JPS61238981A - 高周波エツチングの均一化方法 - Google Patents
高周波エツチングの均一化方法Info
- Publication number
- JPS61238981A JPS61238981A JP7925185A JP7925185A JPS61238981A JP S61238981 A JPS61238981 A JP S61238981A JP 7925185 A JP7925185 A JP 7925185A JP 7925185 A JP7925185 A JP 7925185A JP S61238981 A JPS61238981 A JP S61238981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- flat plate
- etching
- substrate
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高周波電源に接続した電極にシリコンウェハ等
の基板を取付け、これに均一にエツチングを施す方法に
関する。
の基板を取付け、これに均一にエツチングを施す方法に
関する。
（従来の技術）
従来、基板に高原波電源によりエッ＋ングすることは行
なわれており、基板に施されるエツチングが不均一にな
ると陽極と陰極の電極間距離を変えることも行なわれて
いる。
なわれており、基板に施されるエツチングが不均一にな
ると陽極と陰極の電極間距離を変えることも行なわれて
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
電極間距離を変えてエツチングの不均一を修正すると、
調節したい個所以外のエツチング速度が変えられてしま
うことが多く、基板全体を均一にエツチングするための
ｍ節が容易でない。
調節したい個所以外のエツチング速度が変えられてしま
うことが多く、基板全体を均一にエツチングするための
ｍ節が容易でない。
本発明はエツチングの速度を簡単に部分的に調節して基
板全体の均一なエツチングを行なう方法を提供すること
を目的とするものである。
板全体の均一なエツチングを行なう方法を提供すること
を目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、平板状の陽極と陰極を真空室内に平行して
設け、該陰極を高周波電源に接続し、該陰極に設けた基
板にエツチング全施すようにしたものに於て、該陽極の
前面に間隔を存してこれと同電位の多孔平板を設け、基
板のエツチング速度の低い個所の多孔平板と陽極との距
離を大きくするようビ調節し、その速度の高い個所の該
距離を小さくするように調節するようにした。
設け、該陰極を高周波電源に接続し、該陰極に設けた基
板にエツチング全施すようにしたものに於て、該陽極の
前面に間隔を存してこれと同電位の多孔平板を設け、基
板のエツチング速度の低い個所の多孔平板と陽極との距
離を大きくするようビ調節し、その速度の高い個所の該
距離を小さくするように調節するようにした。
（作用）
高周波電源よりの通電により陽極と基板を取付けた陰極
との間にグロー放電が発生するが、該グロー放電は陽極
の前方に設けた該陽極と同電位の多孔平板の孔内に入り
込み、該孔内のグローは孔の内壁間を往復する電子によ
って強いグローになる。しかも多孔平板の背後の二くに
陽極が存在すると該孔を通して大きくグローは拡がらな
いが、その背後の近くに陽極がないと該孔を通して大き
くグローが拡がり、そのグｐ−も強くなるので基板のエ
ツチングの速度が遅い個所に対向する多孔平板を陽極か
ら離し、陰極に接近させればその個所のエツチング速度
を速くすることが出来る。
との間にグロー放電が発生するが、該グロー放電は陽極
の前方に設けた該陽極と同電位の多孔平板の孔内に入り
込み、該孔内のグローは孔の内壁間を往復する電子によ
って強いグローになる。しかも多孔平板の背後の二くに
陽極が存在すると該孔を通して大きくグローは拡がらな
いが、その背後の近くに陽極がないと該孔を通して大き
くグローが拡がり、そのグｐ−も強くなるので基板のエ
ツチングの速度が遅い個所に対向する多孔平板を陽極か
ら離し、陰極に接近させればその個所のエツチング速度
を速くすることが出来る。
（実施例）
本発明の実施例を図面につき説明すると、第１図に於て
（１）は真空室、ｆ２１（３１は該真空室（１）内に互
に平行して設けた平板状の陽極と陰極で、該陰極（３）
は高周波電源（４）に接続され、陽極（２）はアースに
接続される。（５）は陰極（３）に取付けした基板を示
し、該真空室（１）内金真空化して高周波電源（４）よ
り電力を投入すると、陽極（２）と陰極（３）の間でグ
ロー放電が発生し、放電領域内で生じたイオンが陰極（
３）の基板（５）に突入してその表面をエツチングする
。
（１）は真空室、ｆ２１（３１は該真空室（１）内に互
に平行して設けた平板状の陽極と陰極で、該陰極（３）
は高周波電源（４）に接続され、陽極（２）はアースに
接続される。（５）は陰極（３）に取付けした基板を示
し、該真空室（１）内金真空化して高周波電源（４）よ
り電力を投入すると、陽極（２）と陰極（３）の間でグ
ロー放電が発生し、放電領域内で生じたイオンが陰極（
３）の基板（５）に突入してその表面をエツチングする
。
こうしたエツチング方法は従来のエツチング装置と高槻
であり、この構成では基板のある個所のエツチング速度
を速めるために陽極と陰極の間隔を調節すると他の個所
のエツチング速度が変わり基板全体のエツチング速度の
均一化は困難であるが、本発明に於ては該陽極（２）の
前面に間隔を存してこれと同電位の多孔平板（６）ヲ設
け。
であり、この構成では基板のある個所のエツチング速度
を速めるために陽極と陰極の間隔を調節すると他の個所
のエツチング速度が変わり基板全体のエツチング速度の
均一化は困難であるが、本発明に於ては該陽極（２）の
前面に間隔を存してこれと同電位の多孔平板（６）ヲ設
け。
該陽極（２）と多孔平板（６）との距離をエツチング速
度の低い個所では大きく、またその速度の高い個所では
小さく調節することにより均一なエツチング速度が得ら
