができる。
第１図は、本発明の実施例の枚葉処理型スパッタリング
ｉｔのスパッタリングターゲットと基板の位置関係を表
わした断面図。 第２図は、別の実施例の同様の図。 第３図は、更に別の実施例の同様の図。 第４図は、従来の装置の同種の図。 第５図は、ステップカバレージを説明する断面図。 第６図は、ノ＆板上に形成されている段差に対する薄膜
のステップカバレージの分布を示す断面図。 １・・・スパッタリングターゲット、 ２・・・基
板３・・・スパッタリン゛グカンード、 ４・・・スパッタリングターゲットの中心線、５０・・
・基板の回転軸、 ５１・・・基板の中心、５４・・・
基板の外周、 ５６・・・基板の中心と外周を結ぶ
直線の中間付近の位潅、５７・・・スパッタ粒子の遮蔽
板、 θ・・・基板の回転軸とターゲットに立てた垂
ｉａのなす角。
ｉｔのスパッタリングターゲットと基板の位置関係を表
わした断面図。 第２図は、別の実施例の同様の図。 第３図は、更に別の実施例の同様の図。 第４図は、従来の装置の同種の図。 第５図は、ステップカバレージを説明する断面図。 第６図は、ノ＆板上に形成されている段差に対する薄膜
のステップカバレージの分布を示す断面図。 １・・・スパッタリングターゲット、 ２・・・基
板３・・・スパッタリン゛グカンード、 ４・・・スパッタリングターゲットの中心線、５０・・
・基板の回転軸、 ５１・・・基板の中心、５４・・・
基板の外周、 ５６・・・基板の中心と外周を結ぶ
直線の中間付近の位潅、５７・・・スパッタ粒子の遮蔽
板、 θ・・・基板の回転軸とターゲットに立てた垂
ｉａのなす角。
Claims (5)
- （１）１個のスパッタリングターゲットと、該スパッタ
リングターゲットから飛来するスパッタリング原子によ
って被膜されるべき１個の基板とが対向配置される構成
のスパッタリング装置において、該基板はその表面と直
交する回転軸の回りに所定の速度で回転せしめ、該スパ
ッタリングターゲットの中心からその表面に立てた垂線
は、該回転運動をする基板表面と交叉せしめ、該基板と
該スパッタリングターゲットとを非平行に対向配置した
ことを特徴とするスパッタリング装置。 - （２）該垂線が回転運動する該基板表面と交叉する点は
該基板面のほぼ中心であり、さらに該基板の回転軸は該
基板面のほぼ中心を通過するような構造である特許請求
の範囲第１項記載のスパッタリング装置。 - （３）該垂線が回転運動する該基板表面と交叉する点は
該基板のほぼ中心と外周との中間であり、さらに該基板
の回転軸は該基板面のほぼ中心を通過するような構造で
ある特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング装置。 - （４）回転運動する該基板及び静止する該ターゲットは
いずれも円板形状をしており、該ターゲットよりも小さ
くかつ該基板の直径 の直径は該基板の直径よりも小さくかつ該基板の直径の
１／２よりも大きい寸法であって、該基板上に均一な厚
みの膜が形成されるよう該基板表面と該ターゲット表面
のなす角が選定されていることを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載のスパッタリング装置。 - （５）該基板と該ターゲットの間に、スパッタ粒子の飛
行を制限する遮蔽板を設けたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13996984A JPS6119774A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13996984A JPS6119774A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119774A true JPS6119774A (ja) | 1986-01-28 |
Family
ID=15257880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13996984A Pending JPS6119774A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6119774A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147013A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-20 | Saga Kiso Kogyo:Kk | 杭引き抜き装置 |
| JPS63162867A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
| JPH02107757A (ja) * | 1988-10-15 | 1990-04-19 | Koji Hashimoto | アモルファス超格子合金の作製法 |
| JP2009158975A (ja) * | 2009-04-08 | 2009-07-16 | Canon Anelva Corp | 磁気媒体の製造法及びｍｒａｍの製造法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947741A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP13996984A patent/JPS6119774A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947741A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63147013A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-20 | Saga Kiso Kogyo:Kk | 杭引き抜き装置 |
| JPH0371533B2 (ja) * | 1986-12-08 | 1991-11-13 | Saga Kiso Kogyo Jugen | |
| JPS63162867A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
| JPH02107757A (ja) * | 1988-10-15 | 1990-04-19 | Koji Hashimoto | アモルファス超格子合金の作製法 |
| JP2009158975A (ja) * | 2009-04-08 | 2009-07-16 | Canon Anelva Corp | 磁気媒体の製造法及びｍｒａｍの製造法 |
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