JP2722861B2 - ドライエッチング方法及び装置 - Google Patents
ドライエッチング方法及び装置Info
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- JP2722861B2 JP2722861B2 JP3137130A JP13713091A JP2722861B2 JP 2722861 B2 JP2722861 B2 JP 2722861B2 JP 3137130 A JP3137130 A JP 3137130A JP 13713091 A JP13713091 A JP 13713091A JP 2722861 B2 JP2722861 B2 JP 2722861B2
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- Japan
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- etching
- dry etching
- etched
- glass substrate
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング方法
及び装置に関する。特に、本発明は、液晶表示装置、画
像読取装置等の製造に好適なドライエッチング方法及び
装置に関し、更に、大面積ガラス基板上の被エッチング
物、例えば金属膜又は低抵抗半導体膜のドライエッチン
グ方法及び装置に関する。
及び装置に関する。特に、本発明は、液晶表示装置、画
像読取装置等の製造に好適なドライエッチング方法及び
装置に関し、更に、大面積ガラス基板上の被エッチング
物、例えば金属膜又は低抵抗半導体膜のドライエッチン
グ方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライエッチングを図５及び図６
に基づいて説明する。図５は、従来の平行平板型ドライ
エッチング装置の縦断面図であり、図６は、同じく従来
のドライエッチング装置の部分拡大縦断面図である。
に基づいて説明する。図５は、従来の平行平板型ドライ
エッチング装置の縦断面図であり、図６は、同じく従来
のドライエッチング装置の部分拡大縦断面図である。
【０００３】まず、従来の平行平板型ドライエッチング
装置について説明すると、この装置は、図５に示すよう
に、エッチングチャンバ−３０内に平行に設けられた陽
極３１と陰極３２を有する平行平板型のドライエッチン
グ装置より構成されており、また、上記陽極３１と陰極
３２との間にプラズマを発生させるため、高周波電源３
３が配置されている。なお、この装置において、エッチ
ングチャンバ−３０内を真空排気するため、真空ポンプ
を配設し、また、エッチングチャンバ−３０内にエッチ
ングガスを導入するため、同じくガス配管が配設されて
いるが、図５では、図示せず、省略してある。
装置について説明すると、この装置は、図５に示すよう
に、エッチングチャンバ−３０内に平行に設けられた陽
極３１と陰極３２を有する平行平板型のドライエッチン
グ装置より構成されており、また、上記陽極３１と陰極
３２との間にプラズマを発生させるため、高周波電源３
３が配置されている。なお、この装置において、エッチ
ングチャンバ−３０内を真空排気するため、真空ポンプ
を配設し、また、エッチングチャンバ−３０内にエッチ
ングガスを導入するため、同じくガス配管が配設されて
いるが、図５では、図示せず、省略してある。
【０００４】次に、従来のドライエッチング方法を説明
すると、従来法は、上記装置を用いて、図５に示すよう
に、まず、被エッチング物３５及びレジストパタ−ン３
４を有するガラス基板３６を陰極３２上に設置する。そ
して、エッチングチャンバ−３０内を真空排気した後、
エッチングガスをエッチングチャンバ−３０内に導入
し、高周波電源３３により高周波電力を印加して陽極３
１と陰極３２との間にプラズマを発生させ、プラズマ中
のエッチングガスイオン及びエッチングガスラジカル
（活性種）によりエッチングを行なっている。これを図
６に基づいて更に説明すると、後に詳記するが、ガラス
基板４６上の被エッチング物４５は、エッチングガスイ
オン及びエッチングガスラジカルによりエッチングされ
る。なお、図６において、４４はレジストパタ−ン、４
６はガラス基板、４７は絶縁膜、４８は下部電極であ
り、また、レジストパタ−ン４４上の＋は、＋電荷を、
被エッチング物４５内の−は、−電荷を示す。
すると、従来法は、上記装置を用いて、図５に示すよう
に、まず、被エッチング物３５及びレジストパタ−ン３
４を有するガラス基板３６を陰極３２上に設置する。そ
して、エッチングチャンバ−３０内を真空排気した後、
エッチングガスをエッチングチャンバ−３０内に導入
し、高周波電源３３により高周波電力を印加して陽極３
１と陰極３２との間にプラズマを発生させ、プラズマ中
のエッチングガスイオン及びエッチングガスラジカル
（活性種）によりエッチングを行なっている。これを図
６に基づいて更に説明すると、後に詳記するが、ガラス
基板４６上の被エッチング物４５は、エッチングガスイ
オン及びエッチングガスラジカルによりエッチングされ
る。なお、図６において、４４はレジストパタ−ン、４
６はガラス基板、４７は絶縁膜、４８は下部電極であ
り、また、レジストパタ−ン４４上の＋は、＋電荷を、
被エッチング物４５内の−は、−電荷を示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のドライエッチン
グ方法は、図５に示すように、絶縁体であるガラス基板
３６を用いているため、被エッチング物３５は、該基板
３６の電気的な容量を介して陰極３２と接続された状態
でプラズマにさらされる。その結果、基板３６及び被エ
ッチング物３５のプラズマ中の電気的なポテンシャルを
制御することは不可能であった。
グ方法は、図５に示すように、絶縁体であるガラス基板
３６を用いているため、被エッチング物３５は、該基板
３６の電気的な容量を介して陰極３２と接続された状態
でプラズマにさらされる。その結果、基板３６及び被エ
ッチング物３５のプラズマ中の電気的なポテンシャルを
制御することは不可能であった。
【０００６】更に、従来のドライエッチング方法は、図
６に示すように、プラズマから被エッチング物４５に飛
来して来る粒子のうち、エッチング反応に関わりのある
ものとしては、正の電荷をもつエッチングガスイオン
（以下、単にイオンと略称する。）と電気的に中性なエ
ッチングガスラジカル（以下、単にラジカルと略称す
る。）とが存在する。そして、イオンは、陰極（図６で
は図示せず）付近に発生する電位勾配により加速され、
高いエネルギ−を持って被エッチング物４５に垂直に入
射する。一方、ラジカルは、拡散によりあらゆる方向か
らやってくる。
６に示すように、プラズマから被エッチング物４５に飛
来して来る粒子のうち、エッチング反応に関わりのある
ものとしては、正の電荷をもつエッチングガスイオン
（以下、単にイオンと略称する。）と電気的に中性なエ
ッチングガスラジカル（以下、単にラジカルと略称す
る。）とが存在する。そして、イオンは、陰極（図６で
は図示せず）付近に発生する電位勾配により加速され、
高いエネルギ−を持って被エッチング物４５に垂直に入
射する。一方、ラジカルは、拡散によりあらゆる方向か
らやってくる。
【０００７】したがって、従来のドライエッチング方法
は、図６に示すように、ラジカルがあらゆる方向から入
射するため、レジストパタ−ン４４の下にアンダ−カッ
トが生じ、パタ−ン加工精度が悪化することになる。
は、図６に示すように、ラジカルがあらゆる方向から入
射するため、レジストパタ−ン４４の下にアンダ−カッ
トが生じ、パタ−ン加工精度が悪化することになる。
【０００８】以上説明したように、従来のドライエッチ
ング方法は、エッチング中の基板あるいは被エッチング
物の電気的なポテンシャルを制御することができないこ
とから、被エッチング物に飛来する粒子の電気的な制御
が不可能になり、エッチング特性を制御できないという
欠点があった。
ング方法は、エッチング中の基板あるいは被エッチング
物の電気的なポテンシャルを制御することができないこ
とから、被エッチング物に飛来する粒子の電気的な制御
が不可能になり、エッチング特性を制御できないという
欠点があった。
【０００９】そこで、本発明は、上記欠点、問題点を解
消するドライエッチング方法及び装置を提供することを
目的とし、詳細には、被エッチング物、例えば金属膜又
は低抵抗半導体膜を高パターン精度で歩留まり良くドラ
イエッチングすることができる方法及び装置を提供する
ことを目的とする。
消するドライエッチング方法及び装置を提供することを
目的とし、詳細には、被エッチング物、例えば金属膜又
は低抵抗半導体膜を高パターン精度で歩留まり良くドラ
イエッチングすることができる方法及び装置を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するため、被エッチング物、例えば金属膜又
は低抵抗半導体膜に対して、エッチング中に電圧を印加
するドライエッチング方法であり、また、この方法を実
施する装置として、エッチングすべき基板（被エッチン
グ物）に電圧を印加するための端子を配設し、かつ、該
端子に直流電圧源を接続した構成からなる装置である。
目的を達成するため、被エッチング物、例えば金属膜又
は低抵抗半導体膜に対して、エッチング中に電圧を印加
するドライエッチング方法であり、また、この方法を実
施する装置として、エッチングすべき基板（被エッチン
グ物）に電圧を印加するための端子を配設し、かつ、該
端子に直流電圧源を接続した構成からなる装置である。
【００１１】即ち、本発明は、ガラス基板上に設けた金
属ないしは導電性膜の被エッチング物のドライエッチン
グ方法において、エッチング中に、上記被エッチング物
に負の電圧を印加することを特徴とするドライエッチン
グ方法であり（請求項１）、また、ガラス基板上の被エ
ッチング物のドライエッチングに用いる平行平板型ドラ
イエッチング装置において、被エッチング物に負の電圧
を印加するための端子を配設し、該端子に直流電圧源を
接続してなることを特徴とするドライエッチング装置
（請求項２）である。
属ないしは導電性膜の被エッチング物のドライエッチン
グ方法において、エッチング中に、上記被エッチング物
に負の電圧を印加することを特徴とするドライエッチン
グ方法であり（請求項１）、また、ガラス基板上の被エ
ッチング物のドライエッチングに用いる平行平板型ドラ
イエッチング装置において、被エッチング物に負の電圧
を印加するための端子を配設し、該端子に直流電圧源を
接続してなることを特徴とするドライエッチング装置
（請求項２）である。
【００１２】
【作用】本発明は、ガラス基板上の被エッチング物又は
エッチングすべき基板、例えば金属膜又は低抵抗半導体
膜に対して、エッチング中に負の電圧を印加する方法及
び装置であり、これにより、被エッチング物のプラズマ
中での電気的なポテンシャルを制御することができ、エ
ッチング特性を制御できることができる。即ち、被エッ
チング物又はエッチングすべき基板に負の電圧を印加す
ることにより、正の電荷を持つイオンの入射頻度が増加
し、その結果、ラジカルに基づくエッチングのない(つ
まり、アンダ−カットのない)パタ−ン加工精度の良好
なエッチングパタ−ンが得られる(後記図２参照)。
エッチングすべき基板、例えば金属膜又は低抵抗半導体
膜に対して、エッチング中に負の電圧を印加する方法及
び装置であり、これにより、被エッチング物のプラズマ
中での電気的なポテンシャルを制御することができ、エ
ッチング特性を制御できることができる。即ち、被エッ
チング物又はエッチングすべき基板に負の電圧を印加す
ることにより、正の電荷を持つイオンの入射頻度が増加
し、その結果、ラジカルに基づくエッチングのない(つ
まり、アンダ−カットのない)パタ−ン加工精度の良好
なエッチングパタ−ンが得られる(後記図２参照)。
【００１３】
【実施例】次に、図１〜図２に基づいて本発明を詳細に
説明する。図１は、本発明の実施例であるドライエッチ
ング装置の縦断面図であり、図２は、図１の部分拡大縦
断面図であって、被エッチング物に負の電圧を印加する
場合を説明するための図である。
説明する。図１は、本発明の実施例であるドライエッチ
ング装置の縦断面図であり、図２は、図１の部分拡大縦
断面図であって、被エッチング物に負の電圧を印加する
場合を説明するための図である。
【００１４】（実施例） 図１に示すように、一対の陽極１１と陰極１２を有する
平行平板型ドライエッチング装置の陰極１２上に、被エ
ッチング物１５とレジストパタ−ン１４を有するガラス
基板１６を設置する。次に、電圧印加端子１８をレジス
トパタ−ン１４の一部を覆うように、被エッチング物１
５と接触させる。次に、エッチングチャンバ−１０を真
空排気した後、エッチングガスをエッチングチャンバ−
１０内に導入し、高周波電源１３により高周波電力を印
加し、陽極１１と陰極１２との間にプラズマを発生さ
せ、エッチングを行なう。エッチング中は、電圧印加端
子１８に接続させて設けた直流電源１７により、被エッ
チング物１５に負の電圧を印加する。
平行平板型ドライエッチング装置の陰極１２上に、被エ
ッチング物１５とレジストパタ−ン１４を有するガラス
基板１６を設置する。次に、電圧印加端子１８をレジス
トパタ−ン１４の一部を覆うように、被エッチング物１
５と接触させる。次に、エッチングチャンバ−１０を真
空排気した後、エッチングガスをエッチングチャンバ−
１０内に導入し、高周波電源１３により高周波電力を印
加し、陽極１１と陰極１２との間にプラズマを発生さ
せ、エッチングを行なう。エッチング中は、電圧印加端
子１８に接続させて設けた直流電源１７により、被エッ
チング物１５に負の電圧を印加する。
【００１５】被エッチング物１５に負の電圧を印加する
ことにより、図２に示すように、電圧を印加しない場合
に比べ、正の電荷を持つイオンの入射頻度が増加し、そ
の結果、アンダ−カットのない(つまり、ラジカルに基
づくエッチングのない)パタ−ン加工精度の良好なエッ
チングパタ−ンが得られる。なお、被エッチング物１５
に印加する負の電圧を適当に選ぶことにより、製造プロ
セスあるいはデバイス構造により、高パタ−ン精度のエ
ッチング特性を得ることができる。
ことにより、図２に示すように、電圧を印加しない場合
に比べ、正の電荷を持つイオンの入射頻度が増加し、そ
の結果、アンダ−カットのない(つまり、ラジカルに基
づくエッチングのない)パタ−ン加工精度の良好なエッ
チングパタ−ンが得られる。なお、被エッチング物１５
に印加する負の電圧を適当に選ぶことにより、製造プロ
セスあるいはデバイス構造により、高パタ−ン精度のエ
ッチング特性を得ることができる。
【００１６】
【００１７】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したように、被エッ
チング物、例えば金属膜又は低抵抗半導体膜に対して、
エッチング中に負の電圧を印加することにより、被エッ
チング物のプラズマ中での電気的なポテンシャルを制御
することができ、エッチング特性を制御できる効果が生
ずる。また、本発明は、高パタ−ン精度のエッチングが
可能となり、高歩留まりでデバイスを加工することがで
きる効果が生ずる。そして、本発明によれば、液晶表示
装置、画像読取装置等の製造に好適なドライエッチング
方法及び装置を提供することができ、また、大面積ガラ
ス基板上の被エッチング物、例えば金属膜又は低抵抗半
導体膜のドライエッチングに好適な方法及び装置を提供
することができる。
チング物、例えば金属膜又は低抵抗半導体膜に対して、
エッチング中に負の電圧を印加することにより、被エッ
チング物のプラズマ中での電気的なポテンシャルを制御
することができ、エッチング特性を制御できる効果が生
ずる。また、本発明は、高パタ−ン精度のエッチングが
可能となり、高歩留まりでデバイスを加工することがで
きる効果が生ずる。そして、本発明によれば、液晶表示
装置、画像読取装置等の製造に好適なドライエッチング
方法及び装置を提供することができ、また、大面積ガラ
ス基板上の被エッチング物、例えば金属膜又は低抵抗半
導体膜のドライエッチングに好適な方法及び装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例であるドライエッチング装置の
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】図１の部分拡大縦断面図であって、被エッチン
グ物に負の電圧を印加した場合を説明するための図であ
る。
グ物に負の電圧を印加した場合を説明するための図であ
る。
【図３】従来のドライエッチング装置の縦断面図であ
る。
る。
【図４】従来のドライエッチング装置の部分拡大縦断面
図である。
図である。
１０ エッチングチャンバ− １１ 陽極 １２ 陰極 １３ 高周波電源 １４ レジストパタ−ン １５ 被エッチング物 １６ ガラス基板 １７ 直流電源 １８ 電圧印加端子 ３０ エッチングチャンバ− ３１ 陽極 ３２ 陰極 ３３ 高周波電源 ３４ レジストパタ−ン ３５ 被エッチング物 ３６ ガラス基板 ４４ レジストパタ−ン ４５ 被エッチング物 ４６ ガラス基板 ４７ 絶縁膜 ４８ 下地電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上に設けた金属ないしは導電
性膜の被エッチング物のドライエッチング方法におい
て、エッチング中に、上記被エッチング物に負の電圧を
印加することを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 ガラス基板上に設けた金属ないしは導電
性膜の被エッチング物のドライエッチングに用いる平行
平板型ドライエッチング装置において、被エッチング物
に負の電圧を印加するための端子を配設し、該端子に直
流電圧源を接続してなることを特徴とするドライエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137130A JP2722861B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | ドライエッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137130A JP2722861B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | ドライエッチング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04336424A JPH04336424A (ja) | 1992-11-24 |
| JP2722861B2 true JP2722861B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=15191525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3137130A Expired - Lifetime JP2722861B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | ドライエッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2722861B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55140231A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor element |
| JPH06105701B2 (ja) * | 1985-08-13 | 1994-12-21 | 松下電器産業株式会社 | プラズマエツチング方法 |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP3137130A patent/JP2722861B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04336424A (ja) | 1992-11-24 |
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