れるようにした。
度の低い個所では大きく、またその速度の高い個所では
小さく調節することにより均一なエツチング速度が得ら
れるようにした。
該多孔平板（６）の詳細は第２図示の如くであり、グロ
ー放電（７）は例えば該多孔平板（６）の孔Ｗｓ （６
ａ）の口径が陽極シースの厚味ｄの２倍以上であれば該
孔部（６＆）に入り込む。該孔部（６＆）内に於けるグ
ロー放電は、該孔部（６＆）の内壁開音電子が往復する
ために比較的強いグローになる。
ー放電（７）は例えば該多孔平板（６）の孔Ｗｓ （６
ａ）の口径が陽極シースの厚味ｄの２倍以上であれば該
孔部（６＆）に入り込む。該孔部（６＆）内に於けるグ
ロー放電は、該孔部（６＆）の内壁開音電子が往復する
ために比較的強いグローになる。
またこの孔内に入り込んだグロー１は、多孔平板（６）
の背後の空間に何もない場合、第２図Ａに示すように孔
ｇ（６ａ）ｅ通して背後へと拡がりその強度も高くなる
が、背後に第２図Ｂに示すように陽極（２）が接近して
位置するとグローは孔部（６＆）を通して拡がることが
なくその強度も弱くなる。
の背後の空間に何もない場合、第２図Ａに示すように孔
ｇ（６ａ）ｅ通して背後へと拡がりその強度も高くなる
が、背後に第２図Ｂに示すように陽極（２）が接近して
位置するとグローは孔部（６＆）を通して拡がることが
なくその強度も弱くなる。
従って、例えば第３図示のように陽極（２）と陰極（３
）間に配置した基板（５）の位置Ｉ、ｌＳＩに於けるエ
ツチングの速度が第４図に見られるように位置１．Ｉで
次第に遅くなる場合、第１図示のように多孔平板（６）
ヲエッチング速度が遅くなる側が陽極（２）から大きく
離れるように傾けて設置すれば、第５図示のように基板
（５）の各位置■、１．１のエツチングを均一化出来る
。
）間に配置した基板（５）の位置Ｉ、ｌＳＩに於けるエ
ツチングの速度が第４図に見られるように位置１．Ｉで
次第に遅くなる場合、第１図示のように多孔平板（６）
ヲエッチング速度が遅くなる側が陽極（２）から大きく
離れるように傾けて設置すれば、第５図示のように基板
（５）の各位置■、１．１のエツチングを均一化出来る
。
尚、第１図示のエツチング装置に於て陽極（２）と陰極
（３）の距離は１５舅鶏であり、真空室（１）内にはＯ
ＨＦ、のガスｔ”Ｑ、Ｏ７５Ｔｏｒｒの圧力に導入し、
高周波電力密度が（Ｌ ２５ Ｗ／ｆｆｌとなるように
電源（４）から電力を与え、多孔平板（６）には直径３
ｍの孔部（６ａ） ｆ ５ ｔｓ間隔で千鳥状に配列し
た。
（３）の距離は１５舅鶏であり、真空室（１）内にはＯ
ＨＦ、のガスｔ”Ｑ、Ｏ７５Ｔｏｒｒの圧力に導入し、
高周波電力密度が（Ｌ ２５ Ｗ／ｆｆｌとなるように
電源（４）から電力を与え、多孔平板（６）には直径３
ｍの孔部（６ａ） ｆ ５ ｔｓ間隔で千鳥状に配列し
た。
陽極（２）と多孔平板（６）はそのいずれかを第６図又
はｆａ７図示の如く彎曲させ、また陰極（３）全回転さ
せるように構成してもよい。
はｆａ７図示の如く彎曲させ、また陰極（３）全回転さ
せるように構成してもよい。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、陽極の前面に多孔平板
を設け、これと陽極との距離をエツチング速度の低い個
所で大きく、速い個所では小さく調節するようにしたの
で簡単に基板全体ｔ−Ｍ−にエツチングするように調節
出来る効果がある。
を設け、これと陽極との距離をエツチング速度の低い個
所で大きく、速い個所では小さく調節するようにしたの
で簡単に基板全体ｔ−Ｍ−にエツチングするように調節
出来る効果がある。
第１図は本発明の詳細な説明線図、第２図はグロー放電
状態の説明図、第３図は一般的エッチング装置の説明線
図、第４図は第５図のエツチング速度の線図、第５図は
第１図示の場合のエツチング速度の線図、第６図及び第
７図は本発明の他の実施例の説明線図である。 （１）・・・真空室 （２）・・・陽極（３
）・・・陰極 （４）・・・高周波電源（
５）・・・基板 （６）・・・多孔平板特
許出願人 日本真空技術株式会社 代 理 人 北 村 欣 −へ
外２名
状態の説明図、第３図は一般的エッチング装置の説明線
図、第４図は第５図のエツチング速度の線図、第５図は
第１図示の場合のエツチング速度の線図、第６図及び第
７図は本発明の他の実施例の説明線図である。 （１）・・・真空室 （２）・・・陽極（３
）・・・陰極 （４）・・・高周波電源（
５）・・・基板 （６）・・・多孔平板特
許出願人 日本真空技術株式会社 代 理 人 北 村 欣 −へ
外２名
Claims (1)
- 平板状の陽極と陰極を真空室内に平行して設け、該陰極
を高周波電源に接続し、該陰極に設けた基板にエッチン
グを施すようにしたものに於て、該陽極の前面に間隔を
存してこれと同電位の多孔平板を設け、基板のエッチン
グ速度の低い個所の多孔平板と陽極との距離を大きくす
るように調節し、その速度の高い個所の該距離を小さく
するように調節することを特徴とする高周波エッチング
の均一化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7925185A JPS61238981A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 高周波エツチングの均一化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7925185A JPS61238981A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 高周波エツチングの均一化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61238981A true JPS61238981A (ja) | 1986-10-24 |
