JPH01218024A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01218024A JPH01218024A JP4502688A JP4502688A JPH01218024A JP H01218024 A JPH01218024 A JP H01218024A JP 4502688 A JP4502688 A JP 4502688A JP 4502688 A JP4502688 A JP 4502688A JP H01218024 A JPH01218024 A JP H01218024A
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- Japan
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- electrodes
- plasma
- high voltage
- gas pressure
- electrode
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- Pending
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプラズマを利用してエツチングを施すドライエ
ツチング装置に関するものである。
ツチング装置に関するものである。
従来の技術
近年、各種のエツチング装置が開発されている。
これらのうちで１反応性イオンエツチングを利用したド
ライエツチング装置は、異方性エツチングが可能で、良
好な選択比、高い生産性をもつものとして注目されてい
る。
ライエツチング装置は、異方性エツチングが可能で、良
好な選択比、高い生産性をもつものとして注目されてい
る。
第３図に１反応性イオンエツチングを利用したドライエ
ツチング装置の一例を示す。第３図において、１は反応
容器であり、この反応容器１の内部に一対の平行平板電
極であるｆｆｉ極２と電ｐｉ３が設けられており、電極
３は接地されてアース電位とされ、電極２には高周波な
源４よりマツチング回路５を介して高周波電圧が印加さ
れる。
ツチング装置の一例を示す。第３図において、１は反応
容器であり、この反応容器１の内部に一対の平行平板電
極であるｆｆｉ極２と電ｐｉ３が設けられており、電極
３は接地されてアース電位とされ、電極２には高周波な
源４よりマツチング回路５を介して高周波電圧が印加さ
れる。
また１反応容器１の内部へガス導入管６よりガスが流量
調節されて導入され、ガス排気管７から真空ポンプ（図
示せず）で排気されて、反応容器１の内部のガス圧が調
節される。
調節されて導入され、ガス排気管７から真空ポンプ（図
示せず）で排気されて、反応容器１の内部のガス圧が調
節される。
上記構成により、被加工物８を電極２の上に置き、電極
２に高周波電圧を印加すると、電極２，３の間にプラズ
マが発生し、セルフバイアス効果により電極２には平均
的に負の直流的なバイアスが加えられた状態となって、
被加工物８の表面にプラズマ中の反応性イオンが垂直方
向に引張り込まれ、異方性エツチングが施される。
２に高周波電圧を印加すると、電極２，３の間にプラズ
マが発生し、セルフバイアス効果により電極２には平均
的に負の直流的なバイアスが加えられた状態となって、
被加工物８の表面にプラズマ中の反応性イオンが垂直方
向に引張り込まれ、異方性エツチングが施される。
このように１反応性イオンエツチングは、被加工物８に
負電位を加え、プラズマ中の反応性イオンを被加工物８
の表面に垂直方向に引張り込んでエツチングを行うもの
であり、実際に被加工物８の表面に突入するイオン入射
エネルギーは第２図に示すように反応容器１の内部のガ
ス圧力に依存しており、ガス圧に反比例している。これ
は、ガス圧が高いと被加工物８の表面に向って加速され
たイオンは途中で他の分子などと衝突してエネルギーを
失うためである。したがって、反応性イオンエツチング
で異方性エツチングの効果が大きいエツチングを行うに
は、ガス圧をなるべく低くする必要がある。
負電位を加え、プラズマ中の反応性イオンを被加工物８
の表面に垂直方向に引張り込んでエツチングを行うもの
であり、実際に被加工物８の表面に突入するイオン入射
エネルギーは第２図に示すように反応容器１の内部のガ
ス圧力に依存しており、ガス圧に反比例している。これ
は、ガス圧が高いと被加工物８の表面に向って加速され
たイオンは途中で他の分子などと衝突してエネルギーを
失うためである。したがって、反応性イオンエツチング
で異方性エツチングの効果が大きいエツチングを行うに
は、ガス圧をなるべく低くする必要がある。
発明が解決しようとする課題
しかし、従来の反応性イオンエツチングでは。
ガス圧がｌＰａ以下になるとプラズマの発生が極めて困
難になるため、ｌＰａ以下のガス圧でエツチングを行う
には数Ｐａでプラズマを発生させてからガス圧を除徐に
下げていき、所定のイオン入射エネルギーが得られるガ
ス圧でエツチングを行う方法がとられている。しかし、
この方法では所定のガス圧に達するまでに時間がかかり
、エツチング時間を厳密に制御することができないとい
う問題があった。
難になるため、ｌＰａ以下のガス圧でエツチングを行う
には数Ｐａでプラズマを発生させてからガス圧を除徐に
下げていき、所定のイオン入射エネルギーが得られるガ
ス圧でエツチングを行う方法がとられている。しかし、
この方法では所定のガス圧に達するまでに時間がかかり
、エツチング時間を厳密に制御することができないとい
う問題があった。
本発明は上記問題を解決するものであり、 ｌＰａ以下
のガス圧でも容易にプラズマを発生することができる反
応性イオンエツチングを利用したドライエツチング装置
を提供することを目的とするものである。
のガス圧でも容易にプラズマを発生することができる反
応性イオンエツチングを利用したドライエツチング装置
を提供することを目的とするものである。
ａ１題を解決するための手段
上記問題を解決するため本発明のドライエツチング装置
は、内部に一対の電極を有する反応容器と、前記反応容
器内にガスを導入するガス導入手段と、前記反応容器内
のガスを排気するガス排気手段と、前記電極間に高周波
電力を供給する手段とを備え、前記電極間に放電を生起
して前記電極間に配置した被加工物を処理するドライエ
ツチング装置であって、前記反応容器内に前記電極間ま
たは電極間近傍に高電圧が印加される一対の高電圧印加
電極を設け、前記高電圧印加電極に高電圧を印加する高
電圧源を設けたものである。
は、内部に一対の電極を有する反応容器と、前記反応容
器内にガスを導入するガス導入手段と、前記反応容器内
のガスを排気するガス排気手段と、前記電極間に高周波
電力を供給する手段とを備え、前記電極間に放電を生起
して前記電極間に配置した被加工物を処理するドライエ
ツチング装置であって、前記反応容器内に前記電極間ま
たは電極間近傍に高電圧が印加される一対の高電圧印加
電極を設け、前記高電圧印加電極に高電圧を印加する高
電圧源を設けたものである。
作用
上記構成により、高電圧印加電極間に瞬間的な高電圧を
高電圧源にて印加して放電させると、反応容器内のガス
圧が低くても、この瞬間的な放電に追従して、高周波電
力が供給されている一対の電極間に放電が持続して起こ
り、プラズマが継続して発生する。
高電圧源にて印加して放電させると、反応容器内のガス
圧が低くても、この瞬間的な放電に追従して、高周波電
力が供給されている一対の電極間に放電が持続して起こ
り、プラズマが継続して発生する。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明のドライエツチング装置の概略構成図で
あり、従来例の第３図と同一の構成には同一の符号を付
して説明を省略する。第１図において、９は反応容器１
の内部の電極２，３の間またはその近傍に設けられた一
対の高電圧印加電極であり、インダクションコイルやネ
オントランスなどを用いた高電圧源１０により高電圧が
印加される。
あり、従来例の第３図と同一の構成には同一の符号を付
して説明を省略する。第１図において、９は反応容器１
の内部の電極２，３の間またはその近傍に設けられた一
対の高電圧印加電極であり、インダクションコイルやネ
オントランスなどを用いた高電圧源１０により高電圧が
印加される。
以下上記構成における動作を説明する。電極２の上に被
加工物８を置き１反応容器１の内部を所定のイオン入射
エネルギーが得られるガス圧に調節して、電極２に高周
波電圧を印加する。ここで、反応容器１の内部のガス圧
が低いために電極２と電極３の間で放電が起こらず、プ
ラズマが発生しないときは、高電圧印加電極９の間に１
０４ｖ程度の高電圧を瞬間的に印加し、高電圧印加電極
９の間に放電を起こす。すると、この瞬間的な放電に追
従して電極２と電極３との間に放電が持続して起こり、
プラズマが継続して発生し、被加工物８にエツチングが
施される。
加工物８を置き１反応容器１の内部を所定のイオン入射
エネルギーが得られるガス圧に調節して、電極２に高周
波電圧を印加する。ここで、反応容器１の内部のガス圧
が低いために電極２と電極３の間で放電が起こらず、プ
ラズマが発生しないときは、高電圧印加電極９の間に１
０４ｖ程度の高電圧を瞬間的に印加し、高電圧印加電極
９の間に放電を起こす。すると、この瞬間的な放電に追
従して電極２と電極３との間に放電が持続して起こり、
プラズマが継続して発生し、被加工物８にエツチングが
施される。
このように、高電圧印加電極９を設け、瞬間的に放電す
ることにより、反応容器１の内部のガス圧が、０．ＩＰ
ａ程度でも容易にプラズマを得ることができ、従来のよ
うに数Ｐａでプラズマを発生させ所定のイオン入射エネ
ルギーが得られるガス圧に達するまでガス圧を除々に下
げる必要がなくなり、エツチング時間を厳密に制御する
ことができる。
ることにより、反応容器１の内部のガス圧が、０．ＩＰ
ａ程度でも容易にプラズマを得ることができ、従来のよ
うに数Ｐａでプラズマを発生させ所定のイオン入射エネ
ルギーが得られるガス圧に達するまでガス圧を除々に下
げる必要がなくなり、エツチング時間を厳密に制御する
ことができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、従来プラズマの発生が困
差なガス圧下でも、高電圧印加電極間に瞬間的な高電圧
を印加させて放電させることによって、この瞬間的な放
電に追従して、に周波電力が供給されている電極間に放
電が持続して起こり。
差なガス圧下でも、高電圧印加電極間に瞬間的な高電圧
を印加させて放電させることによって、この瞬間的な放
電に追従して、に周波電力が供給されている電極間に放
電が持続して起こり。
プラズマを継続して発生させることができる。したがっ
て、従来のように数Ｐａの圧力でプラズマを発生させ、
所定のイオン入射エネルギーが得られるガス圧まで除々
にガス圧を下げる必要がなくなり、エツチング時間を厳
密に制御することができる。
て、従来のように数Ｐａの圧力でプラズマを発生させ、
所定のイオン入射エネルギーが得られるガス圧まで除々
にガス圧を下げる必要がなくなり、エツチング時間を厳
密に制御することができる。
第１図は本発明の一実施例を示すドライエツチング装置
の概略構成図、第２図は被加工物に入射するイオン入射
エネルギーとガス圧の関係を示す特性図、第３図は従来
のドライエツチング装置の概ｌ１１８構成図である。 １・・・反応容器、２，３・・・電極、４・・・高周波
電源、５・・・マツチング回路、６・・・ガス導入管、
７・・・ガス排出管、８・・・被加工物、９・・・高電
圧印加電極、１゜・・・高電圧源。 代理人 森 本 義 弘 第１図 ８−禎加工背 第 ２ 図 １０
高電斥：＃、圧力 第３図
の概略構成図、第２図は被加工物に入射するイオン入射
エネルギーとガス圧の関係を示す特性図、第３図は従来
のドライエツチング装置の概ｌ１１８構成図である。 １・・・反応容器、２，３・・・電極、４・・・高周波
電源、５・・・マツチング回路、６・・・ガス導入管、
７・・・ガス排出管、８・・・被加工物、９・・・高電
圧印加電極、１゜・・・高電圧源。 代理人 森 本 義 弘 第１図 ８−禎加工背 第 ２ 図 １０
高電斥：＃、圧力 第３図
Claims (1)
- １、内部に一対の電極を有する反応容器と、前記反応容
器内にガスを導入するガス導入手段と、前記反応容器内
のガスを排気するガス排気手段と、前記電極間に高周波
電力を供給する手段とを備え、前記電極間に放電を生起
して前記電極間に配置した被加工物を処理するドライエ
ッチング装置であって、前記反応容器内に前記電極間ま
たは電極間近傍に高電圧が印加される一対の高電圧印加
電極を設け、前記高電圧印加電極に高電圧を印加する高
電圧源を設けたドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4502688A JPH01218024A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4502688A JPH01218024A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01218024A true JPH01218024A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12707819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4502688A Pending JPH01218024A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01218024A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288227A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及びその装置 |
| JPH03233834A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-17 | Tokyo Electron Ltd | イオン発生装置 |
| JPH04132221A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-06 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4502688A patent/JPH01218024A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288227A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及びその装置 |
| JPH03233834A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-17 | Tokyo Electron Ltd | イオン発生装置 |
| JPH04132221A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-06 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
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