TWI711712B - 鍍膜設備 - Google Patents

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Abstract

一種鍍膜設備包括：加工腔室、旋轉裝置以及旋轉承載座。旋轉裝置係設置於前述加工腔室中。旋轉承載座係連接至前述旋轉裝置。旋轉承載座包括：兩個延伸元件、兩個容納元件以及兩個銷。前述延伸元件圍繞中心軸設置且相互分離，其中前述延伸元件的每一者具有一側面。前述容納元件的每一者具有一底面，前述容納元件的其中一者係連接至前述側面的其中一者，且前述容納元件的另一者係連接至前述側面的另一者。前述銷的其中一者係連接至前述底面的其中一者，且前述銷的另一者係連接至前述底面的另一者。

Description

鍍膜設備
本揭露實施例係有關於一種鍍膜設備，特別是有關於一種具有旋轉承載座的鍍膜設備。
在傳統技術中，物理氣相沉積（physical vapor deposition；PVD）設備係配置以在晶圓上蒸鍍薄膜。鍍膜設備包括旋轉承載座及蒸鍍裝置。旋轉承載座係配置以容納並旋轉晶圓。旋轉承載座係設置於蒸鍍裝置上方，且蒸鍍裝置係配置以施加鍍膜材料於晶圓的底面上。
然而，一般而言，位於晶圓邊緣上的鍍膜材料並不均勻，而可能造成晶圓邊緣的鍍膜品質不佳，以及晶圓邊緣的使用率偏低。
雖然現有的物理氣相沉積（PVD）設備普遍足以達到其設計的目的，但在各方面仍未完全地令人滿意。因此，需要提供一種解決方案來改良物理氣相沉積設備。
本揭露實施例提供一種鍍膜設備。可透過前述鍍膜設備改善目標物件之邊緣的鍍膜品質及一致性。
本揭露實施例提供一種鍍膜設備，包括：加工腔室、旋轉裝置以及旋轉承載座。旋轉裝置係設置於前述加工腔室中。旋轉承載座係連接至前述旋轉裝置。旋轉承載座包括：兩個延伸元件、兩個容納元件以及兩個銷。前述延伸元件圍繞中心軸設置且相互分離，其中前述延伸元件的每一者具有一側面。前述容納元件的每一者具有一底面，前述容納元件的其中一者係連接至前述側面的其中一者，且前述容納元件的另一者係連接至前述側面的另一者。前述銷的其中一者係連接至前述底面的其中一者，且前述銷的另一者係連接至前述底面的另一者。
在一些實施例中，目標物件係放置於前述銷上，並位於前述容納元件之間，且前述中心軸通過前述目標物件的中心。前述延伸元件、前述容納元件和前述銷圍繞前述中心軸，且前述銷朝向前述中心軸延伸。
在一些實施例中，前述銷的其中一者和前述中心軸之間的距離小於前述容納元件的其中一者和前述中心軸之間的距離。
在一些實施例中，前述容納元件的其中一者的長度係介於4 mm至10 mm的範圍內，且前述容納元件的長度係在垂直於前述中心軸的方向上量測。
在一些實施例中，前述銷的其中一者的長度係介於4 mm至10 mm的範圍內，且前述銷的長度係在垂直於前述中心軸的方向上量測。
在一些實施例中，前述銷的其中一者的厚度係介於1 mm至3 mm的範圍內，且前述銷的厚度係在平行於前述中心軸的方向上量測。
在一些實施例中，前述旋轉裝置係配置以將前述旋轉承載座圍繞主軸旋轉。前述旋轉承載座垂直於前述主軸延伸。前述主軸係平行於前述中心軸且與前述中心軸分離。
在一些實施例中，前述延伸元件的側面垂直於前述容納元件的底面延伸。在一些實施例中，在一剖視圖中，前述延伸元件的側面為彎曲表面，前述容納元件的底面為平坦表面，且在一平面圖中，前述延伸元件的側面和前述容納元件的底面呈C字形。
在一些實施例中，前述目標物件具有一對位標記和一識別標記，且前述銷的其中一者覆蓋前述對位標記或前述識別標記。在一些實施例中，一間隙係形成於前述延伸元件的兩相鄰端部之間。
在一些實施例中，前述旋轉承載座更包括：主底座以及兩個支撐框架。主底座係連接至前述旋轉裝置。前述支撐框架的其中一者係連接至前述延伸元件的其中一者及前述主底座，且前述支撐框架的另一者係連接至前述延伸元件的另一者及前述主底座。底部空間係形成於前述支撐框架之間，且接收空間係形成於前述延伸元件的側面之間，並與前述底部空間連通。前述容納元件及前述銷係位於前述接收空間中。
在一些實施例中，前述中心軸通過前述底部空間的中心和前述接收空間的中心。前述底部空間的寬度大於前述接收空間的寬度。前述底部空間和前述接收空間的寬度係在垂直於前述中心軸的方向測量。
在一些實施例中，前述底部空間的寬度是前述接收空間的寬度的1.01倍至1.1倍。在一些實施例中，前述接收空間的寬度比前述目標物件的寬度大4 mm至20 mm，且前述底部空間的寬度比前述目標物件的寬度大28 mm至64 mm。
在一些實施例中，前述支撐框架的每一者具有一側面，前述延伸元件的每一者更具有一底面，前述底面的其中一者係連接至前述支撐框架的側面的其中一者，且前述底面的另一者係連接至前述支撐框架的側面的另一者。前述支撐框架的側面垂直於前述延伸元件的底面延伸。
在一些實施例中，在一剖視圖中，前述延伸元件的側面為彎曲表面，前述容納元件的底面為平坦表面，且在一平面圖中，前述延伸元件的側面和前述容納元件的底面呈C字形。
在一些實施例中，前述支撐框架的每一者更具有一側面，前述容納元件的其中一者的一端和前述支撐框架的側面的其中一者之間在垂直於前述側面之方向上的距離係介於18 mm至30 mm的範圍內，且前述支撐框架的前述側面係接近於前述容納元件。
在一些實施例中，前述鍍膜設備更包括蒸鍍裝置，設置於前述加工腔室中以及前述旋轉承載座下方。前述蒸鍍裝置係配置以朝向前述目標物件施加鍍膜材料。
在一些實施例中，前述鍍膜設備更包括：真空裝置以及離子輔助沉積裝置。前述真空裝置係連接至前述加工腔室，且配置以使前述加工腔室真空。前述離子輔助沉積裝置係設置於前述加工腔室中，且配置以發射離子至前述旋轉承載座。
綜上所述，本揭露的鍍膜設備使用旋轉承載座以容納目標物件。取決於銷的設計，減少目標物件邊緣之被覆蓋的區域，因而可改善目標物件邊緣之鍍膜表現及使用率。此外，取決於延伸元件及底部空間的設計，可改善目標物件之加工表面邊緣的鍍膜品質及鍍膜一致性。
以下之說明提供了許多不同的實施例、或是範例，用來實施本發明之不同特徵。以下特定範例所描述的元件和排列方式，僅用來精簡的表達本發明，其僅作為範例，而並非用以限制本發明。例如，第一特徵在一第二特徵上或上方的結構之描述包括了第一和第二特徵之間直接接觸，或是以另一特徵設置於第一和第二特徵之間，以致於第一和第二特徵並不是直接接觸。
再者，本說明書於不同的範例中沿用了相同的元件標號及/或文字。前述之沿用僅為了簡化以及明確，並不表示於不同的實施例以及設定之間必定有關聯。此外，圖式中之形狀、尺寸、以及厚度可能為了清楚說明之目的而未依照比例繪製或是被簡化，僅提供說明之用。
第1圖係根據一些實施例之鍍膜設備A1的示意圖。鍍膜設備A1係配置以施加鍍膜材料於目標物件T1上。在一些實施例中，鍍膜設備A1為物理氣相沉積（PVD）設備。鍍膜材料可以是絕緣材料或導電材料，但不限於此。在一些實施例中，目標物件T1為半導體晶圓，但不限於此。此外，在鍍膜製程之後，可在目標物件T1上形成薄膜（例如光學薄膜或絕緣薄膜）。
鍍膜設備A1包括加工腔室A10、旋轉裝置A20、旋轉承載座A30、蒸鍍裝置A40、儲存裝置A50、真空裝置A60以及離子輔助沉積（ion assisted deposition；IAD）裝置A70。旋轉裝置A20係設置於加工腔室A10中，且連接至旋轉承載座A30。旋轉裝置A20係配置以將旋轉承載座A30圍繞主軸AX1旋轉。在一些實施例中，主軸AX1可以是垂直軸。
旋轉承載座A30係位於加工腔室A10中，且連接至旋轉裝置A20。旋轉承載座A30係配置以容納一或多個目標物件T1，且圍繞主軸AX1旋轉目標物件T1。在一些實施例中，旋轉承載座A30可以是盤狀結構，且大致垂直於主軸AX1延伸。在本實施例中，用語「大致垂直於」包括「垂直於」的意義。
蒸鍍裝置A40係設置於加工腔室A10中以及旋轉承載座A30下方。蒸鍍裝置A40係配置以朝向目標物件T1施加鍍膜材料。在此實施例中，蒸鍍裝置A40係配置以朝向目標物件T1的加工表面T11施加不同的鍍膜材料。在旋轉承載座A30旋轉的期間，目標物件T1可依序通過且位於蒸鍍裝置A40上方。
儲存裝置A50係設置於加工腔室A10中，且連接至蒸鍍裝置A40。儲存裝置A50係配置以容納鍍膜材料，且將鍍膜材料供應至蒸鍍裝置A40。在一些實施例中，儲存裝置A50係位於加工腔室A10之外，並以管線連接至蒸鍍裝置A40。
真空裝置A60係連接至加工腔室A10，且配置以在鍍膜製程中使加工腔室A10真空。在一些實施例中，真空裝置A60係在蒸鍍裝置A40施加鍍膜材料至目標物件T1之前使加工腔室A10真空。在一些實施例中，鍍膜設備A1可不包括真空裝置A60。
離子輔助沉積裝置A70係設置於加工腔室A10中，且配置以發射離子至旋轉承載座A30。離子輔助沉積裝置A70係配置以改善鍍膜材料與目標物件T1的結合，使得目標物件T1上的鍍膜材料更為密集。離子輔助沉積裝置A70可沿主軸AX1位於旋轉裝置A20和旋轉承載座A30下方。在一些實施例中，鍍膜設備A1可不包括離子輔助沉積裝置A70。
在一些實施例中，鍍膜設備A1更包括加熱裝置（未圖示），設置於加工腔室A10中且配置以加熱加工腔室A10。加熱裝置係配置以改善鍍膜材料與目標物件T1的結合。在一些實施例中，鍍膜設備A1可不包括加熱裝置。
第2圖係根據一些實施例之旋轉承載座A30的俯視圖。第3圖係根據一些實施例之旋轉承載座A30的仰視圖。第4圖係第3圖的部分A之放大圖，其中在第4圖中繪示有一個目標物件T1。旋轉承載座A30包括主底座10、支撐框架20、延伸元件30、容納元件40以及銷50。
主底座10係連接至旋轉裝置A20。旋轉裝置A20可連接至主底座10的中心，但不限於此。在一些實施例中，旋轉裝置A20可連接至主底座10的邊緣。主軸AX1可通過主底座10的中心。在一些實施例中，主底座10可以是盤狀結構，且大致垂直於主軸AX1延伸。
支撐框架20係連接至主底座10和延伸元件30。支撐框架20圍繞主底座10，且以徑向排列的方式設置於主底座10上。支撐框架20可在垂直於主軸AX1的不同方向上延伸。在此實施例中，支撐框架20彼此相互分離。在一些實施例中，支撐框架20的每一者係直接連接至相鄰的支撐框架20。
在此實施例中，支撐框架20係可拆卸地設置於主底座10上。在一些實施例中，支撐框架20和主底座10可形成為單一構件。支撐框架20和主底座10可由相同的材料製成。在一些實施例中，支撐框架20和主底座10係由金屬或硬塑膠製成。
在一些實施例中，設置有六個支撐框架20，但不限於此。在一些實施例中，設置有至少四個支撐框架20。舉例而言，設置有十個或二十個支撐框架20。
延伸元件30係連接至支撐框架20。在此實施例中，每一個支撐框架20皆連接至兩個延伸元件30，但不限於此。前述兩個延伸元件30係設置於一個支撐框架20的相對兩側。
延伸元件30呈C字形。在此實施例中，兩相鄰的延伸元件30沿一環狀路徑延伸。此外，兩相鄰的延伸元件30圍繞目標物件T1。延伸元件30的長度係對應於目標物件T1周長的一半。在一些實施例中，延伸元件30的長度係大於目標物件T1周長的四分之一。
在此實施例中，間隙G1係形成於支撐框架20之兩相鄰的端部和延伸元件30之間，且間隙G2係形成於支撐框架20之兩相鄰的端部和延伸元件30之間。兩相鄰的支撐框架20（或延伸元件30）、間隙G1及間隙G2係於環狀路徑中排列且形成一圓形。
在一些實施例中，未設置有間隙G1，且支撐框架20之兩相鄰的端部和延伸元件30係相互連接。在一些實施例中，未設置有間隙G2，且支撐框架20之兩相鄰的端部和延伸元件30係相互連接。
在一些實施例中，支撐框架20以及連接至支撐框架20的延伸元件30可形成為單一構件。延伸元件30和支撐框架20可由相同的材料製成。在一些實施例中，延伸元件30和支撐框架20係由金屬或硬塑膠製成。
容納元件40係連接至支撐框架20。在此實施例中，每一個容納元件40係連接至支撐框架20的其中一者。容納元件40呈C字形。在此實施例中，兩相鄰的容納元件40沿一環狀路徑延伸。此外，兩相鄰的容納元件40圍繞目標物件T1。容納元件40的長度係對應於目標物件T1周長的一半。在一些實施例中，容納元件40的長度係大於目標物件T1周長的四分之一。
在此實施例中，容納元件40以及連接至容納元件40的延伸元件30可形成為單一構件。容納元件40和延伸元件30可由相同的材料製成。在一些實施例中，容納元件40和延伸元件30係由金屬或硬塑膠製成。
銷50係連接至容納元件40。銷50係可拆卸地設置於容納元件40上。銷50可透過螺絲固定至容納元件40上。銷50和容納元件40可由相同或不同的材料製成。在一些實施例中，銷50係由金屬或硬塑膠製成。
在此實施例中，設置有四個銷50，連接至容納元件40，但不限於此。在一些實施例中，設置有至少兩個或五個銷50，連接至容納元件40。在一些實施例中，銷50的數量係介於5至16的範圍內，以支撐單一個目標物件T1，但本揭露並不限於此。連接至兩相鄰的容納元件40的銷50係於一環狀路徑排列。在一些實施例中，銷50係平均地分布於前述環狀路徑上。銷50係配置以支撐目標物件T1的邊緣。
銷50可具有不同或相同的形狀。在一些實施例中，目標物件T1具有對位標記M1和識別標記M2。部分的銷50覆蓋對位標記M1和識別標記M2。在此實施例中，覆蓋對位標記M1和識別標記M2的銷50呈L字形。未覆蓋對位標記M1和識別標記M2的銷50呈長條形，並具有相同的形狀和尺寸。因此，銷50可保護對位標記M1和識別標記M2，使其不會被鍍膜材料所覆蓋。
在一些實施例中，對位標記M1及/或識別標記M2亦可配置以支撐目標物件T1，因此，對位標記M1及/或識別標記M2不會由銷50所覆蓋。在一些實施例中，可在設置有對位標記M1及/或識別標記M2之處省略銷50。如此一來，可減少銷50的數量。
如第1、2圖所示，每一個中心軸AX2會通過目標物件T1的中心的其中一者。每一個中心軸AX2係平行於主軸AX1，且與主軸AX1分離。中心軸AX2係於一環狀路徑中排列。旋轉承載座A30可不圍繞中心軸AX2旋轉目標物件T1。
第5圖係沿第2圖之線BB的剖視圖，且在第5圖中繪示一個目標物件T1。第6圖係沿第2圖之線BB的剖視圖，且在第6圖中繪示一個目標物件T1，其中第6圖的比例尺大於第5圖。支撐框架20、容納元件40及銷50圍繞中心軸AX2，且銷50朝向中心軸AX2延伸。延伸元件30係圍繞中心軸AX2設置，且彼此相互分離。支撐框架20、延伸元件30及容納元件40係設置於參考平面P1上，且沿參考平面P1延伸。換言之，參考平面P1會通過支撐框架20、延伸元件30和容納元件40。另外，銷50係位於參考平面P1下方，在此實施例中，參考平面P1可垂直於中心軸AX2和主軸AX1（如第2圖所示）。
每一個支撐框架20具有一側面21、底面22及頂面23。側面21係連接至底面22和頂面23。側面21可垂直於底面22和頂面23。底面22可平行於頂面23，且垂直於中心軸AX2延伸。在此實施例中，在一剖視圖中，側面21為一彎曲表面，且在一平面圖中，側面21可呈C字形。在一剖視圖中，底面22可以是一平坦表面，且頂面23可以是一平坦表面。
延伸元件30係連接至側面21，且可垂直於側面21延伸。每一個延伸元件30具有一側面31、底面32及頂面33。側面31為一彎曲表面且呈C字形。側面31係連接至底面32和頂面33。側面31可垂直於底面32和頂面33。底面32可平行於頂面33，且垂直於中心軸AX2延伸。在此實施例中，在如第6圖所示之延伸元件30的剖視圖中，底面32可以是一平坦表面。在如第4圖所示之延伸元件30的仰視圖中，底面32呈C字形。在如第6圖所示之延伸元件30的剖視圖中，頂面33可以是一平坦表面。在如第2圖所示之延伸元件30的俯視圖中，頂面33呈C字形。
在此實施例中，底面32係連接至側面21，且側面21可垂直於底面32。此外，頂面33係連接至頂面23。換言之，頂面33和頂面23可形成為一平面。
容納元件40係連接至側面31，且可垂直於側面31延伸。容納元件40可於方向D1與底面32和頂面33的延伸分離。在此實施例中，方向D1係平行於中心軸AX2。在一些實施例中，容納元件40和頂面33之間的距離大於容納元件40和底面32之間的距離。
每一個容納元件40具有一底面41和一端部42。底面41係連接至側面31，且側面31可垂直於底面41。在此實施例中，底面41為一平坦表面且呈C字形。每一個端部42係面朝中心軸AX2，且與側面31分離。在一些實施例中，底面41係與目標物件T1的加工表面T11對齊。換言之，底面41及加工表面T11沿垂直於中心軸AX2的平面延伸。
在一些實施例中，容納元件40的長度L1係介於4 mm至10 mm的範圍內，或介於2 mm至5 mm的範圍內。長度L1係在垂直於中心軸AX2的方向（例如方向D2）測量。在一些實施例中，方向D2為垂直於中心軸AX2的任何方向。
在一些實施例中，容納元件40的端部42和支撐框架20的側面21之間在垂直於側面21的方向上的距離d1係介於18 mm至30 mm的範圍內，其中支撐框架20係接近於容納元件40的端部42。換言之，距離d1係在垂直於中心軸AX2的方向上測量。在一些實施例中，距離d1為約24 mm。
每一個銷50係連接至底面41，並可平行於底面41延伸。銷50可與側面31接觸或與側面31分離。目標物件T1係配置以放置在銷50上以及容納元件40之間。銷50係相對於側面31以垂直於中心軸AX2的方向凸出於連接至銷50的容納元件40。此外，銷50的端部相較於連接至銷50的容納元件40的端部42更接近中心軸AX2。亦即，銷50和中心軸AX2之間的距離小於容納元件40和中心軸AX2之間的距離。
在一些實施例中，銷50的長度L2係介於4 mm至10 mm的範圍內。在一些實施例中，銷50的長度L2大於容納元件40的長度L1。銷50的長度L2係在垂直於中心軸AX2的方向上測量。在一些實施例中，銷50的厚度L3係介於1 mm至3 mm的範圍內。在一些實施例中，銷50的厚度L3為約2 mm。銷50的厚度L3係在平行於中心軸AX2的方向上測量。
如第4、6圖所示，接觸目標物件T1的銷50的長度L4係介於2 mm至5 mm的範圍內，或小於5 mm。在此實施例中，長度L4為約3 mm。銷50與目標物件T1接觸的部分的寬度W4係介於2 mm至5 mm的範圍內。銷50之前述部分的長度L4係在垂直於中心軸AX2的方向上測量。銷50之前述部分的寬度W4係在垂直於長度L4的方向上測量。
如第4、6圖所示，目標物件T1的加工表面T11的邊緣被銷50所覆蓋的區域會減少。由於加工表面T11被旋轉承載座A30所遮蓋的區域較少，故鍍膜材料可蒸鍍於加工表面T11邊緣之大部分的區域上。因此，改善了目標物件T1（特別是加工表面T11的邊緣）的鍍膜表現，藉以改善目標物件T1的使用率。
如第6圖所示，底部空間S1係形成在兩相鄰的支撐框架20之兩相鄰的側邊21之間。接收空間S2係形成在側面31之間且與底部空間S1連通。容納元件40和銷50係位於接收空間S2中。在一些實施例中，銷50並不會位於底部空間S1中。
在此實施例中，中心軸AX2會通過底部空間S1的中心及接收空間S2的中心。底部空間S1的寬度W1係大於接收空間S2的寬度W2。寬度W1、W2係在垂直於中心軸AX2的方向（例如方向D2）上測量。
在一些實施例中，底部空間S1的寬度W1為接收空間S2的寬度W2的1.01倍至1.1倍。底部空間S1的寬度W1比目標物件T1的寬度W3大28 mm至64 mm。在一些實施例中，目標物件T1的寬度W3為目標物件T1的直徑。目標物件T1的寬度W3係介於150 mm至450 mm的範圍內，但不限於此。接收空間S2的寬度W2比目標物件T1的寬度W3大4 mm至20 mm。寬度W1、W2和W3係在垂直於中心軸AX2的方向（例如方向D2）上測量。
根據延伸元件30和底部空間S1的設計，提升目標物件T1之加工表面T11邊緣的鍍膜品質和鍍膜一致性，因而可改善目標物件T1的使用率或良率。
第7圖係根據一些實施例之旋轉承載座A30的剖視圖。在此實施例中，旋轉承載座A30不包括銷50。旋轉承載座A30包括支撐部60，連接至容納元件40。支撐部60係配置以支撐目標物件T1。
在此實施例中，支撐部60為沿容納元件40延伸的C字形。每一個支撐部60的長度大致上與每一個容納元件40的長度相同。因此，目標物件T1的加工表面T11邊緣幾乎被支撐部60所覆蓋。因此，第6圖中加工表面T11邊緣的鍍膜表現會優於第7圖中加工表面T11邊緣的鍍膜表現。
在此實施例中，延伸元件30的底面32係相對於中心軸AX2傾斜，且容納元件40的底面41係相對於中心軸AX2傾斜。底面32係連接至底面22及底面41。底面41係連接至底面32及支撐部60。
在鍍膜製程期間，朝向目標物件T1的加工表面T11的鍍膜材料會受延伸元件30和容納元件40的結構所影響。因此，第6圖中目標物件T1的加工表面T11邊緣的鍍膜品質和鍍膜一致性會優於第7圖中目標物件T1的加工表面T11邊緣的鍍膜品質和鍍膜一致性。
綜上所述，本揭露的鍍膜設備使用旋轉承載座以容納目標物件。取決於銷的設計，減少目標物件邊緣之被覆蓋的區域，因而可改善目標物件邊緣之鍍膜表現及使用率。此外，取決於延伸元件及底部空間的設計，可改善目標物件之加工表面邊緣的鍍膜品質及鍍膜一致性。
雖然本發明已透過範例並依據優選實施例來描述，但應了解的是本發明並不限於此。反之，本發明意在涵蓋（本發明所屬技術領域中具有通常知識者可顯而易見的）各種修改以及相似的排列。因此，應以最廣義的解釋方式認定後附申請專利範圍之範圍，以涵蓋所有上述的修改及相似的排列。
A1:鍍膜設備 A10:加工腔室 A20:旋轉裝置 A30:旋轉承載座 A40:蒸鍍裝置 A50:儲存裝置 A60:真空裝置 A70:離子輔助沉積裝置 AX1:主軸 AX2:中心軸 A:部分 BB:線 D1、D2:方向 d1:距離 G1、G2:間隙 L1、L2、L4:長度 L3:厚度 M1:對位標記 M2:識別標記 P1:參考平面 S1:底部空間 S2:接收空間 T1:目標物件 T11:加工表面 W1、W2、W3、W4:寬度 10:主底座 20:支撐框架 21、31:側面 22、32:底面 23、33:頂面 30:延伸元件 40:容納元件 41:底面 42:端部 50:銷 60:支撐部
第1圖係根據一些實施例之鍍膜設備的示意圖。 第2圖係根據一些實施例之旋轉承載座的俯視圖。 第3圖係根據一些實施例之旋轉承載座的仰視圖。 第4圖係第3圖的部分A之放大圖，其中在第4圖中繪示一個目標物件。 第5圖係沿第2圖之線BB的剖視圖，且在第5圖中繪示一個目標物件。 第6圖係沿第2圖之線BB的剖視圖，且在第6圖中繪示一個目標物件，其中第6圖的比例尺大於第5圖。 第7圖係根據一些實施例之旋轉承載座的剖視圖。
A30:旋轉承載座
AX2:中心軸
D1、D2:方向
d1:距離
L1、L2、L4:長度
L3:厚度
P1:參考平面
S1:底部空間
S2:接收空間
T1:目標物件
T11:加工表面
W1、W2、W3:寬度
20:支撐框架
21、31:側面
22、32:底面
23、33:頂面
30:延伸元件
40:容納元件
41:底面
42:端部
50:銷

Claims (10)

  1. 一種鍍膜設備，包括： 一加工腔室； 一旋轉裝置，設置於該加工腔室中；以及 一旋轉承載座，連接至該旋轉裝置，且包括： 兩個延伸元件，圍繞一中心軸設置且相互分離，其中該等延伸元件的每一者具有一側面； 兩個容納元件，其中該等容納元件的每一者具有一底面，該等容納元件的其中一者係連接至該等側面的其中一者，且該等容納元件的另一者係連接至該等側面的另一者；以及 兩個銷，其中該等銷的其中一者係連接至該等底面的其中一者，且該等銷的另一者係連接至該等底面的另一者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜設備，其中一目標物件係放置於該等銷上，並位於該等容納元件之間，該中心軸通過該目標物件的一中心，該等延伸元件、該等容納元件和該等銷圍繞該中心軸，且該等銷朝向該中心軸延伸。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之鍍膜設備，其中該等銷的其中一者和該中心軸之間的距離小於該等容納元件的其中一者和該中心軸之間的距離，該等容納元件的其中一者的一長度係介於4 mm至10 mm的範圍內，且該等容納元件之該者的該長度係在垂直於該中心軸的方向上量測，該等銷的其中一者的一長度係介於4 mm至10 mm的範圍內，且該等銷之該者的該長度係在垂直於該中心軸的方向上量測。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之鍍膜設備，其中該等銷的其中一者的一厚度係介於1 mm至3 mm的範圍內，該等銷之該者的該厚度係在平行於該中心軸的方向上量測，該旋轉裝置係配置以將該旋轉承載座圍繞一主軸旋轉，該旋轉承載座垂直於該主軸延伸，該主軸係平行於該中心軸且與該中心軸分離。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之鍍膜設備，更包括一蒸鍍裝置，設置於該加工腔室中以及該旋轉承載座下方，其中該蒸鍍裝置係配置以朝向該目標物件施加一鍍膜材料，該目標物件具有一對位標記和一識別標記，且該等銷的其中一者覆蓋該對位標記或該識別標記。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之鍍膜設備，其中該旋轉承載座更包括： 一主底座，連接至該旋轉裝置；以及 兩個支撐框架，其中該等支撐框架的其中一者係連接至該等延伸元件的其中一者及該主底座，且該等支撐框架的另一者係連接至該等延伸元件的另一者及該主底座， 其中一底部空間係形成於該等支撐框架之間，一接收空間係形成於該等延伸元件的該等側面之間，並與該底部空間連通，且該等容納元件及該等銷係位於該接收空間中。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之鍍膜設備，其中該中心軸通過該底部空間的中心和該接收空間的中心，該底部空間的寬度大於該接收空間的寬度，且該底部空間和該接收空間的該等寬度係在垂直於該中心軸的方向測量，該底部空間的該寬度是該接收空間的該寬度的1.01倍至1.1倍，該接收空間的該寬度比該目標物件的寬度大4 mm至20 mm，且該底部空間的該寬度比該目標物件的該寬度大28 mm至64 mm。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之鍍膜設備，其中該等支撐框架的每一者具有一側面，該等延伸元件的每一者更具有一底面，該等底面的其中一者係連接至該等支撐框架的該等側面的其中一者，且該等底面的另一者係連接至該等支撐框架的該等側面的另一者， 其中該等支撐框架的該等側面垂直於該等延伸元件的該等底面延伸， 其中在一剖視圖中，該等延伸元件的該等側面為彎曲表面，該等容納元件的該等底面為平坦表面，且在一平面圖中，該等延伸元件的該等側面和該等容納元件的該等底面呈C字形， 其中該等支撐框架的每一者更具有一側面，該等容納元件的其中一者的一端和該等支撐框架的該等側面的其中一者之間在垂直於該等側面的該者之方向上的距離係介於18 mm至30 mm的範圍內，且該等支撐框架的該等側面的該者係接近於該等容納元件之該者。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜設備，更包括： 一真空裝置，連接至該加工腔室，且配置以使該加工腔室真空；以及 一離子輔助沉積裝置，設置於該加工腔室中，且配置以發射離子至該旋轉承載座， 其中一間隙係形成於該等延伸元件的兩相鄰端部之間。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜設備，其中該等延伸元件的該等側面垂直於該等容納元件的該等底面延伸，在一剖視圖中，該等延伸元件的該等側面為彎曲表面，該等容納元件的該等底面為平坦表面，且在一平面圖中，該等延伸元件的該等側面和該等容納元件的該等底面呈C字形。
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