JP2738167B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JP2738167B2 JP2738167B2 JP3141269A JP14126991A JP2738167B2 JP 2738167 B2 JP2738167 B2 JP 2738167B2 JP 3141269 A JP3141269 A JP 3141269A JP 14126991 A JP14126991 A JP 14126991A JP 2738167 B2 JP2738167 B2 JP 2738167B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrode plate
- dry etching
- etching apparatus
- lower electrode
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
装置に関し、特にウェハー上の酸化膜,ポリシリ,シリ
コン,窒化膜,アルミをプラズマでエッチングするドラ
イエッチング装置に関する。
装置に関し、特にウェハー上の酸化膜,ポリシリ,シリ
コン,窒化膜,アルミをプラズマでエッチングするドラ
イエッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置製造に用いる
バッチ処理式ドライエッチング装置では、ポリシリ,酸
化膜,アルミ,シリコン,窒化膜をエッチングする場
合、図2のようにチャンバー1内の下部電極板4上に複
数のウェハー2,2…を固定させ、下部電極板4を回転
させた状態でチャンバー1内にガス導入管5からガスを
導入しガス排気口6からガスを排気しつつ、上部電極板
3と下部電極板4との間に高周波電源7により高周波電
圧を印加することにより、プラズマを発生させ、プラズ
マによるエッチングを行うようになっていた。
バッチ処理式ドライエッチング装置では、ポリシリ,酸
化膜,アルミ,シリコン,窒化膜をエッチングする場
合、図2のようにチャンバー1内の下部電極板4上に複
数のウェハー2,2…を固定させ、下部電極板4を回転
させた状態でチャンバー1内にガス導入管5からガスを
導入しガス排気口6からガスを排気しつつ、上部電極板
3と下部電極板4との間に高周波電源7により高周波電
圧を印加することにより、プラズマを発生させ、プラズ
マによるエッチングを行うようになっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来のドライエッ
チング装置では、ウェハー2が下部電極板4上に固定さ
れているため、チャンバー1の形状とプラズマの発生方
法により、ウェハー面内におけるエッチレートのばらつ
きを小さくすることが困難であった。
チング装置では、ウェハー2が下部電極板4上に固定さ
れているため、チャンバー1の形状とプラズマの発生方
法により、ウェハー面内におけるエッチレートのばらつ
きを小さくすることが困難であった。
【0004】本発明の目的は、ウェハー面内におけるエ
ッチレートのばらつきを小さくするドライエッチング装
置を提供することにある。
ッチレートのばらつきを小さくするドライエッチング装
置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るドライエッチング装置は、高周波電圧
が印加された対をなす電極板相互間に反応性ガスを導入
してプラズマを発生させることにより、一側の電極板に
配置した基板にエッチング処理を行うドライエッチング
装置であって、複数のウェハーステージを有しており、
該ウェハーステージは、前記一側の電極板側に配置さ
れ、該電極板の上面に対して昇降可能に、かつ自転可能
に設けられ、一側の電極板の上面に対して昇降した高さ
位置に複数のウェハーを個別に支持し、かつ自転させる
ものである。
め、本発明に係るドライエッチング装置は、高周波電圧
が印加された対をなす電極板相互間に反応性ガスを導入
してプラズマを発生させることにより、一側の電極板に
配置した基板にエッチング処理を行うドライエッチング
装置であって、複数のウェハーステージを有しており、
該ウェハーステージは、前記一側の電極板側に配置さ
れ、該電極板の上面に対して昇降可能に、かつ自転可能
に設けられ、一側の電極板の上面に対して昇降した高さ
位置に複数のウェハーを個別に支持し、かつ自転させる
ものである。
【0006】
【作用】複数のウェハーを個別に自転させた状態でエッ
チング処理を行うことにより、ウェハー面内におけるエ
ッチレートのばらつきを減少させるものである。
チング処理を行うことにより、ウェハー面内におけるエ
ッチレートのばらつきを減少させるものである。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。
る。
【0008】図1は、本発明の一実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【0009】図において、チャンバー1内には、対をな
す上部及び下部の電極板3,4が上下に対向して配置さ
れており、対をなす電極板3,4に高周波電源7が接続
されている。
す上部及び下部の電極板3,4が上下に対向して配置さ
れており、対をなす電極板3,4に高周波電源7が接続
されている。
【0010】さらに、下部電極板4の上部には、ウェハ
ー2をセットするウェハーステージ10が複数配置さ
れ、下部電極板4の下部には、ウェハーステージ10の
個数と同数のアーム11が横方向に張り出して設けられ
ている。
ー2をセットするウェハーステージ10が複数配置さ
れ、下部電極板4の下部には、ウェハーステージ10の
個数と同数のアーム11が横方向に張り出して設けられ
ている。
【0011】各アーム11の先端には、それぞれモータ
8が取付けられており、各ウェハーステージ10は、シ
ャフト9を介して下部電極板4の上面に対して昇降可能
に、かつ個別に自転可能にモータ8に支持されている。
8が取付けられており、各ウェハーステージ10は、シ
ャフト9を介して下部電極板4の上面に対して昇降可能
に、かつ個別に自転可能にモータ8に支持されている。
【0012】また、チャンバー1の上部には、エッチン
グ用ガスをチャンバー1内に導入するガス導入管5が設
けられ、チャンバー1の下部には、チャンバー1内から
ガスを排気するガス排気口6が設けられている。
グ用ガスをチャンバー1内に導入するガス導入管5が設
けられ、チャンバー1の下部には、チャンバー1内から
ガスを排気するガス排気口6が設けられている。
【0013】実施例において、チャンバー1内の下部電
極板4に取付けられたアーム11を通し、モータ8に信
号が送信される。
極板4に取付けられたアーム11を通し、モータ8に信
号が送信される。
【0014】シャフト9をモータ8の動作に基づいて上
昇させることにより、ウェハー2を支持したウェハース
テージ10が下部電極板4の上面より高い位置にウェハ
ーステージ10を回転させることにより、個々のウェハ
ー2を自転させる。この状態でガス導入管5からチャン
バー1内にエッチング用ガスを導入しつつ、ウェハー2
のエッチング処理を行う。
昇させることにより、ウェハー2を支持したウェハース
テージ10が下部電極板4の上面より高い位置にウェハ
ーステージ10を回転させることにより、個々のウェハ
ー2を自転させる。この状態でガス導入管5からチャン
バー1内にエッチング用ガスを導入しつつ、ウェハー2
のエッチング処理を行う。
【0015】ウェハーステージ10の回転を終了させた
後、モータ8によりシャフト9を介してウェハーステー
ジ10を下降させ、ウェハー2を下部電極板4の高さ位
置まで戻す。このウェハーを上昇させ、回転,下降とい
う動作の繰り返しを15秒間隔で実行する。
後、モータ8によりシャフト9を介してウェハーステー
ジ10を下降させ、ウェハー2を下部電極板4の高さ位
置まで戻す。このウェハーを上昇させ、回転,下降とい
う動作の繰り返しを15秒間隔で実行する。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハーを乗せているウェハーステージを回転させ、ウェ
ハー自体を回転させることにより、ウェハー上に発生す
るプラズマが均一にウェハーに当たることになる。この
ため、ウェハー上のポリシリ,酸化膜,アルミ,シリコ
ン,窒化膜のウェハー面内におけるエッチレートのばら
つきを比較すると、図3に示すように従来のドライエッ
チング装置では、R/X(バー)で20%であるのに対
し、本発明では5%以下になるという具体的数値で効果
がある。さらに、エッチング中にウェハーステージによ
りウェハーを下部電極の上面に対して昇降移動させるこ
とができウェハーにプラズマを均一に照射できる。
ェハーを乗せているウェハーステージを回転させ、ウェ
ハー自体を回転させることにより、ウェハー上に発生す
るプラズマが均一にウェハーに当たることになる。この
ため、ウェハー上のポリシリ,酸化膜,アルミ,シリコ
ン,窒化膜のウェハー面内におけるエッチレートのばら
つきを比較すると、図3に示すように従来のドライエッ
チング装置では、R/X(バー)で20%であるのに対
し、本発明では5%以下になるという具体的数値で効果
がある。さらに、エッチング中にウェハーステージによ
りウェハーを下部電極の上面に対して昇降移動させるこ
とができウェハーにプラズマを均一に照射できる。
【図1】本発明の一実施例に係る半導体装置製造用のド
ライエッチング装置を示す断面図である。
ライエッチング装置を示す断面図である。
【図2】従来の半導体装置製造用のドライエッチング装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図3】ポリシリドライエッチング装置にて従来装置と
本発明とのポリシリエッチレートの面内のばらつきを示
す図である。
本発明とのポリシリエッチレートの面内のばらつきを示
す図である。
1 チャンバー 2 ウェハー 3 上部電極板 4 下部電極板 5 ガス導入管 6 ガス排気口 7 高周波電源 8 モータ 9 シャフト 10 ウェハーステージ 11 アーム
Claims (1)
- 【請求項1】 高周波電圧が印加された対をなす電極板
相互間に反応性ガスを導入してプラズマを発生させるこ
とにより、一側の電極板に配置した基板にエッチング処
理を行うドライエッチング装置であって、 複数のウェハーステージを有しており、 該ウェハーステージは、前記一側の電極板側に配置さ
れ、該電極板の上面に対して昇降可能に、かつ自転可能
に設けられ、一側の電極板の上面に対して昇降した高さ
位置に複数のウェハーを個別に支持し、かつ自転させる
ものであることを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3141269A JP2738167B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3141269A JP2738167B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04342126A JPH04342126A (ja) | 1992-11-27 |
JP2738167B2 true JP2738167B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=15287967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3141269A Expired - Lifetime JP2738167B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2738167B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010059459A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 식각 및 증착 장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5512733A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Dry process etching device |
JPS63137427A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
JP3006462U (ja) * | 1994-07-07 | 1995-01-24 | 邦男 松田 | 実長表示付電線 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP3141269A patent/JP2738167B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04342126A (ja) | 1992-11-27 |
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