JPS6213579A - 反応性イオンエッチング方法 - Google Patents
反応性イオンエッチング方法Info
- Publication number
- JPS6213579A JPS6213579A JP15278285A JP15278285A JPS6213579A JP S6213579 A JPS6213579 A JP S6213579A JP 15278285 A JP15278285 A JP 15278285A JP 15278285 A JP15278285 A JP 15278285A JP S6213579 A JPS6213579 A JP S6213579A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- maintained
- electrode
- processed
- treated
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はドライエツチング方法に係り、特に被処理物の
エツチングを均一にかつ短時間に行なうことを可能とし
たドライエツチング方法に（資）する。
エツチングを均一にかつ短時間に行なうことを可能とし
たドライエツチング方法に（資）する。
従来のＲＩＥ＠ｌａ（反応性イオンエツチング装置）に
おいては、真空容器の内部に一対の平行平板電極を配置
し、上記真空容器には、エツチングガスのガス導入管お
よび真空排気装置に接続されるガス排出管が接続されて
おり、上記一方の電極に被処理物を固定する。そして、
真空排気装置により真空容器内の排気を行なった後、上
記ガス導入管により真空容器内にエツチングガスを導入
し、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラズマを
発生させ、エツチングガスをイオン化あるいはラジカル
化することにより被処理物のエツチングを行なうもので
ある。
おいては、真空容器の内部に一対の平行平板電極を配置
し、上記真空容器には、エツチングガスのガス導入管お
よび真空排気装置に接続されるガス排出管が接続されて
おり、上記一方の電極に被処理物を固定する。そして、
真空排気装置により真空容器内の排気を行なった後、上
記ガス導入管により真空容器内にエツチングガスを導入
し、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラズマを
発生させ、エツチングガスをイオン化あるいはラジカル
化することにより被処理物のエツチングを行なうもので
ある。
また、従来被処理物を均一にかつ短時間にエツチングす
るため、ガス導入管の吹き出し口を改良したり、電極を
改良する等の手段が用いられているが、上記のような手
段では発塵の問題や交換および洗浄等のメインテナンス
の問題があり、しかも、被処理物を完全に均一にエツチ
ングすることができないという欠点を有していた。
るため、ガス導入管の吹き出し口を改良したり、電極を
改良する等の手段が用いられているが、上記のような手
段では発塵の問題や交換および洗浄等のメインテナンス
の問題があり、しかも、被処理物を完全に均一にエツチ
ングすることができないという欠点を有していた。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、被処理物
を均一にエツチングすることのできるドライエツチング
方法を提供することを目的とするものである。
を均一にエツチングすることのできるドライエツチング
方法を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するため本発明に係るエツチング方法は
、真空容器内に配設された平行平板電極の一方に被処理
物を固定し、上記真空容器内にエツチングガスを導入す
るとともに、上記電極に高周波電力を印加してプラズマ
を発生させることにより、上記被処理物のエツチングを
行なうドライエツチング方法において、上記被処理物の
温度を５℃〜２５℃に保持するようにしたことをその特
徴とするものである。
、真空容器内に配設された平行平板電極の一方に被処理
物を固定し、上記真空容器内にエツチングガスを導入す
るとともに、上記電極に高周波電力を印加してプラズマ
を発生させることにより、上記被処理物のエツチングを
行なうドライエツチング方法において、上記被処理物の
温度を５℃〜２５℃に保持するようにしたことをその特
徴とするものである。
以下、本発明の実施例を第１図乃至第４図を参照して説
明する。
明する。
第１図は、本発明を実施するためのＲＩＥ装置を示した
もので、真空容器１の内部上面には、上部電極２が配設
されるとともに、内部下面には、絶縁部材３を介して下
部電極４が配設されており、上記真空容器１の上記上部
電極２部分は下方に凹まされ、上記各電極２．４間距離
が３０ａｍ以下となるようになされている。また、上記
各電極２゜４の内部には、冷却水管５，５が導通されて
おり、上記下部電極４には、マツチング回路６を介して
、ＲＦｔ源７が接続されている。さらに、真空容器１に
は、図示しないガス導入装置からエツチングガスを送る
ガス導入管８および真空排気装置９に接続されるガス排
出管１０がそれぞれ接続されている。
もので、真空容器１の内部上面には、上部電極２が配設
されるとともに、内部下面には、絶縁部材３を介して下
部電極４が配設されており、上記真空容器１の上記上部
電極２部分は下方に凹まされ、上記各電極２．４間距離
が３０ａｍ以下となるようになされている。また、上記
各電極２゜４の内部には、冷却水管５，５が導通されて
おり、上記下部電極４には、マツチング回路６を介して
、ＲＦｔ源７が接続されている。さらに、真空容器１に
は、図示しないガス導入装置からエツチングガスを送る
ガス導入管８および真空排気装置９に接続されるガス排
出管１０がそれぞれ接続されている。
本実施例においては、下部電極４の上面に３ｉ基板上に
Ｓ ｉ ０２ＷＡを形成してなる被処理物Ａを載置し、
真空排気袋＠９により真空容器１内を真空にした後、真
空容器１内にガス導入管８によりエツチングガスとして
のＣＦ４を導入する。そして、真空容器１内のエツチン
グガス圧力を約２００Ｐａ以上の高圧に維持し、ＲＦＷ
源７をＯＮにして下部電極４に高周波電力を印加するこ
とによりプラズマ１１を発生させ、被処理物Ａのエツチ
ングを行なうものである。このとき、冷却水管５，５に
冷却水を循環させ、各電極２．４および被処理物へを５
〜２５℃に冷却するようになされる。
Ｓ ｉ ０２ＷＡを形成してなる被処理物Ａを載置し、
真空排気袋＠９により真空容器１内を真空にした後、真
空容器１内にガス導入管８によりエツチングガスとして
のＣＦ４を導入する。そして、真空容器１内のエツチン
グガス圧力を約２００Ｐａ以上の高圧に維持し、ＲＦＷ
源７をＯＮにして下部電極４に高周波電力を印加するこ
とによりプラズマ１１を発生させ、被処理物Ａのエツチ
ングを行なうものである。このとき、冷却水管５，５に
冷却水を循環させ、各電極２．４および被処理物へを５
〜２５℃に冷却するようになされる。
また、第２図に示すように、本実施例のように被処理物
の温度を５〜２５℃に冷却すると、均一性がほぼ１０％
以下に改善されることがわかり、また、第３図に示すよ
うに、被処理物の温度が５０℃の場合は均一性は３８％
と悪化しているのに対し、第４図に示すように、被処理
物を１０℃に冷却すると均一性は５％と大幅に改善され
ていることがわかる。
の温度を５〜２５℃に冷却すると、均一性がほぼ１０％
以下に改善されることがわかり、また、第３図に示すよ
うに、被処理物の温度が５０℃の場合は均一性は３８％
と悪化しているのに対し、第４図に示すように、被処理
物を１０℃に冷却すると均一性は５％と大幅に改善され
ていることがわかる。
したがって、本実施例においては、被処理物を冷却する
ことにより、確実に被処理物を均一にエツチングするこ
とができる。
ことにより、確実に被処理物を均一にエツチングするこ
とができる。
以上述べたように本発明に係るドライエツチング方法は
、被処理物の温度を５〜２５℃に保持するようにしたの
で、被処理物のエツチングを均一に行なうことができ、
しかも、余分な部材を必要としないので、発塵やメイン
テナンス等の問題もなくなる等の効果を奏する。
、被処理物の温度を５〜２５℃に保持するようにしたの
で、被処理物のエツチングを均一に行なうことができ、
しかも、余分な部材を必要としないので、発塵やメイン
テナンス等の問題もなくなる等の効果を奏する。
第１図乃至第４図はそれぞれ本発明の一実施例を示した
もので、第１図はＲＩＥ装置の概略構成図、第２図は被
処理物温度と均一性との関係を示す線図、第３図および
第４図はそれぞれ被処理物位置とエツチング速度との関
係を示す線図である。 １・・・真空容器、２・・・上部電極、３・・・絶縁部
材、４・・・下部電極、５・・・冷却水管、６・・・マ
ツチング回路、７・・・ＲＦＩｉ源、８・・・ガス導入
管、９・・・真空排気装置、１０・・・ガス排出管、１
１・・・プラズマ。 出願人代理人 ＠ 藤 −雄 第２目 砿文理物温度（℃）
もので、第１図はＲＩＥ装置の概略構成図、第２図は被
処理物温度と均一性との関係を示す線図、第３図および
第４図はそれぞれ被処理物位置とエツチング速度との関
係を示す線図である。 １・・・真空容器、２・・・上部電極、３・・・絶縁部
材、４・・・下部電極、５・・・冷却水管、６・・・マ
ツチング回路、７・・・ＲＦＩｉ源、８・・・ガス導入
管、９・・・真空排気装置、１０・・・ガス排出管、１
１・・・プラズマ。 出願人代理人 ＠ 藤 −雄 第２目 砿文理物温度（℃）
Claims (1)
- 真空容器内に配設された平行平板電極の一方に被処理物
を固定し、上記真空容器内にエッチングガスを導入する
とともに、上記電極に高周波電力を印加してプラズマを
発生させることにより、上記被処理物のエッチングを行
なうドライエッチング方法において、上記平行平板電極
の間隔を１０ｍｍ以下、上記真空容器内圧力を２５０Ｐ
ａ以上上記被処理物の温度を５℃〜２５℃に保持するよ
うにしたことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15278285A JPS6213579A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 反応性イオンエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15278285A JPS6213579A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 反応性イオンエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213579A true JPS6213579A (ja) | 1987-01-22 |
| JPS6366910B2 JPS6366910B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=15548028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15278285A Granted JPS6213579A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 反応性イオンエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213579A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279783A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
| US5577958A (en) * | 1994-09-26 | 1996-11-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wind direction adjusting device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161275A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | Etching method by gas containing hydrogen fluoride |
| JPS58157975A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP15278285A patent/JPS6213579A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161275A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | Etching method by gas containing hydrogen fluoride |
| JPS58157975A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279783A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
| US5577958A (en) * | 1994-09-26 | 1996-11-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wind direction adjusting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6366910B2 (ja) | 1988-12-22 |
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