JPS60239025A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPS60239025A JPS60239025A JP9495584A JP9495584A JPS60239025A JP S60239025 A JPS60239025 A JP S60239025A JP 9495584 A JP9495584 A JP 9495584A JP 9495584 A JP9495584 A JP 9495584A JP S60239025 A JPS60239025 A JP S60239025A
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- JP
- Japan
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- etched
- etching
- lower electrode
- reactive ion
- ion etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は反応性イオンエツチング装置に係り、特にそ
の下部電極の構造に関するものである。
の下部電極の構造に関するものである。
第１図は従来の反応性イオンエツチング装置の電極構造
の第１の例を示す断面図で、（１）は上部電極、（２）
は下部電極で、図示を省略した周矧の反応室内に配設さ
れる。そして、両電極（１）、（２）のいずれか一方〔
この例では下部電極（２）〕には高周波（ＲＦ）’を源
（３）によって８２区圧が印加され、他方は接地される
。被エツチング部材であるウェーハ（４）は下部電極（
２）の上に直接載置してエツチングが行われる。ところ
が、下部電極（２）は例えば、ステンレスＡ板が用いら
れるが、第１図の形態ではエツチング中に下部電極（２
）からの鉄（Ｆｅ ）などの不純物がウェーハ（４）中
に混入するおそれがある。また、ウェーハ（４）の端部
に電界が集中するので、ウェーハ（４）は周縁部が中心
部に比してエツチングが速く進行し、エツチングむらを
生じる。
の第１の例を示す断面図で、（１）は上部電極、（２）
は下部電極で、図示を省略した周矧の反応室内に配設さ
れる。そして、両電極（１）、（２）のいずれか一方〔
この例では下部電極（２）〕には高周波（ＲＦ）’を源
（３）によって８２区圧が印加され、他方は接地される
。被エツチング部材であるウェーハ（４）は下部電極（
２）の上に直接載置してエツチングが行われる。ところ
が、下部電極（２）は例えば、ステンレスＡ板が用いら
れるが、第１図の形態ではエツチング中に下部電極（２
）からの鉄（Ｆｅ ）などの不純物がウェーハ（４）中
に混入するおそれがある。また、ウェーハ（４）の端部
に電界が集中するので、ウェーハ（４）は周縁部が中心
部に比してエツチングが速く進行し、エツチングむらを
生じる。
第２図Ａ、ＢおよびＣは従来の反応性イオンエツチング
装置の電極構造の第２、第３および第４の例について下
部電極のみを示す断面図で、下部電極以外は第１図と同
様であるので図示を省略した。第２図Ａの例は下部電極
（２）の上に例えばテフロン（商品名）などからなる下
敷（５）を置いて、その上にウェーハ（４）を載置する
ことによって、下部電極（２）からのＦｅなどの放出を
抑止し、これら不純物のウェーハ（４）への混入を防止
するようにしたものである。
装置の電極構造の第２、第３および第４の例について下
部電極のみを示す断面図で、下部電極以外は第１図と同
様であるので図示を省略した。第２図Ａの例は下部電極
（２）の上に例えばテフロン（商品名）などからなる下
敷（５）を置いて、その上にウェーハ（４）を載置する
ことによって、下部電極（２）からのＦｅなどの放出を
抑止し、これら不純物のウェーハ（４）への混入を防止
するようにしたものである。
しかし、この例でもエツチングのエツジ効果は改善され
ず、ウェーハ（４）の放熱は妨げられ、更にテフロンは
反応性ガスと反応して漸次消耗し、またそのときエツチ
ングに寄与するガスを発生するので、ウェーハ（４）の
エツチングの不均一性は助長される。
ず、ウェーハ（４）の放熱は妨げられ、更にテフロンは
反応性ガスと反応して漸次消耗し、またそのときエツチ
ングに寄与するガスを発生するので、ウェーハ（４）の
エツチングの不均一性は助長される。
第２図Ｂの例はウェー／−（４）の形状のくり抜きを形
成したテフロンなどからなる下敷（５ａ）を用い、この
くり抜き部に露出した下部電極（２）の表面上に直接ウ
ェーッ・（４）を載置することによって、下部電極（２
）からの不純物のウェーハ（４）中に混入するのを防止
するとともに、ウェーハ（４）からの良好な熱放散を確
保したものである。しかし、この例でも下敷助長の問題
は残っている。更に、第２図Ｃの例はり、このリング板
（６）は例えばステンレス鋼板で形成し、被エツチング
部材と同じ材料で表面を十分コーティングしたものを用
いることによって、第２図Ｂの例の効果の他に、エツチ
ングの均一性を改善できるようにしたものである。しか
し、エツチングを行う度にリング板（６）表面上にコー
チイブされた材料もエツチングされるので、再びコーテ
ィングし直す必要があり、また、リング材（６）で覆わ
れていない部分の下敷（５ａ）を構成するテフロンの消
耗はやはり生じ、交換の必要がある。
成したテフロンなどからなる下敷（５ａ）を用い、この
くり抜き部に露出した下部電極（２）の表面上に直接ウ
ェーッ・（４）を載置することによって、下部電極（２
）からの不純物のウェーハ（４）中に混入するのを防止
するとともに、ウェーハ（４）からの良好な熱放散を確
保したものである。しかし、この例でも下敷助長の問題
は残っている。更に、第２図Ｃの例はり、このリング板
（６）は例えばステンレス鋼板で形成し、被エツチング
部材と同じ材料で表面を十分コーティングしたものを用
いることによって、第２図Ｂの例の効果の他に、エツチ
ングの均一性を改善できるようにしたものである。しか
し、エツチングを行う度にリング板（６）表面上にコー
チイブされた材料もエツチングされるので、再びコーテ
ィングし直す必要があり、また、リング材（６）で覆わ
れていない部分の下敷（５ａ）を構成するテフロンの消
耗はやはり生じ、交換の必要がある。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、下
部電極を反応性ガスによってエツチングされない材料で
構成し、しかもその上面に被エツチング部材を収容でき
る凹部を形成し、その凹部内に被エツチング部材を載置
してエツチングすることによって、不純物の混入、エツ
チングの不均一の発生なくエツチングが可能で、しかも
治具の交換の必要のない反応性イオンエツチング装置を
提供するものである。
部電極を反応性ガスによってエツチングされない材料で
構成し、しかもその上面に被エツチング部材を収容でき
る凹部を形成し、その凹部内に被エツチング部材を載置
してエツチングすることによって、不純物の混入、エツ
チングの不均一の発生なくエツチングが可能で、しかも
治具の交換の必要のない反応性イオンエツチング装置を
提供するものである。
第３図はこの発明の一実施例の電極構造のみを示す断面
図で、従来例と同一符号は同等部分を示し、重複説明を
避ける。この実施例では、下部電極仇）はこの実施例装
置でエツチングに用いる反応性ガス、例えば四フッ化炭
素（ＣＦ４）と酸素（０２）との混合ガスによってエツ
チングされないアルミニウム（ＡＩなどの材料で構成し
、その上面に凹部（７）が形成されている０この凹部（
７）の形状は被エツチング部材であるウェーッ（４）と
ほぼ等しくし、その深さはウェーッ・（４）の厚さに等
しくして、ここにウェーッ・（４）を収容してエツチン
グを行う０この実施例装置を用いることによって、不純
物の混入を生じることなく、均一なエツチングが可能で
ある。
図で、従来例と同一符号は同等部分を示し、重複説明を
避ける。この実施例では、下部電極仇）はこの実施例装
置でエツチングに用いる反応性ガス、例えば四フッ化炭
素（ＣＦ４）と酸素（０２）との混合ガスによってエツ
チングされないアルミニウム（ＡＩなどの材料で構成し
、その上面に凹部（７）が形成されている０この凹部（
７）の形状は被エツチング部材であるウェーッ（４）と
ほぼ等しくし、その深さはウェーッ・（４）の厚さに等
しくして、ここにウェーッ・（４）を収容してエツチン
グを行う０この実施例装置を用いることによって、不純
物の混入を生じることなく、均一なエツチングが可能で
ある。
以上説明したように、この発明になる反応性イオンエツ
チング装置では、下部電極を反応性ガスのイオンでエツ
チングされない材料で構成し、かつ、その上面に被エツ
チング部材の形状および厚さにそれぞれほぼ等しい形状
および深さの凹部を形成し、この凹部に被エツチング部
材を収容してエツチングを施すようにしたので、不純物
の被エツチング部材への混入、エツチングの不均一の発
生なくエツチングが可能で、消耗部分がないので部品治
具の交換の必要もない。
チング装置では、下部電極を反応性ガスのイオンでエツ
チングされない材料で構成し、かつ、その上面に被エツ
チング部材の形状および厚さにそれぞれほぼ等しい形状
および深さの凹部を形成し、この凹部に被エツチング部
材を収容してエツチングを施すようにしたので、不純物
の被エツチング部材への混入、エツチングの不均一の発
生なくエツチングが可能で、消耗部分がないので部品治
具の交換の必要もない。
第１図は従来の反応性イオンエツチング装置の電極構造
の第１の例を示す断面図、第２図Ａ、ＢおよびＣはそれ
ぞれ従来の反応性イオンエツチング装置の電極構造の第
２、第３および第４の例について下部電極のみを示す断
面図、第３図はこの発明の一実施例の電極構造のみを示
す断面図である０ 図において、（１）は上部電極、（２ａ）は下部電極、
（３）は高周波電源、（４）は被エツチング部材、（７
）は凹部である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人大岩増雄 （７） 第１図 第３図
の第１の例を示す断面図、第２図Ａ、ＢおよびＣはそれ
ぞれ従来の反応性イオンエツチング装置の電極構造の第
２、第３および第４の例について下部電極のみを示す断
面図、第３図はこの発明の一実施例の電極構造のみを示
す断面図である０ 図において、（１）は上部電極、（２ａ）は下部電極、
（３）は高周波電源、（４）は被エツチング部材、（７
）は凹部である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人大岩増雄 （７） 第１図 第３図
Claims (2)
- （１）反応性ガス雰囲気中に互いに対向して配置された
上部電極と下部電極との間に高周波電圧を印加し、これ
によって生じる上記反応性ガスのイオンによって上記下
部電極上に載置された被エツチング部材にエツチングを
施すものにおいて、上記下部電極を上記反応性ガスのイ
オンでエツチングされない材料で構成するとともに、そ
の上面に上記被エツチング部材の形状および厚さにそれ
ぞれほぼ等しい形状および深さの凹部を形成し、この凹
部内に上記被エツチング部材を収容してエツチングを施
すようにしたことを特徴とする反応性イオンエツチング
装置０ - （２） 反応性ガスに四フッ化炭素と酸素との混合ガス
を用い、下部電極をアルミニウムで形成したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の反応性イオンエツチ
ング装置Ｏ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9495584A JPS60239025A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9495584A JPS60239025A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239025A true JPS60239025A (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=14124357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9495584A Pending JPS60239025A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2677043A1 (fr) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | Solems Sa | Procede, dispositif et appareil pour traiter un substrat par un plasma basse pression. |
| US5792376A (en) * | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP9495584A patent/JPS60239025A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2677043A1 (fr) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | Solems Sa | Procede, dispositif et appareil pour traiter un substrat par un plasma basse pression. |
| US5792376A (en) * | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
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