KR100214501B1 - 유니포울러 정전척 - Google Patents

유니포울러 정전척 Download PDF

Info

Publication number
KR100214501B1
KR100214501B1 KR1019960032979A KR19960032979A KR100214501B1 KR 100214501 B1 KR100214501 B1 KR 100214501B1 KR 1019960032979 A KR1019960032979 A KR 1019960032979A KR 19960032979 A KR19960032979 A KR 19960032979A KR 100214501 B1 KR100214501 B1 KR 100214501B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
electrode
insulating film
ground
electrostatic chuck
Prior art date
Application number
KR1019960032979A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980014133A (ko
Inventor
백정완
Original Assignee
구본준
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 엘지반도체주식회사 filed Critical 구본준
Priority to KR1019960032979A priority Critical patent/KR100214501B1/ko
Publication of KR19980014133A publication Critical patent/KR19980014133A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100214501B1 publication Critical patent/KR100214501B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

본 발명은 공정챔버 안에서 웨이퍼를 클램핑(Clamping)하기 위한 유니포울러 정전척(Electro-Static Chuck)에 관한 것으로, 소정의 전원을 인가받는 전극(Electrode)과, 상기 전극 위에 형성된 것으로, 그 위에 웨이퍼가 놓이는 절연막과, 상기 절연막 위에 놓은 웨이퍼의 가장자리와 접속됨과 아울러 그라운드에 접지된 접지링으로 구성된 것을 요지로 한다. 이와 같이 구성된 정전척으로 웨이퍼를 척킹(Chucking)하는 동작은, 웨이퍼를 절연막 위에 올려놓은 후, 전극에 소정의 전압(Chucking Voltage)를 인가함으로써 달성된다. 즉 양극이 접지된 전압원과 그라운드에 접지된 접지링이 폐회로를 이루게 됨으로써, 절연막 사이에 있는 전극과 웨이퍼가 서로 잡아당기는 힘(Chucking Force)을 받게 되어 웨이퍼가 척킹된다. 이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 정전척은 접지판과 웨이퍼를 접속시킴으로써, 접지판과 전원이 연결되는 폐회로를 형성하기 위한 플라즈마가 필요없을 뿐만 아니라 웨이퍼를 디척킹(Dechucking)하기 위한 단계를 거치지 않아도 되므로, 공정전에 웨이퍼를 안정되게 할 수 있을 뿐만 아니라, 공정시간을 단축할 수 있는 효과를 준다.

Description

유니포울러 정전척
본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로, 특히 공정챔버 안에서 웨이퍼를 클램핑(Clamping)하는 유니포울러(Unipolar) 정전척(ESC:Electro-Static Chuck)에 관한 것이다.
일반적인 건식각장비의 공정챔버 안에서 웨이퍼를 클램핑하는 종래 기술에 따른 유니포울러 정전척은, 도1에 도시된 바와 같이, 그 내부로 쿨런트(Coolant)가 흐르는 것으로, 전압원(11)으로부터 전압(V)을 인가받는 전극(Electrode)(12)과, 상기 전극(12)위에 코팅(Coating)된 것으로, 그 위에 웨이퍼(21)가 놓이게 되는 절연막(13)과, 상기 웨이퍼(21) 위로 격리되어 형성된 접지판(14)으로 구성되었다. 이하, 상기와 같이 구성된 유니포울러 정전척이 웨이퍼(21)를 척킹(Chucking)하게 되는 동작에 대해서 살펴보면 다음과 같다.
절연막(13) 위에 웨이퍼(21)를 놓고서, 공정챔버 안으로 공정가스를 투입함과 아울러 알.에프.전원(Radio Frequency Bias)과 마이크로파(μ-파)를 인가하면, 상기 공정가스가 플라즈마로 되어 웨이퍼(21)로 이동하게 된다. 이때, 상기 플라즈마는 웨이퍼(21)와 접지판(14)을 전기적으로 연결하는 도선역할을 한다. 따라서, 도2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(21)과 전극(12)을 각각 양전극과 음전극으로 하고, 그 사이에 있는 절연막(13)을 유전체로 하는 커패시터가 형성되고, 접지판(14)이 플라즈마에 의해 상기 웨이퍼(21)와 접속됨으로써, 상기 전극(12)에 접속된 전압원(11)을 포함하는 폐회로를 형성한다. 이와 같은 폐회로에서 상기 커패시터의 양전극과 음전극을 각각 형성하는 웨이퍼(21)와 전극(12)은 절연막(13)을 사이에 두고서 서로 잡아 당기는 클램핑 포스(Clamping Force)를 받게 된다. 따라서 웨이퍼(21)는 절연막(13) 위에 고정된다.
그리고 상기와 같은 과정을 통해 클램핑된 웨이퍼(21)에 대해서 식각공정을 수행한 후, 그 웨이퍼(21)를 공정챔버 밖으로 이동시키기 위해서는 상기 웨이퍼(21)에 대한 디척킹(Dechucking)을 수행하여야 하는데, 그 디척킹동작은 상기 척킹동작과 반대되는 역과정으로 이루어진다. 즉, 전극(12)에 상기 척킹시에 인가한 전압(V)과 반대되는 극성의 전압을 인가함과 아울러, 상기 척킹동작에서와 같이 플라즈마를 만듦으로써, 웨이퍼(21)와 전극(12)이 서로 잡아당기는 클램핑 포스가 없어져 웨이퍼(21)가 떨어진다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술은 유니포울러 전극으로 웨이퍼를 척킹할 경우 플라즈마가 필요하다는 점 때문에, 공정이 시작되기 전에는 웨이퍼가 척킹되지 못함으로써, 그 공정이 시작되기 전에 에러가 발생될 염려가 있었고, 공정이 완료된 후 웨이퍼를 디척킹하기 위해서는 웨이퍼와 전극 사이에 남아있는 알짜전하를 제거하기 위한 단계를 필요로 하기 때문에 전체 공정이 복잡하면서도 시간이 오래 걸리는 단점이 있었다.
이에 본 발명은 상기와 같은 단점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 웨이퍼의 가장자리에 접속되는 접지링을 통해, 그 웨이퍼와 접속된 접지링과 전극이 연결되는 폐회로를 형성하도록 함으로써, 폐회로로 형성하기 위한 플라즈마가 필요없을 뿐만 아니라 웨이퍼를 디척킹(Dechucking)하기 위한 단계가 간단하게 된 유니포울러 정전척을 제공함에 그 목적이 있다.
제1도는 종래 기술에 따른 유니포울러 정전척의 구성 및 동작상태를 나타낸 단면도.
제2도는 상기 제1도에 도시된 유니포울러 정전척이 척킹하는 경우에 형성된 등가회로도.
제3도는 본 발명에 따른 유니포울러 정전척의 구성도로서, 제3a도는 단면도이고, 제3b도는 평면도.
제4도는 상기 제3도에 도시된 유니포울러 정전척이 척킹하는 경우에 형성된 등가회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
51 : 전압원 52(52Low, 52High) : 전극
53 : 절연막 54 : 접지판
55 : 접지링 56 : 플런저(Plunger)
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유니포울러 정전척은, 소정의 전원을 인가받는 전극(Electrode)과, 상기 전극 위에 형성된 것으로, 그 위에 웨이퍼가 놓이는 절연막과, 상기 절연막 위에 놓인 웨이퍼의 가장자리에 접속됨과 아울러 그라운드(GROND)에 접지된 접지링으로 구성된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해서 상세히 설명한다.
도3a는 본 발명에 따른 유니포울러 정전척의 구성도이고, 도3b는 상기 도3a에 도시된 유니포울러 정전척의 평면도이며, 도4는 상기 도3a에 도시된 유니포울러 정전척의 등가회로도로서, 이에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 유니포울러 정전척은, 그 내부로 웨이퍼(21)를 냉각시키기 위한 쿨런트(Coolant)가 흐르고 소정의 스위칭수단을 통해 전압원(51)의 음극과 접속된 것으로, 상부는 그 단면이 웨이퍼(21)의 평면보다 작게 형성되고, 하부는 그 단면이 상기 상단면보다 크게 형성된 전극(Electrode)(52)과, 상기 전극(52) 위에 형성된 것으로, 그 위에 웨이퍼(21)가 놓이게 되는 절연막(53)과, 상기 절연막(53) 위에서 그 가장자리가 밖으로 돌출되게 놓인 웨이퍼(21)의 가장자리의 하부면과 폐곡선형으로 접속됨과 아울러 소정의 접지판(54)과 접속된 접지링(55) 및 그 접지링(55)을 지지함과 아울러 상기 웨이퍼(21)가 접지링(55)을 누르는 힘을 인가함에 따라 상기 접지링(55)이 상하로 운동할 수 있도록 하는 플런저(56)로 구성된다. 이때 상기 접지링(55)은 접지전위를 인가받는 접지판(54)과 도선으로 연결되고, 그의 음극이 전극(52)과 접속된 전압원(51)은 그의 양극이 접지되며, 전극의 하부에 고착되어 있는 플런저(56)에 의해 상하운동하는 접지링(55)은 그 수직면이 상기 전극(52)의 상부 및 절연막(53)의 측면과 일정한 거리만큼 떨어져서 평행하게 운동하도록 구성됨으로써, 상기 전극(52)과 단락되지 않도록 구성된다. 그리고 절연막(53)은 전극(52)의 상단면과 일치되는 크기로 형성된다. 따라서 상기와 같이 구성된 유니포울러 정전척은 도4에 도시된 바와 같이, 그의 음전극이 전극(52)과 접속됨으로써, 상기 웨이퍼(21)과 전극(52)을 각각 양전극과 음전극으로 하고, 그 사이에 있는 절연막(53)을 유전체로하는 커패시터를 포함하여 이루어지는 폐회로가 형성된다. 따라서 상기 폐회로에서 커패시터의 양전극과 음전극을 형성하는 웨이퍼(21)와 전극(52)이 절연막(53)을 사이에 두고서 서로 잡아 당기는 클램핑 포스(Clamping Force)를 받게 되어 웨이퍼(21)가 절연막(53) 위에 고정된다. 그리고 상기와 같은 과정을 통해 클램핑된 웨이퍼(21)에 대해서 식각공정을 수행한 후, 그 웨이퍼(21)를 공정챔버 밖으로 이동하기 위한 디척킹(Dechucking)동작은 상기 전압원(51)에서 웨이퍼(21)로 인가하는 전원을 차단함으로써 달성된다. 즉, 전극(52)은 플로우팅되고 웨이퍼(21)는 접지링(55)을 통해 전하를 방출함으로써, 웨이퍼(21)와 전극(52)이 서로 잡아당기도록 하던 클램핑 포스가 없어져 웨이퍼(21)가 쉽게 떨어진다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유니포울러 정전척은, 웨이퍼를 척킹하기 위한 플라즈마를 필요로 하지 않고, 전극에 전압을 인가하기만 하면 되므로, 공정이 시작되기 전에 웨이퍼를 척킹할 수 있게 되어 공정이 시작되기 전에 웨이퍼를 안정시킬 수 있는 효과와, 공정이 완료된 후 웨이퍼를 디척킹하기 위한 단계가 전극과 전압원 사이에 있는 스위칭수단의 스위칭으로 달성되기 때문에 디척킹공정이 단순하면서도 시간이 짧아지는 효과를 준다.

Claims (3)

  1. 소정의 전원을 인가받는 전극과, 상기 전극 위에 형성된 것으로, 그 위에 웨이퍼가 놓이는 3절연막과, 상기 절연막 위에 놓인 웨이퍼의 가장자리에 접속됨과 아울러 그라운드에 접지된 접지링으로 구성된 것을 특징으로 하는 유니포울러 정전척.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극은 소정의 스위칭수단을 통해 전압원(V)의 음극과 접속된 것으로, 상부는 그 단면이 웨이퍼보다 작게 형성되고, 그 하부단면은 상기 상단면보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 유니포울러 정전척.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접지링은 전극의 하부에 고착된 플런저에 연결됨으로써, 전극과 단락되지 않도록 지지됨과 아울러 웨이퍼가 누르는 힘에 따라 상하로 운동할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 유니포울러 정전척.
KR1019960032979A 1996-08-08 1996-08-08 유니포울러 정전척 KR100214501B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960032979A KR100214501B1 (ko) 1996-08-08 1996-08-08 유니포울러 정전척

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960032979A KR100214501B1 (ko) 1996-08-08 1996-08-08 유니포울러 정전척

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980014133A KR19980014133A (ko) 1998-05-15
KR100214501B1 true KR100214501B1 (ko) 1999-08-02

Family

ID=19469069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960032979A KR100214501B1 (ko) 1996-08-08 1996-08-08 유니포울러 정전척

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100214501B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030020072A (ko) * 2001-09-01 2003-03-08 주성엔지니어링(주) 유니폴라 정전척

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6125025A (en) * 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030020072A (ko) * 2001-09-01 2003-03-08 주성엔지니어링(주) 유니폴라 정전척

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980014133A (ko) 1998-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5790365A (en) Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck
US4184188A (en) Substrate clamping technique in IC fabrication processes
KR100378187B1 (ko) 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법
KR101415551B1 (ko) 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JPH03211753A (ja) 半導体製造装置
JP2012524417A (ja) 基板と静電クランプとの間の電荷の除去
US20030236004A1 (en) Dechucking with N2/O2 plasma
JP3230821B2 (ja) プッシャーピン付き静電チャック
US6665168B2 (en) Electrostatic chuck apparatus and method for efficiently dechucking a substrate therefrom
KR100214501B1 (ko) 유니포울러 정전척
GB2293689A (en) Electrostatic chuck
JP3315197B2 (ja) プラズマ処理方法
JPH11111830A (ja) 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法
KR101087141B1 (ko) 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
JPH07201818A (ja) ドライエッチング装置
KR100286333B1 (ko) 플라즈마식각장치
KR100282421B1 (ko) 이에스씨(esc:electrostaicchuck)장치
TWI725406B (zh) 電漿蝕刻方法及裝置
KR100596769B1 (ko) 플라즈마 식각장치
JPH06177078A (ja) 静電チャック
KR100519259B1 (ko) 향상된 가공 균일성을 위한 정전 흡착 스테이지 및 이를구비한 기판 처리 장치
JPH03145151A (ja) 静電チャック装置
JP2722861B2 (ja) ドライエッチング方法及び装置
JPH0423520B2 (ko)
KR20020017366A (ko) 반도체장치 제조설비의 정전척

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070419

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee