JPH09118979A - スパッタ装置 - Google Patents

スパッタ装置

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JPH09118979A
JPH09118979A JP27907995A JP27907995A JPH09118979A JP H09118979 A JPH09118979 A JP H09118979A JP 27907995 A JP27907995 A JP 27907995A JP 27907995 A JP27907995 A JP 27907995A JP H09118979 A JPH09118979 A JP H09118979A
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JP
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wafer
target
sputtering
wafer holder
film
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JP27907995A
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Akio Yokosara
昭夫 横更
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】成膜材料のターゲットにイオンを衝突させて成
膜材料の粒子を飛ばし、絶縁膜や金属膜を形成するスパ
ッタ装置に関し、ウエハ載置面とターゲットのスパッタ
面とを近づけた場合でも、ウエハ保持具の移動に支障を
きたすことなく、ターゲットの空とばしと成膜とを行
う。 【解決手段】スパッタ面15を有するターゲット14
と、スパッタ面15に平行な回転軸16と、回転軸16
に平行なウエハを保持するための複数の面12a〜12
dを有し、スパッタ面15に平行な軸16の周りを回転
するウエハ保持具11と、スパッタ面15に垂直又は斜
め方向にターゲット14又はウエハ保持具11を移動さ
せる移動手段とを備えてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタ装置に関
し、より詳しくは、成膜材料のターゲットにイオンを衝
突させて成膜材料の粒子を飛ばし、絶縁膜や金属膜を形
成するスパッタ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】絶縁膜や金属膜の成膜装置として種々の
ものがあるが、特にスパッタ装置は低温で金属膜を容易
に成膜することができるため、コンタクト層や配線層の
形成に多用されている。図7は、従来例に係るスパッタ
装置の成膜部の機構を示す平面図である。図に示すよう
に、ウエハ保持具1は四角柱状を有し、軸6に平行な四
つの面がウエハ載置面2a〜2dとなっており、軸6の
周りを回転する。ウエハ保持具1を立てているのはパー
ティクルの付着を防止するためであり、また、ウエハ保
持具1が四角柱状となっているのは複数のウエハ載置面
2a〜2dを設けることにより、一つのウエハ載置面2
aのウエハ3aに成膜しつつ、他のウエハ載置面2b〜
2dのうちいずれかからウエハ3b〜3dを取り除き、
続いて他のウエハ載置面2b〜2dにウエハを装着する
ことができるようにしてスループットを上げるためであ
る。
【0003】また、成膜材料のターゲット4はそのスパ
ッタ面5が所定の間隔を保持してウエハ載置面2aと対
面するように配置されている。ウエハ保持具1が90°
回転する毎にウエハ載置面2b〜2dはスパッタ面5と
対面する。成膜毎に90°ずつ回転させて、ウエハ載置
面2a〜2dのウエハ3a〜3d上に順次成膜する。ま
た、ウエハ保持具1とターゲット4のスパッタ面5の間
には、ウエハ載置面2aとスパッタ面5の間を開閉する
回動可能なシャッタ7が設けられている。このシャッタ
7により、ターゲット4の空とばしの際、ウエハ載置面
2a上のウエハ3aに成膜材料が被着しないにようにウ
エハ載置面2aとスパッタ面5の間を遮断し、成膜の
際、その間を開放する。空とばしを行うのは、ターゲッ
ト4のスパッタ面5は酸化等して汚れているため、ウエ
ハ2a〜2d上に膜質の良くない金属膜等が成膜されな
いように、それを除去する必要があるからである。成膜
開始直前に空とばしが行われる。
【0004】ところで、半導体装置の高密度化のためパ
ターンが微細化され、かつ絶縁膜や金属膜が多層に積層
されるようになってきているため、スパッタによる成膜
においてもカバレージをさらに改善する必要が生じてい
る。その改善策の一つとして、ターゲット(カソード)
とウエハの距離を近づけることが有効である。即ち、図
8(a),(b)に示すように、スパッタされた成膜材
料の粒子は必ずしも垂直方向に飛んでいくとは限らず、
斜め方向(角度θの方向)にも飛んでいく。このとき、
図8(a)のように、ウエハ3aとターゲット4のスパ
ッタ面5の間の距離が長いと、成膜材料の粒子がウエハ
3aに到達する前に他の粒子と衝突する確率が増えて散
乱粒子が多くなる。そのような粒子はビアホール等の凹
部の内部には到達しにくくなり、形成された膜はビアホ
ールの縁部で厚く被着するオーバハング状になる。一
方、図8(b)のように、ウエハ3aとターゲット4の
スパッタ面5の間の距離が短いと、粒子同士の衝突の確
率は減って垂直方向もしくは垂直方向に近い角度に飛ん
でいく粒子がより増えるため、多くの粒子はビアホール
の底部まで到達することができる。これにより、形成さ
れる膜のステップカバレージが改善される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
3aとスパッタ面5の間の距離を短くした場合、ウエハ
3aとスパッタ面5の間にシャッタ7を介在させると、
スパッタ成長前のアイドリングスパッタが始まったと
き、シャッタ7がプラズマに曝されてシャッタ7に電位
が生じ、プラズマが安定しないという問題があった。ま
た、ウエハ3aとスパッタ面5の距離がさらに短くなる
と、ウエハ3aとスパッタ面5の間にシャッタ7を介在
させること自体が困難になるという問題も起こる。
【0006】このような問題を解決するため、シャッタ
7がなくてもよいようにウエハ載置面の一つにダミーウ
エハを載せて空とばしを行うようにしている。しかし、
ダミーウエハが必要になるため、余分なコストが掛かっ
てしまうだけでなく、ダミーウエハにより一つのウエハ
載置面が占有されるため、成膜すべきウエハの枚数を減
らさなければならず、スループットが低下してしまうと
いう問題もある。
【0007】更に、シャッタを用いない場合でも、さら
にウエハとスパッタ面の間の距離を近づけようとする
と、回転するウエハ保持具とターゲットとがぶつかって
しまい、ウエハ保持具を回転させることができなくなる
という問題がある。本発明は、上記の従来例の問題点に
鑑みて創作されたものであり、ウエハ載置面とターゲッ
トのスパッタ面とを近づけた場合でも、ウエハ保持具の
移動に支障をきたすことなく、ターゲットの空とばしと
成膜とを行うことができるスパッタ装置を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第1の発明
である、スパッタ面を有するターゲットと、前記スパッ
タ面に平行な回転軸と、前記回転軸に平行なウエハを保
持するための複数の面を有し、前記回転軸の周りを回転
しうるウエハ保持具と、前記スパッタ面に垂直または斜
め方向に前記ターゲット又は前記ウエハ保持具を移動さ
せる移動手段とを備えてなることを特徴とするスパッタ
装置によって達成され、第2の発明である、スパッタ面
を有するターゲットと、前記スパッタ面に平行な回転軸
と、前記スパッタ面に平行なウエハを保持するための複
数の面を有し、前記回転軸の周りを回転するウエハ保持
具とを備えてなり、前記ウエハ保持具は折り畳み自在に
形成されてなり、折り畳んだ状態で前記ウエハ保持具の
回転が可能となっていることを特徴とするスパッタ装置
によって達成され、第3の発明である、前記ウエハ保持
具の複数の面のうちの少なくとも一つが空とばし用の面
であり、他の面はウエハ載置面であることを特徴とする
第1又は第2の発明のいずれかに記載のスパッタ装置に
よって達成され、第4の発明である、スパッタ面を有す
るターゲットと、前記スパッタ面側に空とばし用の面と
ウエハ載置面とを有するウエハ保持具と、前記ターゲッ
ト又は前記ウエハ保持具を前記スパッタ面に平行な方向
に移動させて前記空とばし用の面又は前記ウエハ載置面
と前記スパッタ面とを対面させる移動手段とを備えてな
ることを特徴とするスパッタ装置によって達成される。
【0009】本発明においては、ターゲットのスパッタ
面に垂直な方向にターゲット又はウエハ保持具を移動さ
せる移動手段を備えている。即ち、その移動によりスパ
ッタ面とウエハ載置面又は空とばし用の面とを近づけた
り、遠ざけたりすることができる。従って、ウエハ保持
具又はターゲットから遠ざかるようにターゲット又はウ
エハ保持具を移動させることにより、ウエハ保持具とタ
ーゲットとの間に十分な間隔をとることができるので、
空とばし後或いは成膜後にウエハ保持具を回転させるこ
とが可能となる。しかも、成膜の際、ウエハ保持具とタ
ーゲットとを近づけることにより、ウエハ載置面とター
ゲットのスパッタ面の間の距離を可能な限り短くするこ
とができる。
【0010】このように、ウエハ保持具とターゲットを
近づけた場合でも、ウエハ保持具の回転に支障をきたす
ことなく、空とばしと成膜とを行うことができる。更
に、空とばしの際、ウエハ保持具とターゲットとの間に
十分な間隔をとることにより、その間にシャッタを介在
させることが可能となるため、ダミーウエハが不要であ
り、又は空とばし用の面を設ける必要もない。従って、
コストの低減を図り、スループットの向上を図ることが
できる。
【0011】また、ウエハ保持具は折り畳み自在になっ
ており、折り畳んだ状態で前記ウエハ保持具の回転が可
能となっている。従って、ウエハ保持具の複数の面のう
ち一つを空とばし用の面とし、他の面をウエハ載置面と
することにより、ウエハ保持具の回転に支障をきたすこ
となく、空とばし用の面とターゲットのスパッタ面とを
対面させて空とばしを行い、さらにウエハとスパッタ面
とを可能な限り近づけて成膜を行うことができる。
【0012】更に、ターゲット又はウエハ保持具をスパ
ッタ面に平行な方向に移動させて空とばし用の面とウエ
ハ載置面とを別々にターゲットのスパッタ面と対面させ
る移動手段を備えている。従って、空とばしの際、成膜
すべきウエハをターゲットのスパッタ面から遠ざけ、空
とばし用の面をスパッタ面に近づけるように移動するこ
とにより、空とばし用の面上にのみ汚染物の混じった成
膜材料を被着させることができる。また、成膜のとき、
ウエハがスパッタ面と対面するようにウエハ保持具を移
動させることにより、ウエハとスパッタ面の間の距離を
十分に近づけてウエハ上にのみスパッタ膜を堆積させる
ことができる。
【0013】これにより、ウエハ保持具とターゲットを
近づけた場合でも、ウエハ保持具の移動に支障をきたす
ことなく、空とばしと成膜とを行うことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
(1)本発明の第1及び第2の実施の形態 図1(a),(b)は、第1の実施の形態に係るスパッ
タ装置の成膜部の機構を示す平面図である。図1(a)
に示すように、ウエハ保持具11はステンレス等からな
る四角柱状を有し、軸16に平行な四つの面がウエハ載
置面12a〜12dとなっている。直径6インチのウエ
ハを用いる場合、ウエハ載置面12a〜12dの横幅W
は280mmであり、ウエハ保持具11の中心からター
ゲット14までの距離Dは160mmである。従って、
ウエハ載置面12a〜12dとターゲット14のスパッ
タ面15が対面した状態でウエハ載置面12a〜12d
からスパッタ面15までの距離(D−W/2)は20m
mとなる。また、ウエハ保持具11は回転軸16に支持
されており、成膜毎に90°ずつ回転させて、ウエハ載
置面12a〜12dとターゲット14のスパッタ面15
とを対面させることができるようになっている。なお、
スパッタ面15とは、ターゲット14のうちでプラズマ
に印加されてスパッタされる面をいう。即ち、「エロー
ジョン」が形成される領域をいう。
【0015】更に、成膜材料のターゲット14のスパッ
タ面15はウエハ載置面12a〜12dと対面するよう
に配置されている。ここで、ウエハ保持具11の対角線
方向でウエハ保持具11の中心からの最大幅はW/√2
≧195mmとなり、上記のウエハ保持具11がそのま
ま回転した場合、ウエハ保持具11の対角線方向がター
ゲット14にぶつかる。これを避けるため、ターゲット
14はスパッタ面15に垂直な方向にウエハ保持具11
に対して移動可能なように不図示の移動手段に保持され
ている。空とばしの際、ウエハ保持具11から遠ざかる
ように移動させる。一方、成膜のとき、ウエハ保持具1
1に近づくように移動させてターゲット14のスパッタ
面15とウエハ載置面12aとの間の距離が所定の間隔
となるようにする。なお、図面には記載されていない
が、空とばしの際、ターゲット14とウエハ保持具11
の間にシャッタが介在するようになっている。
【0016】次に、上記のスパッタ装置を用いてウエハ
上に成膜する方法について、図1(a),(b),図6
(a)〜(c)を参照しながら説明する。図6(a)は
成膜前のウエハ表面を示す断面図である。n型のシリコ
ンからなる半導体基板41上にシリコン酸化膜等からな
る絶縁膜43が形成され、半導体基板41の表層に形成
された拡散領域42の上には絶縁膜43にコンタクトホ
ール44が形成されている。
【0017】このような状態で、まず、ウエハ保持具1
1の4つのウエハ載置面12a〜12dにそれぞれ1枚
ずつ、計4枚の成膜すべきウエハ13a〜13dを載せ
る。続いて、チャンバ内を減圧した後、チャンバ内にア
ルゴンガスを導入し、チャンバ内を所定の圧力に保持す
る。次に、純Al,Al−Si合金,Al−Si−Cu
合金又はAl−Cu−Ti合金等からなるターゲット1
4をスパッタ面15に垂直な方向に移動させて、ターゲ
ット14とウエハ13a間に十分な空間を作る。続い
て、その空間にシャッタを介在させて、ウエハ13aと
ターゲット14のスパッタ面15の間を遮断する。
【0018】次いで、ターゲット14とウエハ保持具1
1の間に高周波電力又は直流電力を印加し、アルゴンガ
スをプラズマ化する。これにより、アルゴンイオンがタ
ーゲット14の方向に加速されてターゲット14のスパ
ッタ面15に衝突し、スパッタが始まる。これにより、
スパッタ面15に形成された絶縁膜が除去される一方、
スパッタされた汚染物が混じった成膜材料はシャッタに
被着する。
【0019】次に、ターゲット14とウエハ13aとの
間に介在していたシャッタを取り除いた後、ターゲット
14をウエハ13aに近づけ、ウエハ13aとスパッタ
面15の間を所定の間隔に保持する。ターゲット14か
ら汚染物が混じっていない成膜材料がスパッタされてウ
エハ13a上に被着していく。所定の時間保持すると、
図6(b)に示すように、膜厚約1μmのAl膜45が
形成される。このとき、ウエハ13aとスパッタ面15
の間隔が十分に狭いので、Al粒子相互の衝突の確率は
小さい。このため、成膜されたAl膜45のカバレージ
は向上する。
【0020】続いて、ターゲット14を遠ざけて、ウエ
ハ保持具11を回転させ、次のウエハ13bをターゲッ
ト14のスパッタ面15に対面させる。次いで、ターゲ
ット14をウエハ13bに近づけて、ウエハ13bとス
パッタ面15の間を所定の間隔に保持した後、図6
(b)と同様にして、ウエハ13b上に成膜する。この
ようにして、ウエハ載置面12a〜12dの4枚のウエ
ハ13a〜13d上に順次成膜していく。
【0021】次に、全てのウエハ13a〜13dに成膜
した後、ウエハ13a〜13dをウエハ載置面12a〜
12dから取り外す。続いて、図6(c)に示すよう
に、Al膜45をパターニングして電極45aを形成す
る。以上のように、第1の実施の形態によれば、空とば
し後或いは成膜後にウエハ保持具11から遠ざかるよう
にターゲット14を移動させることにより、ウエハ保持
具11とターゲット14との間に十分な間隔をとること
ができ、ウエハ保持具11を回転させることが可能とな
る。しかも、成膜の際、ウエハ13aとターゲット14
のスパッタ面15の間の距離を短くすることができる。
従って、粒子同士の衝突の確率は減って垂直方向に飛ん
でいく粒子がより増えるため、多くの粒子はコンタクト
ホール44の底部まで到達することができる。これによ
り、形成される膜のステップカバレージが改善される。
【0022】このように、ウエハ保持具11とターゲッ
ト14を近づけた場合でも、ウエハ保持具11の回転に
支障をきたすことなく、空とばしと成膜とを行うことが
できる。更に、空とばしの際、ウエハ保持具11とター
ゲット14との間に十分な間隔をとることにより、その
間にシャッタを介在させることが可能となるため、ダミ
ーウエハが不要であり、又は空とばし用の面を設ける必
要もない。従って、コストの低減を図り、スループット
の向上を図ることができる。
【0023】次に、第2の実施の形態に係るスパッタ装
置について図2(a),(b)を参照しながら説明す
る。第1の実施の形態と異なるところは、ターゲット1
4に対してウエハ保持具11がターゲット14のスパッ
タ面15に垂直な方向に移動することである。ウエハ保
持具11を回転させる際にターゲット14から遠ざかる
ようにウエハ保持具11を移動させ、成膜の際にターゲ
ット14に近づくように移動させる。
【0024】第2の実施の形態によれば、空とばし後或
いは成膜後にターゲット14から遠ざかるようにウエハ
保持具11を移動させることにより、第1の実施の形態
と同じように、ウエハ保持具11とターゲット14との
間に十分な間隔をとることができ、ウエハ保持具11を
回転させることが可能となる。また、成膜のとき、ター
ゲット14に近づくようにウエハ保持具11を移動させ
ることにより、ウエハ13aとスパッタ面15との間隔
を十分に狭く保持し、ウエハ13a上に形成される膜の
カバレージを向上させることができる。
【0025】このように、ウエハ保持具11とターゲッ
ト14を近づけた場合でも、ウエハ保持具11の回転に
支障をきたすことなく、空とばしと成膜とを行うことが
できる。更に、空とばしの際、ウエハ保持具11とター
ゲット14との間に十分な間隔をとることにより、その
間にシャッタを介在させることが可能となるため、ダミ
ーウエハが不要であり、又は空とばし用の面を設ける必
要もない。従って、コストの低減を図り、スループット
の向上を図ることができる。
【0026】なお、上記では、シャッタを用いて、4つ
のウエハ載置面12a〜12dすべてに4つの成膜すべ
きウエハ13a〜13dを載せているが、4つのウエハ
載置面12a〜12dのうち一つを空とばし用の面とし
てもよい。この場合、空とばしの際に、空とばし用の面
とターゲットのスパッタ面とを対面させて空とばし用を
行ってもよい。さらに、4枚のウエハ13a〜13dの
うち一つをダミーウエハを用いて空飛ばしさせることも
できる。
【0027】また、ウエハ保持具11として四角柱状の
ものを用い、軸16に平行な4つの面をウエハ載置面1
2a〜12dとしているが、4つのウエハ載置面12a
〜12dのうち2つを用い、一つを空とばし用の面と
し、もう一つをウエハ載置面としてもよい。更に、四角
い柱状のものを用いる代わりに、三角柱状のもの、その
他五角以上の柱状のものを用いてもよい。
【0028】更に、ターゲット又はウエハ保持具の移動
はターゲット面に垂直方向に限られない。間隔が開くよ
うにできれば、斜めに移動させてもよい。 (2)本発明の第3及び第4の実施の形態 図3(a),(b)は、第3の実施の形態に係るスパッ
タ装置について示す断面図である。
【0029】上記した第1及び第2の実施の形態では、
ウエハ保持具11として軸16に平行な4つのウエハ載
置面12a〜12dを有する四角柱状のものを用い、ウ
エハ保持具11を軸16の周りに回転させて各ウエハ1
3a〜13dをターゲット14のスパッタ面15に対面
させるようにしているが、第3の実施の形態では、ウエ
ハ保持具21としてウエハ載置面22aと空とばし用の
面22bとが隣接して並んでいる平板状のものを用い、
ウエハ保持具21をスパッタ面25に平行な方向に往復
移動させて、ウエハ23と空とばし用の面22bとを別
々にターゲット24のスパッタ面25に対向させ、成膜
と空とばしを行えるようにしている。
【0030】このような場合も、空とばしの際、成膜す
べきウエハ23をターゲット24のスパッタ面25から
遠ざけ、空とばし用の面22bをスパッタ面25に近づ
けるように移動することにより、空とばし用の面22b
上にのみ汚染物の混じった成膜材料を被着させることが
できる。また、成膜のとき、ウエハ23とターゲット2
4のスパッタ面25が対面するようにウエハ保持具21
を移動させることにより、ウエハ23とスパッタ面25
の間の距離を十分に近づけてウエハ23上にのみスパッ
タ膜を堆積させることができる。これにより、ウエハ2
3上に形成されるスパッタ膜のカバレージは向上する。
【0031】以上のように、第3の実施の形態によれ
ば、ウエハ載置面22aとターゲット24のスパッタ面
25とを近づけた場合でも、ウエハ保持具21の移動に
支障をきたすことなく、空とばしと成膜とを行うことが
できる。なお、第3の実施の形態では、ウエハ保持具2
1をスパッタ面25に平行に移動させているが、図4
(a),(b)に示す第4の実施の形態のように、ウエ
ハ保持具21として第3の実施の形態と同じものを用
い、ターゲット24の方を移動させてもよい。
【0032】(3)本発明の第5の実施の形態 図5(a),(b)は、第5の実施の形態に係るスパッ
タ装置について示す断面図である。第5の形態の特徴は
ウエハ保持具31が折り畳み自在になっていることであ
る。図5(a)は開いた状態のウエハ保持具31の上面
図であり、図5(b)は折り畳んだ後のウエハ保持具3
1の上面図である。
【0033】図5(a),(b)に示すように、ウエハ
保持具31では、ステンレス等からなる4枚の平板31
a〜31dが四角い筒状になるように形成されている。
平板31a〜31dの表の面がウエハ載置面32a〜3
2dとなる。各平板31a〜31dは真ん中で折れ曲が
るように形成されている。また、ウエハ保持具31はそ
の中心で回転軸34により支持され、この回転軸34の
周りを回転する。
【0034】33a〜33hは中央部が折れ曲がるよう
になっている支持体である。33a,33bはウエハ載
置面32bを支持し、33c,33dはウエハ載置面3
2dを支持し、33e,33fはウエハ載置面32aを
支持し、33g,33hはウエハ載置面32cを支持し
ている。ウエハ保持具31として組み上げるには、図5
(a)に示すように、全ての支持体33a〜33hを伸
ばす。これにより、4つの平板31a〜31dがすべて
伸びて四角い筒状となる。これにより、軸34に平行な
四つのウエハ載置面32a〜32dを有するウエハ保持
具31が組み上がる。
【0035】ウエハ保持具31を折り畳む場合には、図
5(b)に示すように、支持体33a,33b及び33
c,33dの中央部が折れて平板31b,31dが外向
きになるように真ん中から折り畳まれる。次いで、支持
体33e,33f及び33g,33hの中央部が折れて
平板31a,31cが外向きになるように折り畳まれ
る。これにより、折り畳んだ後のウエハ保持具31の最
大幅が縮まり、その最大幅は折り畳む前のウエハ載置面
32a〜32dの横幅とほぼ等しくなる。従って、折り
畳んだ後のウエハ保持具31をそのまま回転させてもタ
ーゲットにぶつかることはない。
【0036】この場合、ウエハ載置面32a〜32dの
一つを空とばし用の面とすることにより、空とばし用の
面をターゲットのスパッタ面に対面させて空とばしを行
う。これにより、汚染物が混じった成膜材料を空とばし
用の面に被着させて汚れたターゲットのスパッタ面を清
浄にすることができる。次いで、ウエハ保持具31を折
り畳んで回転させる。続いて、ウエハ保持具31を組み
上げて、ウエハ載置面32a〜32dとターゲットのス
パッタ面を対面させた後、ウエハ載置面32a〜32d
にウエハを載置し、成膜を行う。これにより、成膜すべ
きウエハ上に清浄な膜を形成することができる。
【0037】以上のように、第5の実施の形態によれ
ば、ウエハ保持具31とターゲットを近づけた場合で
も、ウエハ保持具31の回転に支障をきたすことなく、
空とばしと成膜とを行うことができる。なお、本発明の
適用は第5の形態に示す折り畳み方法により折り畳み可
能なウエハ保持具に限定されるものではなく、種々の折
り畳み方法により折り畳み可能なウエハ保持具に適用で
きる。この場合、ウエハ保持具をその位置で回転させる
ことができるように折り畳むことが必要である。
【0038】また、ウエハ保持具として四角柱状のもの
を用いているが、三角柱状のもの、その他五角以上の柱
状のものを用いてもよい。
【0039】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、ター
ゲットのスパッタ面に垂直な方向にターゲット又はウエ
ハ保持具を移動させる移動手段を備えている。従って、
スパッタ面とウエハ載置面又は空とばし用の面とを近づ
けたり、遠ざけたりすることができるので、空とばしの
際、ウエハ保持具とターゲットとの間に十分な間隔をと
って、ウエハ保持具を回転させることが可能となる。し
かも、成膜の際、ウエハ載置面とターゲットのスパッタ
面の間の距離を短くすることができる。このように、ウ
エハ保持具の回転に支障をきたすことなく、空とばしと
成膜とを行うことができる。
【0040】また、ウエハ保持具は折り畳み自在になっ
ており、折り畳んだ状態で前記ウエハ保持具の回転が可
能となっている。従って、ウエハ保持具の複数の面のう
ち一つを空とばし用の面とし、他の面をウエハ載置面と
することにより、ウエハ保持具の回転に支障をきたすこ
となく、空とばし用の面とターゲットのスパッタ面とを
対面させて空とばしを行い、さらにウエハとスパッタ面
とを可能な限り近づけて成膜を行うことができる。
【0041】更に、ターゲット又はウエハ保持具をスパ
ッタ面に平行な方向に移動させて空とばし用の面とウエ
ハ載置面とを別々にターゲットのスパッタ面と対面させ
る移動手段を備えている。従って、空とばしの際、空と
ばし用の面をスパッタ面に近づけるようにウエハ保持具
を移動させ、また、成膜のとき、ウエハがスパッタ面と
対面するようにウエハ保持具を移動させることができ
る。これにより、ウエハ保持具の移動に支障をきたすこ
となく、空とばしと成膜とを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a),(b)は、本発明の第1の実施の
形態に係るスパッタ装置を示す平面図である。図1
(a)は、ウエハ載置面とターゲットのスパッタ面とが
対面している状態を示し、図1(b)は、ウエハ保持具
の回転途中の状態を示す。
【図2】図2(a),(b)は、本発明の第2の実施の
形態に係るスパッタ装置を示す平面図である。図2
(a)は、ウエハ載置面とターゲットのスパッタ面とが
対面している状態を示し、図2(b)は、ウエハ保持具
の回転途中の状態を示す。
【図3】図3(a),(b)は、本発明の第3の実施の
形態に係るスパッタ装置を示す平面図である。それぞ
れ、空とばし時と成膜時の状態を示す。
【図4】図4(a),(b)は、本発明の第4の実施の
形態に係るスパッタ装置を示す平面図である。それぞ
れ、空とばし時と成膜時の状態を示す。
【図5】図5(a),(b)は、本発明の第5の実施の
形態に係るスパッタ装置に用いられるウエハ保持具を示
す平面図である。それぞれ、ウエハ保持具を組み上げた
状態及び折り畳んだ状態を示す。
【図6】図6(a)〜(c)は、本発明の実施の形態に
係るスパッタ装置を用いて半導体基板にAl膜をスパッ
タする方法について示す断面図である。
【図7】図7は、従来例に係るスパッタ装置を示す平面
図である。
【図8】図8(a),(b)は、従来例に係るスパッタ
装置により成膜する方法について示す平面図である。
【符号の説明】
11,21,31 ウエハ保持具、 12a〜12d,22a,32a〜32d ウエハ載置
面、 13a〜13d,23 ウエハ、 14,24 ターゲット、 15,25 スパッタ面、 16,34 回転軸(軸)、 22b 空とばし用の面、 31a〜31d 平板、 33a〜33h 支持体、 41 半導体基板、 42 拡散領域、 43 絶縁膜、 44 コンタクトホール、 45 Al膜、 45a 電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/31 H01L 21/31 C

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スパッタ面を有するターゲットと、 前記スパッタ面に平行な回転軸と、 前記回転軸に平行なウエハを保持するための複数の面を
    有し、前記回転軸の周りを回転しうるウエハ保持具と、 前記スパッタ面に垂直または斜め方向に前記ターゲット
    又は前記ウエハ保持具を移動させる移動手段とを備えて
    なることを特徴とするスパッタ装置。
  2. 【請求項2】 スパッタ面を有するターゲットと、 前記スパッタ面に平行な回転軸と、 前記スパッタ面に平行なウエハを保持するための複数の
    面を有し、前記回転軸の周りを回転するウエハ保持具と
    を備えてなり、 前記ウエハ保持具は折り畳み自在に形成されてなり、折
    り畳んだ状態で前記ウエハ保持具の回転が可能となって
    いることを特徴とするスパッタ装置。
  3. 【請求項3】 前記ウエハ保持具の複数の面のうちの少
    なくとも一つが空とばし用の面であり、他の面はウエハ
    載置面であることを特徴とする請求項1又は請求項2の
    いずれかに記載のスパッタ装置。
  4. 【請求項4】 スパッタ面を有するターゲットと、 前記スパッタ面側に空とばし用の面とウエハ載置面とを
    有するウエハ保持具と、 前記ターゲット又は前記ウエハ保持具を前記スパッタ面
    に平行な方向に移動させて前記空とばし用の面又は前記
    ウエハ載置面と前記スパッタ面とを対面させる移動手段
    とを備えてなることを特徴とするスパッタ装置。
JP27907995A 1995-10-26 1995-10-26 スパッタ装置 Withdrawn JPH09118979A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010073323A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置および成膜方法
CN103031529A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 东京毅力科创株式会社 磁控溅射装置和磁控溅射方法
US8956512B2 (en) 2012-01-19 2015-02-17 Tokyo Electron Limited Magnetron sputtering apparatus and film forming method

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