JP4110646B2 - Cvd装置 - Google Patents
Cvd装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4110646B2 JP4110646B2 JP34850098A JP34850098A JP4110646B2 JP 4110646 B2 JP4110646 B2 JP 4110646B2 JP 34850098 A JP34850098 A JP 34850098A JP 34850098 A JP34850098 A JP 34850098A JP 4110646 B2 JP4110646 B2 JP 4110646B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- cvd
- shaft
- support shaft
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はカーボン、SiC等からなる半導体装置用部材にSiC等を表面コートするCVD装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、カーボン(黒鉛)やSiC質焼結体からなる半導体装置用部材は、近年高純度化を図ったり、耐薬品性、耐食性、耐酸化性を改善するため、全面にCVD−SiCコーティングすることが求められる傾向にある。従来、こうしたSiC等の部材(ワーク)にCVDコーティングする際に、かかるワークを炉内に配したピン状のワーク支持具等で保持することが多かった。この場合、かかる支持具に接触した部材表面には、反応ガスが接触せず、CVD膜がほとんど形成されないか、コートされてもその部分の膜厚が薄くなる傾向がみられた。
【0003】
そこで、ワークと支持具との接触部の面積を小さくするため、支持具の先端部を小さくしたり、更には、支持具の先端部を針状に尖らせたりして、CVDコートしていた。しかしながら、いくら接触部面積を減らしても、どうしてもCVD膜が形成されない箇所が存在していた。
【0004】
そのため、ワーク全面にCVDコーティングする必要がある場合は、一旦、CVD炉を室温に戻し、炉内を開けて、その保持位置をずらしてセットし直し、再度CVDコーティングする必要があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記方法では、保持位置を変えるため、一旦、CVDコーティングを中断して、CVD炉を冷却して、それから再度、炉を運転する必要があり、コスト的に割高になったり、生産性が低下するという問題があった。
【0006】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消するためになされたもので、その目的は、途中でCVD炉を開けることなく、ワーク全面にCVDコーティングすることができるCVD装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明によるCVD装置は、断熱材、加熱ヒータを配した真空容器からなるCVD炉と、このCVD炉の底壁を貫通して気密的に挿入された複数の支軸と、これらの支軸の前記CVD炉内に配置された部分にそれぞれ取付けられた支持具とを備え、
前記複数の支軸は、軸方向に相対移動可能で、回転時には一体に回転する構造をなして同心状に配置された多重軸からなり、
前記複数の支軸を一体に回転させる回転機構が設けられており、
前記回転機構により前記複数の支軸を一体に回転させながら、前記特定の支軸に取付けられた前記支持具にワークを支持させた状態から、前記他の支軸を介して該支軸に取付けられた支持具を上昇させることによりワークの支持を交代させるようにしたことを特徴とする。
【0012】
このCVD装置によれば、CVDコーティングの途中で、前記特定の支軸に取付けられた前記支持具にワークを支持させた状態から、前記他の支軸を上昇させると、その支軸に取付けられた支持具が上昇して、ワークが上昇した支持具で支持される。このため、最初の支持具で支持したときに支持具が当接してコーティングされなかった部分が、次の支持具で支持したときに最初の支持具から離れ、次の支持具で支持している間にコーティングされるので、CVD炉を開いて作業を中断させなくてもワークの全面をCVDコーティングすることができる。
【0013】
また、前記複数の支軸が同心状に配置された多重軸からなるので、それによってワークの重心近くに全ての支軸を配置して、ワークの支持を安定させて行うことができると共に、支持具がCVDの底壁を貫通する部分を一つにしてシーリングしやすくすることができる。
【0014】
また、前記複数の支軸を一体に回転させる回転機構を備えているので、それによってCVDコーティング中に支軸を回転させてワークを回転させることができ、CVDコーティングを均一に行わせることができる。
【0015】
本発明のCVD装置の前記多重軸は、第1支軸と、該第1支軸の内側に配置された第2支軸とからなり、前記第2支軸には、第2支軸を多重軸の軸方向に昇降動作させると共に、第1支軸と第2支軸とを一体にして回転させる回転昇降機構が設けられていることが好ましい。
なお、特定の支持具によってワークを支持した状態から、他の支持具を上昇させてワークを移し変え、再び他の支持具を下降させて最初の支持具にワークを戻し、このような操作をコーティング中に適時繰り返してもよい。
【0016】
また、特定のワークに対して支持を交代させながら行う複数の支軸及び支持具が、一つのCVD炉に対して複数組設けられていてもよい。それによって、一つのCVD炉内で複数個のワークにCVDコーティングを施すことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1には、本発明の参考例となるCVD装置の一実施形態が示されている。このCVD装置は、周壁12、底壁13、及び蓋体14からなる開閉可能な真空容器11を有している。底壁13と周壁12の接合面、及び周壁12と蓋体14との接合面には、シールリング15が介装されて気密性を保持されている。なお、シールリング15は、一般に耐熱性が低いため、真空容器11全体を水冷ジャケット等で冷却するのが好ましい。
【0018】
真空容器11内には、内部を囲む断熱材16と、その内側に配置された筒状の加熱ヒータ17と、加熱ヒータ17の更に内側に配置されたワークWを囲む容器18とが設置されている。これらの真空容器11、断熱材16、加熱ヒータ17、容器18等が本発明におけるCVD炉を構成している。
【0019】
真空容器11の底壁13を貫通して、第1支軸20、第2支軸21が気密的に挿入されている。すなわち、底壁13と、これらの支軸20、21との接触面には、オイルシールや磁気シール等のシール部材22が介在されて、気密性が保持されている。第1支軸20の上端には、連結軸23が連接され、連結軸23は、断熱材16及び容器18の底壁を貫通して、容器18内に挿入され、その上端に第1支持具24が取付けられている。同様に、第2支軸21の上端には、連結軸25が連接され、連結軸25は、断熱材16及び容器18の底壁を貫通して、容器18内に挿入され、その上端に第2支持具26が取付けられている。なお、第2支軸21の連結軸25は、第1支持具24の板状部を貫通して上方に伸び、第2支持具26は、第1支持具24の上方に配置されている。
【0020】
第1支持具24上には、少なくとも3本の支持ピン27が突設され、第2支持具26上にも、少なくとも3本の支持ピン28が突設されている。なお、支持ピン27は、第2支持具26の板状部を貫通して上方に伸びており、第2支持具26が下降位置にあるときは、支持ピン27の上端が支持ピン28の上方に位置する。また、第2支持具26が上昇したときには、支持ピン28の上端が支持ピン27の上端よりも高くなるように設定されている。ワークWは、その底壁をこれらの支持ピン27又は28上に当接されて支持されるようになっている。
【0021】
第2支軸21の基端には、昇降装置29が取付けられている。この昇降装置29としては、例えばボールネジや、エアーシリンダを利用したものなど、公知の各種駆動手段が採用できる。昇降装置29は、第2支軸21を軸方向(矢印A方向)に移動させて第2支持具26を昇降動作させる。
【0022】
なお、断熱材16、加熱ヒータ17としては、カーボンからなるものが好ましく採用され、連結軸23、25及び支持具24、26としては、カーボン、炭化珪素、又は窒化珪素からなるものが好ましい。また、CVDコーティングを施すワークWとしては、サセプタ、ウエハーボート、チューブ等の半導体装置用部材が好ましく適用される。
【0023】
次に、このCVD装置を用いたCVDコーティング方法の一実施形態を説明する。
【0024】
図1に示すように、第1支持具24の支持ピン27が第2支持具26の支持ピン28よりも上方に突出した状態にセットし、少なくとも3本ある支持ピン27上に前記のようなワークWを設置し、蓋体14を閉めて密封する。この状態で、最初、真空容器11内を真空ポンプで減圧し、0.1Torr以下に達してから加熱ヒータ17の加熱を開始する。昇温途中の所定温度に達したところでH2 ガスを導入し、更に昇温して所定温度に達したところで、SiCl4 /CH4 /H2 系やCH3 SiCl3 /H2 系のガスを炉内に流し、所定の膜厚だけCVD−SiCコーティングを行う。
【0025】
こうして所定の膜厚だけCVD−SiCコーティングした後、昇降装置29により第2支軸21及び連結軸25を介して第2支持具26を上昇させる。その結果、第2支持具26の支持ピン28が、第1支持具24の支持ピン27よりも上方に突出するため、ワークWの底面が今度は第2支持具26の支持ピン28に支持されて、第1支持具24の支持ピン27はワークWの底面から離れる。この状態で、更にCVD−SiCコーティングを実施する。
【0026】
これにより、最初に第1支持具24の支持ピン27が当接してコーティングされていない部分にもコーティングされ、ワーク全面にCVD−SiCコーティングすることができる。しかも、コーティング中にワークWの支持部を変えることができるので、一旦CVD炉を冷却し、炉内を室温にもどして、ワークの支持位置をずらすなどの必要がない。
【0027】
図2には、本発明の参考例となるCVD装置の他の実施形態が示されている。なお、図1の実施形態と実質的に同一部分には同符合を付してその説明を省略することにする。また、図2では、図1における真空容器11、断熱材16、加熱ヒータ17、容器18等は省略して示している。
【0028】
このCVD装置では、第1支軸20が、第2支軸21の外周を囲む筒状をなしており、支軸20、21が多重軸(この実施形態の場合2重軸)となっている。第1支軸20には同じく筒状をなす連結軸23が連接され、この連結軸23の上端に第1支持具24が取付けられている。また、第2支軸21には連結軸25が連接され、連結軸25の上端に第2支持具26が取付けられている。前記実施形態と同様に、第1支持具24には支持ピン27が突設され、第2支持具26には支持ピン28が突設されている。
【0029】
第1支軸20は、真空容器11の底壁を貫通し、その接触部分に前述したようなシール材が介装されている。第2支軸21は第1支軸20の内部に入っているので、真空容器11の底壁を貫通する孔は一つですみ、真空容器11の底壁との間で気密性を保持するためのシール材は上記の1箇所だけですむ。ただし、第1支軸20の内周と第2支軸21の外周との間には、図示しないシール材が介装されている。
【0030】
更に、第2支軸21の基端には、昇降装置30が取付けられている。この昇降装置30としては、前述したような公知の各種駆動手段が採用できる。昇降装置30は、第2支軸21を軸方向(矢印A方向)に移動させて第2支持具26を昇降動作させる。
【0031】
この実施形態では、第1支軸20と同軸に配置された第2支軸21を、昇降装置30によって上方に移動させることにより、第2支軸21に連結軸25を介して取付けられた第2支持具26が上昇する。その結果、第1支軸20に連結軸23を介して取付けられた第1支持具24の支持ピン27よりも、第2支持具26の支持ピン28の方が上方に突出し、ワークWは、支持ピン27に支持された状態から支持ピン28に移し変えられて上昇し、支持ピン27がワークWの底面から離れるようになっている。
【0032】
図3には、本発明によるCVD装置の一実施形態が示されている。なお、図1の実施形態と実質的に同一部分には同符合を付してその説明を省略することにする。また、図3では、図2と同様に、図1における真空容器11、断熱材16、加熱ヒータ17、容器18等は省略して示している。
【0033】
この実施形態は、基本的には、図2の実施形態と同じ構造をなしている。すなわち、第1支軸20が筒状をなし、この第1支軸20の内側に第2支軸21が同軸的に配置されている。ただし、この実施形態の場合、第2支軸21の外周21aにはスプラインが形成され、第1支軸20の内周20aには同スプラインが嵌合するスプライン溝が形成されている。
【0034】
そして、第2支軸21の下端には、第2支軸21を図3中の矢印A方向に昇降動作させると共に、第2支軸21を図3中の矢印Bで示すように回転させる昇降回転装置31が取付けられている。
【0035】
その結果、第2支軸21は、昇降回転装置31により、図3中の矢印Aで示すように、第1支軸20に対して軸方向に移動可能とされると共に、図3中の矢印Bで示すように回転する。そして、第2支軸21が回転すると、第2支軸21に対してスプライン嵌合している第1支軸20も回転し、第1支軸20、第2支軸21に連結軸23、25を介して取付けられた第1支持具24、第2支持具26も回転する。
【0036】
したがって、CVDコーティング中に第1支持具24及び第2支持具26を回転させて、ワークWを回転させることができ、それによってCVD膜厚の均一化を図ることができる。なお、第1支軸20と第2支軸21とは、軸方向に相対移動可能で、回転時には一体に回転する構造とされればよく、上記のようなスプライン嵌合の他、キーとキー溝からなる嵌合等であってもよい。
【0037】
また、1つのCVD炉内に配置する各支軸及び支持具のセットは、必ずしも1組である必要はなく、CVD炉の大きさや、ワークWの大きさによっては、複数組のセットを配置して、複数個のワークを同時に処理することもできる。
【0038】
【実施例】
参考例1
図1のCVD装置を用いて、Siを含浸したSiC質焼結体からなるワークWのCVDコーティングを行った。すなわち、第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を下降させた状態で、第1支持具24の支持ピン27上にワークWを設置し、蓋体14を閉めて真空容器11内を密閉する。
【0039】
この状態で、加熱ヒータ17により昇温させ、所定の温度に達してから、一定時間CVD−SiCコーティングを行った後、昇降装置29により第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を上昇させ、第2支持具26の支持ピン28を、第1支持具24の支持ピン27上に突出させて、ワークWを支持ピン28で支持させる。その結果、ワークW下面の支持ピン27に当接していた部分が、支持ピン27から離れるので、その部分にもCVDコーティングを施すことができる。
【0040】
この状態で、同時間コーティングした後、昇降装置29により第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を下降させ、第1支持具24でワークWを保持する元の状態にもどした。
【0041】
こうした動作をCVD−SiCコーティング時に数回繰り返した後、CVD炉を冷却させ、ほぼ室温になったところでワークWを取出した。その結果、ワークWの下面には、支持具24、26の支持ピン27、28と接触した箇所に、支持された痕跡はみられなかった。また、ワークWを弗硝酸液に浸漬させて耐食性を確認したが、ワークWの表面に変化は見られなかった。
【0042】
比較例1
参考例1において、CVD−SiCコーティング時に、昇降装置29を作動せず、第1支持具24の支持ピン27でワークWを保持した状態を継続した他は、実施例1と同条件でCVD炉を運転した。CVD炉冷却後、ワークWを取出したところ、下面には支持ピン27と接触した箇所に痕跡が残っており、その部分にCVDコーティングされていなかった。そして、ワークWを弗硝酸液に浸漬させたところ、痕跡のあった箇所のSiが侵食されていた。
【0043】
参考例2
図2のCVD装置を用いて、Siを含浸したSiC質焼結体からなるワークWのCVDコーティングを行った。すなわち、第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を下降させた状態で、第1支持具24の支持ピン27上にワークWを設置し、蓋体を閉めて真空容器内を密閉する。
【0044】
この状態で、ヒータにより昇温させ、所定の温度に達してから、一定時間CVD−SiCコーティングを行った後、昇降装置30により第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を上昇させ、第2支持具26の支持ピン28を、第1支持具24の支持ピン27上に突出させて、ワークWを支持ピン28で支持させる。その結果、ワークW下面の支持ピン27に当接していた部分が、支持ピン27から離れるので、その部分にもCVDコーティングを施すことができる。
【0045】
この状態で、同時間コーティングした後、昇降装置29により第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を下降させ、第1支持具24でワークWを保持する元の状態にもどした。
【0046】
こうした動作をCVD−SiCコーティング時に数回繰り返した後、CVD炉を冷却させ、ほぼ室温になったところでワークWを取出した。その結果、ワークWの下面には、支持具24、26の支持ピン27、28と接触した箇所に、支持された痕跡はみられなかった。また、ワークWを弗硝酸液に浸漬させて耐食性を確認したが、ワークWの表面に変化は見られなかった。
【0047】
実施例1
図3のCVD装置を用いて、Siを含浸したSiC質焼結体からなるワークWのCVDコーティングを行った。すなわち、第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を下降させた状態で、第1支持具24の支持ピン27上にワークWを設置し、蓋体を閉めて真空容器内を密閉する。
【0048】
この状態で、ヒータにより昇温させ、所定の温度に達してから、昇降回転装置31により第2支軸21を図中矢印Bで示すように回転させながら、一定時間CVD−SiCコーティングを行った。なお、第2支軸21を回転させると、それとスプライン嵌合する第1支軸20も回転し、それらに連結軸23、25を介して取付けられた第1支持具24、第2支持具26も一体に回転し、ワークWが回転する。
【0049】
こうして一定時間CVD−SiCコーティングを行った後、昇降回転装置31により第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を上昇させ、第2支持具26の支持ピン28を、第1支持具24の支持ピン27上に突出させて、ワークWを支持ピン28で支持させる。その結果、ワークW下面の支持ピン27に当接していた部分が、支持ピン27から離れるので、その部分にもCVDコーティングを施すことができる。
【0050】
この状態で同様にワークWを回転させながら同時間コーティングした後、昇降回転装置31により第2支軸21、連結軸25、第2支持具26を下降させ、第1支持具24でワークWを保持する元の状態にもどした。
【0051】
こうした動作をCVD−SiCコーティング時に数回繰り返した後、昇降回転装置31によるワークWの回転を停止し、CVD炉を冷却させ、ほぼ室温になったところでワークWを取出した。
【0052】
その結果、ワークWの下面には、支持具24、26の支持ピン27、28と接触した箇所に、支持された痕跡はみられず、より均一にCVDコーティングされていた。また、ワークWを弗硝酸液に浸漬させて耐食性を確認したが、ワークWの表面に変化は見られなかった。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、操作を途中で中断しなくてもワーク全面にCVDコーティングすることが出来る。したがって、ワーク支持部を変えるため一旦炉を冷却し、炉内を室温にもどして支持位置をずらして再度、同様な工程を繰り返す必要がなく、生産量が約2倍に増え、コスト削減効果が大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の参考例となるCVD装置の一実施形態を示す断面図
【図2】 本発明の参考例となるCVD装置の他の実施形態を示す要部断面図
【図3】 本発明によるCVD装置の一実施形態を示す要部断面図
Claims (2)
- 断熱材、加熱ヒータを配した真空容器からなるCVD炉と、このCVD炉の底壁を貫通して気密的に挿入された複数の支軸と、これらの支軸の前記CVD炉内に配置された部分にそれぞれ取付けられた支持具とを備え、
前記複数の支軸は、軸方向に相対移動可能で、回転時には一体に回転する構造をなして同心状に配置された多重軸からなり、
前記複数の支軸を一体に回転させる回転機構が設けられており、
前記回転機構により前記複数の支軸を一体に回転させながら、前記特定の支軸に取付けられた前記支持具にワークを支持させた状態から、前記他の支軸を介して該支軸に取付けられた支持具を上昇させることによりワークの支持を交代させるようにしたことを特徴とするCVD装置。 - 前記多重軸は、第1支軸と、該第1支軸の内側に配置された第2支軸とからなり、前記第2支軸には、第2支軸を多重軸の軸方向に昇降動作させると共に、第1支軸と第2支軸とを一体にして回転させる回転昇降機構が設けられている、請求項1に記載のCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34850098A JP4110646B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | Cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34850098A JP4110646B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | Cvd装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000178743A JP2000178743A (ja) | 2000-06-27 |
JP2000178743A5 JP2000178743A5 (ja) | 2005-05-19 |
JP4110646B2 true JP4110646B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=18397436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34850098A Expired - Lifetime JP4110646B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | Cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4110646B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006089819A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Cvdコーティング方法およびcvdコーティング装置 |
CN103103490B (zh) * | 2013-01-30 | 2014-10-15 | 北京丹鹏表面技术研究中心 | 一种环形的在旋转中可交替切换支点的工件支撑机构 |
CN106181784B (zh) * | 2016-07-18 | 2018-09-11 | 青岛永禾源精工有限公司 | 一种轮胎模具专用自动喷砂装置 |
KR102040378B1 (ko) * | 2016-12-20 | 2019-11-05 | 주식회사 티씨케이 | 지그를 이용한 반도체 제조용 부품의 제조방법 및 제조장치 |
JP6947662B2 (ja) * | 2018-03-05 | 2021-10-13 | イビデン株式会社 | Cvd装置の支持機構、セラミック被覆体の製造方法およびcvd装置 |
JP7321768B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2023-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
-
1998
- 1998-12-08 JP JP34850098A patent/JP4110646B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000178743A (ja) | 2000-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3190165B2 (ja) | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 | |
JP3183575B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
JP4358108B2 (ja) | コーティング装置における搭載、支持及び取り出しのための一組の器具 | |
JP5456287B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
US6245152B1 (en) | Method and apparatus for producing epitaxial wafer | |
JP4110646B2 (ja) | Cvd装置 | |
JP2003037075A (ja) | 移載装置の制御方法および熱処理方法並びに熱処理装置 | |
KR100658847B1 (ko) | 산화 처리장치 | |
KR20030061556A (ko) | 2단 웨이퍼 리프트 핀 | |
US20050022742A1 (en) | Chemical vapor deposition processing equipment for use in fabricating a semiconductor device | |
JP5352156B2 (ja) | 熱処理装置 | |
US6283273B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US3804060A (en) | Liquid epitaxy apparatus | |
JP2000178743A5 (ja) | ||
JP2971818B2 (ja) | ウエハー熱処理装置 | |
JP2000353665A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4015818B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2005353619A (ja) | 基板処理装置および処理方法 | |
JPH05125543A (ja) | 炭化珪素膜製造装置 | |
JP3118741B2 (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
JPS61161711A (ja) | 半導体の熱処理方法及び熱処理装置 | |
JP5059716B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR100657502B1 (ko) | 반도체 제조장치의 기판 로딩용 홀더 제조방법 및 이홀더가 장착된 배치식보트 | |
JP2005236283A (ja) | ウェーハ上に膜を形成する方法 | |
JPH03130366A (ja) | 炭化珪素膜製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040715 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040715 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080331 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 4 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |