JPS6366910B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6366910B2 JPS6366910B2 JP60152782A JP15278285A JPS6366910B2 JP S6366910 B2 JPS6366910 B2 JP S6366910B2 JP 60152782 A JP60152782 A JP 60152782A JP 15278285 A JP15278285 A JP 15278285A JP S6366910 B2 JPS6366910 B2 JP S6366910B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- processed
- gas
- vacuum container
- vacuum
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
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- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
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- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はドライエツチング方法に係り、特に被
処理物のエツチングをより均一に、かつ短時間で
行なうことを可能としたドライエツチング方法に
関する。
処理物のエツチングをより均一に、かつ短時間で
行なうことを可能としたドライエツチング方法に
関する。
従来のRIE装置（反応性イオンエツチング装
置）においては、真空容器の内部に一対の平行平
板電極を配置し、上記真空容器には、エツチング
ガスのガス導入管および真空排気装置に接続され
るガス排出管が接続されており、上記一方の電極
に被処理物を固定する。そして、真空排気装置に
より真空容器内の排気を行なつた後、上記ガス導
入管により真空容器内にエツチングガスを導入
し、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させ、エツチングガスをイオン化ある
いはラジカル化することにより被処理物のエツチ
ングを行なうものである。
置）においては、真空容器の内部に一対の平行平
板電極を配置し、上記真空容器には、エツチング
ガスのガス導入管および真空排気装置に接続され
るガス排出管が接続されており、上記一方の電極
に被処理物を固定する。そして、真空排気装置に
より真空容器内の排気を行なつた後、上記ガス導
入管により真空容器内にエツチングガスを導入
し、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させ、エツチングガスをイオン化ある
いはラジカル化することにより被処理物のエツチ
ングを行なうものである。
従来、被処理物を均一にかつ短時間にエツチン
グするため、ガス導入管の吹き出し口を改良した
り、電極を改良する等の手段が一般に用いられて
いるが、このような手段では発塵の問題や交換お
よび洗浄等のメインテナンスの問題があり、しか
も、被処理物を完全に均一にエツチングすること
が困難であるという問題点を有していた。
グするため、ガス導入管の吹き出し口を改良した
り、電極を改良する等の手段が一般に用いられて
いるが、このような手段では発塵の問題や交換お
よび洗浄等のメインテナンスの問題があり、しか
も、被処理物を完全に均一にエツチングすること
が困難であるという問題点を有していた。
また、特開昭58−157975号公報として、平行平
板電極間の距離を３〜10mmとすることにより、高
真空とせずに、エツチング速度を速くしたものが
提案されているが、この場合、被処理物のエツチ
ング速度が、中心とその周囲、特に周縁部で異な
つて、均一なエツチング処理を行うことができな
いばかりでなく、特に中央部でのエツチグ速度が
遅いため、全体としてのエツチング時間が長くな
つてしまうと考えられる。
板電極間の距離を３〜10mmとすることにより、高
真空とせずに、エツチング速度を速くしたものが
提案されているが、この場合、被処理物のエツチ
ング速度が、中心とその周囲、特に周縁部で異な
つて、均一なエツチング処理を行うことができな
いばかりでなく、特に中央部でのエツチグ速度が
遅いため、全体としてのエツチング時間が長くな
つてしまうと考えられる。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
被処理物をより均一に、かつ短時間にエツチング
することのできるドライエツチング方法を提供す
ることを目的とする。
被処理物をより均一に、かつ短時間にエツチング
することのできるドライエツチング方法を提供す
ることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係るエツチ
ング方法は、真空容器の内部に配設された間隔が
10mm以下の平行平板電極の一方に被処理物を固定
し、上記真空容器内にエツチングガスを導入する
とともに、上記電極に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させることにより、上記被処理物のエ
ツチングを行うドライエツチング方法において、
上記真空容器内のエツチングガスによる圧力を
250Pa以上に、上記被処理物の温度を５℃〜25℃
に夫々保持した状態で、上記平行平板電極の一方
に固定した被処理物にエツチング処理を施すよう
にしたものである。
ング方法は、真空容器の内部に配設された間隔が
10mm以下の平行平板電極の一方に被処理物を固定
し、上記真空容器内にエツチングガスを導入する
とともに、上記電極に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させることにより、上記被処理物のエ
ツチングを行うドライエツチング方法において、
上記真空容器内のエツチングガスによる圧力を
250Pa以上に、上記被処理物の温度を５℃〜25℃
に夫々保持した状態で、上記平行平板電極の一方
に固定した被処理物にエツチング処理を施すよう
にしたものである。
以下、本発明の実施例を第１図乃至第４図を参
照して説明する。
照して説明する。
第１図は、本発明を実施するためのRIE装置を
示したもので、真空容器１の内部上面には、上部
電極２が配設されているとともに、内部下面に
は、絶縁部材３を介して下部電極４が配設されて
おり、上記真空容器１の上記上部電極２部分は下
方に凹まされ、上記各電極２，４間距離が10mm以
下となるようになされている。
示したもので、真空容器１の内部上面には、上部
電極２が配設されているとともに、内部下面に
は、絶縁部材３を介して下部電極４が配設されて
おり、上記真空容器１の上記上部電極２部分は下
方に凹まされ、上記各電極２，４間距離が10mm以
下となるようになされている。
また、上記各電極２，４の内部には、被処理物
Ａを５℃〜25℃に冷却するための冷却水管５，５
が導通されており、上記下部電極４には、マツチ
ング回路６を介して、RF電源７が接続されてい
る。さらに、真空容器１には、図示しないガス導
入装置からエツチングガスを送るガス導入管８お
よび真空排気装置９に接続したガス排出管１０が
それぞれ接続されている。
Ａを５℃〜25℃に冷却するための冷却水管５，５
が導通されており、上記下部電極４には、マツチ
ング回路６を介して、RF電源７が接続されてい
る。さらに、真空容器１には、図示しないガス導
入装置からエツチングガスを送るガス導入管８お
よび真空排気装置９に接続したガス排出管１０が
それぞれ接続されている。
本実施例においては、Si基板上にSiO2膜を形
成してなる被処理物Ａを上記下部電極４の上面に
載置固定し、真空排気装置９により真空容器１内
を真空にした後、真空容器１内にガス導入管８に
よりエツチングガスとしてのCF4を導入する。そ
して、真空容器１内のエツチングガス圧力を
250Pa以上の高圧に維持し、RF電源７をONにし
て下部電極４に高周波電力を印加することにより
プラズマ１１を発生させ、被処理物Ａのエツチン
グを行なうのである。このとき、冷却水管５，５
に冷却水を循環させ、各電極２，４および被処理
物Ａを５〜25℃に冷却する。
成してなる被処理物Ａを上記下部電極４の上面に
載置固定し、真空排気装置９により真空容器１内
を真空にした後、真空容器１内にガス導入管８に
よりエツチングガスとしてのCF4を導入する。そ
して、真空容器１内のエツチングガス圧力を
250Pa以上の高圧に維持し、RF電源７をONにし
て下部電極４に高周波電力を印加することにより
プラズマ１１を発生させ、被処理物Ａのエツチン
グを行なうのである。このとき、冷却水管５，５
に冷却水を循環させ、各電極２，４および被処理
物Ａを５〜25℃に冷却する。
これは、第２図に示すように、被処理物の温度
を５〜25℃に冷却すると、均一性がほぼ10％以下
に改善されるからであり、また、第３図に示すよ
うに、被処理物の温度が50℃の場合は均一性は38
％と悪化しているとともに、そのほぼ中央部のエ
ツチング速度が低下しているのに対し、第４図に
示すように、被処理物を10℃に冷却すると均一性
は５％と大幅に改善されるとともに、時に中央部
分でのエツチング速度の増大が図れるからであ
る。
を５〜25℃に冷却すると、均一性がほぼ10％以下
に改善されるからであり、また、第３図に示すよ
うに、被処理物の温度が50℃の場合は均一性は38
％と悪化しているとともに、そのほぼ中央部のエ
ツチング速度が低下しているのに対し、第４図に
示すように、被処理物を10℃に冷却すると均一性
は５％と大幅に改善されるとともに、時に中央部
分でのエツチング速度の増大が図れるからであ
る。
したがつて、本実施例においては、真空容器内
エツチングガスによる圧力が250Pa以上で、被処
理物の温度を５〜25℃に冷却した状態でエツチン
グ処理を施すことにより、被処理物をより均一に
エツチングすることができ、また特に中央部のエ
ツチング速度を増大させることにより、全体とし
てのエツチング時間を短縮することができる。
エツチングガスによる圧力が250Pa以上で、被処
理物の温度を５〜25℃に冷却した状態でエツチン
グ処理を施すことにより、被処理物をより均一に
エツチングすることができ、また特に中央部のエ
ツチング速度を増大させることにより、全体とし
てのエツチング時間を短縮することができる。
以上述べたように本発明に係るドライエツチン
グ方法は、真空容器内のエツチンガスによる圧力
が250Pa以上で、被処理物の温度が５℃〜25℃に
保持した状態でエツチング処理を施すようにした
ので、被処理物のエツチングをより均一に行なう
ことができるとともに、特に中央部でのエツチン
グ速度を速めて、全体としてのエツチング時間を
短縮することができる。
グ方法は、真空容器内のエツチンガスによる圧力
が250Pa以上で、被処理物の温度が５℃〜25℃に
保持した状態でエツチング処理を施すようにした
ので、被処理物のエツチングをより均一に行なう
ことができるとともに、特に中央部でのエツチン
グ速度を速めて、全体としてのエツチング時間を
短縮することができる。
しかも、余分な部材を必要としないので、発塵
やメインテナンス等の問題もなくなる等の効果を
奏する。
やメインテナンス等の問題もなくなる等の効果を
奏する。
第１図乃至第４図はそれぞれ本発明の一実施例
を示したもので、第１図はRIE装置の概略構成
図、第２図は被処理物温度と均一性との関係を示
す線図、第３図および第４図はそれぞれ被処理物
位置とエツチング速度との関係を示す線図であ
る。 １……真空容器、２……上部電極、３……絶縁
部材、４……下部電極、５……冷却水管、６……
マツチング回路、７……RF電源、８……ガス導
入管、９……真空排気装置、１０……ガス排出
管、１１……プラズマ。
を示したもので、第１図はRIE装置の概略構成
図、第２図は被処理物温度と均一性との関係を示
す線図、第３図および第４図はそれぞれ被処理物
位置とエツチング速度との関係を示す線図であ
る。 １……真空容器、２……上部電極、３……絶縁
部材、４……下部電極、５……冷却水管、６……
マツチング回路、７……RF電源、８……ガス導
入管、９……真空排気装置、１０……ガス排出
管、１１……プラズマ。
Claims (1)
- １ 真空容器の内部に配設された間隔が10mm以下
の平行平板電極の一方に被処理物を固定し、上記
真空容器内にエツチングガスを導入するととも
に、上記電極に高周波電力を印加してプラズマを
発生させることにより、上記被処理物のエツチン
グを行うドライエツチング方法において、上記真
空容器内のエツチングガスによる圧力を250Pa以
上に、上記被処理物の温度を５℃〜25℃に夫々保
持した状態で、上記平行平板電極の一方に固定し
た被処理物にエツチング処理を施すことを特徴と
するドライエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15278285A JPS6213579A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 反応性イオンエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15278285A JPS6213579A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 反応性イオンエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213579A JPS6213579A (ja) | 1987-01-22 |
| JPS6366910B2 true JPS6366910B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=15548028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15278285A Granted JPS6213579A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 反応性イオンエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213579A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2673538B2 (ja) * | 1988-05-02 | 1997-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JP3240854B2 (ja) * | 1994-09-26 | 2001-12-25 | 三菱電機株式会社 | 空気調和機の吹出口 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161275A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | Etching method by gas containing hydrogen fluoride |
| JPS58157975A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP15278285A patent/JPS6213579A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161275A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | Etching method by gas containing hydrogen fluoride |
| JPS58157975A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6213579A (ja) | 1987-01-22 |
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