| JPS6366909B2 JPS6366909B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=13684633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7925185A Granted JPS61238981A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 高周波エツチングの均一化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61238981A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7661388B2 (en) * | 1999-08-10 | 2010-02-16 | Oerlikon Solar Ip Ag, Truebbach | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131613U (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-29 | ||
| JPS6430006U (ja) * | 1988-07-29 | 1989-02-23 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
| JPS58199870A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-21 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
-
1985
- 1985-04-16 JP JP7925185A patent/JPS61238981A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
| JPS58199870A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-21 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7661388B2 (en) * | 1999-08-10 | 2010-02-16 | Oerlikon Solar Ip Ag, Truebbach | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
| US7784426B2 (en) * | 1999-08-10 | 2010-08-31 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6366909B2 (ja) | 1988-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2748886B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6380684B1 (en) | Plasma generating apparatus and semiconductor manufacturing method | |
| JPS627272B2 (ja) | ||
| EP0786795A3 (en) | Method for manufacturing thin film, and deposition apparatus | |
| CN111354672B (zh) | 静电卡盘及等离子体加工装置 | |
| KR101593544B1 (ko) | 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 | |
| JP2007092108A5 (ja) | ||
| JP2000311890A (ja) | プラズマエッチング方法および装置 | |
| JPS61238981A (ja) | 高周波エツチングの均一化方法 | |
| JPS627270B2 (ja) | ||
| JPS63155728A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4680333B2 (ja) | プラズマ処理方法、エッチング方法、プラズマ処理装置及びエッチング装置 | |
| JP2000200698A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP3223692B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| WO1996038857A3 (en) | Magnetically enhanced radio frequency reactive ion etching method and apparatus | |
| JPS61187336A (ja) | プラズマエッチング装置とエッチング方法 | |
| JP4576011B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1167725A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH08195379A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPS5812346B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH02166283A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JP2569816B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2862088B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPS59208727A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS6240386A (ja) | Ｅｃｒプラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |