JP2738167B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JP2738167B2 JP2738167B2 JP3141269A JP14126991A JP2738167B2 JP 2738167 B2 JP2738167 B2 JP 2738167B2 JP 3141269 A JP3141269 A JP 3141269A JP 14126991 A JP14126991 A JP 14126991A JP 2738167 B2 JP2738167 B2 JP 2738167B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrode plate
- dry etching
- etching apparatus
- lower electrode
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
装置に関し、特にウェハー上の酸化膜，ポリシリ，シリ
コン，窒化膜，アルミをプラズマでエッチングするドラ
イエッチング装置に関する。
装置に関し、特にウェハー上の酸化膜，ポリシリ，シリ
コン，窒化膜，アルミをプラズマでエッチングするドラ
イエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置製造に用いる
バッチ処理式ドライエッチング装置では、ポリシリ，酸
化膜，アルミ，シリコン，窒化膜をエッチングする場
合、図２のようにチャンバー１内の下部電極板４上に複
数のウェハー２，２…を固定させ、下部電極板４を回転
させた状態でチャンバー１内にガス導入管５からガスを
導入しガス排気口６からガスを排気しつつ、上部電極板
３と下部電極板４との間に高周波電源７により高周波電
圧を印加することにより、プラズマを発生させ、プラズ
マによるエッチングを行うようになっていた。
バッチ処理式ドライエッチング装置では、ポリシリ，酸
化膜，アルミ，シリコン，窒化膜をエッチングする場
合、図２のようにチャンバー１内の下部電極板４上に複
数のウェハー２，２…を固定させ、下部電極板４を回転
させた状態でチャンバー１内にガス導入管５からガスを
導入しガス排気口６からガスを排気しつつ、上部電極板
３と下部電極板４との間に高周波電源７により高周波電
圧を印加することにより、プラズマを発生させ、プラズ
マによるエッチングを行うようになっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のドライエッ
チング装置では、ウェハー２が下部電極板４上に固定さ
れているため、チャンバー１の形状とプラズマの発生方
法により、ウェハー面内におけるエッチレートのばらつ
きを小さくすることが困難であった。
チング装置では、ウェハー２が下部電極板４上に固定さ
れているため、チャンバー１の形状とプラズマの発生方
法により、ウェハー面内におけるエッチレートのばらつ
きを小さくすることが困難であった。
【０００４】本発明の目的は、ウェハー面内におけるエ
ッチレートのばらつきを小さくするドライエッチング装
置を提供することにある。
ッチレートのばらつきを小さくするドライエッチング装
置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るドライエッチング装置は、高周波電圧
が印加された対をなす電極板相互間に反応性ガスを導入
してプラズマを発生させることにより、一側の電極板に
配置した基板にエッチング処理を行うドライエッチング
装置であって、複数のウェハーステージを有しており、
該ウェハーステージは、前記一側の電極板側に配置さ
れ、該電極板の上面に対して昇降可能に、かつ自転可能
に設けられ、一側の電極板の上面に対して昇降した高さ
位置に複数のウェハーを個別に支持し、かつ自転させる
ものである。
め、本発明に係るドライエッチング装置は、高周波電圧
が印加された対をなす電極板相互間に反応性ガスを導入
してプラズマを発生させることにより、一側の電極板に
配置した基板にエッチング処理を行うドライエッチング
装置であって、複数のウェハーステージを有しており、
該ウェハーステージは、前記一側の電極板側に配置さ
れ、該電極板の上面に対して昇降可能に、かつ自転可能
に設けられ、一側の電極板の上面に対して昇降した高さ
位置に複数のウェハーを個別に支持し、かつ自転させる
ものである。
【０００６】
【作用】複数のウェハーを個別に自転させた状態でエッ
チング処理を行うことにより、ウェハー面内におけるエ
ッチレートのばらつきを減少させるものである。
チング処理を行うことにより、ウェハー面内におけるエ
ッチレートのばらつきを減少させるものである。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。
る。
【０００８】図１は、本発明の一実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【０００９】図において、チャンバー１内には、対をな
す上部及び下部の電極板３，４が上下に対向して配置さ
れており、対をなす電極板３，４に高周波電源７が接続
されている。
す上部及び下部の電極板３，４が上下に対向して配置さ
れており、対をなす電極板３，４に高周波電源７が接続
されている。
【００１０】さらに、下部電極板４の上部には、ウェハ
ー２をセットするウェハーステージ１０が複数配置さ
れ、下部電極板４の下部には、ウェハーステージ１０の
個数と同数のアーム１１が横方向に張り出して設けられ
ている。
ー２をセットするウェハーステージ１０が複数配置さ
れ、下部電極板４の下部には、ウェハーステージ１０の
個数と同数のアーム１１が横方向に張り出して設けられ
ている。
【００１１】各アーム１１の先端には、それぞれモータ
８が取付けられており、各ウェハーステージ１０は、シ
ャフト９を介して下部電極板４の上面に対して昇降可能
に、かつ個別に自転可能にモータ８に支持されている。
８が取付けられており、各ウェハーステージ１０は、シ
ャフト９を介して下部電極板４の上面に対して昇降可能
に、かつ個別に自転可能にモータ８に支持されている。
【００１２】また、チャンバー１の上部には、エッチン
グ用ガスをチャンバー１内に導入するガス導入管５が設
けられ、チャンバー１の下部には、チャンバー１内から
ガスを排気するガス排気口６が設けられている。
グ用ガスをチャンバー１内に導入するガス導入管５が設
けられ、チャンバー１の下部には、チャンバー１内から
ガスを排気するガス排気口６が設けられている。
【００１３】実施例において、チャンバー１内の下部電
極板４に取付けられたアーム１１を通し、モータ８に信
号が送信される。
極板４に取付けられたアーム１１を通し、モータ８に信
号が送信される。
【００１４】シャフト９をモータ８の動作に基づいて上
昇させることにより、ウェハー２を支持したウェハース
テージ１０が下部電極板４の上面より高い位置にウェハ
ーステージ１０を回転させることにより、個々のウェハ
ー２を自転させる。この状態でガス導入管５からチャン
バー１内にエッチング用ガスを導入しつつ、ウェハー２
のエッチング処理を行う。
昇させることにより、ウェハー２を支持したウェハース
テージ１０が下部電極板４の上面より高い位置にウェハ
ーステージ１０を回転させることにより、個々のウェハ
ー２を自転させる。この状態でガス導入管５からチャン
バー１内にエッチング用ガスを導入しつつ、ウェハー２
のエッチング処理を行う。
【００１５】ウェハーステージ１０の回転を終了させた
後、モータ８によりシャフト９を介してウェハーステー
ジ１０を下降させ、ウェハー２を下部電極板４の高さ位
置まで戻す。このウェハーを上昇させ、回転，下降とい
う動作の繰り返しを１５秒間隔で実行する。
後、モータ８によりシャフト９を介してウェハーステー
ジ１０を下降させ、ウェハー２を下部電極板４の高さ位
置まで戻す。このウェハーを上昇させ、回転，下降とい
う動作の繰り返しを１５秒間隔で実行する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハーを乗せているウェハーステージを回転させ、ウェ
ハー自体を回転させることにより、ウェハー上に発生す
るプラズマが均一にウェハーに当たることになる。この
ため、ウェハー上のポリシリ，酸化膜，アルミ，シリコ
ン，窒化膜のウェハー面内におけるエッチレートのばら
つきを比較すると、図３に示すように従来のドライエッ
チング装置では、Ｒ／Ｘ（バー）で２０％であるのに対
し、本発明では５％以下になるという具体的数値で効果
がある。さらに、エッチング中にウェハーステージによ
りウェハーを下部電極の上面に対して昇降移動させるこ
とができウェハーにプラズマを均一に照射できる。
ェハーを乗せているウェハーステージを回転させ、ウェ
ハー自体を回転させることにより、ウェハー上に発生す
るプラズマが均一にウェハーに当たることになる。この
ため、ウェハー上のポリシリ，酸化膜，アルミ，シリコ
ン，窒化膜のウェハー面内におけるエッチレートのばら
つきを比較すると、図３に示すように従来のドライエッ
チング装置では、Ｒ／Ｘ（バー）で２０％であるのに対
し、本発明では５％以下になるという具体的数値で効果
がある。さらに、エッチング中にウェハーステージによ
りウェハーを下部電極の上面に対して昇降移動させるこ
とができウェハーにプラズマを均一に照射できる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置製造用のド
ライエッチング装置を示す断面図である。
ライエッチング装置を示す断面図である。
【図２】従来の半導体装置製造用のドライエッチング装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図３】ポリシリドライエッチング装置にて従来装置と
本発明とのポリシリエッチレートの面内のばらつきを示
す図である。
本発明とのポリシリエッチレートの面内のばらつきを示
す図である。
１ チャンバー ２ ウェハー ３ 上部電極板 ４ 下部電極板 ５ ガス導入管 ６ ガス排気口 ７ 高周波電源 ８ モータ ９ シャフト １０ ウェハーステージ １１ アーム
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波電圧が印加された対をなす電極板
相互間に反応性ガスを導入してプラズマを発生させるこ
とにより、一側の電極板に配置した基板にエッチング処
理を行うドライエッチング装置であって、 複数のウェハーステージを有しており、 該ウェハーステージは、前記一側の電極板側に配置さ
れ、該電極板の上面に対して昇降可能に、かつ自転可能
に設けられ、一側の電極板の上面に対して昇降した高さ
位置に複数のウェハーを個別に支持し、かつ自転させる
ものであることを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3141269A JP2738167B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3141269A JP2738167B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342126A JPH04342126A (ja) | 1992-11-27 |
| JP2738167B2 true JP2738167B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=15287967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3141269A Expired - Lifetime JP2738167B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738167B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010059459A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 식각 및 증착 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512733A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Dry process etching device |
| JPS63137427A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JP3006462U (ja) * | 1994-07-07 | 1995-01-24 | 邦男 松田 | 実長表示付電線 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP3141269A patent/JP2738167B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04342126A (ja) | 1992-11-27 |
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