TWI655710B - 使用夾具的半導體製造用之部件製作方法及設備 - Google Patents

使用夾具的半導體製造用之部件製作方法及設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI655710B
TWI655710B TW106144308A TW106144308A TWI655710B TW I655710 B TWI655710 B TW I655710B TW 106144308 A TW106144308 A TW 106144308A TW 106144308 A TW106144308 A TW 106144308A TW I655710 B TWI655710 B TW I655710B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
base material
jig
manufacturing
semiconductor manufacturing
vapor
Prior art date
Application number
TW106144308A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201828402A (zh
Inventor
金基源
Original Assignee
韓商韓國東海炭素股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 韓商韓國東海炭素股份有限公司 filed Critical 韓商韓國東海炭素股份有限公司
Publication of TW201828402A publication Critical patent/TW201828402A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI655710B publication Critical patent/TWI655710B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明涉及在幹式蝕刻工序中利用的半導體製造用部件的製造方法及用於其的夾具，本發明的利用夾具的半導體製造用部件的製造方法包括：準備母材的步驟；通過夾具支撐上述母材的至少一面的步驟；向通過上述夾具支撐的上述母材噴射原料氣體來形成蒸鍍層的步驟；以及對形成上述蒸鍍層的上述母材進行加工的步驟，上述夾具的剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加。

Description

使用夾具的半導體製造用之部件製作方法及設備
本發明涉及在幹式蝕刻工序中使用的半導體製造用部件的製造方法及可用於其的夾具。
通常，作為在半導體製造工序中使用的等離子處理工法、幹式蝕刻工序中的一種，使用氣體來對目標進行蝕刻的方法。向反應容器內注入蝕刻氣體並進行離子化之後，向晶元表面加速，來以物理、化學去除晶元表面的工序。上述方法中，蝕刻的調節簡單，生產性高，可形成數十nm水準的微細圖案，從而廣泛使用。
包括幹式蝕刻裝置內的聚焦環在內的多種半導體製造用部件在存在等離子的惡劣條件的反應容器內進行蝕刻處理，來使等離子集中在晶元周邊，且部件自身也向等離子露出並被損傷。因此，持續進行用於增加半導體製造用部件的等離子特性的研究。作為其中的一種，研究代替Si材質，在半導體的聚焦環或電極等的部件形成由SiC材質形成的蒸鍍層的方法。
此時，在母材形成蒸鍍層的技術可很大程度影響半導體製造用部件的品質。以往，為了在母材均勻地形成蒸鍍層，執行用於防止蒸鍍層不均勻地形成的多種方式的蒸鍍技術的研究。
現有技術在蒸鍍腔室內，通過夾具支撐被蒸鍍物或母材的狀態下在全面執行蒸鍍，因此，通過夾具支撐的面的蒸鍍層的均勻性降低。尤其，在夾具呈角形或凹凸形態的情況下，通過夾具支撐的母材的附近，蒸鍍物質不會被均勻地蒸鍍（發生非蒸鍍部）。
發明所欲解決之問題
本發明的目的在於，在利用CVD在半導體製造用部件形成蒸鍍層的過程中，可解除在使用夾具的情況下可發生的蒸鍍層的不均勻性。在本發明的一實施方式中，在利用夾具來形成蒸鍍層的情況下形成的蒸鍍層的蒸鍍均勻度增加，產品的蒸鍍層的品質可以提高。
但是，本發明所要解決的問題並不局限於上述提及的問題，本發明所屬技術領域的普通技術人員可從以下的記載明確理解未提及的其他問題。 解決問題之技術手段
本發明的利用夾具的半導體製造用部件的製造方法包括：準備母材的步驟；通過夾具支撐上述母材的至少一面的步驟；向通過上述夾具支撐的上述母材噴射原料氣體來形成蒸鍍層的步驟；以及對形成上述蒸鍍層的上述母材進行加工的步驟，上述夾具的剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加。
根據本發明的一實施例，在上述夾具和上述母材的接觸部分，上述夾具與上述接觸部件的母材所形成的角度為鈍角。
根據本發明的一實施例，上述夾具與上述接觸部分的母材所形成的角度為95度至170度。
根據本發明的一實施例，上述夾具包含選自由石墨、炭黑及SiC組成的組中的至少一種。
根據本發明的一實施例，上述加工步驟為以包括上述母材的至少一部分並包括覆蓋上述夾具的至少一部分的蒸鍍層的方式進行切割的工序。
根據本發明的一實施例，上述母材包含選自由石墨、TaC、反應燒結SiC、常壓燒結SiC、熱壓SiC、重結晶SiC及CVDSiC組成的組中的至少一種。
根據本發明的一實施例，上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1:1至100:1。
本發明的利用夾具的半導體製造用部件的製造方法包括：準備母材的步驟；通過夾具支撐上述母材的至少一面的步驟；向通過上述夾具支撐的上述母材噴射原料氣體來形成蒸鍍層的步驟；以及對形成上述蒸鍍層的上述母材進行加工的步驟，上述夾具中，與上述母材相接的面相連的剖面的至少一側部呈圓弧狀。
本發明的利用夾具的半導體製造用部件的製造裝置包括：腔室；原料氣體噴嘴，從上述腔室外部向內部設置；搭載部，在上述腔室的至少一側，沿著上述腔室內部中央方向延伸設置；以及能夠更換的夾具，用於支撐與上述搭載部一端部連接設置的母材，上述夾具的剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加。
根據本發明的一實施例，上述夾具與上述接觸部分的母材所形成的角度為鈍角。
根據本發明的一實施例，上述夾具與上述接觸部分的母材所形成的角度為95度至170度。
本發明的利用夾具的半導體製造用部件的另一製造裝置包括：腔室；原料氣體噴嘴，從上述腔室外部向內部設置；搭載部，在上述腔室的至少一側，沿著上述腔室內部中央方向延伸設置；以及能夠更換的夾具，用於支撐與上述搭載部一端部連接設置的母材，上述夾具中，與上述母材相接的面相連的剖面的至少一側部凹陷地呈圓弧狀。
本發明的用於製造半導體製造用部件的夾具對母材進行支撐，剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加。
本發明的另一用於製造半導體製造用部件的夾具對母材進行支撐，與上述母材相接的面相連的剖面的至少一側部呈圓弧狀。 對照先前技術之功效
在利用本發明的製造方法或夾具的情況下，當利用CVD等蒸鍍工法來製造半導體製造用部件時，沒有未被蒸鍍的面，包括夾具和被蒸鍍物或母材之間的接觸部，形成均勻的蒸鍍層。
以下， 參照附圖，詳細說明實施例。在各個附圖中提出的相同附圖標記為相同部件。
以下說明的實施例可具有多種變更。以下說明的實施例並非限定實施形態，包括對於這些的所有變更、等同技術方案或代替技術方案。
在實施例中使用的術語僅用於說明特定實施例，並非用於限定實施例。在本說明書中，“包括”或“具有”等的術語指定在說明書上記載的特徵、數字、步驟、動作、結構要素、部件或這些組合的存在，而並非預先排除一個或其以上的其他特徵或數字、步驟、動作、結構要素、部件或這些組合的存在或附加可能性。
只要並未明確定義，包括技術或科學術語，在此使用的所有術語具有與本發明所屬技術領域的普通技術人員一般理解的含義相同的含義。與一般使用的預先定義的相同術語具有在相關技術文脈上具有的含義相同的含義，只要在本申請中並未明確定義，不能被解釋成異常或過度形式。
並且，在說明附圖標記的過程中，對與附圖標記無關的相同結構要素賦予相同結構要素，將省略對其的重複說明。在說明實施例的過程中，在判斷為對於相關的公知技術的具體說明使實施例的主旨不清楚的情況下，將省略對其的詳細說明。
圖1為示出本發明一實施例的利用夾具的半導體製造用部件的製造方法的各個步驟的流程圖。
本發明的利用夾具的半導體製造用部件的製造方法包括：準備母材的步驟S10；通過夾具支撐上述母材的至少一面的步驟S20；向通過上述夾具支撐的上述母材噴射原料氣體來形成蒸鍍層的步驟S30；以及對形成上述蒸鍍層的上述母材進行加工的步驟S40，上述夾具的剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加。
圖2示出通過本發明一實施例的錐形形狀的夾具110支撐母材200的結構的剖視圖。圖2所示的母材200為本發明一實施方式提供的母材中的一例，可以為製造在幹式等離子蝕刻裝置中使用的聚焦環的母材。根據本發明的一實施例，雖然在上述圖2中並未示出，但是，根據適用上述半導體製造用部件的半導體製造裝置的規格和特性，上述半導體製造用部件的母材可呈具有高度差的階梯式結構。根據本發明的一實施例，上述高度差的剖面呈曲面或者形成上述高度差的面呈鈍角。
根據本發明的一實施方式，利用原料氣體來在準備的母材形成蒸鍍層。此時，形成蒸鍍層的方法在本發明中並未特殊限定，在密封的腔室內，利用CVD法來向母材噴射原料氣體來形成蒸鍍層。根據本發明的一實施方式，形成上述蒸鍍層的步驟可在1000℃至1900℃中執行。
此時，優選地，上述蒸鍍層由具有適合於半導體製造過程的適當物性的材料。例如，在幹式蝕刻裝置中，在簡單向等離子露出的情況下，為了防止蝕刻，噴射耐等離子特性優秀的SiC或TaC蒸鍍層的原料氣體。
根據本發明一實施方式的半導體製造用部件，在密封的空間內，在母材的整體面均勻地形成蒸鍍層。例如，在聚焦環的情況下，等離子向聚焦環施加，由此，可引發蒸鍍層的全面蝕刻，因此，在上述母材的全面表層上形成均勻的蒸鍍層來防止母材向等離子露出，因此，需要整體面的均勻蒸鍍。
此時，可利用在腔室內支撐母材的夾具。上述母材在腔室內為了在全面誘導均勻的蒸鍍，最小面積被夾具支撐並處於浮在空中的形態。在本發明中提及的夾具均包括只要在腔室內穩定地固定母材的結構。
此時，優選地，夾具與上述母材的接點為虛線，在此情況下，母材的支撐變得不穩定。因此，夾具和母材的接點為面，從而可確保穩定的支撐結構。
只是，根據夾具的形態，夾具和母材的接觸面附近引導不均勻的蒸鍍。尤其，根據夾具和母材所形成角度或夾具的形態，可發生從原料氣體，夾具遮擋蒸鍍面的情況。在此情況下，在夾具和母材所形成的接觸面附近發生沒有形成蒸鍍的空間，或者即使發生蒸鍍，與其他部分相比，蒸鍍量少。
例如，在聚焦環的母材盡心蒸鍍的情況下，根據夾具的形態，與夾具相鄰的部分形成薄的SiC蒸鍍層，或者形成空間，從而，通過等離子，母材簡單露出。若母材向等離子露出，則通常，母材為耐等離子特性相對脆弱的材料，因此，向腔室內分散來污染腔室內部，並降低半導體產品的品質。
因此，在本發明的一實施方式中，在設計上述夾具的形態來製造半導體製造用部件的情況下，沒有未形成蒸鍍層的部分，即使通過夾具支撐，可全面形成均勻品質的蒸鍍層。
此時，根據本發明的一實施方式，上述夾具的剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加。參照圖2，母材（聚焦環）的剖面呈錐形形狀通過包含夾具110支撐的下麵部的結構。此時，上述夾具以能夠根據母材的大小、形狀形成穩定支撐結構的方式包括多個。
根據本發明的一實施例，上述夾具與上述接觸部件的母材所形成的角度為鈍角。
在夾具和母材接觸的部分，在夾具與母材形成的角度為銳角的情況下，通過夾具遮蔽母材。在此情況下，原料氣體不會均勻地蒸鍍在夾具與母材相接的部分。
圖3示出放大通過本發明一實施例的錐形形狀的夾具支撐母材300的部分的結構的放大圖。
參照圖3，在夾具和母材的接觸部分，夾具和母材所形成的角度為鈍角，夾具不會使母材的面被原料氣體遮擋。
根據本發明的一實施例，上述夾具與上述接觸部分的母材所形成的角度為95度至170度。根據本發明的一實施例，上述夾具與上述接觸部分的母材所形成的角度為95度。在上述角度小於95度的情況下，在母材和夾具之間的接觸部分不會形成均勻的蒸鍍層。另一方面，上述夾具和上述接觸部分的母材所形成的角度可以小於170度。
根據本發明的一實施例，上述夾具包含選自由石墨、炭黑及SiC組成的組中的至少一種。根據本發明的一實施方式，上述夾具可以與母材一同覆蓋蒸鍍層，之後一同被加工。因此，優選地，可選擇原料氣體可以順暢地蒸鍍的材料。
根據本發明的一實施例，上述加工步驟為以包括上述母材的至少一部分並包括覆蓋上述夾具的至少一部分的蒸鍍層的方式進行切割的工序。
在本發明中，上述加工步驟將形成的蒸鍍層的至少一部分平坦地加工。並且，上述加工步驟將形成有蒸鍍層的母材以符合半導體製造用部件的規格的方式進行切割加工。此時，根據本發明的一實施方式，所形成的半導體製造用部件中，包括母材的至少一部分，包括覆蓋上述夾具的至少一部分的蒸鍍層。
即，在夾具支撐母材的狀態下，在上方覆蓋蒸鍍層，在加工步驟中，包括上述夾具和母材相接觸的部分來形成半導體製造用部件。此時，最終形成的半導體製造用部件一同包括上述夾具的一部分。
根據本發明的一實施例，上述母材包含選自由石墨、TaC、反應燒結SiC、常壓燒結SiC、熱壓SiC、重結晶SiC及CVDSiC組成的組中的至少一種。上述母材的成分為並不能與SiC蒸鍍層簡單分離的成分，只要不能與形成於母材表面的SiC層簡單分離的材料，還可包含追加成分。優選地，母材為蒸鍍層在上部無法分離地均勻形成的材質。
根據本發明的一實施例，上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1:1至100:1。
本發明包括母材來進行蒸鍍。在本發明的一實施例中，當包括蒸鍍層並形成厚的半導體製造用部件時，母材的厚度增加，蒸鍍層相對薄。蒸鍍層可使用需要高的物性的材料，在此情況下，蒸鍍層材料的成本相對高於母材的材料。因此，根據本發明的一實施例，上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1:1至100:1。與上述蒸鍍層的厚度相比，在母材的比例小於1的情況下，蒸鍍層的厚度變厚，從而導致生產成本增加的問題，在大於100的情況下，蒸鍍層相對薄，從而導致母材向等離子露出的危險。
此時，上述SiC蒸鍍層的厚度為在上述母材的上部及下部蒸鍍的厚度的垂直長度之和。此時，上述母材的厚度即使是母材並非為矩形框形態的高度差的結構，意味著所有任意位置中的垂直長度。
本發明的利用夾具的半導體製造用部件的製造方法包括：準備母材的步驟；通過夾具支撐上述母材的至少一面的步驟；向通過上述夾具支撐的上述母材噴射原料氣體來形成蒸鍍層的步驟；以及對形成上述蒸鍍層的上述母材進行加工的步驟，上述夾具中，與上述母材相接的面連接的剖面的至少一側部呈圓弧狀。
圖4示出與本發明另一實施例的母材相接的面相連的剖面的至少一側部通過圓弧狀夾具120支撐母材的結構的剖視圖。
與錐形夾具相同的目的，本發明一實施方式提供的夾具的形狀中，剖面的一側部位圓弧狀。此時，在圓弧狀夾具的外部，沿著具有球的中心的虛擬球面形成。以此形成的夾具的剖面在圖4中示出。並且，只要是上述圓弧狀夾具和夾具相接觸的母材之間可均勻地形成蒸鍍層的結構，則沒有特殊限制，也可呈多種曲面連接的形態。
本發明的利用夾具的半導體製造用部件的另一製造裝置包括：腔室；原料氣體噴嘴，在上述腔室外部向內部設置；搭載部，在上述腔室的至少一側，沿著上述腔室內部中央方向延伸設置；以及能夠更換的夾具，用於支撐與上述搭載部一端部連接設置的母材，上述夾具的剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加。
本發明另一實施方式提供半導體製造用部件的製造裝置。上述製造裝置可包括設置於裝載部和裝載部的一端部連接設置的夾具。上述夾具隨著被蒸鍍物的蒸鍍完成1次進行更換。根據本發明的一實施方式，此時，在保留裝載部的狀態下，僅分離更換形成於裝載部的一端部的夾具，也可以一同更換裝載部。上述夾具和上述裝載部可分離也可形成為一體。上述裝載部中，夾具的相反側端部可固定設置於腔室的至少一側。上述製造裝置可以為CVD裝置。
此時，如上所述，上述夾具為了在與母材相接觸的部分中形成均勻的蒸鍍層，剖面可呈錐形形狀。並且，在上述夾具和上述母材的基礎部分，上述夾具和上述接觸部分的母材所形成角度為鈍角。並且，上述夾具和上述接觸部分的母材所形成的角度為95度至170度。
本發明的利用夾具的半導體製造用部件的另一製造裝置包括：腔室；原料氣體噴嘴，在上述腔室外部向內部設置；搭載部，在上述腔室的至少一側，沿著上述腔室內部中央方向延伸設置；以及能夠更換的夾具，用於支撐與上述搭載部一端部連接設置的母材，上述夾具中，與上述母材相接的面相連的剖面的至少一側部凹陷地呈圓弧狀。
此時，在圓弧狀夾具的外部，沿著具有球的中心的虛擬的球面形成。並且，只要是在上述圓弧狀夾具和夾具接觸的母材之間均勻地形成蒸鍍層的結構，在本發明中並未特殊限制，也可以為多種曲面連續形成的結構。
用於本發明的半導體製造用部件製造的夾具支撐母材，剖面錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加。
本發明的半導體製造用部件製造的夾具支撐母材，與上述母材相接的面相連的剖面的至少一側部呈圓弧狀。
如上所述，通過限定實施例和附圖說明了實施例，只要是本發明所屬技術領域的普通技術人員，可從上述記載進行多種修改及變形。例如，說明的技術與說明的方法以不同順序執行和/或說明的結構要素的與說明的方法不同形態結合或組合，或者通過其他結構要素或等同技術方案代替或置換也可實現適當結果。
因此，與其他實例、其他實施例及發明要求保護範圍等同的內容也屬於後述的發明要求保護範圍。
110‧‧‧夾具
120‧‧‧夾具
200‧‧‧支撐母材
300‧‧‧夾具支撐母材
S10‧‧‧步驟
S20‧‧‧步驟
S30‧‧‧步驟
S40‧‧‧步驟
圖1為示出本發明一實施例的利用夾具的半導體製造用部件的製造方法的各個步驟的流程圖。
圖2示出通過本發明一實施例的錐形形狀的夾具支撐母材的結構的剖視圖。
圖3示出放大通過本發明一實施例的錐形形狀的夾具支撐母材的部分的結構的放大圖。
圖4示出與本發明另一實施例的母材相接的面相連的剖面的至少一側部通過圓弧狀夾具支撐母材的結構的剖視圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (13)

  1. 一種利用夾具的半導體製造用部件的製造方法，其中，包括：準備母材的步驟；通過夾具支撐上述母材的至少一面的步驟；向通過上述夾具支撐的上述母材噴射原料氣體來形成蒸鍍層的步驟；以及對形成上述蒸鍍層的上述母材進行加工的步驟，上述夾具的剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加，其中，上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1：1至100：1。
  2. 如請求項1之利用夾具的半導體製造用部件的製造方法，其中，在上述夾具和上述母材的接觸部分，上述夾具與上述接觸部件的母材所形成的角度為鈍角。
  3. 如請求項2之利用夾具的半導體製造用部件的製造方法，其中，上述夾具與上述接觸部分的母材所形成的角度為95度至170度。
  4. 如請求項1之利用夾具的半導體製造用部件的製造方法，其中，上述夾具包含選自由石墨、炭黑及SiC組成的組中的至少一種。
  5. 如請求項1之利用夾具的半導體製造用部件的製造方法，其中，上述加工步驟為以包括上述母材的至少一部分並包括覆蓋上述夾具的至少一部分的蒸鍍層的方式進行切割的工序。
  6. 如請求項1之利用夾具的半導體製造用部件的製造方法，其中，上述母材包含選自由石墨、TaC、反應燒結SiC、常壓燒結SiC、熱壓SiC、重結晶SiC及CVD SiC組成的組中的至少一種。
  7. 一種利用夾具的半導體製造用部件的製造方法，其中，包括：準備母材的步驟；通過夾具支撐上述母材的至少一面的步驟；向通過上述夾具支撐的上述母材噴射原料氣體來形成蒸鍍層的步驟；以及對形成上述蒸鍍層的上述母材進行加工的步驟，上述夾具中，與上述母材相接的面相連的剖面的至少一側部呈圓弧狀(round)，其中，上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1：1至100：1。
  8. 一種利用夾具的半導體製造用部件的製造裝置，其中，包括：腔室；原料氣體噴嘴，從上述腔室外部向內部設置；搭載部，在上述腔室的至少一側，沿著上述腔室內部中央方向延伸設置；以及能夠更換的夾具，用於支撐與上述搭載部一端部連接設置的母材，上述夾具的剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加，其中上述母材的至少一面被通過上述夾具支撐，且上述母材被噴射原料氣體來形成蒸鍍層，其中上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1：1至100：1。
  9. 如請求項8之利用夾具的半導體製造用部件的製造裝置，其中，上述夾具與上述接觸部分的母材所形成的角度為鈍角。
  10. 如請求項8之利用夾具的半導體製造用部件的製造裝置，其中，上述夾具與上述接觸部分的母材所形成的角度為95度至170度。
  11. 一種利用夾具的半導體製造用部件的製造裝置，其中，包括：腔室；原料氣體噴嘴，從上述腔室外部向內部設置；搭載部，在上述腔室的至少一側，沿著上述腔室內部中央方向延伸設置；以及能夠更換的夾具，用於支撐與上述搭載部一端部連接設置的母材，上述夾具中，與上述母材相接的面相連的剖面的至少一側部凹陷地呈圓弧狀(round)，其中上述母材的至少一面被通過上述夾具支撐，且上述母材被噴射原料氣體來形成蒸鍍層，其中上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1：1至100：1。
  12. 一種用於製造半導體製造用部件的夾具，其中，對母材進行支撐，剖面呈錐形形狀，沿著靠近上述母材的表面的方向，剖面的寬度增加，其中上述母材的至少一面被通過上述夾具支撐，且上述母材被噴射原料氣體來形成蒸鍍層，其中上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1：1至100：1。
  13. 一種用於製造半導體製造用部件的夾具，其中，對母材進行支撐，與上述母材相接的面相連的剖面的至少一側部呈圓弧狀(round)，其中上述母材的至少一面被通過上述夾具支撐，且上述母材被噴射原料氣體來形成蒸鍍層，其中上述母材及蒸鍍層的厚度比例為1：1至100：1。
TW106144308A 2016-12-20 2017-12-18 使用夾具的半導體製造用之部件製作方法及設備 TWI655710B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20160174906 2016-12-20
??10-2016-0174906 2016-12-20
??10-2017-0170790 2017-12-12
KR1020170170790A KR102040378B1 (ko) 2016-12-20 2017-12-12 지그를 이용한 반도체 제조용 부품의 제조방법 및 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201828402A TW201828402A (zh) 2018-08-01
TWI655710B true TWI655710B (zh) 2019-04-01

Family

ID=62780069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106144308A TWI655710B (zh) 2016-12-20 2017-12-18 使用夾具的半導體製造用之部件製作方法及設備

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11367612B2 (zh)
JP (1) JP7402046B2 (zh)
KR (1) KR102040378B1 (zh)
CN (1) CN110073466B (zh)
TW (1) TWI655710B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102642090B1 (ko) * 2021-08-24 2024-02-29 주식회사 케이엔제이 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3405179B2 (ja) * 1998-03-16 2003-05-12 松下電工株式会社 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4919024B1 (zh) * 1968-09-11 1974-05-14
US4684113A (en) * 1984-09-28 1987-08-04 The Boeing Company Universal holding fixture
JP2763222B2 (ja) * 1991-12-13 1998-06-11 三菱電機株式会社 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
SE509984C2 (sv) * 1994-03-18 1999-03-29 Sandvik Ab Chargeringssystem för CVD
JP3979551B2 (ja) * 1998-02-23 2007-09-19 株式会社エフオーアイ 半導体装置
JP4110646B2 (ja) 1998-12-08 2008-07-02 旭硝子株式会社 Ｃｖｄ装置
JP4644964B2 (ja) * 2001-04-04 2011-03-09 ソニー株式会社 多結晶性半導体薄膜の形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP2006344769A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Seiko Epson Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7691204B2 (en) * 2005-09-30 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation
US20070089836A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Semiconductor process chamber
JP4868503B2 (ja) 2006-03-30 2012-02-01 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法
KR101001674B1 (ko) 2009-02-20 2010-12-15 주식회사 티씨케이 실리콘 카바이드 기판 제조방법
JP5604907B2 (ja) * 2010-02-25 2014-10-15 信越半導体株式会社 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
JP5787558B2 (ja) * 2011-03-08 2015-09-30 イビデン株式会社 セラミックス基材支持具及びセラミックス部材の製造方法
US8461655B2 (en) * 2011-03-31 2013-06-11 Infineon Technologies Ag Micromechanical sound transducer having a membrane support with tapered surface
WO2014123036A1 (ja) * 2013-02-06 2014-08-14 東洋炭素株式会社 炭化ケイ素－炭化タンタル複合材及びサセプタ
US9337002B2 (en) * 2013-03-12 2016-05-10 Lam Research Corporation Corrosion resistant aluminum coating on plasma chamber components
WO2014196323A1 (ja) 2013-06-06 2014-12-11 イビデン株式会社 ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置
JP6506056B2 (ja) * 2015-03-13 2019-04-24 イビデン株式会社 セラミック部材の製造方法
JP7067801B2 (ja) 2016-08-12 2022-05-16 エルセント メディカル，インコーポレイテッド 外科装置のガイド及び監視のための装置、システム、及び方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3405179B2 (ja) * 1998-03-16 2003-05-12 松下電工株式会社 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110073466A (zh) 2019-07-30
KR20180071951A (ko) 2018-06-28
US11367612B2 (en) 2022-06-21
US20200111661A1 (en) 2020-04-09
TW201828402A (zh) 2018-08-01
JP7402046B2 (ja) 2023-12-20
KR102040378B1 (ko) 2019-11-05
CN110073466B (zh) 2023-07-18
JP2020502366A (ja) 2020-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100792461B1 (ko) 플라즈마 처리 중 아크를 감소시키기 위한 방법 및 장치
TWI667364B (zh) 包括SiC蒸鍍層的半導體製造用部件及其製造方法
TWI684217B (zh) 基板處理裝置
TWI655710B (zh) 使用夾具的半導體製造用之部件製作方法及設備
US8795479B2 (en) Wafer clamp assembly for holding a wafer during a deposition process
JP6549731B2 (ja) 基板を保持するための方法及び支持体
JP2019096733A (ja) 基板載置台
KR20130068137A (ko) 건식식각장치의 포커스링 제조방법
JP7285152B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2008280547A (ja) 真空処理装置
KR102125510B1 (ko) 박막의 형성방법
JP6893545B2 (ja) 塗布装置
KR20200045003A (ko) 개선된 증착 균일성을 위해 다양한 프로파일을 갖는 측부들을 갖는 섀도우 프레임
US20190321932A1 (en) Quartz glass member with increased exposed area, method for manufacturing same, and blade with multiple peripheral cutting edges
KR20210142075A (ko) 전력반도체 증착층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법
JP2014077161A (ja) 成膜装置及び基板ホルダ
TW497133B (en) Device and method for preventing over-thick film deposition on the edge of a wafer
KR20180056252A (ko) 기판 처리 장치의 히터 지그 및 히터 장착 방법
KR101511240B1 (ko) 복수의 박막을 가진 정전척
KR20160075153A (ko) 서셉터 및 이를 구비한 기판처리장치
TW202033837A (zh) 電鍍夾盤
WO2024019847A1 (en) A method of coating a chamber component