JPH053176A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH053176A JPH053176A JP15364591A JP15364591A JPH053176A JP H053176 A JPH053176 A JP H053176A JP 15364591 A JP15364591 A JP 15364591A JP 15364591 A JP15364591 A JP 15364591A JP H053176 A JPH053176 A JP H053176A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- plasma processing
- electrode
- back surface
- plasma
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板によらず表面を均一にプラズマ処理
する。 【構成】半導体基板３の周縁部を載置する固定電極２１
ｂと、半導体基板３と固定電極２１ｂと形成される空間
部にエッチングガスを供給するとともに半導体基板３の
裏面と接触したり、離間したりする可動電極２１ａとを
設け、半導体基板３の表面をプラズマ処理する前に、エ
ッチングガスを供給しながら電圧を印加し、半導体基板
３の裏面の接触面の絶縁膜をエッチング除去する。
する。 【構成】半導体基板３の周縁部を載置する固定電極２１
ｂと、半導体基板３と固定電極２１ｂと形成される空間
部にエッチングガスを供給するとともに半導体基板３の
裏面と接触したり、離間したりする可動電極２１ａとを
設け、半導体基板３の表面をプラズマ処理する前に、エ
ッチングガスを供給しながら電圧を印加し、半導体基板
３の裏面の接触面の絶縁膜をエッチング除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一対又は複数対の対向す
る電極を具備し、電極の一方に半導体基板を載せ、電極
対間に高電圧を印加して放電させ、半導体基板表面を処
理するプラズマ処理装置に関する。
る電極を具備し、電極の一方に半導体基板を載せ、電極
対間に高電圧を印加して放電させ、半導体基板表面を処
理するプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の一例を示すプラズマ処理装
置の模式断面図である。従来、この種のプラズマ処理装
置は、例えば、図２に示すように、処理用ガス導入口４
及び排気口７を有し、対向する電極２０，２１を収納す
る真空処理容器１と、半導体基板３を搭載する電極２１
に取付けられているとともに半導体基板３を加熱するヒ
ータ６と、電極２０，２１間に電圧を印加し、放電を発
生させる放電用電源部５とを備えている。
置の模式断面図である。従来、この種のプラズマ処理装
置は、例えば、図２に示すように、処理用ガス導入口４
及び排気口７を有し、対向する電極２０，２１を収納す
る真空処理容器１と、半導体基板３を搭載する電極２１
に取付けられているとともに半導体基板３を加熱するヒ
ータ６と、電極２０，２１間に電圧を印加し、放電を発
生させる放電用電源部５とを備えている。
【０００３】このプラズマ半導体基板３を処理する場合
は、まず、電極２１に半導体基板３を載置し、この真空
処理容器１内にプラズマ処理用ガスを処理用ガス導入口
４より導入しながら放電用電源５により電極２０，２１
間に高電圧を印加して放電を生じさせ、半導体基板３の
表面処理を行なっていた。また、処理中には、電極２１
はヒーター６によって加熱され、排気ガスは処理用ガス
排気口７より排気されていた。
は、まず、電極２１に半導体基板３を載置し、この真空
処理容器１内にプラズマ処理用ガスを処理用ガス導入口
４より導入しながら放電用電源５により電極２０，２１
間に高電圧を印加して放電を生じさせ、半導体基板３の
表面処理を行なっていた。また、処理中には、電極２１
はヒーター６によって加熱され、排気ガスは処理用ガス
排気口７より排気されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプラズ
マ処理装置においては、電極の一方に半導体基板を載置
し、電極間に放電を行なわせる構造であるので、このプ
ラズマ処理前に空気中に放置しただけで、半導体基板の
表面に必然的に自然酸化膜が形成されたり、あるいは拡
散工程で薄い熱酸化膜等が形成されたりする。これら酸
化膜すなわち絶縁膜により、半導体基板と電極との間に
ある接触抵抗をもち、またこの接触抵抗は半導体基板各
々の裏面状態により異なるので、放電中における半導体
基板の電位に基板毎に差異が生ずることになる。このこ
とは、半導体基板に集中するプラズマ密度の相異を起
し、半導体基板上のプラズマ処理状態が半導体基板によ
り不均一になるという問題があった。
マ処理装置においては、電極の一方に半導体基板を載置
し、電極間に放電を行なわせる構造であるので、このプ
ラズマ処理前に空気中に放置しただけで、半導体基板の
表面に必然的に自然酸化膜が形成されたり、あるいは拡
散工程で薄い熱酸化膜等が形成されたりする。これら酸
化膜すなわち絶縁膜により、半導体基板と電極との間に
ある接触抵抗をもち、またこの接触抵抗は半導体基板各
々の裏面状態により異なるので、放電中における半導体
基板の電位に基板毎に差異が生ずることになる。このこ
とは、半導体基板に集中するプラズマ密度の相異を起
し、半導体基板上のプラズマ処理状態が半導体基板によ
り不均一になるという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題をすべく、半
導体基板と電極との接触抵抗をなくし、半導体基板によ
らず均一に処理出来るプラズマ処理装置を提供すること
である。
導体基板と電極との接触抵抗をなくし、半導体基板によ
らず均一に処理出来るプラズマ処理装置を提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、表面をプラズマ処理される半導体基板の周縁部を
乗せて載置する固定電極と、前記半導体基板の裏面にエ
ッチングガスを吹付ける穴を有し、前記半導体基板の裏
面と接触したり、離間したりする可動電極とを備え、前
記半導体基板の表面をプラズマ処理する前に、前記半導
体基板の裏面における絶線膜をエッチング除去すること
を特徴としている。
置は、表面をプラズマ処理される半導体基板の周縁部を
乗せて載置する固定電極と、前記半導体基板の裏面にエ
ッチングガスを吹付ける穴を有し、前記半導体基板の裏
面と接触したり、離間したりする可動電極とを備え、前
記半導体基板の表面をプラズマ処理する前に、前記半導
体基板の裏面における絶線膜をエッチング除去すること
を特徴としている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は、本発明の一実施例を示すプラズマ
処理装置の模式断面図である。本発明におけるプラズマ
処理装置は、半導体基板の表面を処理する前に、半導体
基板の裏面の酸化膜を除去するために、裏面をエッチン
グする機構を設けたことである。
処理装置の模式断面図である。本発明におけるプラズマ
処理装置は、半導体基板の表面を処理する前に、半導体
基板の裏面の酸化膜を除去するために、裏面をエッチン
グする機構を設けたことである。
【０００９】すなわち、図１に示すように、周縁部以外
を露出させて半導体記憶装置３を載置する固定電極２１
ｂと、半導体基板３に接触したり、離間したりするとと
もにエッチングガスを噴出する穴が形成すれる円板状の
可動電極２１ａと、この可動電極２１ａの穴に通じて取
付けられるとともにエッチングガスの導入口１２をもつ
可動管８と、可動管８を上下動させて可動電極２１ａを
半導体基板３の裏面に接触させたり、離間させたりする
上下駆動機構９とを設け、半導体基板３の裏面側の真空
処理室１ａにエッチングガスの排出口１１を形成し、可
動電極２１ａまたは電極２０に高周波電圧の印加を切換
えるスイッチ１０とを備えたことである。
を露出させて半導体記憶装置３を載置する固定電極２１
ｂと、半導体基板３に接触したり、離間したりするとと
もにエッチングガスを噴出する穴が形成すれる円板状の
可動電極２１ａと、この可動電極２１ａの穴に通じて取
付けられるとともにエッチングガスの導入口１２をもつ
可動管８と、可動管８を上下動させて可動電極２１ａを
半導体基板３の裏面に接触させたり、離間させたりする
上下駆動機構９とを設け、半導体基板３の裏面側の真空
処理室１ａにエッチングガスの排出口１１を形成し、可
動電極２１ａまたは電極２０に高周波電圧の印加を切換
えるスイッチ１０とを備えたことである。
【００１０】次にこのプラズマ処理装置の動作を説明す
る。まず、半導体基板３を固定電極２１ｂに乗せる。こ
のことにより半導体基板３と固定電極２１ｂと真空処理
室１ａの底面とで一つの空間部を形成する。次に可動電
極２１ａが半導体基板３より離間していること確認し、
エッチングガスを導入口１２より供給する。すなわち、
ＨＦやＨＣＬ等のエッチングガスを半導体基板３の裏面
に吹き付ける。これと同時に放電用電源部５をスイッチ
１０を作動させ、可動電極２１ａと半導体基板３を搭載
する固定電極２１ｂとの間に電圧を印加する。このこと
によりエッチングガスはプラズマイオン化され、半導体
基板３の裏面に形成された薄い絶縁膜をエッチングして
エッチングガスは排気口１１より排気される。
る。まず、半導体基板３を固定電極２１ｂに乗せる。こ
のことにより半導体基板３と固定電極２１ｂと真空処理
室１ａの底面とで一つの空間部を形成する。次に可動電
極２１ａが半導体基板３より離間していること確認し、
エッチングガスを導入口１２より供給する。すなわち、
ＨＦやＨＣＬ等のエッチングガスを半導体基板３の裏面
に吹き付ける。これと同時に放電用電源部５をスイッチ
１０を作動させ、可動電極２１ａと半導体基板３を搭載
する固定電極２１ｂとの間に電圧を印加する。このこと
によりエッチングガスはプラズマイオン化され、半導体
基板３の裏面に形成された薄い絶縁膜をエッチングして
エッチングガスは排気口１１より排気される。
【００１１】次に、エッチングガス供給を停止し、再び
真空処理容器を真空排気し、上下駆動機構９により可動
電極２１ａを半導体基板３の裏面と接触させ、処理用ガ
ス導入口４よりプラズマ処理用ガスを導入しながら電極
２０と可動電極板２１ａとの間に放電用電源５により高
電圧を印加し、処理を行なう。
真空処理容器を真空排気し、上下駆動機構９により可動
電極２１ａを半導体基板３の裏面と接触させ、処理用ガ
ス導入口４よりプラズマ処理用ガスを導入しながら電極
２０と可動電極板２１ａとの間に放電用電源５により高
電圧を印加し、処理を行なう。
【００１２】このように、可動電極２１ａと接触する半
導体基板３の絶縁膜を除去してから、プラズマ処理する
ので、半導体基板毎の処理むらがなくなり、均一に処理
することが出来た。また裏面をエッチングする際に、半
導体基板３の周縁部の絶縁膜は除去されないが、裏面エ
ッチングする際には特に問題はない。
導体基板３の絶縁膜を除去してから、プラズマ処理する
ので、半導体基板毎の処理むらがなくなり、均一に処理
することが出来た。また裏面をエッチングする際に、半
導体基板３の周縁部の絶縁膜は除去されないが、裏面エ
ッチングする際には特に問題はない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板の周縁部を載置する固定電極と、半導体基板の裏面と
接触したり、離間したりする可動電極と、半導体基板と
固定電極とで形成される空間部にエッチングガスを供給
する可動管とを備え、半導体基板の表面をプラズマ処理
する前に、可動電極と固定電極とに電圧を印加させ、エ
ッチングガスを半導体基板に吹き付けながら裏面の可動
電極と接触する面の絶縁膜をエッチング除去することに
よって、半導体基板と電極との接触抵抗を減じ、半導体
基板によらずに均一に処理できるプラズマ処理装置が得
られるという効果がある。
板の周縁部を載置する固定電極と、半導体基板の裏面と
接触したり、離間したりする可動電極と、半導体基板と
固定電極とで形成される空間部にエッチングガスを供給
する可動管とを備え、半導体基板の表面をプラズマ処理
する前に、可動電極と固定電極とに電圧を印加させ、エ
ッチングガスを半導体基板に吹き付けながら裏面の可動
電極と接触する面の絶縁膜をエッチング除去することに
よって、半導体基板と電極との接触抵抗を減じ、半導体
基板によらずに均一に処理できるプラズマ処理装置が得
られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すプラズマ処理装置の模
式断面図である。
式断面図である。
【図２】従来の一例を示すプラズマ処理装置の模式断面
図である。
図である。
１，１ａ 真空処理室 ３ 半導体基板 ４ 処理用ガス導入口 ５ 放電用電源部 ６ ヒータ ７ 処理用ガス排出口 ８ 可動管 ９ 上下駆動機構 １０ スイッチ １１ 排出口 １２ 導入口 ２０，２１ 電極 ２１ａ 可動電極 ２１ｂ 固定電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 表面をプラズマ処理される半導体基板の
周縁部を乗せて載置する固定電極と、前記半導体基板の
裏面にエッチングガスを吹付ける穴を有し、前記半導体
基板の裏面と接触したり、離間したりする可動電極とを
備え、前記半導体基板の表面をプラズマ処理する前に、
前記半導体基板の裏面における絶線膜をエッチング除去
することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15364591A JP2666609B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15364591A JP2666609B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053176A true JPH053176A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2666609B2 JP2666609B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=15567063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15364591A Expired - Lifetime JP2666609B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666609B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19502777A1 (de) * | 1994-02-22 | 1995-08-24 | Siemens Ag | Verfahren zur plasmaunterstützten Rückseitenätzung einer Halbleiterscheibe bei belackungsfreier Scheibenvorderseite |
| US6485604B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| WO2008108603A1 (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Sosul Co., Ltd. | Apparatus for etching a substrate |
| WO2008114958A1 (en) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Sosul Co., Ltd. | Apparatus for plasma processing and method for plasma processing |
| JP2008235585A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2009135158A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2010521051A (ja) * | 2007-03-12 | 2010-06-17 | アイクストロン、アーゲー | 改善された処理能力のための新規なプラズマシステム |
| KR101333521B1 (ko) * | 2007-04-13 | 2013-11-28 | (주)소슬 | 플라즈마 처리 장치 |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP15364591A patent/JP2666609B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19502777A1 (de) * | 1994-02-22 | 1995-08-24 | Siemens Ag | Verfahren zur plasmaunterstützten Rückseitenätzung einer Halbleiterscheibe bei belackungsfreier Scheibenvorderseite |
| US6485604B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| WO2008108603A1 (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Sosul Co., Ltd. | Apparatus for etching a substrate |
| JP2010521051A (ja) * | 2007-03-12 | 2010-06-17 | アイクストロン、アーゲー | 改善された処理能力のための新規なプラズマシステム |
| WO2008114958A1 (en) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Sosul Co., Ltd. | Apparatus for plasma processing and method for plasma processing |
| US8888950B2 (en) | 2007-03-16 | 2014-11-18 | Charm Engineering Co., Ltd. | Apparatus for plasma processing and method for plasma processing |
| JP2008235585A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| KR101333521B1 (ko) * | 2007-04-13 | 2013-11-28 | (주)소슬 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2009135158A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2666609B2 (ja) | 1997-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970527 |