JPS61235576A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS61235576A JPS61235576A JP7438185A JP7438185A JPS61235576A JP S61235576 A JPS61235576 A JP S61235576A JP 7438185 A JP7438185 A JP 7438185A JP 7438185 A JP7438185 A JP 7438185A JP S61235576 A JPS61235576 A JP S61235576A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- vessel
- pressure
- vacuum
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はドライエツチング装置に係り、特に被処理物の
エツチングを均一に行なうことを可能としたドライエツ
チング装置に関する。
エツチングを均一に行なうことを可能としたドライエツ
チング装置に関する。
従来のＲＩＥ装＠（反応性イオンエツチング装置）にお
いては、真空容器の内部に一対の平行平板電極を配置し
、上記真空容器には、エツチングガスのガス導入管およ
び真空排気装置に接続されるガス排出管が接続されてお
り、上記一方の電極に被処理物を固定する。そして、真
空排気装置により真空容器内の排気を行なった後、上記
ガス導入管により真空容器内にエツチングガスを導入し
、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラズマを発
生させ、エツチングガスをイオン化あるいはラジカル化
することにより被処理物のエツチングを行なうものであ
る。
いては、真空容器の内部に一対の平行平板電極を配置し
、上記真空容器には、エツチングガスのガス導入管およ
び真空排気装置に接続されるガス排出管が接続されてお
り、上記一方の電極に被処理物を固定する。そして、真
空排気装置により真空容器内の排気を行なった後、上記
ガス導入管により真空容器内にエツチングガスを導入し
、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラズマを発
生させ、エツチングガスをイオン化あるいはラジカル化
することにより被処理物のエツチングを行なうものであ
る。
しかし、上記手段においては、エツチングガスの圧力を
１〜１０Ｐａ程度に維持してエツチングを行なうもので
あるが、エツチングガスをＣＦ４のみとした場合、被処
理物のエツチング速度が安定せず、被処理物を均一にエ
ツチングすることができないという欠点を有しており、
エツチングの信頼性を著しく低下させていた。
１〜１０Ｐａ程度に維持してエツチングを行なうもので
あるが、エツチングガスをＣＦ４のみとした場合、被処
理物のエツチング速度が安定せず、被処理物を均一にエ
ツチングすることができないという欠点を有しており、
エツチングの信頼性を著しく低下させていた。
（発明の目的〕
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、被処理物
を均一にエツチングすることのできるドライエツチング
載置を提供することを目的とするものである。
を均一にエツチングすることのできるドライエツチング
載置を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するため本発明に係るエツチング装置は
、真空容器内に一対の平行平板電極を配設し、この平行
平板電極の一方に被処理物を固定し、上記真空容器内に
エツチングガスを導入しつつ上記電極に高周波電力を印
加することにより上記被処理物のエツチングを行なうド
ライエツチング装置において、上記エツチングガスを導
入する導入管の中途部に、ガス圧力υＩｍ装置を介設し
、このガス圧力制御装置により上記真空容器のエツチン
グガス圧力を３５０Ｐａ〜４５０Ｐａに制御するように
したことをその特徴とするものである。
、真空容器内に一対の平行平板電極を配設し、この平行
平板電極の一方に被処理物を固定し、上記真空容器内に
エツチングガスを導入しつつ上記電極に高周波電力を印
加することにより上記被処理物のエツチングを行なうド
ライエツチング装置において、上記エツチングガスを導
入する導入管の中途部に、ガス圧力υＩｍ装置を介設し
、このガス圧力制御装置により上記真空容器のエツチン
グガス圧力を３５０Ｐａ〜４５０Ｐａに制御するように
したことをその特徴とするものである。
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を第１図乃至第３図を参照して説
明する。
明する。
第１図は、本発明をＲＩＥ装置に適用した場合の一実施
例を示したもので、真空容器１の内部上面には、上部電
極２が配設されるとともに、内部下面には、絶縁部材３
を介して下部電極４が配設されており、上記真空容器１
の上記上部電極２部分は下方に凹まされ、上記各電極２
．４間距離が３０履以下となるようになされている。ま
た、上記各電極２．４の内部には、冷却水管５．５が導
通されており、上記下部電極４には、マツチング回路６
を介して、ＲＦ電源７が接続されている。
例を示したもので、真空容器１の内部上面には、上部電
極２が配設されるとともに、内部下面には、絶縁部材３
を介して下部電極４が配設されており、上記真空容器１
の上記上部電極２部分は下方に凹まされ、上記各電極２
．４間距離が３０履以下となるようになされている。ま
た、上記各電極２．４の内部には、冷却水管５．５が導
通されており、上記下部電極４には、マツチング回路６
を介して、ＲＦ電源７が接続されている。
さらに、真空容器１には、図示しないガス導入装置から
エツチングガスを送るガス導入管８および真空排気装置
９に接続されるガス排出管１０がそれぞれ接続されてお
り、また、上記ガス導入管８の中途部には、真空容器１
の内部におけるエツチングガス圧力を制御するガス圧力
制御装置１１が介設されている。
エツチングガスを送るガス導入管８および真空排気装置
９に接続されるガス排出管１０がそれぞれ接続されてお
り、また、上記ガス導入管８の中途部には、真空容器１
の内部におけるエツチングガス圧力を制御するガス圧力
制御装置１１が介設されている。
本実施例においては、下部電極４の上面にＳ１基板上に
Ｓ ＋ ０２ ｇ！を形成してなる被処理物Ａを載置し
、真空排気装置ｔ９により真空容器１内を真空にした復
、真空容器１内にガス導入管８によりエツチングガスと
してのＣＦ４を導入する。そして、ガス圧力制御装置１
１により真空容器１内のエツチングガス圧力を約３５０
Ｐａ〜４５０Ｐａの高圧に維持し、ＲＦ電源７をＯＮに
して下部電極４に高周波電力を印加することによりプラ
ズマ１２を発生させ、被処理物Ａのエツチングを行なう
ものである。このとき、冷却水管５．５に冷却水を循環
させ、各電極２．４および被処理物Ａを冷ｎ１するよう
になされる。
Ｓ ＋ ０２ ｇ！を形成してなる被処理物Ａを載置し
、真空排気装置ｔ９により真空容器１内を真空にした復
、真空容器１内にガス導入管８によりエツチングガスと
してのＣＦ４を導入する。そして、ガス圧力制御装置１
１により真空容器１内のエツチングガス圧力を約３５０
Ｐａ〜４５０Ｐａの高圧に維持し、ＲＦ電源７をＯＮに
して下部電極４に高周波電力を印加することによりプラ
ズマ１２を発生させ、被処理物Ａのエツチングを行なう
ものである。このとき、冷却水管５．５に冷却水を循環
させ、各電極２．４および被処理物Ａを冷ｎ１するよう
になされる。
また、第２図に示すように、本実施例のようにエツチン
グガス圧力を３５０〜４５０Ｐａと高圧に制御すると、
エツチング速度は低下するがエツチングの均一性は向上
していることがわかり、また、第３図に示すように、４
００Ｐａのエツチングガス圧力では均一性は５％以下と
極めて良い値を示している。
グガス圧力を３５０〜４５０Ｐａと高圧に制御すると、
エツチング速度は低下するがエツチングの均一性は向上
していることがわかり、また、第３図に示すように、４
００Ｐａのエツチングガス圧力では均一性は５％以下と
極めて良い値を示している。
したがって、本実施例においては、エツチングガス圧力
を高圧に維持することにより、エツチング速度が安定し
、確実に被処理物を均一にエツチングすることができる
。
を高圧に維持することにより、エツチング速度が安定し
、確実に被処理物を均一にエツチングすることができる
。
（発明の効果〕
以上述べたように本発明に係るドライエツチング装置は
、エツチングガス導入管の中途部に介設されたガス圧力
制御装置により、エツチングガスの圧力を３５０Ｐａ〜
４５０Ｐａに制御するようにしたので、被処理物のエツ
チング速度が安定し、被処理物のエツチングを均一に行
なうことができるという効果を奏する。
、エツチングガス導入管の中途部に介設されたガス圧力
制御装置により、エツチングガスの圧力を３５０Ｐａ〜
４５０Ｐａに制御するようにしたので、被処理物のエツ
チング速度が安定し、被処理物のエツチングを均一に行
なうことができるという効果を奏する。
第１図乃至第３図はそれぞれ本発明の一実施例を示した
もので、第１図はＲＩＥ装置の概略構成図、第２図はエ
ツチング圧力とエツチング速度および均一性との関係を
示す線図、第３図は４００ｐａの圧力下における被処理
物位置とエツチング速度との関係を示す線図である。 １・・・真空容器、２・・・上部電極、３・・・絶縁部
材、４・・・下部電極、５・・・冷却水管、６・・・マ
ツチング回路、７・・・ＲＦ主電源８・・・ガス導入管
、９・・・真空排気装置、１０・・・ガス排出管、１１
・・・ガス圧力！！Ｉ ｉｌｌ装置、１２・・・プラズ
マ。 出願人代理人 猪 股 清 あ２目 エヅ呼ジグ万力 （Ｐａ） 第３目 穢叉り里忰立置（ｃｍ ）
もので、第１図はＲＩＥ装置の概略構成図、第２図はエ
ツチング圧力とエツチング速度および均一性との関係を
示す線図、第３図は４００ｐａの圧力下における被処理
物位置とエツチング速度との関係を示す線図である。 １・・・真空容器、２・・・上部電極、３・・・絶縁部
材、４・・・下部電極、５・・・冷却水管、６・・・マ
ツチング回路、７・・・ＲＦ主電源８・・・ガス導入管
、９・・・真空排気装置、１０・・・ガス排出管、１１
・・・ガス圧力！！Ｉ ｉｌｌ装置、１２・・・プラズ
マ。 出願人代理人 猪 股 清 あ２目 エヅ呼ジグ万力 （Ｐａ） 第３目 穢叉り里忰立置（ｃｍ ）
Claims (1)
- 真空容器内に一対の平行平板電極を配設し、この平行平
板電極の一方に被処理物を固定し、上記真空容器内にエ
ッチングガスを導入しつつ上記電極に高周波電力を印加
することにより上記被処理物のエッチングを行なうドラ
イエッチング装置において、上記エッチングガスを導入
する導入管の中途部に、ガス圧力制御装置を介設し、こ
のガス圧力制御装置により上記真空容器のエッチングガ
ス圧力を３５０Ｐａ〜４５０Ｐａに制御するようにした
ことを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7438185A JPS61235576A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7438185A JPS61235576A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61235576A true JPS61235576A (ja) | 1986-10-20 |
| JPS64471B2 JPS64471B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=13545528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7438185A Granted JPS61235576A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61235576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897171A (en) * | 1985-11-26 | 1990-01-30 | Tadahiro Ohmi | Wafer susceptor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123978A (en) * | 1980-10-14 | 1982-08-02 | Buranson Intern Purazuma Corp | Alyminum etching method and gas mixture |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP7438185A patent/JPS61235576A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123978A (en) * | 1980-10-14 | 1982-08-02 | Buranson Intern Purazuma Corp | Alyminum etching method and gas mixture |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897171A (en) * | 1985-11-26 | 1990-01-30 | Tadahiro Ohmi | Wafer susceptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS64471B2 (ja) | 1989-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |