JP2575935Y2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JP2575935Y2 JP2575935Y2 JP1992015898U JP1589892U JP2575935Y2 JP 2575935 Y2 JP2575935 Y2 JP 2575935Y2 JP 1992015898 U JP1992015898 U JP 1992015898U JP 1589892 U JP1589892 U JP 1589892U JP 2575935 Y2 JP2575935 Y2 JP 2575935Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- dry etching
- chamber
- etching apparatus
- field applying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、磁場の分布を変化さ
せることができるようにしたドライエッチング装置に関
するものである。
せることができるようにしたドライエッチング装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のドライエッチング装置を示
す断面図、図３は磁場強度と磁場コイル間との距離との
依存性を示す曲線図である。図において、１は高真空状
態を保持できるように構成されたチャンバー室、２はチ
ャンバー室１と接続されたガス供給管、３はチャンバー
室１と接続されたガス排気管、４は処理されるシリコン
ウエハ、５はほぼ中心部にガス流路５ａが設けられた上
部電極で、ガス流路５ａはガス供給管２と接続されてい
る。６は上部電極５と対向して配置された下部電極で、
シリコンウエハ４を載置できるように構成されている。
７はチャンバー室１を介して電極５，６を囲む磁場印加
用コイルである。このようなドライエッチング装置は、
ガス排気管３が排ガスを処理する真空ポンプ（図示せ
ず）と接続され、ガス供給管２はプロセスガス供給装置
（図示せず）と、磁場印加用コイル７は電力供給装置
（図示せず）と接続される。
す断面図、図３は磁場強度と磁場コイル間との距離との
依存性を示す曲線図である。図において、１は高真空状
態を保持できるように構成されたチャンバー室、２はチ
ャンバー室１と接続されたガス供給管、３はチャンバー
室１と接続されたガス排気管、４は処理されるシリコン
ウエハ、５はほぼ中心部にガス流路５ａが設けられた上
部電極で、ガス流路５ａはガス供給管２と接続されてい
る。６は上部電極５と対向して配置された下部電極で、
シリコンウエハ４を載置できるように構成されている。
７はチャンバー室１を介して電極５，６を囲む磁場印加
用コイルである。このようなドライエッチング装置は、
ガス排気管３が排ガスを処理する真空ポンプ（図示せ
ず）と接続され、ガス供給管２はプロセスガス供給装置
（図示せず）と、磁場印加用コイル７は電力供給装置
（図示せず）と接続される。
【０００３】次に動作について説明する。図４に示すよ
うに下部電極６上にシリコンウエハ４を載置した状態
で、チャンバー室１内を高真空状態にして、ドライエッ
チング用のプロセスガスをガス供給管２から供給する。
つぎに、上下両電極５，６の一対の高周波電界印加用平
行電極によって高周波電場を、磁場印加用コイル７によ
って高周波電場に垂直に磁場をそれぞれ印加すると、プ
ロセスガスは上下両電極５，６間で活性化しプラズマ状
態になる。このプラズマでシリコンウエハ４のドライエ
ッチング処理が行われる。
うに下部電極６上にシリコンウエハ４を載置した状態
で、チャンバー室１内を高真空状態にして、ドライエッ
チング用のプロセスガスをガス供給管２から供給する。
つぎに、上下両電極５，６の一対の高周波電界印加用平
行電極によって高周波電場を、磁場印加用コイル７によ
って高周波電場に垂直に磁場をそれぞれ印加すると、プ
ロセスガスは上下両電極５，６間で活性化しプラズマ状
態になる。このプラズマでシリコンウエハ４のドライエ
ッチング処理が行われる。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】従来のドライエッチン
グ装置は以上のように構成されているので、磁場印加用
コイル７が上下両電極５，６に印加する磁場が、図５に
示すように両電極５，６付近では強い磁場強度を示す
が、両電極５，６の中心当りは磁場強度が低くなり、下
部電極６上のシリコンウエハ４の位置でも磁場強度が不
均一になる。このため、プラズマ密度に不均一が生じ、
エッチングレートが不均一となる問題点があった。
グ装置は以上のように構成されているので、磁場印加用
コイル７が上下両電極５，６に印加する磁場が、図５に
示すように両電極５，６付近では強い磁場強度を示す
が、両電極５，６の中心当りは磁場強度が低くなり、下
部電極６上のシリコンウエハ４の位置でも磁場強度が不
均一になる。このため、プラズマ密度に不均一が生じ、
エッチングレートが不均一となる問題点があった。
【０００５】この考案は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、両電極間の磁場強度を均一にで
きるドライエッチング装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、両電極間の磁場強度を均一にで
きるドライエッチング装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この考案に係わるドライ
エッチング装置は、磁場印加用コイルの内側に第２の磁
場印加用コイルを設けたものである。
エッチング装置は、磁場印加用コイルの内側に第２の磁
場印加用コイルを設けたものである。
【０００７】
【作用】この考案におけるドライエッチング装置は、第
１と第２の磁場印加用コイルが発生する磁場の合成によ
って、両電極間の磁場強度をほぼ均一にする。
１と第２の磁場印加用コイルが発生する磁場の合成によ
って、両電極間の磁場強度をほぼ均一にする。
【０００８】
【実施例】実施例１． 以下、この考案の実施例１を図について説明する。図１
はこの考案の実施例１によるドライエッチング装置の断
面図である。図において、１は高真空状態を保持できる
ように構成されたチャンバー室、２はチャンバー室１と
接続されたガス供給管、３はチャンバー室１と接続され
たガス排気管、４は処理されるシリコンウエハ、５はほ
ぼ中心部にガス流路５ａが設けられた上部電極で、ガス
流路５ａはガス供給管２と接続されている。６は上部電
極５と対向して配置された下部電極で、シリコンウエハ
４を載置できるように構成されている。７はチャンバー
室１を介して電極５，６を囲む磁場印加用コイル、８は
磁場印加用コイル７の内側に配置された第２の磁場印加
用コイルである。このようなドライエッチング装置は、
ガス排気管３が排ガスを処理する真空ポンプ（図示せ
ず）と接続され、ガス供給管２はプロセスガス供給装置
（図示せず）と、磁場印加用コイル７，８は電力供給装
置（図示せず）と接続される。
はこの考案の実施例１によるドライエッチング装置の断
面図である。図において、１は高真空状態を保持できる
ように構成されたチャンバー室、２はチャンバー室１と
接続されたガス供給管、３はチャンバー室１と接続され
たガス排気管、４は処理されるシリコンウエハ、５はほ
ぼ中心部にガス流路５ａが設けられた上部電極で、ガス
流路５ａはガス供給管２と接続されている。６は上部電
極５と対向して配置された下部電極で、シリコンウエハ
４を載置できるように構成されている。７はチャンバー
室１を介して電極５，６を囲む磁場印加用コイル、８は
磁場印加用コイル７の内側に配置された第２の磁場印加
用コイルである。このようなドライエッチング装置は、
ガス排気管３が排ガスを処理する真空ポンプ（図示せ
ず）と接続され、ガス供給管２はプロセスガス供給装置
（図示せず）と、磁場印加用コイル７，８は電力供給装
置（図示せず）と接続される。
【０００９】次に動作について説明する。図４に示すよ
うに下部電極６上にシリコンウエハ４を載置した状態
で、チャンバー室１内を高真空状態にして、ドライエッ
チング用のプロセスガスをガス供給管２から供給する。
つぎに、上下両電極５，６の一対の高周波電界印加用平
行電極によって高周波電場を、磁場印加用コイル７，８
によって高周波電場に垂直に磁場をそれぞれ印加する
と、プロセスガスは上下両電極５，６間で活性化しプラ
ズマ状態になる。このプラズマでシリコンウエハ４のド
ライエッチング処理が行われる。
うに下部電極６上にシリコンウエハ４を載置した状態
で、チャンバー室１内を高真空状態にして、ドライエッ
チング用のプロセスガスをガス供給管２から供給する。
つぎに、上下両電極５，６の一対の高周波電界印加用平
行電極によって高周波電場を、磁場印加用コイル７，８
によって高周波電場に垂直に磁場をそれぞれ印加する
と、プロセスガスは上下両電極５，６間で活性化しプラ
ズマ状態になる。このプラズマでシリコンウエハ４のド
ライエッチング処理が行われる。
【００１０】図２は実施例１に用いた磁場印加用コイル
７と、第２の磁場印加用コイル８の、磁界の強さと磁場
コイル間の距離との依存性を示す曲線図であり、図にお
いて、上半分の曲線は、一対の磁場印加用コイル７の関
係を、下半分の曲線は、第２の磁場印加用コイル８を磁
場印加用コイル７と逆の極性にしたときの曲線図であ
る。
７と、第２の磁場印加用コイル８の、磁界の強さと磁場
コイル間の距離との依存性を示す曲線図であり、図にお
いて、上半分の曲線は、一対の磁場印加用コイル７の関
係を、下半分の曲線は、第２の磁場印加用コイル８を磁
場印加用コイル７と逆の極性にしたときの曲線図であ
る。
【００１１】図３は実施例１に用いた磁場印加用コイル
７と、第２の磁場印加用コイル８を磁場印加用コイル７
と逆の極性にしたときの、それぞれの磁界の強さと磁場
コイル間の距離との依存性を示す曲線を、それぞれ合成
した曲線図である。これにより、図５の曲線と比較し
て、シリコンウエハ４の大きさ付近まで、磁場強度の分
布状態は均一になっている。
７と、第２の磁場印加用コイル８を磁場印加用コイル７
と逆の極性にしたときの、それぞれの磁界の強さと磁場
コイル間の距離との依存性を示す曲線を、それぞれ合成
した曲線図である。これにより、図５の曲線と比較し
て、シリコンウエハ４の大きさ付近まで、磁場強度の分
布状態は均一になっている。
【００１２】実施例２． 実施例１においては、第１と第２の磁場印加用コイル
７，８は一対を用いた場合について説明したが、第１と
第２の磁場印加用コイル７，８を複数対用い、磁場強度
の分布を変化させてもよい。
７，８は一対を用いた場合について説明したが、第１と
第２の磁場印加用コイル７，８を複数対用い、磁場強度
の分布を変化させてもよい。
【００１３】
【考案の効果】以上のようにこの考案によれば、磁場発
生コイルの内側に第２の磁場発生コイルを設けた構成と
したので、上下両電極間の磁場強度の分布をほぼ一定に
する。これにより、エッチングレートがほぼ一定となる
効果がある。
生コイルの内側に第２の磁場発生コイルを設けた構成と
したので、上下両電極間の磁場強度の分布をほぼ一定に
する。これにより、エッチングレートがほぼ一定となる
効果がある。
【図１】この考案の実施例１によるドライエッチング装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】この考案の実施例１によるドライエッチング装
置の磁場の強度分布を示す曲線図である。
置の磁場の強度分布を示す曲線図である。
【図３】この考案の実施例１によるドライエッチング装
置の合成磁場の強度分布を示す曲線図である。
置の合成磁場の強度分布を示す曲線図である。
【図４】従来のドライエッチング装置の断面図である。
【図５】従来のドライエッチング装置の磁場の強度分布
を示す曲線図である。
を示す曲線図である。
１ チャンバー室 ２ プロセスガス供給管 ３ ガス排気管 ４ シリコンウエハ ５ 上部電極 ６ 下部電極 ７ 磁場発生コイル（磁場印加用コイル） ８ 第２の磁場発生コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23F 4/00 H01L 21/3065 H05H 1/46
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバー室内に配置され高周波電場が
印加される一対の平行な電極、上記チャンバー室の周り
に配置され上記高周波電場と垂直に交わる磁場を印加す
る少なくとも一対の磁場発生コイル、上記磁場発生コイ
ルの内側に配置された第２の磁場発生コイルを備えたド
ライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992015898U JP2575935Y2 (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992015898U JP2575935Y2 (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0577261U JPH0577261U (ja) | 1993-10-22 |
| JP2575935Y2 true JP2575935Y2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=11901602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992015898U Expired - Lifetime JP2575935Y2 (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575935Y2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP1992015898U patent/JP2575935Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0577261U (ja) | 1993-10-22 |
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