JPS60242622A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
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- JPS60242622A JPS60242622A JP9984184A JP9984184A JPS60242622A JP S60242622 A JPS60242622 A JP S60242622A JP 9984184 A JP9984184 A JP 9984184A JP 9984184 A JP9984184 A JP 9984184A JP S60242622 A JPS60242622 A JP S60242622A
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- Japan
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- etched
- lower electrode
- layer
- etching
- reactive ion
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
にその下部・電極の構造の改良に関するものである。
第１図は従来の反応性イオンエツチング装置の構成の第
１の例を示す断面図で、（１１は反応室、（２）け反応
室ｆｉ＋に゛電気的に接続され、ともに接地された上部
電極、（３）は絶縁部け（４）を介して反応室ｉｌｌ内
に収りつけられ上部電極（２）に対向して設けられた下
部電極、（５）は反応室ｉｌ＋へ反応性ガスを導入する
反応性ガス導入口、＋６１１’ｌｔ図示しない排気系に
接続される排気口、（７）は下部電極（３）に高周波（
ＲＦ）電圧を供給するＲＦ電源、（８）け破エツチング
基板である・ この従来装置では、反応ガス導入口（５）から導入され
た反応ガスは排気口（６）を適当な開閉度にすることに
よって、反応室ｆｉｌ内で所望の圧力に保たれる。この
反応性ガスは下部電極（３）と上部電極（２）との間に
ＲＦ電源（７）によって供給されるＲＦ電力によって分
解し、中性ラジカル、イオン、電子等を生成する。下部
電極（３）に印加されるＲＦ ′ｉｌｌ圧の正の周期に
は生成した電子が、負の周期には生成したイオンが゛眠
界による力を受け、下部電極（３）に向って集まろうと
する。しかしながら、電子の方がイオンよりも質量がけ
るかに小さく、またＲＦｉ亀圧電圧波数が高いので、全
体として下部”１極（３）にけ電子が集１す、最終的に
は下部電極（３）にはある一定の負電位が発生する。
１の例を示す断面図で、（１１は反応室、（２）け反応
室ｆｉ＋に゛電気的に接続され、ともに接地された上部
電極、（３）は絶縁部け（４）を介して反応室ｉｌｌ内
に収りつけられ上部電極（２）に対向して設けられた下
部電極、（５）は反応室ｉｌ＋へ反応性ガスを導入する
反応性ガス導入口、＋６１１’ｌｔ図示しない排気系に
接続される排気口、（７）は下部電極（３）に高周波（
ＲＦ）電圧を供給するＲＦ電源、（８）け破エツチング
基板である・ この従来装置では、反応ガス導入口（５）から導入され
た反応ガスは排気口（６）を適当な開閉度にすることに
よって、反応室ｆｉｌ内で所望の圧力に保たれる。この
反応性ガスは下部電極（３）と上部電極（２）との間に
ＲＦ電源（７）によって供給されるＲＦ電力によって分
解し、中性ラジカル、イオン、電子等を生成する。下部
電極（３）に印加されるＲＦ ′ｉｌｌ圧の正の周期に
は生成した電子が、負の周期には生成したイオンが゛眠
界による力を受け、下部電極（３）に向って集まろうと
する。しかしながら、電子の方がイオンよりも質量がけ
るかに小さく、またＲＦｉ亀圧電圧波数が高いので、全
体として下部”１極（３）にけ電子が集１す、最終的に
は下部電極（３）にはある一定の負電位が発生する。
そして、この負電位によって、上記反応性ガス力）ら生
成した反応性イオンが被エツチング基板（８）に向って
入射し、それに含まれる被エツチング層と反応して、こ
れをエツチングする。
成した反応性イオンが被エツチング基板（８）に向って
入射し、それに含まれる被エツチング層と反応して、こ
れをエツチングする。
ところで、下部電極（３）に発生し友負の電位は、下部
電極（３）の上に被エツチング基板（８）を置いている
ので、被エツチング基板（８）のエツジなどで電界の乱
れが生じ、この電界によって反応性イオンが入射し、被
エツチング基板（４）内のエツチングの均一性が悪くな
る。一般には周縁部が中心部よりもエツチングレートが
大きくなる。
電極（３）の上に被エツチング基板（８）を置いている
ので、被エツチング基板（８）のエツジなどで電界の乱
れが生じ、この電界によって反応性イオンが入射し、被
エツチング基板（４）内のエツチングの均一性が悪くな
る。一般には周縁部が中心部よりもエツチングレートが
大きくなる。
第２図はこのようが点を改良するための特公昭５４−’
７２６８０号公報に示された従来の装置の第２の例の下
部電極のみを拡大して示す部分断面図で、下部電極の構
成以外は第１図の第１の従来例と同様であるので省略し
た。第２図において、（９）は下部電極（３）の上に被
エツチング基板（８）を囲むように配設された補正板で
、被エツチング基板（８）の被エツチング層（８ａ）の
外部へ′電界の乱れを移動させて、エツチングの均一性
を得ていた。アルミニウムをエツチングするときけ補正
板（９）もアルミニウムで構成していた口 ところが、このような従来の装置ではエツチングの均一
性を得るための補正板を被エツチング層（８ａ）と同じ
材質で作製せねばならないが、これが手数を要し、また
作製困難な場合があった。
７２６８０号公報に示された従来の装置の第２の例の下
部電極のみを拡大して示す部分断面図で、下部電極の構
成以外は第１図の第１の従来例と同様であるので省略し
た。第２図において、（９）は下部電極（３）の上に被
エツチング基板（８）を囲むように配設された補正板で
、被エツチング基板（８）の被エツチング層（８ａ）の
外部へ′電界の乱れを移動させて、エツチングの均一性
を得ていた。アルミニウムをエツチングするときけ補正
板（９）もアルミニウムで構成していた口 ところが、このような従来の装置ではエツチングの均一
性を得るための補正板を被エツチング層（８ａ）と同じ
材質で作製せねばならないが、これが手数を要し、また
作製困難な場合があった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、下
部電極に被エツチング部材を囲む補正用環状体をエツチ
ングされない導電性金属で一体化して作製することによ
って、エツチングの均一性をよくし、さらに従来の補正
板作製の問題のない反応性イオンエツチング装置を提供
するものである。
部電極に被エツチング部材を囲む補正用環状体をエツチ
ングされない導電性金属で一体化して作製することによ
って、エツチングの均一性をよくし、さらに従来の補正
板作製の問題のない反応性イオンエツチング装置を提供
するものである。
第３図はこの発明の一実施例装置の下部電極のみを拡大
して示す部分断面図で、従来例と同一符号は同等部分を
示し、下部電極以外は第１図の従来例と同様である。第
３図に對いて、（３ａ）は被エツチング層（８ａ）を囲
むように下部電極（３）の上面に形成された環状凸出部
であり、下部゛電極（８）と一体に、反応性イオンエツ
チングされない導電性材料で形成される口 この実施例装置によるエツチング動作自体は従来装置と
同様である。し力）も被エツチング層（８ａ）は導電性
材料からなる環状凸出部（３ａ）で囲まれているので、
被エツチング層（８ａ）の周縁に電界の集中彦どが起こ
らず、エツチングの均一化が達成でき、しかも、従来の
ように環状補正板の作製の問題もない。更に、被エツチ
ング基板（８）の設置も容易になる。
して示す部分断面図で、従来例と同一符号は同等部分を
示し、下部電極以外は第１図の従来例と同様である。第
３図に對いて、（３ａ）は被エツチング層（８ａ）を囲
むように下部電極（３）の上面に形成された環状凸出部
であり、下部゛電極（８）と一体に、反応性イオンエツ
チングされない導電性材料で形成される口 この実施例装置によるエツチング動作自体は従来装置と
同様である。し力）も被エツチング層（８ａ）は導電性
材料からなる環状凸出部（３ａ）で囲まれているので、
被エツチング層（８ａ）の周縁に電界の集中彦どが起こ
らず、エツチングの均一化が達成でき、しかも、従来の
ように環状補正板の作製の問題もない。更に、被エツチ
ング基板（８）の設置も容易になる。
なお、この発明の考え方は電界を発生させ電極上に試料
に反応を生じさせる装置に広く適用できる。
に反応を生じさせる装置に広く適用できる。
以上説明したように、この発明になる反応性イオンエツ
チング装置では、被エツチング部材を載置する下部電極
の上面に当該被エツチング部材を囲むように環状凸出部
を下部電極と一体に形成し、下部電極および環状凸出部
を反応性イオンでエツチングされない導電性材料で構成
したので、被エツチング部材に対するエツチングの均一
性が達成でき、しかも環状凸出部の損耗もなく、作業効
率も向上する。
チング装置では、被エツチング部材を載置する下部電極
の上面に当該被エツチング部材を囲むように環状凸出部
を下部電極と一体に形成し、下部電極および環状凸出部
を反応性イオンでエツチングされない導電性材料で構成
したので、被エツチング部材に対するエツチングの均一
性が達成でき、しかも環状凸出部の損耗もなく、作業効
率も向上する。
第１図は従来の反応性イオンエツチング装置の第１の例
の構成を示す断面図、第２図は従来の装置の第２の例の
下部電極のみを拡大して示す部分断面図、第３図はこの
発明の一実施例装置の下部電極のみを拡大して示す部分
断面図である。 図において、ｉｌｌけ反応室、（２）は上部電極、（３
）は下部電極、（３ａ）は環状凸出部、（５）は反応性
ガス導入口、（６）は排気口、（７）は高周波電源、（
８）は被エツチング基板、（８ａ）は被エツチング層で
ある。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和５０年９ イ１ＵＪ １、事件の表示 特願昭５９−９９８４１号３、補正を
する者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
の構成を示す断面図、第２図は従来の装置の第２の例の
下部電極のみを拡大して示す部分断面図、第３図はこの
発明の一実施例装置の下部電極のみを拡大して示す部分
断面図である。 図において、ｉｌｌけ反応室、（２）は上部電極、（３
）は下部電極、（３ａ）は環状凸出部、（５）は反応性
ガス導入口、（６）は排気口、（７）は高周波電源、（
８）は被エツチング基板、（８ａ）は被エツチング層で
ある。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和５０年９ イ１ＵＪ １、事件の表示 特願昭５９−９９８４１号３、補正を
する者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
Claims (1)
- ＋１１ 反応室内の反応性ガス雰囲気中に互いに対向し
て配設された上部電極と下部電極との間に高周波電圧全
印加して生じる反応性イオンによって上記下部電極上に
載置された被エツチング部材をエツチングするものにお
いて、上記下部電極の上面に上記被エツチング部材を囲
むように環状凸出部が上記下部電極と一体に上記反応性
イオンでエツチングされないような導電性材料で形成さ
れたことを特徴とする反応性イオンエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9984184A JPS60242622A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9984184A JPS60242622A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60242622A true JPS60242622A (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=14258024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9984184A Pending JPS60242622A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60242622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0277341A2 (de) * | 1987-02-03 | 1988-08-10 | Balzers Aktiengesellschaft | Anordnung zur Anwendung eines Lichtbogens |
| JPH0574737A (ja) * | 1990-04-25 | 1993-03-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電圧駆動電極を有する処理装置及び粒子補集方法 |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP9984184A patent/JPS60242622A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0277341A2 (de) * | 1987-02-03 | 1988-08-10 | Balzers Aktiengesellschaft | Anordnung zur Anwendung eines Lichtbogens |
| JPH0574737A (ja) * | 1990-04-25 | 1993-03-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電圧駆動電極を有する処理装置及び粒子補集方法 |
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