KR102642090B1 - 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법 - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 104
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 33
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Abstract
본 발명은 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법에 관한 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓은 상부면, 하부면, 상기 상부면과 하부면을 연결하는 측면으로 이루어지며, 상기 하부면으로부터 상기 상부면을 향해 함몰된 홈; 및 홈의 바닥을 이루는 평면인 가공 기준면을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 지지 소켓에 관한 것이다. 보다 구체적으로 증착 공정에서 모재를 지지하는 지지 소켓에 관한 것이다.
일반적으로 서셉터는 LED 제조공정 또는 반도체 공정의 산화공정, 증착공정 및 GaN Epitaxy나 SiC Epitaxy 공정에서 웨이퍼를 지지해 주는 역할로 주로 사용되고 있다.
최근에는 Quartz, Si 및 Graphite 소재 서셉터의 라이프 타임(life time) 개선 및 이물질 발생으로 인한 제품 특성을 저하시키거나 수율을 저하시키는 문제를 방지하기 위하여 SiC를 사용한 서셉터로 변경하는 추세이다.
화학 기상 증착법(CVD)을 통해 흑연 모재에 SiC를 코팅한 서셉터는 고온에서의 모재 변형으로 코팅 후 제품의 평탄도가 균일하지 않게 되며, 이는 웨이퍼의 특성 및 수율을 저하시키는 원인이 된다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해 흑연 모재에 SiC를 두껍게 성장시킨 후, 성장한 SiC의 표면을 가공하여 제품화하는 방법이 개발되었다.
하지만 도 1에 도시된 바와 같이 지그 위에 올려진 흑연 모재의 위치는 증착 과정에서 흔들릴 수 있고 SiC로 코팅되어 내부 정렬 상태를 확인할 수 없으므로 가공시 위치에 따라 SiC 두께의 편차가 발생할 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이 경우에 따라서는 흑연 모재가 노출될 수도 있다.
본 발명의 목적은 증착 공정에서 모재를 지지하기 위한 지지 소켓 및 이러한 지지 소켓을 이용하여 증착층을 포함하는 부품을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 모재에 삽입되어 고정되는 지지 소켓 및 이러한 지지 소켓을 이용하여 증착층을 포함하는 부품을 제조하는 방법을 제공하는 것이다
본 발명의 또 다른 목적은 지지 핀이 삽입되는 홈과 홈 내부에 위치하는 가공 기준면을 갖는 지지 소켓 및 이러한 지지 소켓을 이용하여 증착층을 포함하는 부품을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 증착 공정에서 외부로 노출되지 않는 가공 기준면을 갖는 지지 소켓 및 이러한 지지 소켓을 이용하여 증착층을 포함하는 부품을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 코팅되는 증착 소재와 동일한 조건의 소재로 이루어진 지지 소켓 및 이러한 지지 소켓을 이용하여 증착층을 포함하는 부품을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 기타 목적들은, 본 발명에 따른 지지 소켓 및 지지 소켓을 이용하여 증착층을 포함하는 부품을 제조하는 방법에 의해 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓은 상부면, 하부면, 상부면과 하부면을 연결하는 측면으로 이루어지며, 하부면으로부터 상부면을 향해 함몰된 홈, 및 홈의 바닥을 이루는 평면인 가공 기준면을 포함한다.
지지 소켓의 상부면은 평면이고, 가공 기준면은 상부면과 평행할 수 있다.
측면의 적어도 일부분은 상부면에 대해 수직한 수직면이고, 수직면은 상부면과 맞닿는 부분에 위치할 수 있다.
홈의 중심은 지지 소켓의 중심에 위치할 수 있다.
지지 소켓은 전체가 SiC로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법은 하부면에 적어도 2개의 지지홈을 갖는 모재를 준비하는 모재 준비 단계; 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓의 상부면을 지지홈에 삽입시키는 지지 소켓 결합 단계; 지지 소켓의 홈에 지지핀을 삽입하는 지지핀 삽입 단계; 모재와 지지 소켓의 결합물을 증착 소재로 코팅하여 증착층을 형성하는 증착 단계; 증착층이 형성된 결합물을 지지핀으로부터 분리하는 지지핀 분리 단계; 및 증착층과 지지 소켓의 일부분을 제거하는 가공 단계를 포함할 수 있다.
가공 단계에서, 지지 소켓의 홈을 기준으로 일부분을 제거하기 위한 절단면을 결정할 수 있다.
또한 가공 단계에서, 지지 소켓의 가공 기준면을 기준으로 상기 절단면을 결정할 수 있다.
또한 모재는 흑연 모재이고, 증착 소재는 SiC이며, 지지 소켓은 증착 소재와 동일한 SiC로 이루어진 지지 소켓을 사용할 수 있다.
또한 지지 소켓 결합 단계에서, 모재의 표면과 가공 기준면 사이의 수직 거리가 미리 결정된 증착층의 두께보다 크도록 지지 소켓을 지지홈에 삽입시키는 것이 바람직하다.
또한 가공 단계에서 모재 두께에 대해 증착층의 두께가 0.01배 내지 1배가 되도록 증착층과 지지 소켓의 일부분을 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명의 지지 소켓은 증착 공정 중 모재가 지지핀에 대해 이동하지 않도록 하는 효과를 제공한다. 또한 본 발명의 지지 소켓은 증착 공정에서 외부로 노출되지 않는 가공 기준면을 가져 증착 후 가공 기준면을 기준으로 정확한 모재의 위치를 파악할 수 있으며, 파악된 모재의 위치를 이용하여 원하는 두께의 증착층을 갖는 부품을 제공하는 효과를 갖는다. 또한 본 발명의 지지 소켓은 모재에 코팅되는 증착 소재와 동일한 조건의 소재로 이루어져 증착 공정 후 일부가 제거되지 않더라도 남은 지지 소켓이 증착층과 동일한 역할을 제공할 수 있는 효과를 갖는다.
제1도와 제2도는 종래 기술의 문제점을 보여주는 도면이다.
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓의 사시도이다.
제4도는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓의 단면도이다.
제5도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 소켓들의 단면도이다.
제6도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 순서도이다.
제7도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 모재 준비 단계에서 준비되는 모재의 단면도이다.
제8도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 지지 소켓 결합 단계에서 결합된 모재와 지지 소켓을 보여주는 단면도이다.
제9도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 지지핀 삽입 단계에서 지지 소켓의 홈에 지지핀이 삽인된 모습을 보여주는 단면도이다.
제10도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 증착 단계에서 모재와 지지 소켓의 결합물에 증착 소재가 코팅되어 증착층이 형성된 모습을 보여주는 단면도이다.
제11도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 지지핀 분리 단계에서 증착층이 형성된 모재와 지지 소켓의 결합물로부터 지지핀이 분리된 상태를 보여주는 단면도이다.
제12도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 가공 단계에서 지지 소켓의 홈을 기준으로 결정된 절단면을 보여주는 단면도이다.
제13도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법에 따라 완성된 부품을 보여주는 단면도이다.
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓의 사시도이다.
제4도는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓의 단면도이다.
제5도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 소켓들의 단면도이다.
제6도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 순서도이다.
제7도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 모재 준비 단계에서 준비되는 모재의 단면도이다.
제8도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 지지 소켓 결합 단계에서 결합된 모재와 지지 소켓을 보여주는 단면도이다.
제9도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 지지핀 삽입 단계에서 지지 소켓의 홈에 지지핀이 삽인된 모습을 보여주는 단면도이다.
제10도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 증착 단계에서 모재와 지지 소켓의 결합물에 증착 소재가 코팅되어 증착층이 형성된 모습을 보여주는 단면도이다.
제11도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 지지핀 분리 단계에서 증착층이 형성된 모재와 지지 소켓의 결합물로부터 지지핀이 분리된 상태를 보여주는 단면도이다.
제12도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 가공 단계에서 지지 소켓의 홈을 기준으로 결정된 절단면을 보여주는 단면도이다.
제13도는 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법에 따라 완성된 부품을 보여주는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예에 따른 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법을를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩뜨리지 않도록 생략될 수 있다.
또한, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 본 발명을 가장 적절하게 표현할 수 있도록 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명의 설명에서 용어 "중심", "세로", "상", "하", "앞", "뒤", "좌", "우", "수직", "수평", "꼭대기", "바닥", "안", "밖" 등이 가리키는 방향이나 위치관계는 첨부된 도면이 가리키는 방향이나 위치관계를 기초로 것으로, 단지 본 발명을 해석하고 간략하게 설명하기 편리하게 하기 위한 것일 뿐, 가리키는 장치나 구성요소가 반드시 특정된 방향을 갖고 있다거나 특정된 방향으로 구성되고 조작된다는 것을 제시하거나 암시하는 것이 아니므로 본 발명에 대한 한정으로 이해해서는 안된다.
여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 일 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 일 실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.
도 3과 도 4에 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)의 사시도와 단면도가 도시되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)은 증착 공정 중 모재가 지지핀 위에서 흔들리지 않도록 모재와 지지핀 사이를 연결하는 역할을 한다.
보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 상부면(10), 하부면(20), 그리고 상부면과 하부면을 연결하는 측면(30)으로 이루어진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)의 상부면(10)과 하부면(20)은 상부면의 면적이 하부면의 면적보다 넓을 수 있다. 따라서 상부면과 하부면을 연결하는 측면은 상부면과 하부면 사이에서 경사를 이룰 수 있다.
다만 후술할 본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법에서 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)의 상부면(10) 영역은 모재의 지지홈에 삽입된다. 따라서 상부면 영역이 모재의 지지홈에 쉽게 삽입되고, 삽입된 후 지지홈에 고정될 수 있도록 도 4에 도시된 바와 같이 지지 소켓(100)의 측면(30)은 상부면으로부터 수직으로 연장되는 수직면(31), 상기 수직면으로부터 상기 하부면을 향해 테이퍼진 경사면(32)으로 이루어지는 것이 보다 바람직하다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)은 도 3과 도 4에 도시된 형태에 한정되지 않고 도 5에 도시된 바와 같이 상부면(10)과 하부면(20)은 상부면의 면적이 하부면의 면적과 동일하거나 좁게 구성할 수도 있다.
다만 이 경우에도 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)의 상부면(10) 영역이 모재의 지지홈에 삽입되어야 함을 고려하여 상부면과 맞닿는 측면의 일부분은 상부면에 대해 수직한 수직면으로 구성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)의 하부면(20)에는 상부면을 향해 함몰된 홈(40)이 형성되어 있다.
홈(40)은 추후 설명할 본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법의 가공 단계에서 증착층의 절단면을 결정하는 기준이 된다.
이를 위해 홈의 중심이 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)의 중심(O-O')에 위치하도록 지지 소켓의 중심에 형성되는 것이 바람직하다.
또한 홈의 측면(42)은 가공 기준면(41)에 대해 수직이고 지지 소켓(100)의 중심선((O-O')에 대해 대칭인 것이 바람직하다.
또한 홈(40)의 바닥면인 가공 기준면(41)은 추후 설명할 본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법의 가공 단계에서 증착층의 절단면을 결정하는 기준이 되는 면으로서 평면이며, 바람직하게는 상부면과 평행한 평면일 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)의 일부분은 최종 생산품인 증착층을 포함하는 부품에 남게되므로 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)은 증착층을 포함하는 부품을 생산하는데 사용되는 증착 소재와 동일한 소재로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉 흑연 모재 위에 SiC를 코팅하여 증착층을 형성하는 경우 지지 소켓도 SiC로 형성하는 것이 바람직하다.
더 나아가 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)은 증착층을 포함하는 부품의 증착 단계의 환경 조건과 유사한 환경에서 제조되어 지지 소켓을 구성하는 입자의 결정크기 등도 증착층과 유사한 것이 바람직하다.
지금까지 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)에 대해 설명하였다. 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓을 이용하여 증착층을 포함하는 부품을 제조하는 방법에 대해 설명하기로 한다.
이하의 실시예들이 도면에 제시된 순서도를 참조로 하여 설명되며, 간단한 설명을 위해 도면에 방법이 일련의 블록들로 도시되고 설명되나, 본 발명은 상기 블록들의 순서에 한정되지 않고, 몇몇 블록들은 다른 블록들과 본 명세서에서 도시되고 기술된 것과 상이한 순서로 또는 동시에 일어날 수도 있으며, 동일한 또는 유사한 결과를 달성하는 다양한 다른 분기, 흐름 경로, 및 블록의 순서들이 구현될 수 있다. 또한, 본 명세서에서 기술되는 방법의 구현을 위하여 도시된 모든 블록들이 요구되지 않을 수 있으며, 기재된 실시예의 본질에서 벗어나지 않는 범위 내에서 일부 블록들은 선택적으로 사용되거나, 더 적은 수의 블록들로 조합되거나, 추가적인 블록들로 확장될 수 있다.
도 6에 본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법의 순서도가 도시되어 있다.
도 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법은 모재 준비 단계(S100), 지지 소켓 결합 단계(S200), 지지핀 삽입 단계(S300), 증착 단계(S400), 지지핀 분리 단계(S500), 가공 단계(S600)를 포함할 수 있다.
우선 모재 준비 단계(S100)는 증착층 형성을 위한 피가공물인 모재를 준비하는 단계이다. 일반적으로 반도체 또는 LED 제조 공정에 사용되는 웨이퍼 캐리어 등의 부품은 흑연 모재에 SiC(탄화규소)를 코팅하여 증착층을 형성하는데, 모재 없이 SiC만으로 부품을 구성할 수도 있으나 모재를 사용하면 모재를 사용하지 않는 것보다 부품의 제조시간을 현저히 감소시킬 수 있다.
이에 본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법에서도 증착층 형성을 위한 모재를 준비한다.
다만, 종래 일반적인 방법과 달리 본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법은 모재 준비 단계(S100)에서 도 7에 도시된 바와 같이 하부면에 지지홈(210)이 형성된 모재(200)가 준비된다.
모재(200)의 지지홈(210)은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)이 삽입되기 위한 홈으로서 지지 소켓(100)의 상부면(10) 영역이 삽입되기 위해 지지홈(210)은 지지 소켓의 상부면에 대응하는 형상과 단면적을 갖는다.
또한 지지홈은 정해진 위치(예를 들어 가장 좌측에 위치한 지지홈의 중심은 모재의 좌측 끝지점으로부터 정해진 거리(S)에 있고, 가장 우측에 위치한 지지홈의 중심도 모재의 우측 끝지점으로부터 정해진 거리(S)에 위치함)에 형성될 수 있다.
또한 모재(200)가 지지 소켓(100)에 의해 안정적으로 지지되기 위해 모재에는 2개 이상의 지지홈(210)이 형성되어 있는 것이 바람직하고, 복수 개의 지지홈은 모재에 균일하게 그리고 대칭적으로 배치되는 것이 바람직하다.
다음으로, 지지 소켓 결합 단계(S200)는 지지 소켓(100)을 모재(200)와 결합시키는 단계이다.
지지 소켓 결합 단계(S200)에서, 도 8에 도시된 바와 같이 모재(100)의 하부면에 형성된 지지홈(210)에 지지 소켓(100)의 상부면을 삽입시켜 지지 소켓(100)과 모재(200)를 결합시킨다.
지지 소켓의 상부면 영역 즉, 지지 소켓의 상부면(10)과 상부면에 대해 수직한 측면의 일부분인 수직면(31)이 이루는 영역이 모재의 지지홈(210)에 삽입된다.
이때 모재의 표면과 가공 기준면(41) 사이의 수직 거리(D)가 미리 결정된 증착층의 두께보다 크도록 삽입한다.
다음으로, 지지핀 삽입 단계(S300)는 지지 소켓의 홈에 지지핀을 삽입시키는 단계이다.
앞서 설명한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)의 하부면에는 홈(40)이 형성되어 있고, 지지핀 삽입 단계(S300)에서 도 9에 도시된 바와 같이 홈(40)에 지지핀(300)을 삽입한다.
지지 소켓(100)의 홈(40)에 지지핀(300)을 삽입하는 것은 지지핀(300)을 이용해 모재와 지지 소켓의 결합물을 CVD 장비 내에 위치시키기 위한 것과 후술할 증착 단계에서 증착 물질이 지지 소켓의 홈(40)을 코팅하지 않도록 하기 위한 것이다.
다음으로, 증착 단계(S400)는 모재와 지지 소켓의 결합물을 증착 소재로 코팅하는 단계이다.
지지핀 삽입 단계(S300)에서 CVD 장비 내에 위치된 모재와 지지 소켓의 결합물에 화학 기상 증착법(CVD)을 통해 증착 소재를 코팅한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법에서는 후술할 가공 단계에서의 증착층의 평탄도를 향상시키기 위해 모재(200)에 코팅된 증착층의 일부를 제거하기 때문에 증착 단계(S400)에서 증착층(400)을 두껍게(예를 들어 2mm이상 또는 모재 두께의 0.01배 내지 1배) 성장시키는 것이 바람직하다.
도 10에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 증착층을 포함하는 부품 제조 방법에서는 모재(200)의 지지홈(210)에 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 소켓(100)을 결합시켰고, 지지 소켓(100)의 홈에 지지핀(300)을 삽입하였기 때문에 종래와 달리 증착 단계에서 지지핀(300) 또는 지지 소켓(100)에 대한 모재(200)의 위치가 달라지지 않는다.
다음으로, 지지핀 분리 단계(S500)는 증착층(400)이 형성된 모재(200)와 지지 소켓(100)의 결합물을 지지핀(300)으로부터 분리하는 단계이다.
도 11에 도시된 바와 같이 증착 단계(S400)에서 증착 물질이 모재와 지지 소켓을 모두 코팅하지만 지지핀(300)이 삽입되어 있던 지지 소켓의 홈(40)은 지지핀에 의해 증착 물질이 코팅되는 것이 차단된다.
이에 증착 단계 이후 지지핀 분리 단계에서 증착층(400)이 형성된 모재(200)와 지지 소켓(100)의 결합물로부터 지지핀(300)을 분리하면 지지 소켓의 홈(40)은 증착 물질이 코팅되지 않은 상태로 노출된다.
따라서 증착 물질에 의해 모재가 모두 덮여있지만 모재에서의 지지홈 위치, 지지 소켓에서의 홈의 위치를 알고 있기 때문에 사용자는 홈(40)을 기준으로 모재의 위치를 알 수 있게 된다.
다음으로, 가공 단계(S600)는 증착층(400)과 지지 소켓(100)의 일부분을 제거하여 증착층을 포함하는 부품을 완성하는 단계이다.
증착 단계에서 생성된 증착층은 표면이 고르지 않기 때문에 완성된 부품의 외측면이 평탄하게 되도록 하기 위해 가공 단계에서 증착층(400)과 지지 소켓(100)의 일부분을 제거한다.
이때 모재의 위치를 잘못 파악하면 도 2에 도시된 바와 같이 모재가 노출되거나 위치에 따라 증착층의 두께가 고르지 않게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 부품 제조 방법에서는 모재에서의 지지홈 위치, 지지 소켓에서의 홈의 위치를 알고 있기 때문에 사용자는 홈(40)을 기준으로 도 12에 도시된 바와 같이 절단면을 결정할 수 있다.
즉, 사용자는 모재 표면과 가공 기준면(41) 사이의 수직 거리(D)와 미리 결정된 증착층의 두께를 고려하여 하부 절단면(①)을 결정할 수 있다.
만약 수직 거리(D)가 미리 결정된 증착층의 두께와 동일할 때 사용자는 복수 개 지지 소켓의 가공 기준면(41)을 모두 연결하는 평면을 하부 절단면(①)으로 결정할 수 있다.
다음으로 모재(200)의 두께와 미리 결정된 증착층의 두께를 이용하여 지지 소켓의 가공 기준면(41)으로부터 상부 절단면(②)까지의 거리()를 정하고, 결정된 하부 절단면(①)으로부터 만큼 이격되며 하부 절단면에 수평한 상부 절단면(②)을 결정할 수 있다.
또한 사용자는 가장 좌측 또는 우측에 위치한 지지홈의 중심으로부터 모재 측면까지의 거리 정보와 원하는 증착층의 두께를 고려하여 가장 가장자리에 위치한 지지 소켓(100)의 홈 중심으로부터 측면 절단면까지의 거리()를 정하고, 가장 가장자리에 위치한 지지소켓의 홈 중심으로부터 만큼 이격되며, 하부 절단면에 수직한 좌우측 절단면(③, ④)을 결정할 수 있다.
또한 동일한 방법으로 도시되지 않은 전후방 절단면을 결정할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
이와 같이 결정된 절단면을 따라 증착층(400)의 일부, 그리고 하부 절단면에서는 증착증 일부와 지지 소켓의 일부가 제거하여 완성된 부품은 도 12에 도시된 바와 같이 모재(200)의 모든 면으로부터 미리 결정된 두께의 증착층(400)을 갖는 부품이 된다.
예를 들어 모든 면에서 모재 두께에 대해 증착층의 두께가 0.01배 내지 1배가 되도록 할 수 있다.
이와 같이 완성된 부품에는 도 13에 도시된 바와 같이 지지 소켓의 일부분이 남아 있으므로 앞서 설명한 바와 같이 지지 소켓은 증착 소재와 동일한 소재로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉 흑연 모재 위에 SiC를 코팅하여 증착층을 형성하는 경우 지지 소켓도 SiC로 형성하는 것이 바람직하다.
더 나아가 지지 소켓(100)을 증착 단계의 환경 조건과 유사한 환경에서 제조하여 지지 소켓을 구성하는 입자의 결정크기 등도 증착층과 유사하도록 하는 것이 바람직하다.
지금까지 본 발명의 실시예에 따른 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법을 구체적인 실시예를 참고로 한정되게 설명하였다. 그러나 본 발명은 이러한 구체적인 실시예에 한정되지 않으며, 특허청구범위에 청구된 발명의 사상 및 그 영역을 이탈하지 않으면서 다양한 변화 및 변경이 있을 수 있음을 이해하여야 할 것이다.
1: 모재 2: 지지핀
3: 증착층 10: 상부면
20: 하부면 30: 측면
31: 수직면 32: 경사면
40: 홈 41: 가공 기준면
100: 지지 소켓 200: 모재
210: 지지홈 300: 지지핀
400: 증착층
3: 증착층 10: 상부면
20: 하부면 30: 측면
31: 수직면 32: 경사면
40: 홈 41: 가공 기준면
100: 지지 소켓 200: 모재
210: 지지홈 300: 지지핀
400: 증착층
Claims (11)
- SiC 증착 공정에서 모재를 지지하는 지지 소켓으로서,
상부면, 하부면, 상기 상부면과 하부면을 연결하는 측면으로 이루어지며,
상기 하부면으로부터 상기 상부면을 향해 함몰된 홈; 및
홈의 바닥을 이루는 평면인 가공 기준면;
을 포함하고, 전체가 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 지지 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 상부면은 평면이고, 상기 가공 기준면은 상기 상부면과 평행한 것을 특징으로 하는 지지 소켓. - 제2항에 있어서,
상기 측면의 적어도 일부분은 상기 상부면에 대해 수직한 수직면이고, 상기 수직면은 상기 상부면과 맞닿는 부분에 위치하는 것을 특징으로 하는 지지 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 홈의 중심이 상기 지지 소켓의 중심에 위치한 것을 특징으로 하는 지지 소켓. - 삭제
- 하부면에 적어도 2개의 지지홈을 갖는 모재를 준비하는 모재 준비 단계;
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 지지 소켓의 상부면을 상기 지지홈에 삽입시키는 지지 소켓 결합 단계;
상기 지지 소켓의 홈에 지지핀을 삽입하는 지지핀 삽입 단계;
상기 모재와 지지 소켓의 결합물을 증착 소재로 코팅하여 증착층을 형성하는 증착 단계;
증착층이 형성된 상기 결합물을 상기 지지핀으로부터 분리하는 지지핀 분리 단계; 및
상기 증착층과 상기 지지 소켓의 일부분을 제거하는 가공 단계;
를 포함하는 증착층을 포함하는 부품 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 가공 단계에서, 상기 지지 소켓의 홈을 기준으로 상기 일부분을 제거하기 위한 절단면을 결정하는 것을 특징으로 하는 부품 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 가공 단계에서, 상기 지지 소켓의 가공 기준면을 기준으로 상기 절단면을 결정하는 것을 특징으로 하는 증착층을 포함하는 부품 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 모재는 흑연 모재이고, 상기 증착 소재는 SiC이며, 상기 지지 소켓은 상기 증착 소재와 동일한 SiC로 이루어진 지지 소켓을 사용하는 것을 특징으로 하는 증착층을 포함하는 부품 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 지지 소켓 결합 단계에서, 상기 모재의 표면과 가공 기준면 사이의 수직 거리가 미리 결정된 증착층의 두께보다 크도록 지지 소켓을 지지홈에 삽입시키는 것을 특징으로 하는 증착층을 포함하는 부품 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 가공 단계에서 모재 두께에 대해 증착층의 두께가 0.01배 내지 1배가 되도록 상기 증착층과 상기 지지 소켓의 일부분을 제거하는 것을 특징으로 하는 증착층을 포함하는 부품 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210111538A KR102642090B1 (ko) | 2021-08-24 | 2021-08-24 | 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법 |
PCT/KR2022/010279 WO2023027337A1 (ko) | 2021-08-24 | 2022-07-14 | 지지 소켓 및 지지 소켓을 이용한 부품 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210111538A KR102642090B1 (ko) | 2021-08-24 | 2021-08-24 | 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230029257A KR20230029257A (ko) | 2023-03-03 |
KR102642090B1 true KR102642090B1 (ko) | 2024-02-29 |
Family
ID=85321841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210111538A KR102642090B1 (ko) | 2021-08-24 | 2021-08-24 | 지지 소켓 및 증착층을 포함하는 부품 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102642090B1 (ko) |
WO (1) | WO2023027337A1 (ko) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE509984C2 (sv) * | 1994-03-18 | 1999-03-29 | Sandvik Ab | Chargeringssystem för CVD |
JP4455895B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-04-21 | 東海カーボン株式会社 | 気相蒸着セラミックス被覆材の製造方法 |
JP5787558B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2015-09-30 | イビデン株式会社 | セラミックス基材支持具及びセラミックス部材の製造方法 |
US8908349B2 (en) * | 2011-03-31 | 2014-12-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Member for semiconductor manufacturing apparatus |
KR20130068475A (ko) * | 2011-12-15 | 2013-06-26 | 주식회사 티씨케이 | 실리콘 카바이드 서셉터 제조용 지지장치 |
KR101347712B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2014-01-06 | 주식회사 티씨케이 | 실리콘 카바이드 코팅 제품의 지그 |
KR102051668B1 (ko) | 2016-12-20 | 2019-12-04 | 주식회사 티씨케이 | SiC 증착층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 |
KR102040378B1 (ko) * | 2016-12-20 | 2019-11-05 | 주식회사 티씨케이 | 지그를 이용한 반도체 제조용 부품의 제조방법 및 제조장치 |
-
2021
- 2021-08-24 KR KR1020210111538A patent/KR102642090B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-07-14 WO PCT/KR2022/010279 patent/WO2023027337A1/ko active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230029257A (ko) | 2023-03-03 |
WO2023027337A1 (ko) | 2023-03-02 |
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