JPS629324Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS629324Y2 JPS629324Y2 JP1984025627U JP2562784U JPS629324Y2 JP S629324 Y2 JPS629324 Y2 JP S629324Y2 JP 1984025627 U JP1984025627 U JP 1984025627U JP 2562784 U JP2562784 U JP 2562784U JP S629324 Y2 JPS629324 Y2 JP S629324Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ions
- plasma
- chamber
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は材料のダメージを小さくしたプラズマ
装置に関する。
装置に関する。
第１図はプラズマ装置の一例として示したエツ
チング装置で、被排気室１内に２枚の電極２Ａ，
２Ｂが配置されており、該電極の内、２Ａは大地
に接続されており、２Ｂは電源側と負荷側のイン
ピーダンスの整合を取る整合回路３を介して高周
波電源４に接続されている。又、該電極２Ｂの上
にはエツチングされるべきウエハ５が載置されて
いる。尚、６は被排気室内にガスを導入する為の
ガス導入手段、７は排気手段である。該装置にお
いて、先ず、排気装置７により被排気室内を例え
ば10-5Torr程度に排気し、次に、ガス導入手段
６により該被排気室内に例えば、Arガスを導入
し、該被排気室内を例えば、10-3Torr程度の気
圧にする。この状態において、高周波電源４から
整合回路３を介して前記電極間に高周波を印加す
ると、該電極間にプラズマが発生し、イオンが電
極２Ｂの上に載置されたウエハ５に衝突し、該ウ
エハはエツチングされる。
チング装置で、被排気室１内に２枚の電極２Ａ，
２Ｂが配置されており、該電極の内、２Ａは大地
に接続されており、２Ｂは電源側と負荷側のイン
ピーダンスの整合を取る整合回路３を介して高周
波電源４に接続されている。又、該電極２Ｂの上
にはエツチングされるべきウエハ５が載置されて
いる。尚、６は被排気室内にガスを導入する為の
ガス導入手段、７は排気手段である。該装置にお
いて、先ず、排気装置７により被排気室内を例え
ば10-5Torr程度に排気し、次に、ガス導入手段
６により該被排気室内に例えば、Arガスを導入
し、該被排気室内を例えば、10-3Torr程度の気
圧にする。この状態において、高周波電源４から
整合回路３を介して前記電極間に高周波を印加す
ると、該電極間にプラズマが発生し、イオンが電
極２Ｂの上に載置されたウエハ５に衝突し、該ウ
エハはエツチングされる。
所で、この様なエツチング装置において、エツ
チングすべき材料（例．ウエハ）が大きなダメー
ジを被ることがある。
チングすべき材料（例．ウエハ）が大きなダメー
ジを被ることがある。
本考案はこの様なダメージを出来る丈小さくす
ることを目的としたものである。
ることを目的としたものである。
さて、この材料のダメージを調べてみると、次
の様なことが分かつた。
の様なことが分かつた。
エツチングは電極間でプラズマ化したものの
内、主に正のイオンがエツチング材料に衝突する
ことによつて行なわれるが、該プラズマの内、移
動度の大きい電子が電極２Ｂ（エツチングされる
べき材料５）上に当り、該電極が負にチヤージア
ツプするので、該電極には例えば、数100Vの負
の直流バイアスが印加されることになり、この
為、該プラズマ中の正のArイオンが該バイアス
電圧に対応した大きなエネルギを有してエツチン
グ材料に衝突することになり、該材料は大きなダ
メージを被ることとなる。この場合、エツチング
材料のエツチングレイトはArイオンの数と該イ
オンのエネルギに依存するが、該Arイオンの数
（即ち、プラズマ密度）は前記電極間に印加され
る高周波電力に、又、Arイオンのエネルギは前
記直流バイアス電圧に夫々左右される。但し、エ
ツチングレイトは主にArイオンの数（プラズマ
密度）に左右されるので、前記電極に印加される
直流バイアス電圧を適宜コントロールすれば、エ
ツチングレイトをさほど変化させることなく、
Arイオンのエネルギを制御し、エツチングされ
るべき材料のダメージを低減することが出来る。
内、主に正のイオンがエツチング材料に衝突する
ことによつて行なわれるが、該プラズマの内、移
動度の大きい電子が電極２Ｂ（エツチングされる
べき材料５）上に当り、該電極が負にチヤージア
ツプするので、該電極には例えば、数100Vの負
の直流バイアスが印加されることになり、この
為、該プラズマ中の正のArイオンが該バイアス
電圧に対応した大きなエネルギを有してエツチン
グ材料に衝突することになり、該材料は大きなダ
メージを被ることとなる。この場合、エツチング
材料のエツチングレイトはArイオンの数と該イ
オンのエネルギに依存するが、該Arイオンの数
（即ち、プラズマ密度）は前記電極間に印加され
る高周波電力に、又、Arイオンのエネルギは前
記直流バイアス電圧に夫々左右される。但し、エ
ツチングレイトは主にArイオンの数（プラズマ
密度）に左右されるので、前記電極に印加される
直流バイアス電圧を適宜コントロールすれば、エ
ツチングレイトをさほど変化させることなく、
Arイオンのエネルギを制御し、エツチングされ
るべき材料のダメージを低減することが出来る。
本考案はこの様な原理に基づいてなされたもの
で、被排気室内に配置された電極、該電極に整合
回路を介して高周波を供給する為の電源、該被排
気室内にガスを導入する為のガス導入手段からな
る装置において、前記電極をコイルを介して可変
低抗回路に接続した新規なプラズマ装置を提供す
るものである。
で、被排気室内に配置された電極、該電極に整合
回路を介して高周波を供給する為の電源、該被排
気室内にガスを導入する為のガス導入手段からな
る装置において、前記電極をコイルを介して可変
低抗回路に接続した新規なプラズマ装置を提供す
るものである。
第２図は本考案の一実施例を示したもので、第
１図にて使用した番号と同一のものは同一構成要
素を示す。
１図にて使用した番号と同一のものは同一構成要
素を示す。
図中８は高周波成分をカツトする為のコイル
で、該コイルには直列に可変抵抗回路９が接続さ
れている。このコイルと抵抗回路の直列回路は電
極２Ｂと大地間に接続される。１０は電極２Ａ，
２Ｂ間に印加される直流バイアス電圧を示す電圧
計である。
で、該コイルには直列に可変抵抗回路９が接続さ
れている。このコイルと抵抗回路の直列回路は電
極２Ｂと大地間に接続される。１０は電極２Ａ，
２Ｂ間に印加される直流バイアス電圧を示す電圧
計である。
斯くの如き装置において、排気装置７により被
排気室内を例えば10-5Torr程度に排気し、次
に、ガス導入手段６により該被排気室内に例え
ば、Arガスを導入し、該被排気室内を例えば、
10-3Torr程度の気圧にする。この状態におい
て、高周波電源４から整合回路３を介して前記電
極間に高周波を印加すると、該電極間にプラズマ
が発生し、移動度の大きい電子が電極２Ｂ（エツ
チングされるべき材料５）上に当り、該電極が負
にチヤージアツプするので、該電極には例えば、
数100Vの負の直流バイアスが印加されることに
なる。ここで、可変抵抗回路９をコントロール
し、該直流電圧を適宜下げる。この場合、コント
ロールすべき直流電圧は導入されているガスの種
類、エツチング材料の種類等により決定される。
この様に前記電極間に印加される直流バイアス電
圧を適宜下げると、エツチングされるべき材料５
に向つて来るArイオンのエネルギは該材料にダ
メージを余り与えない程度の大きさとなつて該材
料（ウエハ）５に衝突して該ウエハはエツチング
される。
排気室内を例えば10-5Torr程度に排気し、次
に、ガス導入手段６により該被排気室内に例え
ば、Arガスを導入し、該被排気室内を例えば、
10-3Torr程度の気圧にする。この状態におい
て、高周波電源４から整合回路３を介して前記電
極間に高周波を印加すると、該電極間にプラズマ
が発生し、移動度の大きい電子が電極２Ｂ（エツ
チングされるべき材料５）上に当り、該電極が負
にチヤージアツプするので、該電極には例えば、
数100Vの負の直流バイアスが印加されることに
なる。ここで、可変抵抗回路９をコントロール
し、該直流電圧を適宜下げる。この場合、コント
ロールすべき直流電圧は導入されているガスの種
類、エツチング材料の種類等により決定される。
この様に前記電極間に印加される直流バイアス電
圧を適宜下げると、エツチングされるべき材料５
に向つて来るArイオンのエネルギは該材料にダ
メージを余り与えない程度の大きさとなつて該材
料（ウエハ）５に衝突して該ウエハはエツチング
される。
尚、前記実施例ではエツチング装置について説
明したがスパツタリング装置等についても適用出
来る。
明したがスパツタリング装置等についても適用出
来る。
本考案によれば、プラズマ中のイオンを利用し
た装置において、該イオンの衝撃を受ける材料の
ダメージを低減することが出来る。
た装置において、該イオンの衝撃を受ける材料の
ダメージを低減することが出来る。
第１図は従来のエツチング装置、第２図は本考
案の一実施例として示したエツチング装置の概略
図である。 １：被排気室、２Ａ，２Ｂ：電極、３：整合回
路、４：高周波電源、５：ウエハ、６：ガス導入
手段、７：排気手段、８：コイル、９：可変抵抗
回路、１０：電圧。
案の一実施例として示したエツチング装置の概略
図である。 １：被排気室、２Ａ，２Ｂ：電極、３：整合回
路、４：高周波電源、５：ウエハ、６：ガス導入
手段、７：排気手段、８：コイル、９：可変抵抗
回路、１０：電圧。
Claims (1)
- 被排気室内に配置された電極、該電極に整合回
路を介して高周波を供給する為の電源、該被排気
室内にガスを導入する為のガス導入手段からなる
装置において、前記電極をコイルを介して可変抵
抗回路に接続したプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2562784U JPS60140763U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2562784U JPS60140763U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140763U JPS60140763U (ja) | 1985-09-18 |
| JPS629324Y2 true JPS629324Y2 (ja) | 1987-03-04 |
Family
ID=30520864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2562784U Granted JPS60140763U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140763U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3971684A (en) * | 1973-12-03 | 1976-07-27 | Hewlett-Packard Company | Etching thin film circuits and semiconductor chips |
| JPS53114679A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Fujitsu Ltd | Plasm etching unit |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP2562784U patent/JPS60140763U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60140763U (ja) | 1985-09-18 |
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